JP2723375B2 - 磁気装置 - Google Patents
磁気装置Info
- Publication number
- JP2723375B2 JP2723375B2 JP10143891A JP10143891A JP2723375B2 JP 2723375 B2 JP2723375 B2 JP 2723375B2 JP 10143891 A JP10143891 A JP 10143891A JP 10143891 A JP10143891 A JP 10143891A JP 2723375 B2 JP2723375 B2 JP 2723375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gauss
- magnetic
- flux density
- magnetic flux
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、静磁波を用いた磁気装
置に関する。さらに詳しくは、温度に対して安定した共
振周波数をうることができる磁気装置に関する。
置に関する。さらに詳しくは、温度に対して安定した共
振周波数をうることができる磁気装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、たとえば特開昭62-200709号公
報に示された従来の磁気装置を示す断面図であり、同図
において１は磁気回路のヨーク、２は永久磁石、４は磁
気回路の磁気ギャップ、５は静磁波素子すなわち磁気共
鳴素子、７は整磁板である。磁気共鳴素子としては、Ｙ
ＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）単結晶球やＹＩ
Ｇ薄膜などが用いられている。
報に示された従来の磁気装置を示す断面図であり、同図
において１は磁気回路のヨーク、２は永久磁石、４は磁
気回路の磁気ギャップ、５は静磁波素子すなわち磁気共
鳴素子、７は整磁板である。磁気共鳴素子としては、Ｙ
ＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）単結晶球やＹＩ
Ｇ薄膜などが用いられている。
【０００３】磁気共鳴素子に磁場を与える手段として
は、起磁力の保持に電流などの外部からのエネルギー源
を必要としない永久磁石２が使われ、ヨーク１の両端に
対向して設置されている。そして、共振周波数を変える
ため、この永久磁石２の作る磁場に重畳する磁場を発生
するコイル６をヨーク１に巻き回して用い、このコイル
６に流す電流を変えることにより磁気共鳴素子の共振周
波数を調整している。
は、起磁力の保持に電流などの外部からのエネルギー源
を必要としない永久磁石２が使われ、ヨーク１の両端に
対向して設置されている。そして、共振周波数を変える
ため、この永久磁石２の作る磁場に重畳する磁場を発生
するコイル６をヨーク１に巻き回して用い、このコイル
６に流す電流を変えることにより磁気共鳴素子の共振周
波数を調整している。
【０００４】さらに、永久磁石２は、磁気共鳴素子５の
置かれる磁気ギャップに直接、または温度補償などの目
的で挿入された整磁板７を介して対向しており、その形
状は永久磁石材料の特性、目的とする周波数に応じた磁
場の強さ、および磁気共鳴素子の形状寸法などを考慮
し、永久磁石２が最適な動作点になるように設計されて
いる。
置かれる磁気ギャップに直接、または温度補償などの目
的で挿入された整磁板７を介して対向しており、その形
状は永久磁石材料の特性、目的とする周波数に応じた磁
場の強さ、および磁気共鳴素子の形状寸法などを考慮
し、永久磁石２が最適な動作点になるように設計されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気装置は以上
のように構成されているのであるが、温度補償用の整磁
板７を用いても、磁気共鳴素子の共振周波数ｆの温度ｔ
に対する依存性がそれ以上に大きいことから温度特性に
劣るという実用上大きな問題がある。以下、この問題に
ついて説明する。
のように構成されているのであるが、温度補償用の整磁
板７を用いても、磁気共鳴素子の共振周波数ｆの温度ｔ
に対する依存性がそれ以上に大きいことから温度特性に
劣るという実用上大きな問題がある。以下、この問題に
ついて説明する。
【０００６】磁気共鳴素子の共振周波数ｆ（Ｈｚ）は、
異方性磁界の寄与が小さいとしてこれを無視すると、キ
ッテルの式を用いて、次式(2)のように表すことができ
る。 ｆ(t)＝γ×（Ｂｇ(t)−Ｎ×４πＭｓ(t)） ・・・(2) ただし、γは磁気共鳴素子の磁気回転比でこのばあいは
γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｂｇ(gauss)は磁気共鳴素
子がおかれている磁気ギャップの磁束密度、Ｎは磁気共
鳴素子の反磁界係数で静磁モード理論を用いて計算され
る値、４πＭｓ(gauss) は磁気共鳴素子の飽和磁化であ
る。ｆ、Ｂｇ、４πＭｓはすべて温度ｔの関数である。
異方性磁界の寄与が小さいとしてこれを無視すると、キ
ッテルの式を用いて、次式(2)のように表すことができ
る。 ｆ(t)＝γ×（Ｂｇ(t)−Ｎ×４πＭｓ(t)） ・・・(2) ただし、γは磁気共鳴素子の磁気回転比でこのばあいは
γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｂｇ(gauss)は磁気共鳴素
子がおかれている磁気ギャップの磁束密度、Ｎは磁気共
鳴素子の反磁界係数で静磁モード理論を用いて計算され
る値、４πＭｓ(gauss) は磁気共鳴素子の飽和磁化であ
る。ｆ、Ｂｇ、４πＭｓはすべて温度ｔの関数である。
【０００７】具体例としては、前述した特開昭62-20070
9号公報に示されているように、アスペクト比（厚さ／
直径）が0.01のＹＩＧ円板の垂直共鳴ではＮ＝0.9774で
あり、仮にＢｇが温度によらず一定としたばあい、４π
Ｍｓは-20℃で1916 gauss、＋60℃で1622 gaussとなる
から、共振周波数ｆはこの温度範囲で、823×106Ｈｚも
の変化をする。
9号公報に示されているように、アスペクト比（厚さ／
直径）が0.01のＹＩＧ円板の垂直共鳴ではＮ＝0.9774で
あり、仮にＢｇが温度によらず一定としたばあい、４π
Ｍｓは-20℃で1916 gauss、＋60℃で1622 gaussとなる
から、共振周波数ｆはこの温度範囲で、823×106Ｈｚも
の変化をする。
【０００８】このような静磁波を用いた磁気装置におい
て、周囲温度による共振周波数の変動を回避する方法と
しては、磁気装置を恒温槽内に配置して磁気共鳴素子を
一定の温度に保持するとか、電磁石によって温度に応じ
て磁界を変化させて素子の共振周波数を一定に保持する
とか、整磁板を適用して磁気回路の温度特性を素子の温
度特性に合わせるなどの方法が考えられていたが、これ
らは、電流制御などの外部からのエネルギー供給が必要
となったり、また、磁気回路の温度特性を磁気共鳴素子
に合わせるばあいにも、工業的にえられる整磁板や永久
磁石の種類は限られるため、両者の温度特性を広い範囲
に亘って精密に合わせることはきわめて困難であった。
て、周囲温度による共振周波数の変動を回避する方法と
しては、磁気装置を恒温槽内に配置して磁気共鳴素子を
一定の温度に保持するとか、電磁石によって温度に応じ
て磁界を変化させて素子の共振周波数を一定に保持する
とか、整磁板を適用して磁気回路の温度特性を素子の温
度特性に合わせるなどの方法が考えられていたが、これ
