JPH08306531A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
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- JPH08306531A JPH08306531A JP7111625A JP11162595A JPH08306531A JP H08306531 A JPH08306531 A JP H08306531A JP 7111625 A JP7111625 A JP 7111625A JP 11162595 A JP11162595 A JP 11162595A JP H08306531 A JPH08306531 A JP H08306531A
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- crystal film
- wave device
- garnet single
- magnetostatic wave
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H2/00—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
- H03H2/001—Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00 comprising magnetostatic wave network elements
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】飽和磁化を小さくした磁性ガーネット単結晶膜
を用いることによって、動作周波数即ち伝搬帯域の周波
数を小さく制御することができる静磁波デバイスを提供
する。 【構成】一般式Ｒ3-x Ｃａx Ｍａ5-2y+xＺｒy Ｍｂy-x
Ｏ12で表したとき、ＲがＹ、Ｌａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕ及
びＳｃのうち少なくとも１種類、ＭａがＦｅ、Ｇａ及び
ＡｌのうちＦｅを必ず含む少なくとも１種類、ＭｂがＭ
ｇ及びＭｎのうち少なくとも１種類であり、かつ、０≦
ｘ≦１、０．１≦ｙ≦１、ｘ≦ｙである磁性ガーネット
単結晶膜よりなる。
を用いることによって、動作周波数即ち伝搬帯域の周波
数を小さく制御することができる静磁波デバイスを提供
する。 【構成】一般式Ｒ3-x Ｃａx Ｍａ5-2y+xＺｒy Ｍｂy-x
Ｏ12で表したとき、ＲがＹ、Ｌａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕ及
びＳｃのうち少なくとも１種類、ＭａがＦｅ、Ｇａ及び
ＡｌのうちＦｅを必ず含む少なくとも１種類、ＭｂがＭ
ｇ及びＭｎのうち少なくとも１種類であり、かつ、０≦
ｘ≦１、０．１≦ｙ≦１、ｘ≦ｙである磁性ガーネット
単結晶膜よりなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性ガーネット単結晶
膜が用いられた静磁波デバイスに関する。
膜が用いられた静磁波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】静磁波デバイス用材料として、Ｆｅ元素
を含む磁性ガーネット単結晶が用いられている。特に、
Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（以下、ＹＩＧと称す）単結晶は強磁性
半値幅（ΔＨ）が小さいため、静磁波デバイスとしたと
き、入力信号と出力信号との差を小さくできる特徴を有
しており、広く用いられている。
を含む磁性ガーネット単結晶が用いられている。特に、
Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12（以下、ＹＩＧと称す）単結晶は強磁性
半値幅（ΔＨ）が小さいため、静磁波デバイスとしたと
き、入力信号と出力信号との差を小さくできる特徴を有
しており、広く用いられている。
【０００３】そして、この種のガーネット単結晶は、例
えば液相エピタキシャル成長法により、Ｇａ3 Ｇｄ5 Ｏ
12（以下、ＧＧＧと称す）などの基板上に膜として成長
させて得られている。
えば液相エピタキシャル成長法により、Ｇａ3 Ｇｄ5 Ｏ
12（以下、ＧＧＧと称す）などの基板上に膜として成長
させて得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＹＩＧ単結晶を用いた
静磁波デバイスの動作周波数は２ＧＨｚ程度である。し
