JPH1092641A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
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- JPH1092641A JPH1092641A JP26784996A JP26784996A JPH1092641A JP H1092641 A JPH1092641 A JP H1092641A JP 26784996 A JP26784996 A JP 26784996A JP 26784996 A JP26784996 A JP 26784996A JP H1092641 A JPH1092641 A JP H1092641A
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- wave device
- magnetostatic wave
- substrate
- garnet film
- garnet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気特性が改善された静磁波デバイスを提供
する。 【解決手段】 Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板，Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ
12基板またはＮｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板上に成長させる静磁
波用ガーネット膜によって構成される静磁波デバイスで
ある。静磁波用ガーネット膜の材料を化学式Ａ3-x Ｂx
Ｆｅ5-y-z ＺｒyＣz Ｏ12-x/2+y/2+z/2で表したとき、
ＡがＹ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１
種以上の元素であり、ＢがＣａ，Ｓｒより選ばれる１種
以上の元素であり、ＣがＧａ，Ａｌより選ばれる１種以
上の元素であり、ｘ，ｙおよびｚがそれぞれ０≦ｘ≦
０．１，０．００１≦ｙ≦０．１，ｘ≦ｙ，０≦ｚ≦
２．０である。
する。 【解決手段】 Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板，Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ
12基板またはＮｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板上に成長させる静磁
波用ガーネット膜によって構成される静磁波デバイスで
ある。静磁波用ガーネット膜の材料を化学式Ａ3-x Ｂx
Ｆｅ5-y-z ＺｒyＣz Ｏ12-x/2+y/2+z/2で表したとき、
ＡがＹ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１
種以上の元素であり、ＢがＣａ，Ｓｒより選ばれる１種
以上の元素であり、ＣがＧａ，Ａｌより選ばれる１種以
上の元素であり、ｘ，ｙおよびｚがそれぞれ０≦ｘ≦
０．１，０．００１≦ｙ≦０．１，ｘ≦ｙ，０≦ｚ≦
２．０である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は静磁波デバイスに
関し、特に磁性ガーネット膜によって構成される静磁波
デバイスに関する。
関し、特に磁性ガーネット膜によって構成される静磁波
デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】静磁波デバイスにおいて磁性ガーネット
膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）は重要な材
料である。このＹＩＧは、極端に強磁性半値幅（ΔＨ）
が小さいため、ＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおい
て、入力信号と出力信号との差を小さくできる。そのた
め、静磁波デバイスとして、ＹＩＧ単結晶膜は広く用い
られてきた。さらに、ＹＩＧ単結晶膜も含めて、Ｆｅ元
素を含むガーネット単結晶膜も、同様に静磁波デバイス
として用いられてきた。
膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）は重要な材
料である。このＹＩＧは、極端に強磁性半値幅（ΔＨ）
が小さいため、ＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおい
て、入力信号と出力信号との差を小さくできる。そのた
め、静磁波デバイスとして、ＹＩＧ単結晶膜は広く用い
られてきた。さらに、ＹＩＧ単結晶膜も含めて、Ｆｅ元
素を含むガーネット単結晶膜も、同様に静磁波デバイス
として用いられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＦ
ｅ元素を含むガーネット単結晶を成長させたとき、同一
の成長条件および同一の成長後の温度履歴によっても、
所望の磁気特性が得られなかったり、また、作製したこ
の単結晶間での磁気特性の再現性が取れなかったりする
場合があった。そして、成長したＦｅ元素を含むガーネ
ット単結晶内で磁気特性に不均一が生じ、その結果とし
て、このＦｅ元素を含むガーネット単結晶を用いて作製
した静磁波デバイスの特性が劣化する場合があった。
ｅ元素を含むガーネット単結晶を成長させたとき、同一
の成長条件および同一の成長後の温度履歴によっても、
所望の磁気特性が得られなかったり、また、作製したこ
の単結晶間での磁気特性の再現性が取れなかったりする
場合があった。そして、成長したＦｅ元素を含むガーネ
ット単結晶内で磁気特性に不均一が生じ、その結果とし
て、このＦｅ元素を含むガーネット単結晶を用いて作製
した静磁波デバイスの特性が劣化する場合があった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、磁
気特性が改善された静磁波デバイスを提供することであ
る。
気特性が改善された静磁波デバイスを提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｇｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12基板，Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ12基板またはＮｄ3 Ｇａ5
Ｏ12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜によって
構成される静磁波デバイスにおいて、静磁波用ガーネッ
ト膜の材料を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、ＡがＹ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇ
ｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１種以上の元素であり、Ｂ
がＣａ，Ｓｒより選ばれる１種以上の元素であり、Ｃが
Ｇａ，Ａｌより選ばれる１種以上の元素であり、ｘ，ｙ
およびｚがそれぞれ０≦ｘ≦０．１，０．００１≦ｙ≦
０．１，ｘ≦ｙ，０≦ｚ≦２．０である、静磁波デバイ
スである。
5 Ｏ12基板，Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ12基板またはＮｄ3 Ｇａ5
Ｏ12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜によって
構成される静磁波デバイスにおいて、静磁波用ガーネッ
ト膜の材料を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、ＡがＹ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇ
ｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１種以上の元素であり、Ｂ
がＣａ，Ｓｒより選ばれる１種以上の元素であり、Ｃが
Ｇａ，Ａｌより選ばれる１種以上の元素であり、ｘ，ｙ
およびｚがそれぞれ０≦ｘ≦０．１，０．００１≦ｙ≦
０．１，ｘ≦ｙ，０≦ｚ≦２．０である、静磁波デバイ
スである。
【０００６】
【発明の効果】この発明によれば、Ｆｅ元素を含むガー
ネット単結晶の磁気特性が大きく改善され、このガーネ
ット単結晶を用いて、より安定した特性の静磁波デバイ
スを高歩留りで安価に製造できる。
ネット単結晶の磁気特性が大きく改善され、このガーネ
ット単結晶を用いて、より安定した特性の静磁波デバイ
スを高歩留りで安価に製造できる。
【０００７】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
【０００８】
（実施例１）Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）基板をＬＰＥ
法でガーネット膜を形成するための基板とした。ガーネ
ット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ
3 ，ＺｒＯ2 およびＧａ2 Ｏ3 の中から育成する組成に
必要な成分と、溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合
し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝に充填して、約
１２００℃で均質化を行って、融液化した。
法でガーネット膜を形成するための基板とした。ガーネ
ット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ
3 ，ＺｒＯ2 およびＧａ2 Ｏ3 の中から育成する組成に
必要な成分と、溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合
