JPH06260322A - 静磁波素子用材料 - Google Patents
静磁波素子用材料Info
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- JPH06260322A JPH06260322A JP6013978A JP1397894A JPH06260322A JP H06260322 A JPH06260322 A JP H06260322A JP 6013978 A JP6013978 A JP 6013978A JP 1397894 A JP1397894 A JP 1397894A JP H06260322 A JPH06260322 A JP H06260322A
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- halide
- yig
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
- H01F1/346—[(TO4) 3] with T= Si, Al, Fe, Ga
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気特性が改善された静磁波素子用材料を提
供する。 【構成】 Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12において、長周期律表で７Ｂ
族を形成するハライド元素が添加された、静磁波素子用
材料である。一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）（Ｆｅ2+ xＦｅ3+
5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少なくとも１種類の
３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類の３価または２価
の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．５）で表される磁性
ガーネット単結晶において、長周期律表で７Ｂ族を形成
するハライド元素が添加されてもよい。
供する。 【構成】 Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12において、長周期律表で７Ｂ
族を形成するハライド元素が添加された、静磁波素子用
材料である。一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）（Ｆｅ2+ xＦｅ3+
5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少なくとも１種類の
３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類の３価または２価
の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．５）で表される磁性
ガーネット単結晶において、長周期律表で７Ｂ族を形成
するハライド元素が添加されてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波素子用材料に関
し、特に磁性ガーネット単結晶の材料となる静磁波素子
用材料に関する。
し、特に磁性ガーネット単結晶の材料となる静磁波素子
用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静磁波素子において磁性ガーネッ
ト単結晶の材料として、イットリウム・鉄ガーネット
（Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12：以下ＹＩＧと表す。）が重要な材料
として使われていた。特に、このＹＩＧは、極端に強磁
性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、ＹＩＧを用いた
静磁波素子において、入力信号と出力信号との差を小さ
くできる。
ト単結晶の材料として、イットリウム・鉄ガーネット
（Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12：以下ＹＩＧと表す。）が重要な材料
として使われていた。特に、このＹＩＧは、極端に強磁
性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、ＹＩＧを用いた
静磁波素子において、入力信号と出力信号との差を小さ
くできる。
【０００３】静磁波素子の材料となるＹＩＧ単結晶は、
一般的には、薄膜として酸化鉛（ＰｂＯ）と三酸化二硼
素（Ｂ2 Ｏ3 ）とを混合した溶媒に、三酸化二鉄（Ｆｅ
2 Ｏ3 ）と三酸化二イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）とを溶質
として溶かし込み、ガドリニウム・ガリウムガーネット
（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12：以下ＧＧＧと表す。）単結晶基板
上にＹＩＧ単結晶薄膜を成長させる液相成長法（Ｌｉｑ
