JPH0513224A - 静磁波デバイス用材料 - Google Patents
静磁波デバイス用材料Info
- Publication number
- JPH0513224A JPH0513224A JP18821391A JP18821391A JPH0513224A JP H0513224 A JPH0513224 A JP H0513224A JP 18821391 A JP18821391 A JP 18821391A JP 18821391 A JP18821391 A JP 18821391A JP H0513224 A JPH0513224 A JP H0513224A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- axis
- wave device
- garnet film
- magnetostatic
- Prior art date
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- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 Gd3 Ga5 O12基板上に成長させる静磁波
用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料にお
いて、化学式をY3-x-y Gdx Biy Fe5 O12で表し
たときのxおよびyが、xおよびyをそれぞれx軸およ
びy軸とする2元図において、A(0,0),B(0.
6,0),C(0,0.23)の各点を頂点とする多角
形A,B,Cで囲まれ、かつ、点A上以外の範囲内とす
る。 【効果】 強磁性半値幅(ΔH)を大きくする事なし
に、飽和磁化(4πMs)の温度変化に対する変化率を
いろいろと変化させることができる。そのため、静磁波
デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いることが
できる。さらに、GGG基板と磁性ガーネット膜との格
子定数の差が0.01Å以下となるので、良質な磁性ガ
ーネット膜を形成できる。
用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料にお
いて、化学式をY3-x-y Gdx Biy Fe5 O12で表し
たときのxおよびyが、xおよびyをそれぞれx軸およ
びy軸とする2元図において、A(0,0),B(0.
6,0),C(0,0.23)の各点を頂点とする多角
形A,B,Cで囲まれ、かつ、点A上以外の範囲内とす
る。 【効果】 強磁性半値幅(ΔH)を大きくする事なし
に、飽和磁化(4πMs)の温度変化に対する変化率を
いろいろと変化させることができる。そのため、静磁波
デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いることが
できる。さらに、GGG基板と磁性ガーネット膜との格
子定数の差が0.01Å以下となるので、良質な磁性ガ
ーネット膜を形成できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波デバイス用材料
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、静磁波デバイスにおいて磁性ガー
ネット膜の材料として、Y3 Fe5 O12(YIG)が重
要な材料として使われていた。このYIGは、極端に強
磁性半値幅(ΔH)が小さい。そのため、静磁波デバイ
スにおける入力信号と出力信号との差を小さくできる。
ネット膜の材料として、Y3 Fe5 O12(YIG)が重
要な材料として使われていた。このYIGは、極端に強
磁性半値幅(ΔH)が小さい。そのため、静磁波デバイ
スにおける入力信号と出力信号との差を小さくできる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、YIG
は、飽和磁化(4πMs)の温度変化に対する変化率
が、約−2100ppm/℃である。したがって、この
ようなYIGを用いた静磁波デバイスにおける温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の、磁界の温度変化に対する変化率
を変化させなければならなかった。そのため、静磁波デ
バイスにおける温度変化に対する変化率の調節が困難で
あった。
は、飽和磁化(4πMs)の温度変化に対する変化率
が、約−2100ppm/℃である。したがって、この
ようなYIGを用いた静磁波デバイスにおける温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の、磁界の温度変化に対する変化率
を変化させなければならなかった。そのため、静磁波デ
バイスにおける温度変化に対する変化率の調節が困難で
あった。
【0004】それゆえに、この発明の主たる目的は、強
磁性半値幅(ΔH)を大きくする事なしに、飽和磁化
(4πMs)の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
磁性半値幅(ΔH)を大きくする事なしに、飽和磁化
(4πMs)の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、Gd3 Ga
5 O12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜の材料
となる静磁波デバイス用材料において、化学式をY
3-x-y Gdx Biy Fe5 O12で表したときのxおよび
yが、xおよびyをそれぞれx軸およびy軸とする2元
図において、A(0,0),B(0.6,0),C
(0,0.23)の各点を頂点とする多角形A,B,C
で囲まれ、かつ、点A上以外の範囲内にある、静磁波デ
バイス用材料である。
5 O12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜の材料
となる静磁波デバイス用材料において、化学式をY
3-x-y Gdx Biy Fe5 O12で表したときのxおよび
yが、xおよびyをそれぞれx軸およびy軸とする2元
図において、A(0,0),B(0.6,0),C
(0,0.23)の各点を頂点とする多角形A,B,C
で囲まれ、かつ、点A上以外の範囲内にある、静磁波デ
バイス用材料である。
【0006】
【発明の効果】この発明によれば、強磁性半値幅(Δ
H)を大きくする事なしに、飽和磁化(4πMs)の温
度変化に対する変化率をいろいろと変化させることがで
きる、静磁波デバイス用材料が得られる。そのため、静
磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いるこ
とができる。
H)を大きくする事なしに、飽和磁化(4πMs)の温
度変化に対する変化率をいろいろと変化させることがで
きる、静磁波デバイス用材料が得られる。そのため、静
磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いるこ
とができる。
【0007】さらに、GGG基板と磁性ガーネット膜と
の格子定数の差が0.01Å以下となるので、良質な磁
性ガーネット膜を形成できる。
の格子定数の差が0.01Å以下となるので、良質な磁
性ガーネット膜を形成できる。
【0008】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0009】