かしながら、ＢＳチューナーにノイズ除去フィルタなど
として使用するためには、数百ＭＨｚ〜千数百ＭＨｚで
動作させる必要がある。
静磁波デバイスの動作周波数は２ＧＨｚ程度である。し
かしながら、ＢＳチューナーにノイズ除去フィルタなど
として使用するためには、数百ＭＨｚ〜千数百ＭＨｚで
動作させる必要がある。
【０００５】ところで、静磁波（ＭＳＷ）モードの中
で、体積前進波（ＭＳＦＶＷ）モードを使用した場合、
デバイスの動作周波数は次の関係式で表される。 ω＝γ（Ｈex−Ｎ・４πＭｓ） ・・・（１） ω：周波数、γ：磁気回転比、Ｈex：印加磁界、Ｎ：反
磁界係数 ４πＭｓ：飽和磁化。
で、体積前進波（ＭＳＦＶＷ）モードを使用した場合、
デバイスの動作周波数は次の関係式で表される。 ω＝γ（Ｈex−Ｎ・４πＭｓ） ・・・（１） ω：周波数、γ：磁気回転比、Ｈex：印加磁界、Ｎ：反
磁界係数 ４πＭｓ：飽和磁化。
【０００６】また、表面波（ＭＳＳＷ）モードを使用し
た場合には、デバイスの動作周波数は次の関係式で表さ
れる。 ω＝γ｛Ｈi （Ｈi ＋４πＭｓ）｝1/2 ・・・（２） Ｈｉ＝Ｈex−Ｎ・４πＭｓ＋Ｈａ ・・・（３） Ｈｉ：内部磁界、Ｈex：印加磁界、Ｎ：反磁界係数 ４πＭｓ：飽和磁化、Ｈａ：異方性磁界。
た場合には、デバイスの動作周波数は次の関係式で表さ
れる。 ω＝γ｛Ｈi （Ｈi ＋４πＭｓ）｝1/2 ・・・（２） Ｈｉ＝Ｈex−Ｎ・４πＭｓ＋Ｈａ ・・・（３） Ｈｉ：内部磁界、Ｈex：印加磁界、Ｎ：反磁界係数 ４πＭｓ：飽和磁化、Ｈａ：異方性磁界。
【０００７】したがって、静磁波デバイスの動作周波数
を小さくするには外部磁界を小さくするか、飽和磁化を
小さくする必要がある。
を小さくするには外部磁界を小さくするか、飽和磁化を
小さくする必要がある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、飽和磁化を小さ
くした磁性ガーネット単結晶膜を用いることによって、
動作周波数即ち伝搬帯域の周波数を小さく制御すること
ができる静磁波デバイスを提供することにある。
くした磁性ガーネット単結晶膜を用いることによって、
動作周波数即ち伝搬帯域の周波数を小さく制御すること
ができる静磁波デバイスを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の静磁波デバイスは、一般式Ｒ3-x Ｃａx Ｍ
ａ5-2y+xＺｒy Ｍｂy-x Ｏ12で表したとき、ＲがＹ、Ｌ
ａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕ及びＳｃのうち少なくとも１種
類、ＭａがＦｅ、Ｇａ及びＡｌのうちＦｅを必ず含む少
なくとも１種類、ＭｂがＭｇ及びＭｎのうち少なくとも
１種類であり、かつ、０≦ｘ≦１、０．１≦ｙ≦１、ｘ
≦ｙである磁性ガーネット単結晶膜よりなる。
め、本発明の静磁波デバイスは、一般式Ｒ3-x Ｃａx Ｍ
ａ5-2y+xＺｒy Ｍｂy-x Ｏ12で表したとき、ＲがＹ、Ｌ
ａ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｌｕ及びＳｃのうち少なくとも１種
類、ＭａがＦｅ、Ｇａ及びＡｌのうちＦｅを必ず含む少
なくとも１種類、ＭｂがＭｇ及びＭｎのうち少なくとも
１種類であり、かつ、０≦ｘ≦１、０．１≦ｙ≦１、ｘ
≦ｙである磁性ガーネット単結晶膜よりなる。
【００１０】そして、上記磁性ガーネット単結晶膜は、
Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板、Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ12基板及びＮｄ
3 Ｇａ5 Ｏ12基板のうちいずれかに形成されていること
を特徴とする。
Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12基板、Ｓｍ3 Ｇａ5 Ｏ12基板及びＮｄ
3 Ｇａ5 Ｏ12基板のうちいずれかに形成されていること
を特徴とする。
【００１１】
【作用】磁性ガーネット単結晶膜の組成を上述の範囲内
とすることにより、飽和磁化及び強磁性半値幅の小さい
磁性ガーネット単結晶膜が得られる。
とすることにより、飽和磁化及び強磁性半値幅の小さい
磁性ガーネット単結晶膜が得られる。
【００１２】そして、この飽和磁化及び強磁性半値幅の
小さい磁性ガーネット単結晶膜は、ＧＧＧ基板、Ｓｍ3
Ｇａ5 Ｏ12（以下、ＳＧＧと称す）基板及びＮｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12（以下、ＮＧＧと称す）基板のうちいずれかの上