ｕｉｄ ＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ法：以下ＬＰＥ法と
略す。）によって製造される。
一般的には、薄膜として酸化鉛（ＰｂＯ）と三酸化二硼
素（Ｂ2 Ｏ3 ）とを混合した溶媒に、三酸化二鉄（Ｆｅ
2 Ｏ3 ）と三酸化二イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）とを溶質
として溶かし込み、ガドリニウム・ガリウムガーネット
（Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12：以下ＧＧＧと表す。）単結晶基板
上にＹＩＧ単結晶薄膜を成長させる液相成長法（Ｌｉｑ
ｕｉｄ ＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｙ法：以下ＬＰＥ法と
略す。）によって製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＹ
ＩＧ単結晶薄膜を成長させたとき、同一の成長条件およ
び同一の成長後の温度履歴によっても、所望の磁気特性
が得られなかったり、また、作製した個々の単結晶薄膜
間での磁気特性の再現性がとれなかったりする場合があ
った。そして、成長したＹＩＧ単結晶薄膜内での磁気特
性に不均一が生じ、その結果として、このＹＩＧ単結晶
薄膜を用いて作製した静磁波素子の特性が劣化する場合
があった。
ＩＧ単結晶薄膜を成長させたとき、同一の成長条件およ
び同一の成長後の温度履歴によっても、所望の磁気特性
が得られなかったり、また、作製した個々の単結晶薄膜
間での磁気特性の再現性がとれなかったりする場合があ
った。そして、成長したＹＩＧ単結晶薄膜内での磁気特
性に不均一が生じ、その結果として、このＹＩＧ単結晶
薄膜を用いて作製した静磁波素子の特性が劣化する場合
があった。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、磁
気特性が改善された静磁波素子用材料を提供することで
ある。
気特性が改善された静磁波素子用材料を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、Ｙ3 Ｆｅ
5 Ｏ12において、長周期律表で７Ｂ族を形成するハライ
ド元素が添加された、静磁波素子用材料である。ハライ
ド元素の添加量は、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12に対して、０．００
１〜０．１重量％であるのが好ましい。
5 Ｏ12において、長周期律表で７Ｂ族を形成するハライ
ド元素が添加された、静磁波素子用材料である。ハライ
ド元素の添加量は、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12に対して、０．００
１〜０．１重量％であるのが好ましい。
【０００７】第２の発明は、一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）
（Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少
なくとも１種類の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類
の３価または２価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．
５）で表される磁性ガーネット単結晶において、長周期
律表で７Ｂ族を形成するハライド元素が添加された、静
磁波素子用材料である。ハライド元素の添加量は、前記
磁性ガーネット単結晶に対して、０．００１〜０．１重
量％であるのが好ましい。また、３価の元素Ｍは、Ｂ
ｉ，Ｓｂおよびランタン系遷移元素の中から選ばれる少
なくとも１種類以上であるのが好ましい。３価または２
価の元素Ｍ′は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，ＣｏおよびＮｉの
中から選ばれる少なくとも１種類以上であるのが好まし
い。
（Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少
なくとも１種類の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類
の３価または２価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．
５）で表される磁性ガーネット単結晶において、長周期
律表で７Ｂ族を形成するハライド元素が添加された、静
磁波素子用材料である。ハライド元素の添加量は、前記
磁性ガーネット単結晶に対して、０．００１〜０．１重
量％であるのが好ましい。また、３価の元素Ｍは、Ｂ
ｉ，Ｓｂおよびランタン系遷移元素の中から選ばれる少
なくとも１種類以上であるのが好ましい。３価または２
価の元素Ｍ′は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，ＣｏおよびＮｉの
中から選ばれる少なくとも１種類以上であるのが好まし
い。
【０００８】
【作用】本発明者らは、長周期律表で７Ｂ族を形成する