し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝に充填して、約
１２００℃で均質化を行って、融液化した。
【０００９】この融液を約９２０℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００１０】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００１１】その結果を表１，図１および図２に示す。
図１は試料番号１のＹＩＧ単結晶膜の強磁性共鳴スペク
トル（ローレンツ型）を示すグラフであり、図２は試料
番号２のＹＩＧ単結晶膜の強磁性共鳴スペクトル（非ロ
ーレンツ型）を示すグラフである。なお、表１中、＊印
を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のも
のはこの発明の範囲内のものである。
図１は試料番号１のＹＩＧ単結晶膜の強磁性共鳴スペク
トル（ローレンツ型）を示すグラフであり、図２は試料
番号２のＹＩＧ単結晶膜の強磁性共鳴スペクトル（非ロ
ーレンツ型）を示すグラフである。なお、表１中、＊印
を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のも
のはこの発明の範囲内のものである。
【００１２】
【表１】
【００１３】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００１４】ＧＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y- z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号１のように、ｙ
が０の場合には、図１に示すように、ＥＳＲスペクトル
が乱れ、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力
電力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用で
きず好ましくない。また、試料番号５のように、ｙが
０．１より大きい場合、または、試料番号６のように、
ｚが２．０より大きい場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）
が５．０Ｏｅ以上になり、静磁波デバイスとしたとき、
フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁波デバ
イスとして使用できず好ましくない。
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y- z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号１のように、ｙ
が０の場合には、図１に示すように、ＥＳＲスペクトル
が乱れ、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力
電力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用で
きず好ましくない。また、試料番号５のように、ｙが
０．１より大きい場合、または、試料番号６のように、
ｚが２．０より大きい場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）
が５．０Ｏｅ以上になり、静磁波デバイスとしたとき、
フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁波デバ
イスとして使用できず好ましくない。
【００１５】（実施例２）Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
【００１６】この融液を約８９０℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００１７】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００１８】その結果を表２に示す。なお、表２中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
【００１９】
【表２】
【００２０】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００２１】ＧＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号７，１３のよう
に、ｙが０の場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁
波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が
大きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましく
ない。また、試料番号１１のように、ｙが０．１より大
きい場合、または、試料番号１２のように、ｚが２．０
より大きい場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏ
ｅ以上になり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタで
の入力電力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして
使用できず好ましくない。
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号７，１３のよう
に、ｙが０の場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁
波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が
大きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましく
ない。また、試料番号１１のように、ｙが０．１より大
きい場合、または、試料番号１２のように、ｚが２．０
より大きい場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏ
ｅ以上になり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタで
の入力電力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして
使用できず好ましくない。
【００２２】（実施例３）Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 ，ＳｒＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
【００２３】この融液を約９１０℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００２４】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００２５】その結果を表３に示す。なお、表３中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
【００２６】
【表３】
【００２７】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００２８】ＧＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号１４のように、
ｙが０の場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デ
バイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が大き
くなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましくな
い。また、試料番号１８のように、ｙが０．１より大き
い場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上に
なり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電
力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用でき
ず好ましくない。
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号１４のように、
ｙが０の場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デ
バイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が大き
くなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましくな
い。また、試料番号１８のように、ｙが０．１より大き
い場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上に
なり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電
力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用でき
ず好ましくない。
【００２９】（実施例４）Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｌｕ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 およびＺｒＯ
2 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｌｕ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 およびＺｒＯ