らは、電流制御などの外部からのエネルギー供給が必要
となったり、また、磁気回路の温度特性を磁気共鳴素子
に合わせるばあいにも、工業的にえられる整磁板や永久
磁石の種類は限られるため、両者の温度特性を広い範囲
に亘って精密に合わせることはきわめて困難であった。
【０００９】本発明は、前述した問題点を解消するため
になされたものであり、温度特性を補償するための外部
回路や整磁板を必要とせず、さらにこれに伴って温度特
性を補償するための電力消費がなく、しかも固定周波
数、可変周波数の両方の磁気装置に適用でき、広範囲の
使用周波数の磁気装置において、温度に対して安定した
共振周波数をうることができる磁気装置を提供すること
を目的としている
になされたものであり、温度特性を補償するための外部
回路や整磁板を必要とせず、さらにこれに伴って温度特
性を補償するための電力消費がなく、しかも固定周波
数、可変周波数の両方の磁気装置に適用でき、広範囲の
使用周波数の磁気装置において、温度に対して安定した
共振周波数をうることができる磁気装置を提供すること
を目的としている
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の静磁波を用いた
磁気装置は、永久磁石を組み込んだ磁気回路と磁気共鳴
素子によって形成されており、前記磁気共鳴素子の飽和
磁束密度４πＭｓ(gauss）と飽和磁束密度の温度係数α
（gauss／℃）が、数式(1)：
磁気装置は、永久磁石を組み込んだ磁気回路と磁気共鳴
素子によって形成されており、前記磁気共鳴素子の飽和
磁束密度４πＭｓ(gauss）と飽和磁束密度の温度係数α
（gauss／℃）が、数式(1)：
【００１１】
【数２】 （ただし、 f0；磁気装置の基準温度における共振周波数（Ｈｚ）、 δ；永久磁石の温度係数（％／℃）、 γ；磁気共鳴素子の磁気回転比（Ｈｚ／gauss）、 Ｎ；磁気共鳴素子の反磁界係数、 ４πＭｓ0；磁気共鳴素子の基準温度における飽和磁束
密度(gauss)である。） の関係を満たすことを特徴としており、磁気共鳴素子の
温度特性を磁気回路の温度特性に整合させ、温度に対し
て安定した共振周波数ｆをうるようにしたものである。
密度(gauss)である。） の関係を満たすことを特徴としており、磁気共鳴素子の
温度特性を磁気回路の温度特性に整合させ、温度に対し
て安定した共振周波数ｆをうるようにしたものである。
【００１２】
【作用】磁気共鳴素子５の飽和磁化４πＭｓ(t)を対象
としている温度範囲ｔ1（℃）〜ｔ2（℃）のあいだでの
平均温度係数α（gauss／℃）を用いて直線近似すると
次式(3)で示される。
としている温度範囲ｔ1（℃）〜ｔ2（℃）のあいだでの
平均温度係数α（gauss／℃）を用いて直線近似すると
次式(3)で示される。
【００１３】 ４πＭｓ(t)＝４πＭｓ(t0)＋α×（ｔ−ｔ0） ・・・(3) ここでｔ0はｔ1≦ｔ0≦ｔ2の範囲の基準温度であり、
４πＭｓ(t0)はｔ＝ｔ0（℃）での磁気共鳴素子の飽和
磁化である。
４πＭｓ(t0)はｔ＝ｔ0（℃）での磁気共鳴素子の飽和
磁化である。
【００１４】磁気共鳴素子５がおかれている磁気ギャッ
プの磁束密度Ｂｇ(t)についても温度範囲ｔ1（℃）〜ｔ
2（℃）のあいだでの平均温度係数β（gauss／℃）を用
いて直線近似すると次式(4)で示される。
プの磁束密度Ｂｇ(t)についても温度範囲ｔ1（℃）〜ｔ
2（℃）のあいだでの平均温度係数β（gauss／℃）を用
いて直線近似すると次式(4)で示される。
【００１５】 Ｂｇ(t)＝Ｂｇ(t0)＋β×（ｔ−ｔ0） ・・・(4) ここでＢｇ(t0)はｔ＝ｔ0（℃）における磁気ギャップ
の磁束密度である。
の磁束密度である。
【００１６】そして(3)、(4)式を(2)式に代入すると次
式(5)がえられる。
式(5)がえられる。
【００１７】
【数３】 上式のγ×（Ｂｇ(t0)−Ｎ×４πＭｓ(t0)）はある定数
であるから、 γ×（β−Ｎ×α）×（ｔ−ｔ0）＝０ ・・・(6) にすることができれば、ｆ(t)を一定値に保つことが可
能となる。温度が変化しても(6)式を成立させるには、
であるから、 γ×（β−Ｎ×α）×（ｔ−ｔ0）＝０ ・・・(6) にすることができれば、ｆ(t)を一定値に保つことが可
能となる。温度が変化しても(6)式を成立させるには、
【００１８】
【数４】 であるから、 β＝Ｎ×α ・・・(7) とすればよい。
【００１９】永久磁石２の動作点を温度範囲ｔ1（℃）
〜ｔ2（℃）において減磁曲線の屈曲点よりも高い磁束
密度に設定すると、磁気回路を構成する材料が磁気飽和
しない限り、磁気ギャップの磁束密度Ｂｇと永久磁石２
の残留磁束密度Ｂｒの関係は次式(8) で示される。
〜ｔ2（℃）において減磁曲線の屈曲点よりも高い磁束
密度に設定すると、磁気回路を構成する材料が磁気飽和
しない限り、磁気ギャップの磁束密度Ｂｇと永久磁石２
の残留磁束密度Ｂｒの関係は次式(8) で示される。
【００２０】 Ｂｇ(t) ＝ｋ×Ｂｒ(t) ・・・(8) ここでｋは磁気回路の構造によって決まる定数である。
【００２１】さらに永久磁石２のＢｒ(t)は温度範囲ｔ1
（℃）〜ｔ2（℃）のあいだでの平均温度係数δ（％／
℃）を用いると次式(9)で示される。
（℃）〜ｔ2（℃）のあいだでの平均温度係数δ（％／
℃）を用いると次式(9)で示される。
【００２２】
【数５】 ここでＢｒ(t0)はｔ＝ｔ0（℃）における永久磁石２の
残留磁束密度である。
残留磁束密度である。
【００２３】(4)式と(9)式を(8)式に代入すると(10)式
がえられる。
がえられる。
【００２４】
【数６】 (10)式はｔ＝ｔ0のときも成り立つから、ｔ＝ｔ0を(10)
式に代入すると(11)式がえられる。
式に代入すると(11)式がえられる。
【００２５】 ｋ×Ｂｒ(t0)＝Ｂｇ(t0) ・・・(11) (11)式を(10)式に代入し、変形すると(12)式がえられ
る。
る。
【００２６】
【数７】 ここでｔ＝ｔ0を(2)式に代入すると次式(13)となる。
【００２７】 ｆ(t0)＝γ×（Ｂｇ(t0)−Ｎ×４πＭｓ(t0)） ・・・(13) ここでｆ(t0)はｔ＝ｔ0での共振周波数である。
【００２８】(13)式を変形すると(14)式がえられる。
【００２９】
【数８】 (12)、(14)式より(15)式がえられる。
【００３０】
【数９】 したがって(7)、(15)式より(16)式が成り立つ。
【００３１】
【数１０】 ただし、ｆ0＝ｆ(t0)および４πＭｓ0＝４πＭｓ(t0) したがって、永久磁石を組み込んだ磁気回路と磁気共鳴
素子を用いる静磁波を用いた磁気装置において、磁気共
鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ(gauss)と飽和磁束密度
の温度係数α（gauss／℃）が(16)式の関係を満たす磁
気共鳴素子を用いることによって、温度に対して安定し
た共振周波数をうることが可能である。
素子を用いる静磁波を用いた磁気装置において、磁気共
鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ(gauss)と飽和磁束密度
の温度係数α（gauss／℃）が(16)式の関係を満たす磁
気共鳴素子を用いることによって、温度に対して安定し
た共振周波数をうることが可能である。
【００３２】ここで、γは物理的定数であり、ｆ0、
Ｎ、δは静磁波を用いた磁気装置の仕様や条件および適
用する永久磁石の材質によって決まるため、(16)式は(1
7)式のようにも示される。