に形成させることにより得られる。
小さい磁性ガーネット単結晶膜は、ＧＧＧ基板、Ｓｍ3
Ｇａ5 Ｏ12（以下、ＳＧＧと称す）基板及びＮｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12（以下、ＮＧＧと称す）基板のうちいずれかの上
に形成させることにより得られる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の静磁波デバイスについて、液
相エピタキシャル成長法で磁性ガーネット単結晶膜を形
成し、それを用いて静磁波デバイスを作製する場合を例
として説明する。
相エピタキシャル成長法で磁性ガーネット単結晶膜を形
成し、それを用いて静磁波デバイスを作製する場合を例
として説明する。
【００１４】（実施例１）まず、ＧＧＧ基板をガーネッ
ト単結晶膜を形成するための基板として準備した。又、
ガーネット単結晶膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 、Ｙ
2 Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、Ｇａ2
Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯおよびＭｇＯを用
意した。その後、表１に示す組成のガーネット単結晶が
得られるように、上記原料と、溶剤であるＰｂＯとＢ2
Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝に
充填した後、約１２００℃で均質化を行い融液化した。
ト単結晶膜を形成するための基板として準備した。又、
ガーネット単結晶膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 、Ｙ
2 Ｏ3 、ＣａＣＯ3 、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、Ｇａ2
Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯおよびＭｇＯを用
意した。その後、表１に示す組成のガーネット単結晶が
得られるように、上記原料と、溶剤であるＰｂＯとＢ2
Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝に
充填した後、約１２００℃で均質化を行い融液化した。
【００１５】その後、このガーネット原料融液を約９０
０℃前後の一定温度に保持して過飽和状態にした後、こ
の融液中にＧＧＧ基板を浸漬し、回転させながら所定時
間成長を行った。その後、この基板を融液から引き上
げ、高速度で回転させてガーネット単結晶膜上の付着融
液を遠心力により振り切ることによってガーネット単結
晶膜を形成した。なお、表１において、＊印を付したも
のは本発明の範囲外のものである。
０℃前後の一定温度に保持して過飽和状態にした後、こ
の融液中にＧＧＧ基板を浸漬し、回転させながら所定時
間成長を行った。その後、この基板を融液から引き上
げ、高速度で回転させてガーネット単結晶膜上の付着融
液を遠心力により振り切ることによってガーネット単結
晶膜を形成した。なお、表１において、＊印を付したも
のは本発明の範囲外のものである。
【００１６】次に、得られたガーネット単結晶膜につい
て、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置によって、飽和磁化
（４πＭｓ）と強磁性半値幅（ΔＨ）を測定した。又、
Ｘ線回折によって格子定数を測定した。これらの結果を
表１に示す。
て、電子スピン共鳴（ＥＳＲ）装置によって、飽和磁化
（４πＭｓ）と強磁性半値幅（ΔＨ）を測定した。又、
Ｘ線回折によって格子定数を測定した。これらの結果を
表１に示す。
【００１７】又、図１に示すように、ＧＧＧ基板１のガ
ーネット単結晶膜２の上に電極３を形成して静磁波デバ
イスを作製し、そのフィルタ特性を測定し動作周波数を
求めた。その結果を表１に示す。なお、表１の静磁波デ
バイスの動作周波数の欄の−印は、静磁波デバイスとし
たとき、フィルタでの入力電力の損失が大きくなってフ
ィルタ特性を示さなかったことを示す。
ーネット単結晶膜２の上に電極３を形成して静磁波デバ
イスを作製し、そのフィルタ特性を測定し動作周波数を
求めた。その結果を表１に示す。なお、表１の静磁波デ
バイスの動作周波数の欄の−印は、静磁波デバイスとし
たとき、フィルタでの入力電力の損失が大きくなってフ
ィルタ特性を示さなかったことを示す。
【００１８】なお、図１において、Ｈはフィルタ特性測