【実施例】Gd3 Ga5 O12基板(GGG基板)を、L
PE法でガーネット膜を形成するための基板として準備
した。
PE法でガーネット膜を形成するための基板として準備
した。
【0010】次に、ガーネット膜の原料であるFe2 O
3 ,Y2 O3 ,Gd2 O3 およびBi2 O3 と、溶剤で
あるPbOおよびB2 O3 とを混合し、縦型電気炉内に
保持された白金坩堝に充填して、約1200℃で均質化
を行って、融液を得た。
3 ,Y2 O3 ,Gd2 O3 およびBi2 O3 と、溶剤で
あるPbOおよびB2 O3 とを混合し、縦型電気炉内に
保持された白金坩堝に充填して、約1200℃で均質化
を行って、融液を得た。
【0011】この融液を約900℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
にGGG基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、このGGG基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心
力で振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
にGGG基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、このGGG基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心
力で振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【0012】得られたガーネット膜の格子定数をX線回
折によって測定し、飽和磁化(4πMs)と強磁性半値
幅(ΔH)とを、電子スピン共鳴(ESR)装置によっ
て測定した。この測定結果を表1に示す。
折によって測定し、飽和磁化(4πMs)と強磁性半値
幅(ΔH)とを、電子スピン共鳴(ESR)装置によっ
て測定した。この測定結果を表1に示す。
【0013】
【表1】
【0014】表1中のX値およびY値はそれぞれ静磁波
デバイス用材料の化学式をY3-x-y Gdx Biy Fe5
O12で表したときのxおよびyを示す。なお、表1中、
*印を付したものはこの発明の範囲外のものである。
デバイス用材料の化学式をY3-x-y Gdx Biy Fe5
O12で表したときのxおよびyを示す。なお、表1中、
*印を付したものはこの発明の範囲外のものである。
【0015】さらに、表1に示した実験例のY3-x-y G
dxBiy Fe5 O12について、図1にX値およびY値
をそれぞれX軸およびY軸とする2元図を示した。図1
において丸印を付した数字は、各試料番号を示す。ま
た、図1にこの発明の範囲内にあるX値およびY値を表
す領域を、点A,B,Cで記入した。すなわち、この発
明にかかる静磁波デバイス用材料のX値およびY値は、
この2元図において、A(0,0),B(0.6,
0),C(0,0.23)の各点を頂点とする多角形
A,B,Cで囲まれた範囲(ただし、点A上は除く範
囲)内に相当する。
dxBiy Fe5 O12について、図1にX値およびY値
をそれぞれX軸およびY軸とする2元図を示した。図1
において丸印を付した数字は、各試料番号を示す。ま
た、図1にこの発明の範囲内にあるX値およびY値を表
す領域を、点A,B,Cで記入した。すなわち、この発
明にかかる静磁波デバイス用材料のX値およびY値は、
この2元図において、A(0,0),B(0.6,
0),C(0,0.23)の各点を頂点とする多角形
A,B,Cで囲まれた範囲(ただし、点A上は除く範
囲)内に相当する。
【0016】次に、この発明にかかるxおよびyの範囲
を限定した理由を示す。
を限定した理由を示す。
【0017】点B,Cを結ぶ線の外側では、GGG基板
と磁性ガーネット膜との格子定数の差が0.01Åより
大きくなるので、ひび割れなどがない良質のガーネット
膜が形成できない(試料番号4参照)。
と磁性ガーネット膜との格子定数の差が0.01Åより
大きくなるので、ひび割れなどがない良質のガーネット
膜が形成できない(試料番号4参照)。
【0018】さらに、点Aでは、YIGそのものであ
り、飽和磁化(4πMs)の温度変化に対する変化率が
大きすぎて、静磁波デバイスにおける温度変化に対する
変化率の調節が困難である(試料番号1参照)。
り、飽和磁化(4πMs)の温度変化に対する変化率が
大きすぎて、静磁波デバイスにおける温度変化に対する
変化率の調節が困難である(試料番号1参照)。
【図1】静磁波デバイス用材料の化学式をY3-x-y Gd
x Biy Fe5 O12で表したときのxおよびyをそれぞ
れx軸およびy軸とする2元図を示す。
x Biy Fe5 O12で表したときのxおよびyをそれぞ
れx軸およびy軸とする2元図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊 取 谷 誠 人 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鷹 木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 Gd3 Ga5 O12基板上に成長させる静
磁波用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料
において、 化学式をY3-x-y Gdx Biy Fe5O12で表したとき
のxおよびyが、xおよびyをそれぞれx軸およびy軸
とする2元図において、A(0,0),B(0.6,
0),C(0,0.23)の各点を頂点とする多角形
A,B,Cで囲まれ、かつ、点A上以外の範囲内にある
ことを特徴とする、静磁波デバイス用材料。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18821391A JPH0513224A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
EP92110931A EP0522388A1 (en) | 1991-07-01 | 1992-06-27 | Magnetostatic-wave devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18821391A JPH0513224A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513224A true JPH0513224A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16219751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18821391A Pending JPH0513224A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513224A (ja) |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP18821391A patent/JPH0513224A/ja active Pending
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