Ｎ、δは静磁波を用いた磁気装置の仕様や条件および適
用する永久磁石の材質によって決まるため、(16)式は(1
7)式のようにも示される。
【００３３】 α＝ａ＋ｂ×４πＭｓ0 ・・・(17) ただし、
【００３４】
【数１１】 であり、また
【００３５】
【数１２】 である。ここでａ、ｂは静磁波を用いた磁気装置の仕様
や条件および適用する永久磁石の材質によって決まる定
数である。
や条件および適用する永久磁石の材質によって決まる定
数である。
【００３６】したがって、(17)式すなわち(16)式を満た
す飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）を保持する磁気共鳴素子を選択す
る必要がある。
す飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）を保持する磁気共鳴素子を選択す
る必要がある。
【００３７】磁気共鳴素子の４πＭｓ0とαについては
ある関係式が成り立つ。たとえばＹＩＧについては、
「ハンドブック オブ マイクロウェーブ フェライト
マテリアルズ（HANDBOOK OF MICROWAVE FERRITE MATE
RIALS）」（アカデミック プレス ニューヨーク ア
ンド ロンドン（ACADEMIC PRESS New York and Londo
n）、1965年）に報告されているFigure2-30やFigure2-4
2などからわかるように、鉄元素を他の元素で置換する
ことによって４πＭｓ0 とαは変化するが、その４πＭ
ｓ0とαは次の(18)式の関係を満たす。
ある関係式が成り立つ。たとえばＹＩＧについては、
「ハンドブック オブ マイクロウェーブ フェライト
マテリアルズ（HANDBOOK OF MICROWAVE FERRITE MATE
RIALS）」（アカデミック プレス ニューヨーク ア
ンド ロンドン（ACADEMIC PRESS New York and Londo
n）、1965年）に報告されているFigure2-30やFigure2-4
2などからわかるように、鉄元素を他の元素で置換する
ことによって４πＭｓ0 とαは変化するが、その４πＭ
ｓ0とαは次の(18)式の関係を満たす。
【００３８】 α＝ｃ＋ｄ×４πＭｓ0 ・・・（１８） ここでｃ、ｄは、置換元素によって決まる定数であり、
たとえばＡｌ系ＹＩＧではｃ＝−１．２、ｄ＝-0.001
7、Ｇａ系ＹＩＧではｃ＝-0.6、d=-0.0020である。この
ばあいの基準温度は20℃である。
たとえばＡｌ系ＹＩＧではｃ＝−１．２、ｄ＝-0.001
7、Ｇａ系ＹＩＧではｃ＝-0.6、d=-0.0020である。この
ばあいの基準温度は20℃である。
【００３９】これより、この(18)式と(17)式の連立方程
式を解くことによって、(17)式すなわち(16)式を満たす
飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係
数α（gauss／℃）を保持する磁気共鳴素子を選択する
ことが可能となる。このことを図を用いて説明する。図
２は磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽
和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係である。1
6は(16)式を示しており、温度に対して安定した共振周
波数をうるために必要な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４
πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／
℃）の関係である。18は(18)式を示しており、磁気共鳴
素子たとえばＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と
飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係であ
る。図２に示すように16と18は傾きの異なる直線である
ため、16を満足し、かつ18をも満足する磁気共鳴素子を
選択すること、言い換えれば16と18の交点19の関係を保
持する磁気共鳴素子を選択することが可能となる。
式を解くことによって、(17)式すなわち(16)式を満たす
飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係
数α（gauss／℃）を保持する磁気共鳴素子を選択する
ことが可能となる。このことを図を用いて説明する。図
２は磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽
和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係である。1
6は(16)式を示しており、温度に対して安定した共振周
波数をうるために必要な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４
πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／
℃）の関係である。18は(18)式を示しており、磁気共鳴
素子たとえばＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と
飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係であ
る。図２に示すように16と18は傾きの異なる直線である
ため、16を満足し、かつ18をも満足する磁気共鳴素子を
選択すること、言い換えれば16と18の交点19の関係を保
持する磁気共鳴素子を選択することが可能となる。
【００４０】したがって、(16)式を満たす飽和磁束密度
４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss
／℃）を保持する磁気共鳴素子を選択することが可能で
あり、本発明における静磁波を用いた磁気装置は温度に
対して安定した共振周波数をうることができる。
４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss
／℃）を保持する磁気共鳴素子を選択することが可能で
あり、本発明における静磁波を用いた磁気装置は温度に
対して安定した共振周波数をうることができる。
【００４１】なお、ここでは磁気共鳴素子の４πＭｓ0
とαの関係として直線関係にあるものを取り上げて説明
したが、必らずしも直線関係である必要はなく、曲線関
係であってもよい。
とαの関係として直線関係にあるものを取り上げて説明
したが、必らずしも直線関係である必要はなく、曲線関
係であってもよい。
【００４２】
【実施例】以下、添付図面に基づき本発明の磁気装置を
説明する。
説明する。
【００４３】［実施例１］図１は本発明の静磁波を用い
た磁気装置を示す断面図であり、同図において１は磁気
回路を構成する鉄やパーマロイなどからなるヨークを示
し、このヨーク１の相対向する面にそれぞれ永久磁石２
が取り付けられ、この永久磁石２に磁極３が取り付けら
れる。永久磁石としてはフェライト系磁石やサマリウム
-コバルト系磁石、ネオジウム系磁石などを用いること
ができる。４は磁極間の磁気ギャップであり、５は磁気
ギャップ４内に配置された磁気共鳴素子、たとえばＹＩ
Ｇ膜やＹＩＧ球などである。磁極３の材質はヨーク１と
同じであっても、また、異なっていてもよい。６は永久