ハライド元素（フッ素，塩素，臭素，沃素，アスタチ
ン：以下それぞれＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ａｔと表す。）
を結晶成長段階で故意に添加して、作製したＹＩＧ単結
晶中に含有させることによって、磁気特性が改善された
静磁波素子用ＹＩＧ単結晶が得られることを見いだし
た。
ハライド元素（フッ素，塩素，臭素，沃素，アスタチ
ン：以下それぞれＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ａｔと表す。）
を結晶成長段階で故意に添加して、作製したＹＩＧ単結
晶中に含有させることによって、磁気特性が改善された
静磁波素子用ＹＩＧ単結晶が得られることを見いだし
た。
【０００９】一般に、鉄（Ｆｅ）イオンは、周囲の環境
に応じて、＋２価イオンから＋３価イオンに、あるい
は、＋３価イオンから＋２価イオンに容易に変化する。
このことから、本発明者らは、ＹＩＧ中では本来＋３価
イオンでなければならないＹＩＧの構成要素であるＦｅ
が、成長時の条件や成長後の温度履歴によって容易に＋
２価イオンに変化するために、ＹＩＧ単結晶の磁気特性
の不均一性が生じると考えた。
に応じて、＋２価イオンから＋３価イオンに、あるい
は、＋３価イオンから＋２価イオンに容易に変化する。
このことから、本発明者らは、ＹＩＧ中では本来＋３価
イオンでなければならないＹＩＧの構成要素であるＦｅ
が、成長時の条件や成長後の温度履歴によって容易に＋
２価イオンに変化するために、ＹＩＧ単結晶の磁気特性
の不均一性が生じると考えた。
【００１０】ＹＩＧ中のすべてのＦｅイオンのうちｘだ
けがＦｅ2+に変化したとすると、電荷中性の条件から次
の（１）式が得られる。 Ｙ3+ 3 Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x Ｏ-2 12-x/2□0 x/2 ・・・（１）
けがＦｅ2+に変化したとすると、電荷中性の条件から次
の（１）式が得られる。 Ｙ3+ 3 Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x Ｏ-2 12-x/2□0 x/2 ・・・（１）
【００１１】（１）式において、正の電荷と負の電荷と
の和は０となる。ここで、ＹＩＧを構成する元素のう
ち、イットリウム（Ｙ）は＋３価をとり、酸素（Ｏ）は
−２価をとる。しかし、電荷中性の条件からだけだと、
本来酸素の格子位置にはいるべき酸素原子がｘ／２だけ
不足する。その酸素原子の不足分を補うために、結晶中
に（１）式で□0 で表される電荷０の点欠陥が、必ずｘ
／２存在することとなる。このような点欠陥は、いわゆ
るショットキー欠陥と称されているもので、本来原子が
占めるべき格子位置に原子が入らず、空になってしまう
欠陥である。Ｆｅ2+が含まれているＹＩＧ単結晶薄膜に
おいては、電荷中性の条件から、このような点欠陥が存
在する方が化学的に安定な状態となる。このような点欠
陥が結晶中に存在すると、局在的な核スピンが発生し、
ＹＩＧの静磁波特性を著しく阻害する結果となる。ここ
で、本発明者が提案するように、長周期律表で７Ｂ族を
形成するハライド元素（Ｘと表す：イオン価数は−１）
を結晶中に含有させると、（１）式で□0 で表される欠
陥がＸ-1で置換されて、次の（２）式のように表され
る。 Ｙ3+ 3 Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x Ｏ-2 12-xＸ-1 x ・・・（２）
の和は０となる。ここで、ＹＩＧを構成する元素のう
ち、イットリウム（Ｙ）は＋３価をとり、酸素（Ｏ）は
−２価をとる。しかし、電荷中性の条件からだけだと、
本来酸素の格子位置にはいるべき酸素原子がｘ／２だけ
不足する。その酸素原子の不足分を補うために、結晶中
に（１）式で□0 で表される電荷０の点欠陥が、必ずｘ
／２存在することとなる。このような点欠陥は、いわゆ
るショットキー欠陥と称されているもので、本来原子が
占めるべき格子位置に原子が入らず、空になってしまう
欠陥である。Ｆｅ2+が含まれているＹＩＧ単結晶薄膜に
おいては、電荷中性の条件から、このような点欠陥が存
在する方が化学的に安定な状態となる。このような点欠
陥が結晶中に存在すると、局在的な核スピンが発生し、
ＹＩＧの静磁波特性を著しく阻害する結果となる。ここ
で、本発明者が提案するように、長周期律表で７Ｂ族を
形成するハライド元素（Ｘと表す：イオン価数は−１）
を結晶中に含有させると、（１）式で□0 で表される欠
陥がＸ-1で置換されて、次の（２）式のように表され
る。 Ｙ3+ 3 Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x Ｏ-2 12-xＸ-1 x ・・・（２）
【００１２】（２）式においては、点欠陥は存在せず、
電荷中性の条件も満足している。さらに、Ｘ-1の電子状
態は希ガスと等価になるために、局在的なスピンも発生
しない。このように、ＹＩＧ単結晶において安定した状
態となるため、磁気特性の優れた静磁波素子用材料が得
られる。
電荷中性の条件も満足している。さらに、Ｘ-1の電子状
態は希ガスと等価になるために、局在的なスピンも発生