2 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
【００３０】この融液を約９１０℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００３１】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００３２】その結果を表４に示す。なお、表４中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
【００３３】
【表４】
【００３４】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００３５】ＧＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号１９のように、
ｙが０の場合、または、試料番号２０のように、ｙがｘ
より小さい場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波
デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が大
きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましくな
い。また、試料番号２３のように、ｙが０．１より大き
い場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上に
なり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電
力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用でき
ず好ましくない。
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号１９のように、
ｙが０の場合、または、試料番号２０のように、ｙがｘ
より小さい場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波
デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が大
きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましくな
い。また、試料番号２３のように、ｙが０．１より大き
い場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上に
なり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電
力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用でき
ず好ましくない。
【００３６】（実施例５）Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の中から育
成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ
3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝に充
填して、約１２００℃で均質化を行って、融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｃ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の中から育
成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ
3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝に充
填して、約１２００℃で均質化を行って、融液化した。
【００３７】この融液を約９１０℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００３８】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００３９】その結果を表５に示す。なお、表５中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
【００４０】
【表５】
【００４１】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００４２】ＧＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号２４のように、
ｙが０の場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デ
バイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が大き
くなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましくな
い。また、試料番号２８のように、ｙが０．１より大き
い場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上に
なり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電
力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用でき
ず好ましくない。
ット膜を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、試料番号２４のように、
ｙが０の場合には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デ
バイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損失が大き
くなり、静磁波デバイスとして使用できず好ましくな
い。また、試料番号２８のように、ｙが０．１より大き
い場合には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上に
なり、静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電
力の損失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用でき
ず好ましくない。
【００４３】（実施例６）Ｎｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＮＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
【００４４】この融液を約８９０℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＮＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＮＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００４５】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００４６】その結果を表６に示す。なお、表６中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
【００４７】
【表６】
【００４８】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００４９】ＮＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ｒ3-x Ｃａx Ｍ5-3y+xＮｂy Ｍ′2y-xＯ
12で表したとき、試料番号２９のように、ｙが０の場合
には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デバイスとした
とき、フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁
波デバイスとして使用できず好ましくない。また、試料
番号３３のように、ｙが０．１より大きい場合、また
は、試料番号３４のように、ｚが２．０より大きい場合
には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上になり、
静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損
失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ま
しくない。
ット膜を化学式Ｒ3-x Ｃａx Ｍ5-3y+xＮｂy Ｍ′2y-xＯ
12で表したとき、試料番号２９のように、ｙが０の場合
には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デバイスとした
とき、フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁
波デバイスとして使用できず好ましくない。また、試料
番号３３のように、ｙが０．１より大きい場合、また
は、試料番号３４のように、ｚが２．０より大きい場合
には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上になり、
静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損
失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ま
しくない。
【００５０】（実施例７）Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＳＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＧａ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＺｒＯ2 およびＧａ2 Ｏ