磁石２が作る磁場に重畳する磁場を発生するためのコイ
ルである。
た磁気装置を示す断面図であり、同図において１は磁気
回路を構成する鉄やパーマロイなどからなるヨークを示
し、このヨーク１の相対向する面にそれぞれ永久磁石２
が取り付けられ、この永久磁石２に磁極３が取り付けら
れる。永久磁石としてはフェライト系磁石やサマリウム
-コバルト系磁石、ネオジウム系磁石などを用いること
ができる。４は磁極間の磁気ギャップであり、５は磁気
ギャップ４内に配置された磁気共鳴素子、たとえばＹＩ
Ｇ膜やＹＩＧ球などである。磁極３の材質はヨーク１と
同じであっても、また、異なっていてもよい。６は永久
磁石２が作る磁場に重畳する磁場を発生するためのコイ
ルである。
【００４４】本実施例では、永久磁石２として温度係数
δ＝-0.04 ％／℃、残留磁束密度Ｂｒ＝6200gaussの１-
５系サマリウム-コバルト磁石を用い、ヨーク１および
磁極３としてパーマロイを用い、磁気共鳴素子５として
飽和磁束密度４πＭｓ0=690(gauss)、飽和磁束密度の温
度係数α＝-2.0（gauss／℃）のＧａ系ＹＩＧを用い
（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数ｆ0＝1.3×1010Ｈ
ｚの磁気装置とした。
δ＝-0.04 ％／℃、残留磁束密度Ｂｒ＝6200gaussの１-
５系サマリウム-コバルト磁石を用い、ヨーク１および
磁極３としてパーマロイを用い、磁気共鳴素子５として
飽和磁束密度４πＭｓ0=690(gauss)、飽和磁束密度の温
度係数α＝-2.0（gauss／℃）のＧａ系ＹＩＧを用い
（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数ｆ0＝1.3×1010Ｈ
ｚの磁気装置とした。
【００４５】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係
数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×106
Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(20)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係
数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×106
Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(20)式になる。
【００４６】 α＝−1.7−0.0004×４πＭｓ0 ・・・(20) Ｇａ系ＹＧＩの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
さきに言い及した「ハンドブック オブ マイクロウェ
ーブ フェライト マテリアルズ（HANDBOOK OF MICROW
AVE FERRITE MATERIALS）」のFigure2-42から算出する
と、(18)式において、ｃ＝-0.6、ｄ＝ -0.0020 とした
ばあい、すなわち、(21)式になる。
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
さきに言い及した「ハンドブック オブ マイクロウェ
ーブ フェライト マテリアルズ（HANDBOOK OF MICROW
AVE FERRITE MATERIALS）」のFigure2-42から算出する
と、(18)式において、ｃ＝-0.6、ｄ＝ -0.0020 とした
ばあい、すなわち、(21)式になる。
【００４７】 α＝−0.6−0.0020×４πＭｓ０ ・・・(21) (20)式と(21)式の連立方程式を解くと、４πＭｓ０＝69
0(gauss)、α＝-2.0（gauss／℃）となる。図３はこの
ばあいの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ０（gaus
s）と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係で
ある。同図において20は(20)式を示しており、21は(21)
式を示している。20と21の交点が(20)式と(21)式の連立
方程式の解である。
0(gauss)、α＝-2.0（gauss／℃）となる。図３はこの
ばあいの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ０（gaus
s）と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係で
ある。同図において20は(20)式を示しており、21は(21)
式を示している。20と21の交点が(20)式と(21)式の連立
方程式の解である。
【００４８】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
【００４９】［実施例２］図１の構成において、永久磁
石２として温度係数δ＝-0.04％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝6200gaussの１−５系サマリウム- コバルト磁石を
用い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、
磁気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0 ＝380(ga
uss)と飽和磁束密度の温度係数α＝-1.4(gauss／℃）の
Ｇａ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波
数ｆ0＝8.3×109Ｈｚの磁気装置とした。
石２として温度係数δ＝-0.04％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝6200gaussの１−５系サマリウム- コバルト磁石を
用い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、
磁気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0 ＝380(ga
uss)と飽和磁束密度の温度係数α＝-1.4(gauss／℃）の
Ｇａ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波
数ｆ0＝8.3×109Ｈｚの磁気装置とした。
【００５０】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(22)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(22)式になる。
【００５１】 α＝−1.2−0.0004×４πＭｓ0 ・・・(22) Ｇａ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
実施例１で示したように、(21)式になる。
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
実施例１で示したように、(21)式になる。
【００５２】(22)式と(21)式の連立方程式を解くと、４
πＭｓ0＝380(gauss)、α＝-1.4（gauss／℃）となる。
πＭｓ0＝380(gauss)、α＝-1.4（gauss／℃）となる。