しない。このように、ＹＩＧ単結晶において安定した状
態となるため、磁気特性の優れた静磁波素子用材料が得
られる。
【００１３】以上の作用は、一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）
（Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少
なくとも１種類の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類
の３価または２価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．
５）で表される磁性ガーネット単結晶にハライド元素を
添加した場合においても同様である。
（Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少
なくとも１種類の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類
の３価または２価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．
５）で表される磁性ガーネット単結晶にハライド元素を
添加した場合においても同様である。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、ＹＩＧ単結晶および
ＹＩＧと同一構造でＦｅを含むガーネット型単結晶の磁
気特性が大きく改善される。そして、このＹＩＧ単結晶
などを用いて、より安定した特性の静磁波素子を高歩留
りで安価に製造することができる。
ＹＩＧと同一構造でＦｅを含むガーネット型単結晶の磁
気特性が大きく改善される。そして、このＹＩＧ単結晶
などを用いて、より安定した特性の静磁波素子を高歩留
りで安価に製造することができる。
【００１５】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１６】
【実施例】この発明の実施例をＬＰＥ法を例にとって以
下に示す。
下に示す。
【００１７】ＹＩＧ単結晶薄膜を成長させるための材料
組成は、モル％で、Ｆｅ2 Ｏ3 ：ＦｅＦ3 ：Ｙ2 Ｏ3 ：
ＰｂＯ：Ｂ2 Ｏ3 ＝９．０：０．５：０．５：８４．
６：５．４である。溶質材料として、Ｆｅ2 Ｏ3 とＹ2
Ｏ3 とにＦｅＦ3 を加え、溶媒材料であるＰｂＯ＋Ｂ2
Ｏ3 混合物と混合して、白金製坩堝の中に充填させた。
この白金製坩堝をＬＰＥ炉内に設置し、１２００℃まで
昇温して、原料を均一に融解したのち、結晶成長温度で
ある９００℃まで降温し、安定させた。そののち、この
融液中にＧＧＧ結晶基板を浸漬させて、ＹＩＧ単結晶薄
膜を成長させたのち取り出して、室温まで冷却して、試
料を得た。
組成は、モル％で、Ｆｅ2 Ｏ3 ：ＦｅＦ3 ：Ｙ2 Ｏ3 ：
ＰｂＯ：Ｂ2 Ｏ3 ＝９．０：０．５：０．５：８４．
６：５．４である。溶質材料として、Ｆｅ2 Ｏ3 とＹ2
Ｏ3 とにＦｅＦ3 を加え、溶媒材料であるＰｂＯ＋Ｂ2
Ｏ3 混合物と混合して、白金製坩堝の中に充填させた。
この白金製坩堝をＬＰＥ炉内に設置し、１２００℃まで
昇温して、原料を均一に融解したのち、結晶成長温度で
ある９００℃まで降温し、安定させた。そののち、この
融液中にＧＧＧ結晶基板を浸漬させて、ＹＩＧ単結晶薄
膜を成長させたのち取り出して、室温まで冷却して、試
料を得た。
【００１８】この試料を用いて、電子スピン共鳴（ＥＳ
Ｒ）装置によって、強磁性共鳴スペクトルを観察した。
別に、上記の条件でＦｅＦ3 を加えずに、ＹＩＧ単結晶
薄膜を成長させ、比較のための試料とした。
Ｒ）装置によって、強磁性共鳴スペクトルを観察した。
別に、上記の条件でＦｅＦ3 を加えずに、ＹＩＧ単結晶
薄膜を成長させ、比較のための試料とした。
【００１９】図１はこの発明の実施例のＹＩＧ単結晶薄
膜の強磁性共鳴スペクトル（ローレンツ型）を示すグラ
フである。また、図２はＦｅＦ3 を加えない条件で得ら
れた比較例のＹＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペクトル
（ローレンツ型）を示すグラフである。
膜の強磁性共鳴スペクトル（ローレンツ型）を示すグラ
フである。また、図２はＦｅＦ3 を加えない条件で得ら
れた比較例のＹＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペクトル
（ローレンツ型）を示すグラフである。
【００２０】図１および図２から明らかなように、比較
例のＹＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペクトルでは、２
つのピークが観察されているが、この発明の実施例のＹ
ＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペクトルでは、単一ピー
クとなっている。
例のＹＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペクトルでは、２
つのピークが観察されているが、この発明の実施例のＹ
ＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペクトルでは、単一ピー
