JPH04139093A - ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法 - Google Patents
ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法Info
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- JPH04139093A JPH04139093A JP25855090A JP25855090A JPH04139093A JP H04139093 A JPH04139093 A JP H04139093A JP 25855090 A JP25855090 A JP 25855090A JP 25855090 A JP25855090 A JP 25855090A JP H04139093 A JPH04139093 A JP H04139093A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ１発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファラデー素子用ビスマス置換鉄ガーネット
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
光通信の光源となる半導体レーザに、自身から出射され
た光の一部が帰還するとノイズの原因となる。この光の
帰還を防止するためにファラデー素子（磁界中で非相反
旋光能を示す素子）を使用した光アイソレータが既に実
用化されている。ファラデー素子の高品質、低価格がそ
のまま光アイソレータの高品質、低価格に結びつくため
、高品質、低価格を目的としてファラデー素子の製造技
術の開発が活発である。このファラデー素子のうち、高
品質、低価格を両立するものとして、光通信に使用され
る波長１．３μ■〜１．５５μ園の光に対して。
た光の一部が帰還するとノイズの原因となる。この光の
帰還を防止するためにファラデー素子（磁界中で非相反
旋光能を示す素子）を使用した光アイソレータが既に実
用化されている。ファラデー素子の高品質、低価格がそ
のまま光アイソレータの高品質、低価格に結びつくため
、高品質、低価格を目的としてファラデー素子の製造技
術の開発が活発である。このファラデー素子のうち、高
品質、低価格を両立するものとして、光通信に使用され
る波長１．３μ■〜１．５５μ園の光に対して。
ＬＰＥ （リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法に
よるビスマス置換希土類鉄単結晶（希土類鉄ガーネット
単結晶中の希土類を一部ビスマスで置換したもの）の厚
さが数百μｍの厚膜が提案されている。このＬＰＥ法は
ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム・ガーネット）等の
非磁性ガーネット単結晶基板をビスマス置換希土類鉄ガ
ーネット単結晶の成分を含む高温の融液に浸漬し、ビス
マス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を一定温度でエピ
タキシャル成長させる方法であり、非磁性ガーネット単
結晶基板と同じサイズのビスマス置換希土類ガーネット
単結晶が得られる。即ち大口径の基板を用いればさらな
る低価格が可能となる。
よるビスマス置換希土類鉄単結晶（希土類鉄ガーネット
単結晶中の希土類を一部ビスマスで置換したもの）の厚
さが数百μｍの厚膜が提案されている。このＬＰＥ法は
ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリウム・ガーネット）等の
非磁性ガーネット単結晶基板をビスマス置換希土類鉄ガ
ーネット単結晶の成分を含む高温の融液に浸漬し、ビス
マス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を一定温度でエピ
タキシャル成長させる方法であり、非磁性ガーネット単
結晶基板と同じサイズのビスマス置換希土類ガーネット
単結晶が得られる。即ち大口径の基板を用いればさらな
る低価格が可能となる。
しかしながら、ＬＰＥ法により数百μ閣の厚さまで割れ
の発生なしで育成出来るビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶厚膜の寸法はたかだか１，５インチ径までであ
り、さらに大きな寸法のものを育成しようとすると割れ
が発生するという問題があった。
の発生なしで育成出来るビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶厚膜の寸法はたかだか１，５インチ径までであ
り、さらに大きな寸法のものを育成しようとすると割れ
が発生するという問題があった。
これは、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成
する際に使用される融液のビスマスと希土類の濃度比が
、育成されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶中
のビスマスと希土類の濃度比と大きく異なる偏析を生ず
るため、育成した厚膜が成長方向で組成が変化し、格子
定数の変動が生じ、それが原因となって発生する応力に
耐えきれないためである。例えば１インチ径といった小
さな寸法においては、この格子定数の変動は極めて小さ
く応力も小さいため割れは発生しないが、さらに大径口
のものを育成する際には格子定数変動が甚だしく大きく
なり、応力もそれに従い大きくなるため、割れが発生す
る。これを防止するためには所望の寸法に見合っただけ
の育成の規模を拡大する、即ち大型の育成装置で多量の
融液を用いるようにすればよいが、この方法は、低価格
化をはかる点では効果があまり見られない。
する際に使用される融液のビスマスと希土類の濃度比が
、育成されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶中