【００５３】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
【００５４】この実施例２は、実施例１と同じ構成で基
準温度における共振周波数を変えたばあいであるが、磁
気共鳴素子を適切に選定すれば基準温度における共振周
波数を変えても温度に対して安定した共振周波数をうる
ことができる。
準温度における共振周波数を変えたばあいであるが、磁
気共鳴素子を適切に選定すれば基準温度における共振周
波数を変えても温度に対して安定した共振周波数をうる
ことができる。
【００５５】［実施例３］図１の構成において、永久磁
石２として温度係数δ＝-0.04％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝6200gaussの１−５系サマリウム-コバルト磁石を用
い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、磁
気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0＝1150(gaus
s)、飽和磁束密度の温度係数α＝-3.2(gauss／℃）のＡ
ｌ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数
ｆ0＝1.9×1010Ｈｚの磁気装置とした。
石２として温度係数δ＝-0.04％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝6200gaussの１−５系サマリウム-コバルト磁石を用
い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、磁
気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0＝1150(gaus
s)、飽和磁束密度の温度係数α＝-3.2(gauss／℃）のＡ
ｌ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数
ｆ0＝1.9×1010Ｈｚの磁気装置とした。
【００５６】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(23)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(23)式になる。
【００５７】 α＝−2.7−0.0004×４πＭｓ0 ・・・(23) Ａｌ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁
束密度の温度係数α（gauss ／℃）の関係については、
さきに言及した「ハンドブック オブ マイクロウェー
ブ フェライト マテリアルズ（HANDBOOK OF MICR
OWAVE FERRITEMATERIALS）」のFigure2-30から算出する
と、(18)式において、ｃ＝-1.2、ｄ＝-0.0017 としたば
あい、すなわち、(24)式になる。
束密度の温度係数α（gauss ／℃）の関係については、
さきに言及した「ハンドブック オブ マイクロウェー
ブ フェライト マテリアルズ（HANDBOOK OF MICR
OWAVE FERRITEMATERIALS）」のFigure2-30から算出する
と、(18)式において、ｃ＝-1.2、ｄ＝-0.0017 としたば
あい、すなわち、(24)式になる。
【００５８】 α＝−1.2 −0.0017×４πＭｓ0 ・・・(24) (23)式と(24)式の連立方程式を解くと、４πＭｓ0＝115
0(gauss) 、α＝-3.2（gauss／℃）となる。図４はこの
ばあいの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)
と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係であ
る。同図において23は(23)式を示しており、24は(24)式
を示している。23と24の交点が(23)式と(24)式の連立方
程式の解である。
0(gauss) 、α＝-3.2（gauss／℃）となる。図４はこの
ばあいの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)
と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係であ
る。同図において23は(23)式を示しており、24は(24)式
を示している。23と24の交点が(23)式と(24)式の連立方
程式の解である。
【００５９】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
【００６０】この実施例３は、実施例１と同じ構成で基
準温度における共振周波数と磁気共鳴素子の組成系を変
えたばあいであるが、磁気共鳴素子を適切に選定すれば
基準温度における共振周波数を変えても温度に対しても
安定した共振周波数をうることができる。
準温度における共振周波数と磁気共鳴素子の組成系を変
えたばあいであるが、磁気共鳴素子を適切に選定すれば
基準温度における共振周波数を変えても温度に対しても
安定した共振周波数をうることができる。
【００６１】［実施例４］図１の構成において、永久磁
石２として温度係数δ＝-0.13％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝11000gaussのネオジウム系磁石を用い、ヨーク１お
よび磁極３としてパーマロイを用い、磁気共鳴素子５と
して飽和磁束密度４πＭｓ0＝710(gauss)、飽和磁束密
度の温度係数α＝-2.0(gauss／℃）のＧａ系ＹＩＧを用
い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数ｆ0＝2.3 ×109
Ｈｚの磁気装置とした。
石２として温度係数δ＝-0.13％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝11000gaussのネオジウム系磁石を用い、ヨーク１お
よび磁極３としてパーマロイを用い、磁気共鳴素子５と
して飽和磁束密度４πＭｓ0＝710(gauss)、飽和磁束密
度の温度係数α＝-2.0(gauss／℃）のＧａ系ＹＩＧを用
い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数ｆ0＝2.3 ×109
Ｈｚの磁気装置とした。
【００６２】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(25)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(25)式になる。
【００６３】 α＝−1.1−0.0013×４πＭｓ0 ・・・（２
５） Ｇａ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ０（ｇａｕｓｓ）
と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係につ
いては、実施例１で示したように、(21)式になる。
５） Ｇａ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ０（ｇａｕｓｓ）
と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係につ
