JPH0513226A - 静磁波デバイス用材料 - Google Patents
静磁波デバイス用材料Info
- Publication number
- JPH0513226A JPH0513226A JP18821591A JP18821591A JPH0513226A JP H0513226 A JPH0513226 A JP H0513226A JP 18821591 A JP18821591 A JP 18821591A JP 18821591 A JP18821591 A JP 18821591A JP H0513226 A JPH0513226 A JP H0513226A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- axis
- wave device
- outside
- magnetostatic
- Prior art date
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- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板上に成長させる静磁波
用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料にお
いて、化学式をＹ3-x Ｇｄx Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12で表し
たときのｘおよびｙが、ｘおよびｙをそれぞれｘ軸およ
びｙ軸とする２元図において、Ａ（０，０），Ｂ（０．
６，０），Ｃ（１，０．８８），Ｄ（０．４１，１），
Ｅ（０，０．０９）の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれ、かつ、点Ａ上以外の範囲内とす
る。 【効果】 強磁性半値幅（ΔＨ）を大きくする事なし
に、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率を
いろいろと変化させることができる。そのため、静磁波
デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いることが
できる。さらに、ＧＧＧ基板と磁性ガーネット膜との格
子定数の差が０．０１Å以下となるので、良質な磁性ガ
ーネット膜を形成できる。
用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料にお
いて、化学式をＹ3-x Ｇｄx Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12で表し
たときのｘおよびｙが、ｘおよびｙをそれぞれｘ軸およ
びｙ軸とする２元図において、Ａ（０，０），Ｂ（０．
６，０），Ｃ（１，０．８８），Ｄ（０．４１，１），
Ｅ（０，０．０９）の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれ、かつ、点Ａ上以外の範囲内とす
る。 【効果】 強磁性半値幅（ΔＨ）を大きくする事なし
に、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率を
いろいろと変化させることができる。そのため、静磁波
デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いることが
できる。さらに、ＧＧＧ基板と磁性ガーネット膜との格
子定数の差が０．０１Å以下となるので、良質な磁性ガ
ーネット膜を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は静磁波デバイス用材料
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
に関し、特に磁性ガーネット膜の材料となる静磁波デバ
イス用材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静磁波デバイスにおいて磁性ガー
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。このＹＩＧは、極端に強
磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、静磁波デバイ
スにおける入力信号と出力信号との差を小さくできる。
ネット膜の材料として、Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（ＹＩＧ）が重
要な材料として使われていた。このＹＩＧは、極端に強
磁性半値幅（ΔＨ）が小さい。そのため、静磁波デバイ
スにおける入力信号と出力信号との差を小さくできる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＹＩＧ
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおける温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の、磁界の温度変化に対する変化率
を変化させなければならなかった。そのため、静磁波デ
バイスにおける温度変化に対する変化率の調節が困難で
あった。
は、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率
が、約−２１００ｐｐｍ／℃である。したがって、この
ようなＹＩＧを用いた静磁波デバイスにおける温度変化
に対する変化率を調節するためには、静磁波デバイスで
使用される永久磁石の、磁界の温度変化に対する変化率
を変化させなければならなかった。そのため、静磁波デ
バイスにおける温度変化に対する変化率の調節が困難で
あった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、強
磁性半値幅（ΔＨ）を大きくする事なしに、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
磁性半値幅（ΔＨ）を大きくする事なしに、飽和磁化
（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率をいろいろと変
化させることができる、静磁波デバイス用材料を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｇｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜の材料
となる静磁波デバイス用材料において、化学式をＹ3-x
Ｇｄx Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12で表したときのｘおよびｙ
が、ｘおよびｙをそれぞれｘ軸およびｙ軸とする２元図
において、Ａ（０，０），Ｂ（０．６，０），Ｃ（１，
０．８８），Ｄ（０．４１，１），Ｅ（０，０．０９）
の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで囲ま
れ、かつ、点Ａ上以外の範囲内にある、静磁波デバイス
用材料である。
5 Ｏ12基板上に成長させる静磁波用ガーネット膜の材料
となる静磁波デバイス用材料において、化学式をＹ3-x
Ｇｄx Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12で表したときのｘおよびｙ
が、ｘおよびｙをそれぞれｘ軸およびｙ軸とする２元図
において、Ａ（０，０），Ｂ（０．６，０），Ｃ（１，
０．８８），Ｄ（０．４１，１），Ｅ（０，０．０９）
の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅで囲ま
れ、かつ、点Ａ上以外の範囲内にある、静磁波デバイス
用材料である。
【０００６】
【発明の効果】この発明によれば、強磁性半値幅（Δ
Ｈ）を大きくする事なしに、飽和磁化（４πＭｓ）の温
度変化に対する変化率をいろいろと変化させることがで
きる、静磁波デバイス用材料が得られる。そのため、静
磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いるこ
とができる。
Ｈ）を大きくする事なしに、飽和磁化（４πＭｓ）の温
度変化に対する変化率をいろいろと変化させることがで
きる、静磁波デバイス用材料が得られる。そのため、静
磁波デバイスにおいて、いろいろな永久磁石を用いるこ
とができる。
【０００７】さらに、ＧＧＧ基板と磁性ガーネット膜と
の格子定数の差が０．０１Å以下となるので、良質な磁
性ガーネット膜を形成できる。
の格子定数の差が０．０１Å以下となるので、良質な磁
性ガーネット膜を形成できる。
【０００８】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板（ＧＧＧ基板）を、Ｌ
ＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板として準備
した。
ＰＥ法でガーネット膜を形成するための基板として準備
した。
【００１０】次に、ガーネット膜の原料であるＦｅ2 Ｏ
3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 およびＧａ2 Ｏ3 と、溶剤で
あるＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に
保持された白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化
を行って、融液を得た。
3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 およびＧａ2 Ｏ3 と、溶剤で
あるＰｂＯおよびＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に
保持された白金坩堝に充填して、約１２００℃で均質化
を行って、融液を得た。
【００１１】この融液を約９００℃前後の一定温度に保
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心
力で振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
持して、ガーネットを過飽和状態にした後、この融液中
にＧＧＧ基板を浸透し、回転させながら所定時間成長を
行った。その後、このＧＧＧ基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させて、ガーネット膜上の付着融液を遠心
力で振り切ることによって、ガーネット膜を形成した。
【００１２】得られたガーネット膜の格子定数をＸ線回
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とを、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置によっ
て測定した。この測定結果を表１に示す。
折によって測定し、飽和磁化（４πＭｓ）と強磁性半値
幅（ΔＨ）とを、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置によっ
て測定した。この測定結果を表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１中のＸ値およびＹ値はそれぞれ静磁波
デバイス用材料の化学式をＹ3-x Ｇｄx Ｆｅ5-y Ｇａy
Ｏ12で表したときのｘおよびｙを示す。なお、表１中、
＊印を付したものはこの発明の範囲外のものである。
デバイス用材料の化学式をＹ3-x Ｇｄx Ｆｅ5-y Ｇａy
Ｏ12で表したときのｘおよびｙを示す。なお、表１中、
＊印を付したものはこの発明の範囲外のものである。
【００１５】さらに、表１に示した実験例のＹ3-x Ｇｄ
x Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12について、図１にＸ値およびＹ値
をそれぞれＸ軸およびＹ軸とする２元図を示した。図１
において丸印を付した数字は、各試料番号を示す。ま
た、図１にこの発明の範囲内にあるＸ値およびＹ値を表
す領域を、点Ａ，Ｂ，Ｃで記入した。すなわち、この発
明にかかる静磁波デバイス用材料のＸ値およびＹ値は、
この２元図において、Ａ（０，０），Ｂ（０．６，
０），Ｃ（１，０．８８），Ｄ（０．４１，１），Ｅ
（０，０．０９）の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれた範囲（ただし、点Ａ上は除く範
囲）内に相当する。
x Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12について、図１にＸ値およびＹ値
をそれぞれＸ軸およびＹ軸とする２元図を示した。図１
において丸印を付した数字は、各試料番号を示す。ま
た、図１にこの発明の範囲内にあるＸ値およびＹ値を表
す領域を、点Ａ，Ｂ，Ｃで記入した。すなわち、この発
明にかかる静磁波デバイス用材料のＸ値およびＹ値は、
この２元図において、Ａ（０，０），Ｂ（０．６，
０），Ｃ（１，０．８８），Ｄ（０．４１，１），Ｅ
（０，０．０９）の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれた範囲（ただし、点Ａ上は除く範
囲）内に相当する。
【００１６】次に、この発明にかかるｘおよびｙの範囲
を限定した理由を示す。
を限定した理由を示す。
【００１７】点Ｂ，Ｃを結ぶ線の外側あるいは点Ｄ，Ｅ
を結ぶ線の外側では、ＧＧＧ基板と磁性ガーネット膜と
の格子定数の差が０．０１Åより大きくなるので、ひび
割れなどがない良質のガーネット膜が形成できない（試
料番号４および６参照）。
を結ぶ線の外側では、ＧＧＧ基板と磁性ガーネット膜と
の格子定数の差が０．０１Åより大きくなるので、ひび
割れなどがない良質のガーネット膜が形成できない（試
料番号４および６参照）。
【００１８】点Ｃ，Ｄを結ぶ線の外側では、強磁性半値
（ΔＨ）が５Ｏｅより大きくなり、静磁波デバイスとし
て使用できない（試料番号９参照）。
（ΔＨ）が５Ｏｅより大きくなり、静磁波デバイスとし
て使用できない（試料番号９参照）。
【００１９】さらに、点Ａでは、ＹＩＧそのものであ
り、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率が
大きすぎて、静磁波デバイスにおける温度変化に対する
変化率の調節が困難である（試料番号１参照）。
り、飽和磁化（４πＭｓ）の温度変化に対する変化率が
大きすぎて、静磁波デバイスにおける温度変化に対する
変化率の調節が困難である（試料番号１参照）。
【図１】静磁波デバイス用材料の化学式をＹ3-x Ｇｄx
Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12で表したときのｘおよびｙをそれぞ
れｘ軸およびｙ軸とする２元図を示す。
Ｆｅ5-y Ｇａy Ｏ12で表したときのｘおよびｙをそれぞ
れｘ軸およびｙ軸とする２元図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊 取 谷 誠 人 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鷹 木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板上に成長させる静
磁波用ガーネット膜の材料となる静磁波デバイス用材料
において、 化学式をＹ3-x Ｇｄx Ｆｅ5-y ＧａyＯ12で表したとき
のｘおよびｙが、ｘおよびｙをそれぞれｘ軸およびｙ軸
とする２元図において、Ａ（０，０），Ｂ（０．６，
０），Ｃ（１，０．８８），Ｄ（０．４１，１），Ｅ
（０，０．０９）の各点を頂点とする多角形Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅで囲まれ、かつ、点Ａ上以外の範囲内にある
ことを特徴とする、静磁波デバイス用材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18821591A JPH0513226A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
| EP92110931A EP0522388A1 (en) | 1991-07-01 | 1992-06-27 | Magnetostatic-wave devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18821591A JPH0513226A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513226A true JPH0513226A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16219788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18821591A Pending JPH0513226A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静磁波デバイス用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513226A (ja) |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP18821591A patent/JPH0513226A/ja active Pending
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