クとなっている。
【００２１】さらに、比較例のＹＩＧ単結晶薄膜では、
酸素中で熱処理を施すことによって、強磁性共鳴スペク
トルが変化した。それに対し、この発明のＹＩＧ単結晶
薄膜では、酸素中で熱処理を施しても、強磁性共鳴スペ
クトルはほとんど変化しなかった。なお、酸素中でのＹ
ＩＧ単結晶薄膜の熱処理条件は、９００℃，６時間であ
る。
酸素中で熱処理を施すことによって、強磁性共鳴スペク
トルが変化した。それに対し、この発明のＹＩＧ単結晶
薄膜では、酸素中で熱処理を施しても、強磁性共鳴スペ
クトルはほとんど変化しなかった。なお、酸素中でのＹ
ＩＧ単結晶薄膜の熱処理条件は、９００℃，６時間であ
る。
【００２２】なお、確認のために、この発明の実施例の
ＹＩＧ単結晶薄膜を分析したところ、約０．０２重量％
のＦが検出された。
ＹＩＧ単結晶薄膜を分析したところ、約０．０２重量％
のＦが検出された。
【００２３】このように、この実施例によれば、ＹＩＧ
単結晶薄膜の磁気特性が大きく改善される。そして、こ
のＹＩＧ単結晶薄膜を用いて、より安定した特性の静磁
波素子を高歩留りで安価に製造することができる。
単結晶薄膜の磁気特性が大きく改善される。そして、こ
のＹＩＧ単結晶薄膜を用いて、より安定した特性の静磁
波素子を高歩留りで安価に製造することができる。
【００２４】なお、この実施例では、ＦｅＦ3 を溶質に
添加したが、ＦｅＦ3 の代わりに、ＦｅＸ3 またはＹＸ
3 などの鉄またはイットリウムのハロゲン化物を、単独
にあるいは同時に添加しても同様の効果が得られる。こ
の実施例では、約０．０２重量％のＦを添加したが、ハ
ライド元素の添加範囲は０．５重量％以下であり、好ま
しくは、０．００１〜０．１重量％の範囲である。ま
た、この実施例は、薄膜単結晶についてであるが、バル
ク単結晶についても同様の効果が得られる。
添加したが、ＦｅＦ3 の代わりに、ＦｅＸ3 またはＹＸ
3 などの鉄またはイットリウムのハロゲン化物を、単独
にあるいは同時に添加しても同様の効果が得られる。こ
の実施例では、約０．０２重量％のＦを添加したが、ハ
ライド元素の添加範囲は０．５重量％以下であり、好ま
しくは、０．００１〜０．１重量％の範囲である。ま
た、この実施例は、薄膜単結晶についてであるが、バル
ク単結晶についても同様の効果が得られる。
【００２５】さらに、この実施例は、ＹＩＧ単結晶薄膜
についてであるが、一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）（Ｆｅ2+ x
Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少なくとも１
種類の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類の３価また
は２価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．５）で表され
る磁性ガーネット単結晶について同様の効果が得られ
る。このとき、３価の元素Ｍは、Ｂｉ，Ｓｂおよびラン
タン系遷移元素の中から選ばれる少なくとも１種類以上
であり、３価または２価の元素Ｍ′は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ
ｌ，ＣｏおよびＮｉの中から選ばれる少なくとも１種類
以上である。
についてであるが、一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）（Ｆｅ2+ x
Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少なくとも１
種類の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類の３価また
は２価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．５）で表され
る磁性ガーネット単結晶について同様の効果が得られ
る。このとき、３価の元素Ｍは、Ｂｉ，Ｓｂおよびラン
タン系遷移元素の中から選ばれる少なくとも１種類以上
であり、３価または２価の元素Ｍ′は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｔ
ｌ，ＣｏおよびＮｉの中から選ばれる少なくとも１種類
以上である。
【図１】この発明のＹＩＧ単結晶薄膜の強磁性共鳴スペ
クトル（ローレンツ型）を示すグラフである。
クトル（ローレンツ型）を示すグラフである。
【図２】ＦｅＦ3 を加えない条件で得られたＹＩＧ単結
晶薄膜の強磁性共鳴スペクトル（ローレンツ型）を示す
グラフである。
晶薄膜の強磁性共鳴スペクトル（ローレンツ型）を示す
グラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12において、長周期律表で
７Ｂ族を形成するハライド元素が添加された、静磁波素
子用材料。 - 【請求項２】 前記ハライド元素の添加量は、Ｙ3 Ｆｅ
5 Ｏ12に対して、０．００１〜０．１重量％である、請
求項１の静磁波素子用材料。 - 【請求項３】 一般式（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）（Ｆｅ2+ x Ｆｅ