のビスマスと希土類の濃度比と大きく異なる偏析を生ず
るため、育成した厚膜が成長方向で組成が変化し、格子
定数の変動が生じ、それが原因となって発生する応力に
耐えきれないためである。例えば１インチ径といった小
さな寸法においては、この格子定数の変動は極めて小さ
く応力も小さいため割れは発生しないが、さらに大径口
のものを育成する際には格子定数変動が甚だしく大きく
なり、応力もそれに従い大きくなるため、割れが発生す
る。これを防止するためには所望の寸法に見合っただけ
の育成の規模を拡大する、即ち大型の育成装置で多量の
融液を用いるようにすればよいが、この方法は、低価格
化をはかる点では効果があまり見られない。
本発明は、単結晶育成の規模を拡大せずに、割れのない
大口径のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を
ＬＰＥ法により育成し、高性能で、しかも極めて低価格
のファラデー素子を提供することにある。
大口径のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を
ＬＰＥ法により育成し、高性能で、しかも極めて低価格
のファラデー素子を提供することにある。
以下余白
口１発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の
育成中に、育成温度を徐々に降下させることで成長方向
での格子定数変動及びそれに伴う応力の発生を抑制し、
割れのない大口径の厚さが数百μ層のビスマス置換希土
類鉄ガーネット、単結晶膜を得るものである。
育成中に、育成温度を徐々に降下させることで成長方向
での格子定数変動及びそれに伴う応力の発生を抑制し、
割れのない大口径の厚さが数百μ層のビスマス置換希土
類鉄ガーネット、単結晶膜を得るものである。
即ち本発明は、Ｌ Ｐ’Ｅ法によるビスマス（Ｂｉ）置
換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−
ＪｖＯ＋ ２で示した時、０．２≦Ｘ≦２．５． Ｏ≦
Ｙ≦２．０゜但し、ＲはＮｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｇｄ
、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｌｕ、
Ｙで示される元素のうち少なくとも１種類、ＭはＡｌ
、Ｇａで示される元素のうち少なくとも１種。）単結晶
膜の育成において、単結晶膜の成長方向の格子定数の変
動を、育成開始時の格子定数を基準として±０．００３
オングストローム以下に制御するよう、単結晶膜の育成
中に育成膜を形成する融液温度を降下させながら膜育成
を行うことを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネッ
トの製造方法である。
換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−
ＪｖＯ＋ ２で示した時、０．２≦Ｘ≦２．５． Ｏ≦
Ｙ≦２．０゜但し、ＲはＮｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｇｄ
、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｌｕ、
Ｙで示される元素のうち少なくとも１種類、ＭはＡｌ
、Ｇａで示される元素のうち少なくとも１種。）単結晶
膜の育成において、単結晶膜の成長方向の格子定数の変
動を、育成開始時の格子定数を基準として±０．００３
オングストローム以下に制御するよう、単結晶膜の育成
中に育成膜を形成する融液温度を降下させながら膜育成
を行うことを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネッ
トの製造方法である。
一般にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶をＬＰＥ
法により育成する際の融液は、希土類酸化物（Ｒ２０，
３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）、酸化鉄（Ｆｅ２０
．）を酸化鉛（ＰｂＯ）等の適当なフラックス（融剤）
に溶かしたものを用いる。その際酸化ビスマスの量は希
土類酸化物の量のモル比において、１００倍程度と圧倒
的に大きい。これはビスマス結晶中に極めて混入しにく
い、即ち希土類に対するビスマスの偏析が極めて小さい
ためである。そのため、ビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶膜の育成が継続していくうちに、融液中の希土
類の濃度が極端に小さくなり、融液の組成が育成開始時
と異なってくる。
法により育成する際の融液は、希土類酸化物（Ｒ２０，
３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）、酸化鉄（Ｆｅ２０
．）を酸化鉛（ＰｂＯ）等の適当なフラックス（融剤）
に溶かしたものを用いる。その際酸化ビスマスの量は希
土類酸化物の量のモル比において、１００倍程度と圧倒
的に大きい。これはビスマス結晶中に極めて混入しにく
い、即ち希土類に対するビスマスの偏析が極めて小さい
ためである。そのため、ビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶膜の育成が継続していくうちに、融液中の希土
類の濃度が極端に小さくなり、融液の組成が育成開始時
と異なってくる。
本発明者は、このような融液中の希土類濃度が時間に伴
い減少する状態で育成開始の融液温度を保ってビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成を続けると、単
結晶膜中の希土類濃度は増加し、ビスマス濃度は減少し
、格子定数の値が小さくなって行（ことを実験的に見い
だした。即ちメルト中の希土類元素の濃度は減少してい
るのにもかかわらず結晶中の希土類濃度が増加するのは
、ビスマスの偏析が融液の組成に依存しているためであ