定時の外部磁界の印加方向、Ｉinはマイクロ波の入力方
向、Ｗは表面波（ＭＳＳＷ）の伝播方向、Ｉout はマイ
クロ波の出力方向である。
定時の外部磁界の印加方向、Ｉinはマイクロ波の入力方
向、Ｗは表面波（ＭＳＳＷ）の伝播方向、Ｉout はマイ
クロ波の出力方向である。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から明らかなように、本発明の組成範
囲内のガーネット単結晶膜は、試料番号１に示す従来の
ＹＩＧ単結晶膜と比較して、４πＭｓが１４６０〜３７
０Ｇと小さく、ΔＨもほとんど変わらない。このため、
静磁波デバイスとしたときの動作周波数を１５００〜４
００ＭＨｚと小さくすることができる。
囲内のガーネット単結晶膜は、試料番号１に示す従来の
ＹＩＧ単結晶膜と比較して、４πＭｓが１４６０〜３７
０Ｇと小さく、ΔＨもほとんど変わらない。このため、
静磁波デバイスとしたときの動作周波数を１５００〜４
００ＭＨｚと小さくすることができる。
【００２１】これに対して、試料番号２２に示すよう
に、Ｃａ量ｘが１．０を超える場合は、ΔＨが大幅に大
きくなり、静磁波デバイスとしたときにフィルタ特性を
示さない。
に、Ｃａ量ｘが１．０を超える場合は、ΔＨが大幅に大
きくなり、静磁波デバイスとしたときにフィルタ特性を
示さない。
【００２２】又、試料番号２、６、１０、１４及び１８
に示すように、Ｚｒ量ｙが０．１未満の場合は、４πＭ
ｓがＹＩＧの場合とほとんど変わらず好ましくない。一
方、試料番号５、９、１３、１７及び２１に示すよう
に、Ｚｒ量ｙが１．０を超える場合は、ΔＨが３．５Ｏ
ｅ以上になり、静磁波デバイスにしたときフィルタでの
入力電力の損失が大きくなってフィルタ特性を示さなく
なり、静磁波デバイスとして使用できない。
に示すように、Ｚｒ量ｙが０．１未満の場合は、４πＭ
ｓがＹＩＧの場合とほとんど変わらず好ましくない。一
方、試料番号５、９、１３、１７及び２１に示すよう
に、Ｚｒ量ｙが１．０を超える場合は、ΔＨが３．５Ｏ
ｅ以上になり、静磁波デバイスにしたときフィルタでの
入力電力の損失が大きくなってフィルタ特性を示さなく
なり、静磁波デバイスとして使用できない。
【００２３】（実施例２）ＮＧＧ基板をガーネット単結
晶膜を形成するための基板として準備した。又、ガーネ
ット単結晶膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇｄ
2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯおよびＭｇＯを
用意した。その後、表２に示す組成のガーネット単結晶
が得られるように、上記原料と、溶剤であるＰｂＯとＢ
2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝
に充填した後、約１２００℃で均質化を行い融液化し
た。
晶膜を形成するための基板として準備した。又、ガーネ
ット単結晶膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｇｄ
2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯおよびＭｇＯを
用意した。その後、表２に示す組成のガーネット単結晶
が得られるように、上記原料と、溶剤であるＰｂＯとＢ
2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持された白金坩堝
に充填した後、約１２００℃で均質化を行い融液化し
た。
【００２４】その後、このガーネット原料融液を約９０
０℃前後の一定温度に保持して過飽和状態にした後、こ
の融液中にＮＧＧ基板を浸漬し、回転させながら所定時
間成長を行った。その後、この基板を融液から引き上
げ、高速度で回転させてガーネット単結晶膜上の付着融
液を遠心力により振り切ることによってガーネット単結
晶膜を形成した。なお、表２において、＊印を付したも
のは本発明の範囲外のものである。
０℃前後の一定温度に保持して過飽和状態にした後、こ
の融液中にＮＧＧ基板を浸漬し、回転させながら所定時
間成長を行った。その後、この基板を融液から引き上
げ、高速度で回転させてガーネット単結晶膜上の付着融
液を遠心力により振り切ることによってガーネット単結
晶膜を形成した。なお、表２において、＊印を付したも
のは本発明の範囲外のものである。
【００２５】次に、得られたガーネット単結晶膜につい
て、実施例１と同様にして、飽和磁化（４πＭｓ）、強
磁性半値幅（ΔＨ）及び格子定数を測定した。これらの
結果を表２に示す。
て、実施例１と同様にして、飽和磁化（４πＭｓ）、強
磁性半値幅（ΔＨ）及び格子定数を測定した。これらの