いては、実施例１で示したように、(21)式になる。
【００６４】(25)式と(21)式の連立方程式を解くと、４
πＭｓ0＝710(gauss)、α＝-2.0（gauss／℃）となる。
πＭｓ0＝710(gauss)、α＝-2.0（gauss／℃）となる。
【００６５】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8 ×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8 ×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
【００６６】この実施例４は、実施例１と同じ構成で永
久磁石と基準温度における共振周波数を変えたばあいで
あるが、磁気共鳴素子を適切に選定すれば永久磁石と基
準温度における共振周波数を変えても温度に対しても安
定した共振周波数をうることができる。
久磁石と基準温度における共振周波数を変えたばあいで
あるが、磁気共鳴素子を適切に選定すれば永久磁石と基
準温度における共振周波数を変えても温度に対しても安
定した共振周波数をうることができる。
【００６７】［実施例５］図１の構成において、永久磁
石２として温度係数δ＝-0.13％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝11000gaussのネオジウム系磁石を用い、ヨーク１お
よび磁極３としてパーマロイを用い、磁気共鳴素子５と
して飽和磁束密度４πＭｓ0＝1750(gauss)、飽和磁束密
度の温度係数α＝-4.2(gauss／℃）のＡｌ系ＹＩＧを用
い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数ｆ0＝4.1 ×109
Ｈｚの磁気装置とした。
石２として温度係数δ＝-0.13％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝11000gaussのネオジウム系磁石を用い、ヨーク１お
よび磁極３としてパーマロイを用い、磁気共鳴素子５と
して飽和磁束密度４πＭｓ0＝1750(gauss)、飽和磁束密
度の温度係数α＝-4.2(gauss／℃）のＡｌ系ＹＩＧを用
い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数ｆ0＝4.1 ×109
Ｈｚの磁気装置とした。
【００６８】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(26)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(26)式になる。
【００６９】 α＝−1.9−0.0013×４πＭｓ0 ・・・(26) Ａｌ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
実施例３で示したように、(24)式になる。(26)式と(24)
式の連立方程式を解くと、４πＭｓ0＝1750(gauss)、α
＝-2.0（gauss ／℃）となる。
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
実施例３で示したように、(24)式になる。(26)式と(24)
式の連立方程式を解くと、４πＭｓ0＝1750(gauss)、α
＝-2.0（gauss ／℃）となる。
【００７０】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
【００７１】この実施例５は、実施例１と同じ構成で永
久磁石と磁気共鳴素子の組成系および基準温度における
共振周波数を変えたばあいであるが、磁気共鳴素子を適
切に選定すれば永久磁石と基準温度における共振周波数
を変えても温度に対しても安定した共振周波数をうるこ
とができる。
久磁石と磁気共鳴素子の組成系および基準温度における
共振周波数を変えたばあいであるが、磁気共鳴素子を適
切に選定すれば永久磁石と基準温度における共振周波数
を変えても温度に対しても安定した共振周波数をうるこ
とができる。
【００７２】［実施例６］図１の構成において、永久磁
石２として温度係数δ＝-0.035％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝9000gaussの２−17系サマリウム- コバルト磁石を
用い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、
磁気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0＝1390(ga
uss)、飽和磁束密度の温度係数α＝-3.4(gauss／℃）の
Ｇａ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波
数ｆ0＝2.3×1010Ｈｚの磁気装置とした。
石２として温度係数δ＝-0.035％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝9000gaussの２−17系サマリウム- コバルト磁石を
用い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、
磁気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0＝1390(ga
uss)、飽和磁束密度の温度係数α＝-3.4(gauss／℃）の
Ｇａ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波
数ｆ0＝2.3×1010Ｈｚの磁気装置とした。
【００７３】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝１としたばあい、(27)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss 、Ｎ＝１としたばあい、(27)式になる。
【００７４】 α＝−2.9−0.00035×４πＭｓ0 ・・・(27) Ｇａ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
実施例１で示したように、(21)式になる。
束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係については、
実施例１で示したように、(21)式になる。
【００７５】(27)式と(21)式の連立方程式を解くと、４
πＭｓ0＝1390(gauss)、α＝-3.4（gauss／℃）とな
る。
πＭｓ0＝1390(gauss)、α＝-3.4（gauss／℃）とな
る。
【００７６】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１
としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１
としたばあいに(16)式を満足している。
【００７７】この実施例６は、実施例１および実施例４
と同じ構成で永久磁石と基準温度における共振周波数を
変えたばあいであるが、磁気共鳴素子を適切に選定すれ
ば永久磁石と基準温度における共振周波数を変えても温
度に対しても安定した共振周波数をうることができる。
と同じ構成で永久磁石と基準温度における共振周波数を
変えたばあいであるが、磁気共鳴素子を適切に選定すれ
ば永久磁石と基準温度における共振周波数を変えても温