る。この場合、ビスマスのイオン半径が希土類のそれに
比べて大きいために、膜の成長方向で格子定数が小さく
なっていく。
い減少する状態で育成開始の融液温度を保ってビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成を続けると、単
結晶膜中の希土類濃度は増加し、ビスマス濃度は減少し
、格子定数の値が小さくなって行（ことを実験的に見い
だした。即ちメルト中の希土類元素の濃度は減少してい
るのにもかかわらず結晶中の希土類濃度が増加するのは
、ビスマスの偏析が融液の組成に依存しているためであ
る。この場合、ビスマスのイオン半径が希土類のそれに
比べて大きいために、膜の成長方向で格子定数が小さく
なっていく。
ところで、ＬＰＥ法によるビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶膜の育成におけるビスマスの偏析は育成温度
に依存し、育成温度が低い程ビスマスの混入量が大きく
なることが知られている。
ット単結晶膜の育成におけるビスマスの偏析は育成温度
に依存し、育成温度が低い程ビスマスの混入量が大きく
なることが知られている。
これらの事実をふまえて、本発明者はＬＰＥ法によるビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成において
、育成中に融液温度を降下させて単結晶膜の格子定数の
変動を抑制し、単結晶膜の割れの発生を防止することを
特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法
を完成するにいたったのである。
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成において
、育成中に融液温度を降下させて単結晶膜の格子定数の
変動を抑制し、単結晶膜の割れの発生を防止することを
特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法
を完成するにいたったのである。
以下に実施例と比較例を用いて本発明を説明する。
（実施例１）
酸化テルビウム（Ｔｂ２０３）を１モル％、酸化鉄（Ｆ
ｅ２０．）を９モル％、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を
２５モル％、酸化鉛（ＰｂＯ）を５０モル％、酸化ボロ
ン（Ｂ２０３）を１５モル％をそれぞれの比で総重量５
Ｋｇを溶解混合した融液（この融液と同じ組成、同量の
融液を以下の実施例２、比較例１、比較例２でも使用し
た）を用い、方位が（１１１）方向の非磁性のカルシウ
ム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ
） ５０１２の２インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によ
りビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ ）
３ Ｆｅ、、０１２単結晶厚膜を５０時間にわたり育
成した。育成開始時の融液の温度は基板の格子定数（１
２，４９６Ａ）と膜の格子定数が一致した８００℃であ
り、育成中０．１℃／時間の降温速度で降温し、育成終
了時は７９５℃であった。
ｅ２０．）を９モル％、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を
２５モル％、酸化鉛（ＰｂＯ）を５０モル％、酸化ボロ
ン（Ｂ２０３）を１５モル％をそれぞれの比で総重量５
Ｋｇを溶解混合した融液（この融液と同じ組成、同量の
融液を以下の実施例２、比較例１、比較例２でも使用し
た）を用い、方位が（１１１）方向の非磁性のカルシウ
ム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ
） ５０１２の２インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によ
りビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ ）
３ Ｆｅ、、０１２単結晶厚膜を５０時間にわたり育
成した。育成開始時の融液の温度は基板の格子定数（１
２，４９６Ａ）と膜の格子定数が一致した８００℃であ
り、育成中０．１℃／時間の降温速度で降温し、育成終
了時は７９５℃であった。
その結果５００μ曹の厚さの割れのない（ＴｂＢｉ）Ｊ
ｅｓＯ□２単結晶膜が得られた。この（ＴｂＢｉ）Ｊｅ
ｓＯ＋２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査したと
ころ、第１表に示すような結果が得られた。即ち格子定
数は、育成開始から育成終了まで１２．４９６±０．０
０２オンダスト、ロームの範囲であった。
ｅｓＯ□２単結晶膜が得られた。この（ＴｂＢｉ）Ｊｅ
ｓＯ＋２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査したと
ころ、第１表に示すような結果が得られた。即ち格子定
数は、育成開始から育成終了まで１２．４９６±０．０
０２オンダスト、ロームの範囲であった。
（実施例２）
実施例１で用いた融液と、同組成、同量の融液を用い、
方位が（１１１）方向の非磁性カルシウム・マグネシウ
ム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ） ５０１２
ノ３３インチ径単結晶基板、ＬＰＥ法によりビスマス置
換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ）３ＦｅｓＯ＋
２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時
の融液の温度は基板格子定数（１２，４９６Ａ）と膜の
格子定数が一致した８００℃であり、育成中０．３℃／
時間の降温速度で降温し、育成終了時は７８５℃であっ
た。その結果５００μｍの厚さの、割れのない（ＴｂＢ
ｉ）ＪｅｓＯ＋ ２単結晶膜が得られた。この（ＴｂＢ