結果を表２に示す。
【００２６】又、実施例１と同様にして、得られたガー
ネット単結晶膜を用いて静磁波デバイスを作製し、その
フィルタ特性を測定し動作周波数を求めた。その結果を
表２に示す。なお、表２の静磁波デバイスの動作周波数
の欄の−印は、静磁波デバイスにしたとき、フィルタで
の入力電力の損失が大きくなってフィルタ特性を示さな
かったことを示す。
ネット単結晶膜を用いて静磁波デバイスを作製し、その
フィルタ特性を測定し動作周波数を求めた。その結果を
表２に示す。なお、表２の静磁波デバイスの動作周波数
の欄の−印は、静磁波デバイスにしたとき、フィルタで
の入力電力の損失が大きくなってフィルタ特性を示さな
かったことを示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２から明らかなように、本発明の組成範
囲内のガーネット単結晶膜は、従来のＹＩＧ単結晶膜
（実施例１の試料番号１参照）と比較して、４πＭｓが
１４１０〜５００Ｇと小さく、ΔＨもほとんど変わらな
い。このため、静磁波デバイスとしたときの動作周波数
を１５００〜６００ＭＨｚと小さくすることができる。
囲内のガーネット単結晶膜は、従来のＹＩＧ単結晶膜
（実施例１の試料番号１参照）と比較して、４πＭｓが
１４１０〜５００Ｇと小さく、ΔＨもほとんど変わらな
い。このため、静磁波デバイスとしたときの動作周波数
を１５００〜６００ＭＨｚと小さくすることができる。
【００２９】これに対して、試料番号２３に示すよう
に、Ｚｒ量ｙが０．１未満の場合は、４πＭｓがＹＩＧ
の場合とほとんど変わらず好ましくない。一方、試料番
号２６に示すように、Ｚｒ量ｙが１．０を超える場合
は、ΔＨが４．４Ｏｅと大きくなってフィルタ特性を示
さなくなり、静磁波デバイスとして使用できない。
に、Ｚｒ量ｙが０．１未満の場合は、４πＭｓがＹＩＧ
の場合とほとんど変わらず好ましくない。一方、試料番
号２６に示すように、Ｚｒ量ｙが１．０を超える場合
は、ΔＨが４．４Ｏｅと大きくなってフィルタ特性を示
さなくなり、静磁波デバイスとして使用できない。
【００３０】（実施例３）ＳＧＧ基板をガーネット単結
晶膜を形成するための基板として準備した。又、ガーネ
ット単結晶膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｂｉ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯお
よびＭｇＯを用意した。その後、表３に示す組成のガー
ネット単結晶が得られるように、上記原料と、溶剤であ
るＰｂＯとＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持さ
れた白金坩堝に充填した後、約１２００℃で均質化を行
い融液化した。
晶膜を形成するための基板として準備した。又、ガーネ
ット単結晶膜の原料であるＦｅ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｂｉ
2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＭｎＯお
よびＭｇＯを用意した。その後、表３に示す組成のガー
ネット単結晶が得られるように、上記原料と、溶剤であ
るＰｂＯとＢ2 Ｏ3 とを混合し、縦型電気炉内に保持さ
れた白金坩堝に充填した後、約１２００℃で均質化を行
い融液化した。
【００３１】次に、このガーネット原料融液を約９００
℃前後の一定温度に保持して過飽和状態にした後、この
融液中にＳＧＧ基板を浸漬し、回転させながら所定時間
成長を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させてガーネット単結晶膜上の付着融液を
遠心力により振り切ることによってガーネット単結晶膜
を形成した。なお、表３において、＊印を付したものは
本発明の範囲外のものである。
℃前後の一定温度に保持して過飽和状態にした後、この
融液中にＳＧＧ基板を浸漬し、回転させながら所定時間
成長を行った。その後、この基板を融液から引き上げ、
高速度で回転させてガーネット単結晶膜上の付着融液を
遠心力により振り切ることによってガーネット単結晶膜
を形成した。なお、表３において、＊印を付したものは
本発明の範囲外のものである。
【００３２】次に、得られたガーネット単結晶膜につい
て、実施例１と同様にして、飽和磁化（４πＭｓ）、強
磁性半値幅（ΔＨ）及び格子定数を測定した。これらの
結果を表３に示す。
て、実施例１と同様にして、飽和磁化（４πＭｓ）、強
磁性半値幅（ΔＨ）及び格子定数を測定した。これらの
結果を表３に示す。