度に対しても安定した共振周波数をうることができる。
【００７８】［実施例７］図１の構成において、永久磁
石２として温度係数δ＝-0.035％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝9000gaussの２−17系サマリウム-コバルト磁石を用
い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、磁
気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0＝520(gaus
s)、飽和磁束密度の温度係数α＝-2.1(gauss／℃）のＡ
ｌ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数
ｆ0＝1.5×1010Ｈｚの磁気装置とした。
石２として温度係数δ＝-0.035％／℃、残留磁束密度Ｂ
ｒ＝9000gaussの２−17系サマリウム-コバルト磁石を用
い、ヨーク１および磁極３としてパーマロイを用い、磁
気共鳴素子５として飽和磁束密度４πＭｓ0＝520(gaus
s)、飽和磁束密度の温度係数α＝-2.1(gauss／℃）のＡ
ｌ系ＹＩＧを用い（基準温度ｔ0＝20℃）、共振周波数
ｆ0＝1.5×1010Ｈｚの磁気装置とした。
【００７９】ここで、温度に対して安定した共振周波数
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(28)式になる。
をもつ磁気装置をうるために必要となる磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ０(gauss)と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）の関係は、(16)式よりγ＝2.8×10
6Ｈｚ／gauss、Ｎ＝１としたばあい、(28)式になる。
【００８０】 α＝−1.9−0.00035×４πＭｓ0 ・・・(28) Ａｌ系ＹＩＧの飽和磁束密度４πＭｓ0 (gauss) と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係について
は、実施例３で示したように、(24)式になる。
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係について
は、実施例３で示したように、(24)式になる。
【００８１】(28)式と(24)式の連立方程式を解くと、４
πＭｓ0 ＝520(gauss)、α＝-2.1（gauss／℃）とな
る。
πＭｓ0 ＝520(gauss)、α＝-2.1（gauss／℃）とな
る。
【００８２】したがって、この磁気装置におけるα、４
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
πＭｓ0 、ｆ、δは、γ＝2.8×106Ｈｚ／gauss、Ｎ＝
１としたばあいに(16)式を満足している。
【００８３】この実施例７は、実施例１および実施例４
と同じ構成で永久磁石と磁気共鳴素子の組成系および基
準温度における共振周波数を変えたばあいであるが、磁
気共鳴素子を適切に選定すれば永久磁石と基準温度にお
ける共振周波数を変えても温度に対しても安定した共振
周波数をうることができる。
と同じ構成で永久磁石と磁気共鳴素子の組成系および基
準温度における共振周波数を変えたばあいであるが、磁
気共鳴素子を適切に選定すれば永久磁石と基準温度にお
ける共振周波数を変えても温度に対しても安定した共振
周波数をうることができる。
【００８４】
【発明の効果】以上の説明したとおり、本発明の磁気装
置においては、永久磁石を組み込んだ磁気回路と磁気共
鳴素子を用いる磁気装置において、磁気共鳴素子の飽和
磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α
（gauss／℃）が、数式(1)
置においては、永久磁石を組み込んだ磁気回路と磁気共
鳴素子を用いる磁気装置において、磁気共鳴素子の飽和
磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α
（gauss／℃）が、数式(1)
【数１３】 （ただし、 f0；磁気装置の基準温度における共振周波数（Ｈｚ）、 δ；永久磁石の温度係数（％／℃）、 γ；磁気共鳴素子の磁気回転比（Ｈｚ／gauss ）、 Ｎ；磁気共鳴素子の反磁界係数、 ４πＭｓ0；磁気共鳴素子の基準温度における飽和磁束
密度(gauss)である。） の関係を満たす磁気共鳴素子を用いており、温度に対し
て安定した共振周波数をうることができるという効果が
ある。
密度(gauss)である。） の関係を満たす磁気共鳴素子を用いており、温度に対し
て安定した共振周波数をうることができるという効果が
ある。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】本発明の一実施例における磁気共鳴素子におけ
る磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係を示す図で
ある。
る磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係を示す図で
ある。
【図３】本発明の実施例１における磁気共鳴素子におけ
る磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係を示す図で
ある。
る磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係を示す図で
ある。
【図４】本発明の実施例３における磁気共鳴素子におけ
る磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係を示す図で
ある。
る磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係を示す図で
ある。
【図５】従来の磁気装置の断面図である。
１ 磁気回路のヨーク ２ 永久磁石 ３ 磁極 ４ 磁気回路の磁気ギャップ ５ 磁気共鳴素子 ６ コイル ７ 整磁板 16 温度に対して安定した共振周波数をうるために必要
な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係
な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係
【数１４】 ただし、 f0；磁気装置の基準温度における共振周波数（Ｈｚ）、 δ；永久磁石の温度係数（％／℃）、 γ；磁気共鳴素子の磁気回転比（Ｈｚ／gauss）、 Ｎ；磁気共鳴素子の反磁界係数、 ４πＭｓ0；磁気共鳴素子の基準温度における飽和磁束
密度(gauss) 18 磁気共鳴素子、たとえばＹＩＧにおいて、鉄元素を
他の元素で置換したばあいの飽和磁束密度４πＭｓ0(ga
uss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係 α＝ｃ＋ｄ×４πＭｓ0 ただし、ｃ、ｄは置換元素によって決まる定数 19 16と18の交点。 20 温度に対して安定した共振周波数をうるために必要
な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係 α＝−1.7−0.0004×４πＭｓ0 21 Ｇａ系ＹＩＧの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭ
ｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）
の関係 α＝−0.6−0.0020×４πＭｓ0 23 温度に対して安定した共振周波数をうるために必要
な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係 α＝−2.7 −0.0004×４πＭｓ0 24 Ａｌ系ＹＩＧの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭ
ｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）
の関係 α＝−1.2−0.0017×４πＭｓ０
密度(gauss) 18 磁気共鳴素子、たとえばＹＩＧにおいて、鉄元素を
他の元素で置換したばあいの飽和磁束密度４πＭｓ0(ga
uss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係 α＝ｃ＋ｄ×４πＭｓ0 ただし、ｃ、ｄは置換元素によって決まる定数 19 16と18の交点。 20 温度に対して安定した共振周波数をうるために必要
な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係 α＝−1.7−0.0004×４πＭｓ0 21 Ｇａ系ＹＩＧの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭ
ｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）
の関係 α＝−0.6−0.0020×４πＭｓ0 23 温度に対して安定した共振周波数をうるために必要
な磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭｓ0(gauss)と飽和
磁束密度の温度係数α（gauss／℃）の関係 α＝−2.7 −0.0004×４πＭｓ0 24 Ａｌ系ＹＩＧの磁気共鳴素子の飽和磁束密度４πＭ
ｓ0(gauss)と飽和磁束密度の温度係数α（gauss／℃）
の関係 α＝−1.2−0.0017×４πＭｓ０
Claims (1)
- 【請求項１】 永久磁石を組み込んだ磁気回路と磁気共
鳴素子を用いる磁気装置において、前記磁気共鳴素子の
飽和磁束密度４πＭｓ（gauss）と飽和磁束密度の温度
係数α（gauss／℃）が、数式(1) : 【数１】 （ただし、 f0；磁気装置の基準温度における共振周波数（Ｈｚ）、 δ；永久磁石の温度係数（％／℃）、 γ；磁気共鳴素子の磁気回転比（Ｈｚ／gauss）、 Ｎ；磁気共鳴素子の反磁界係数、 ４πＭｓ0；磁気共鳴素子の基準温度における飽和磁束
密度(gauss)である。） の関係を満たすことを特徴とする磁気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143891A JP2723375B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 磁気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10143891A JP2723375B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 磁気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332107A JPH04332107A (ja) | 1992-11-19 |
| JP2723375B2 true JP2723375B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=14300701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10143891A Expired - Lifetime JP2723375B2 (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 磁気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2723375B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP10143891A patent/JP2723375B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04332107A (ja) | 1992-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6384301A (ja) | 強磁性共鳴装置 | |
| JP2723375B2 (ja) | 磁気装置 | |
| JP2694440B2 (ja) | 磁気装置 | |
| KR950005157B1 (ko) | Yig 박막 마이크로파 장치 | |
| JPH05315817A (ja) | 磁気装置 | |
| JPH0518244B2 (ja) | ||
| JPH06112705A (ja) | 磁気装置 | |
| Abe et al. | Dependence of large Barkhausen jump on length of a vicalloy fine wire with torsion stress | |
| JPH0738528B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| CA1266101A (en) | Yig thin film microwave apparatus | |
| JPH04346089A (ja) | 複合永久磁石および磁気装置 | |
| JP2744945B2 (ja) | 磁性多層膜 | |
| Sabolek et al. | Reduction of loss in composite magnetic material | |
| JP2872497B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH0738527B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| JP2672434B2 (ja) | 磁気装置 | |
| JP2723374B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JP3417032B2 (ja) | 強磁性磁気共鳴装置 | |
| JP2910015B2 (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JPH07105648B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| JP2005131410A (ja) | 磁気共鳴イメージング・システム向けの極片を製作するためのシステム及び方法 | |
| JP2004103780A (ja) | 磁気インピーダンス素子 | |
| JPH05175710A (ja) | 温度補償型静磁表面波フィルタ | |
| JPS61288408A (ja) | 可変インダクタンス装置 | |
| JPH07202517A (ja) | 可変バンドパスフィルター |