3 の中から育成する組成に必要な成分と、溶剤であるＰ
ｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された
白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化を行って、
融液化した。
【００５１】この融液を約９００℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＳＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＳＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００５２】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００５３】その結果を表７に示す。なお、表７中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他の
ものはこの発明の範囲内のものである。
【００５４】
【表７】
【００５５】この発明において組成を限定した理由につ
いて述べる。
いて述べる。
【００５６】ＳＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ｒ3-x Ｃａx Ｍ5-3y+xＮｂy Ｍ′2y-xＯ
12で表したとき、試料番号３５のように、ｙが０の場合
には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デバイスとした
とき、フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁
波デバイスとして使用できず好ましくない。また、試料
番号３９のように、ｙが０．１より大きい場合、また
は、試料番号４０のように、ｚが２．０より大きい場合
には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上になり、
静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損
失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ま
しくない。
ット膜を化学式Ｒ3-x Ｃａx Ｍ5-3y+xＮｂy Ｍ′2y-xＯ
12で表したとき、試料番号３５のように、ｙが０の場合
には、ＥＳＲスペクトルが乱れ、静磁波デバイスとした
とき、フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁
波デバイスとして使用できず好ましくない。また、試料
番号３９のように、ｙが０．１より大きい場合、また
は、試料番号４０のように、ｚが２．０より大きい場合
には、強磁性半値幅（ΔＨ）が５．０Ｏｅ以上になり、
静磁波デバイスとしたとき、フィルタでの入力電力の損
失が大きくなり、静磁波デバイスとして使用できず好ま
しくない。
【００５７】（比較例１）Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12（ＧＧＧ）
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｇａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3
およびＤｙ2 Ｏ3 の中から育成する組成に必要な成分
と、溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気
炉内に保持された白金坩堝に充填して、約１２００℃で
均質化を行って、融液化した。
基板をＬＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板と
した。ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ
3 ，Ｇａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ3
およびＤｙ2 Ｏ3 の中から育成する組成に必要な成分
と、溶剤であるＰｂＯ，Ｂ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気
炉内に保持された白金坩堝に充填して、約１２００℃で
均質化を行って、融液化した。
【００５８】この融液を約９００℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にしたのち、この融液
中にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長
を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、高速
度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心力で
振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００５９】得られたガーネット膜の格子定数はＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とは、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置にて測
定した。さらに、得られたガーネット膜を用いて、静磁
波デバイスを作製し、挿入損失を測定した。
【００６０】その結果を表８に示す。なお、表８中、＊
印を付したものはこの発明の範囲外のものである。
印を付したものはこの発明の範囲外のものである。
【００６１】
【表８】
【００６２】ＧＧＧ基板上に成長させた静磁波用ガーネ
ット膜を化学式Ａ3-x Ｃａx Ｆｅ5- y-z Ｚｒy Ｇａz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、表８に示すように、Ａが
Ｙ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１種以
上の元素以外の元素である場合には、強磁性半値幅（Δ
Ｈ）が５．０Ｏｅ以上になり、静磁波デバイスとしたと
き、フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁波
デバイスとして使用できず好ましくない。
ット膜を化学式Ａ3-x Ｃａx Ｆｅ5- y-z Ｚｒy Ｇａz Ｏ
12-x/2+y/2+z/2で表したとき、表８に示すように、Ａが
Ｙ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１種以
上の元素以外の元素である場合には、強磁性半値幅（Δ
Ｈ）が５．０Ｏｅ以上になり、静磁波デバイスとしたと
き、フィルタでの入力電力の損失が大きくなり、静磁波
デバイスとして使用できず好ましくない。
【図１】この発明の範囲外である試料番号１のＹＩＧ単
結晶膜の強磁性共鳴スペクトル（ローレンツ型）を示す
グラフである。
結晶膜の強磁性共鳴スペクトル（ローレンツ型）を示す
グラフである。
【図２】この発明にかかる試料番号２のＹＩＧ単結晶膜
の強磁性共鳴スペクトル（非ローレンツ型）を示すグラ
フである。
の強磁性共鳴スペクトル（非ローレンツ型）を示すグラ
フである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関 島 雄 徳 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鷹 木 洋 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板，Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ
12基板またはＮｄ3Ｇａ5 Ｏ12基板上に成長させる静磁
波用ガーネット膜によって構成される静磁波デバイスに
おいて、 前記静磁波用ガーネット膜の材料を化学式Ａ3-x Ｂx Ｆ
ｅ5-y-z Ｚｒy Ｃz Ｏ12-x/2+y/2+z/2で表したとき、Ａ
がＹ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃより選ばれる１種
以上の元素であり、ＢがＣａ，Ｓｒより選ばれる１種以
上の元素であり、ＣがＧａ，Ａｌより選ばれる１種以上
の元素であり、ｘ，ｙおよびｚがそれぞれ０≦ｘ≦０．
１，０．００１≦ｙ≦０．１，ｘ≦ｙ，０≦ｚ≦２．０
であることを特徴とする、静磁波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26784996A JPH1092641A (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 静磁波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26784996A JPH1092641A (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092641A true JPH1092641A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17450490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26784996A Pending JPH1092641A (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 静磁波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092641A (ja) |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP26784996A patent/JPH1092641A/ja active Pending
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