【００３３】又、実施例１と同様にして、得られたガー
ネット単結晶膜を用いて静磁波デバイスを作製し、その
フィルタ特性を測定し動作周波数を求めた。その結果を
表３に示す。なお、表３の静磁波デバイスの動作周波数
の欄の−印は、静磁波デバイスにしたとき、フィルタで
の入力電力の損失が大きくなってフィルタ特性を示さな
かったことを示す。
ネット単結晶膜を用いて静磁波デバイスを作製し、その
フィルタ特性を測定し動作周波数を求めた。その結果を
表３に示す。なお、表３の静磁波デバイスの動作周波数
の欄の−印は、静磁波デバイスにしたとき、フィルタで
の入力電力の損失が大きくなってフィルタ特性を示さな
かったことを示す。
【００３４】
【表３】
【００３５】表３から明らかなように、本発明の組成範
囲内のガーネット単結晶膜は、従来のＹＩＧ単結晶膜
（実施例１の試料番号１参照）と比較して、４πＭｓが
１４００〜４８０Ｇと小さく、ΔＨもほとんど変わらな
い。このため、静磁波デバイスとしたときの動作周波数
を１５００〜６００ＭＨｚと小さくすることができる。
囲内のガーネット単結晶膜は、従来のＹＩＧ単結晶膜
（実施例１の試料番号１参照）と比較して、４πＭｓが
１４００〜４８０Ｇと小さく、ΔＨもほとんど変わらな
い。このため、静磁波デバイスとしたときの動作周波数
を１５００〜６００ＭＨｚと小さくすることができる。
【００３６】これに対して、試料番号２７及び３１に示
すように、Ｚｒ量ｙが０．１未満の場合は、４πＭｓが
ＹＩＧの場合とほとんど変わらず好ましくない。一方、
試料番号３０及び３４に示すように、Ｚｒ量ｙが１．０
を超える場合は、ΔＨが４．０Ｏｅ以上と大きくなって
フィルタ特性を示さなくなり、静磁波デバイスとして使
用できない。
すように、Ｚｒ量ｙが０．１未満の場合は、４πＭｓが
ＹＩＧの場合とほとんど変わらず好ましくない。一方、
試料番号３０及び３４に示すように、Ｚｒ量ｙが１．０
を超える場合は、ΔＨが４．０Ｏｅ以上と大きくなって
フィルタ特性を示さなくなり、静磁波デバイスとして使
用できない。
【００３７】なお、上記実施例においては、液相エピタ
キシャル成長法で磁性ガーネット単結晶膜を作製する場
合について説明したが、本発明はこれのみに限定される
ものではない。即ち、その他の磁性ガーネットの作製方
法、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、レーザー・アブレー
ション法などの場合においても同様の効果を得ることが
できる。
キシャル成長法で磁性ガーネット単結晶膜を作製する場
合について説明したが、本発明はこれのみに限定される
ものではない。即ち、その他の磁性ガーネットの作製方
法、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法、レーザー・アブレー
ション法などの場合においても同様の効果を得ることが
できる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、磁性ガ
ーネット単結晶膜の組成を上述の本発明の範囲内とする
ことにより、飽和磁化（４πＭｓ）をＹＩＧより小さく
することができる。
ーネット単結晶膜の組成を上述の本発明の範囲内とする
ことにより、飽和磁化（４πＭｓ）をＹＩＧより小さく
することができる。
【００３９】したがって、この磁性ガーネット単結晶膜
を用いることによって、動作周波数即ち伝搬帯域の周波
数を小さく制御することができる静磁波デバイスを得る
ことができる、
を用いることによって、動作周波数即ち伝搬帯域の周波
数を小さく制御することができる静磁波デバイスを得る
ことができる、
【図１】静磁波フィルタの一例を示す斜視図である。
１ 基板 ２ ガーネット単結晶膜 ３ 電極 Ｈ 外部磁界の印加方向 Ｉin マイクロ波の入力方向 Ｗ 表面波の伝播方向 Ｉout マイクロ波の出力方向
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式Ｒ3-x Ｃａx Ｍａ5-2y+xＺｒy Ｍ
ｂy-x Ｏ12で表したとき、ＲがＹ、Ｌａ、Ｂｉ、Ｇｄ、
Ｌｕ及びＳｃのうち少なくとも１種類、ＭａがＦｅ、Ｇ
ａ及びＡｌのうちＦｅを必ず含む少なくとも１種類、Ｍ
ｂがＭｇ及びＭｎのうち少なくとも１種類であり、か
つ、０≦ｘ≦１、０．１≦ｙ≦１、ｘ≦ｙである磁性ガ
ーネット単結晶膜よりなる静磁波デバイス。 - 【請求項２】 磁性ガーネット単結晶膜は、Ｇｄ3 Ｇａ
5 Ｏ12基板、Ｓｍ3Ｇａ5 Ｏ12基板及びＮｄ3 Ｇａ5 Ｏ