3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12（ただし、Ｍは少なくとも１種類
の３価の元素、Ｍ′は少なくとも１種類の３価または２
価の元素、０＜ｍ＜３、０＜ｎ＜０．５）で表される磁
性ガーネット単結晶において、長周期律表で７Ｂ族を形
成するハライド元素が添加された、静磁波素子用材料。 - 【請求項４】 前記ハライド元素の添加量は、一般式
（Ｙ3+ 3-m Ｍm ）（Ｆｅ2+ x Ｆｅ3+ 5-x-n Ｍ′n ）Ｏ12
（ただし、Ｍは少なくとも１種類の３価の元素、Ｍ′は
少なくとも１種類の３価または２価の元素、０＜ｍ＜
３、０＜ｎ＜０．５）で表される磁性ガーネット単結晶
に対して、０．００１〜０．１重量％である、請求項３
の静磁波素子用材料。 - 【請求項５】 ３価の元素Ｍは、Ｂｉ，Ｓｂおよびラン
タン系遷移元素の中から選ばれる少なくとも１種類以上
である、請求項３の静磁波素子用材料。 - 【請求項６】 ３価または２価の元素Ｍ′は、Ｇａ，Ｉ
ｎ，Ｔｌ，ＣｏおよびＮｉの中から選ばれる少なくとも
１種類以上である、請求項３の静磁波素子用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6013978A JPH06260322A (ja) | 1993-01-11 | 1994-01-11 | 静磁波素子用材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1953893 | 1993-01-11 | ||
| JP5-19538 | 1993-01-11 | ||
| JP6013978A JPH06260322A (ja) | 1993-01-11 | 1994-01-11 | 静磁波素子用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260322A true JPH06260322A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=26349839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6013978A Pending JPH06260322A (ja) | 1993-01-11 | 1994-01-11 | 静磁波素子用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260322A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08301695A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学材料及びその製造方法 |
| WO2010010950A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
| JP2010030804A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | National Institute For Materials Science | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
| JP2013151425A (ja) * | 2013-03-28 | 2013-08-08 | National Institute For Materials Science | 酸化物単結晶 |
-
1994
- 1994-01-11 JP JP6013978A patent/JPH06260322A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08301695A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学材料及びその製造方法 |
| WO2010010950A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
| JP2010030804A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | National Institute For Materials Science | ガーネット型単結晶、それを用いた光学部品およびその関連機器 |
| US8808656B2 (en) | 2008-07-25 | 2014-08-19 | National Institute For Materials Science | Garnet-type single crystal, optics using same and related apparatus thereof |
| JP2013151425A (ja) * | 2013-03-28 | 2013-08-08 | National Institute For Materials Science | 酸化物単結晶 |
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