12基板のうちいずれかに形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の静磁波デバイス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111625A JPH08306531A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 静磁波デバイス |
| US08/638,700 US5879824A (en) | 1995-05-10 | 1996-04-26 | Magnetostatic wave device and material for the same |
| DE69610661T DE69610661T2 (de) | 1995-05-10 | 1996-05-09 | Magnetostatische Wellenanordnung und Material dafür |
| EP96107398A EP0743660B1 (en) | 1995-05-10 | 1996-05-09 | Magnetostatic wave device and material for the same |
| CN96102214A CN1099718C (zh) | 1995-05-10 | 1996-05-10 | 静磁波器件及其原材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111625A JPH08306531A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306531A true JPH08306531A (ja) | 1996-11-22 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7111625A Pending JPH08306531A (ja) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | 静磁波デバイス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5879824A (ja) |
| EP (1) | EP0743660B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08306531A (ja) |
| CN (1) | CN1099718C (ja) |
| DE (1) | DE69610661T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20060141138A1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-29 | 3M Innovative Properties Company | Microwave annealing of membranes for use in fuel cell assemblies |
| CN115259849B (zh) * | 2022-08-11 | 2023-05-30 | 横店集团东磁股份有限公司 | 旋磁铁氧体材料及制备方法和应用 |
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1996
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- 1996-05-09 DE DE69610661T patent/DE69610661T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-05-09 EP EP96107398A patent/EP0743660B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-05-10 CN CN96102214A patent/CN1099718C/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| CN1099718C (zh) | 2003-01-22 |
| DE69610661T2 (de) | 2001-05-10 |
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| CN1143270A (zh) | 1997-02-19 |
| US5879824A (en) | 1999-03-09 |
| EP0743660A1 (en) | 1996-11-20 |
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