ｉ）３ＦｅｓＯ＋２単結晶膜の成長方向での格子定数を
調査したところ、第１表に示すような結果が得られた。
方位が（１１１）方向の非磁性カルシウム・マグネシウ
ム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ） ５０１２
ノ３３インチ径単結晶基板、ＬＰＥ法によりビスマス置
換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ）３ＦｅｓＯ＋
２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時
の融液の温度は基板格子定数（１２，４９６Ａ）と膜の
格子定数が一致した８００℃であり、育成中０．３℃／
時間の降温速度で降温し、育成終了時は７８５℃であっ
た。その結果５００μｍの厚さの、割れのない（ＴｂＢ
ｉ）ＪｅｓＯ＋ ２単結晶膜が得られた。この（ＴｂＢ
ｉ）３ＦｅｓＯ＋２単結晶膜の成長方向での格子定数を
調査したところ、第１表に示すような結果が得られた。
即ち格子定数は、育成開始から育成終了まで１２．４９
６±０．００２オングストロームの範囲であった。
６±０．００２オングストロームの範囲であった。
以下余白
（比較例１）
実施例１で用いた融液と同組成、同量の融液を用い１、
方位が（１１１）方向の非磁性カルシウム・マグネシウ
ム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム−ガーネ
ット（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ） ｓ ０１２
の２インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビスマス置
換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ） ３ＦｅｓＯ＋
２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始
時の融液の温度は基板格子定数（１２，４９６Ａ）と膜
の格子定数が一致した８００℃であり、育成中も温度を
変化させることなく８００℃を保った。その結果５００
μ園の厚さの、（ＴｂＢｉ）３Ｆｅｓｏ＋。単結晶膜が
得られたが、膜に割れが生じた。この（ＴｂＢｉ） ３
Ｆｅｓｏ＋ ２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査
したところ第１表に示すような結果が得られた。即ち格
子定数は育成開始から育成終了まで次第に小さくなり、
育成終了時では１２、４８４オングストロームであった
。
方位が（１１１）方向の非磁性カルシウム・マグネシウ
ム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム−ガーネ
ット（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ） ｓ ０１２
の２インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビスマス置
換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ） ３ＦｅｓＯ＋
２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始
時の融液の温度は基板格子定数（１２，４９６Ａ）と膜
の格子定数が一致した８００℃であり、育成中も温度を
変化させることなく８００℃を保った。その結果５００
μ園の厚さの、（ＴｂＢｉ）３Ｆｅｓｏ＋。単結晶膜が
得られたが、膜に割れが生じた。この（ＴｂＢｉ） ３
Ｆｅｓｏ＋ ２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査
したところ第１表に示すような結果が得られた。即ち格
子定数は育成開始から育成終了まで次第に小さくなり、
育成終了時では１２、４８４オングストロームであった
。
（比較例２）
実施例１で用いた融液と同組成、同量の融液を用い、方
位が（１１１）方向の非磁性カルシウム・マグネシウム
・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム、ガーネッ
ト（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ） ５０１２の３
インチ径単結晶基板にＬＰＥ法によりビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ） Ｊｅ５０＋ ２単結
晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時の融液
の温度は基板格子定数（１２，４９６Ａ）と膜の格子定
数が一致した８００℃であり、育成中も温度を変化させ
ることなく ＳＯＯ℃に保った。その結果５００μ腸の
厚さの。
位が（１１１）方向の非磁性カルシウム・マグネシウム
・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム、ガーネッ
ト（ＧｄＣａ） ３ （ＧａＭｇＺｒ） ５０１２の３
インチ径単結晶基板にＬＰＥ法によりビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ） Ｊｅ５０＋ ２単結
晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時の融液
の温度は基板格子定数（１２，４９６Ａ）と膜の格子定
数が一致した８００℃であり、育成中も温度を変化させ
ることなく ＳＯＯ℃に保った。その結果５００μ腸の
厚さの。
（ＴｂＢｊ）３ＦｅｓＯ＋２単結晶膜が得られたが膜に
割れが生じた。この（ＴｂＢｉ） Ｊｊｓ（Ｌ ２単結
晶膜の成長方向での格子定数を調査したところ、第１表
に示すような結果が得られた。即ち格子定数は育成開始
から育成終了まで次第に小さくなり、育成終了時では１
２．４７２オングストロームであった。
割れが生じた。この（ＴｂＢｉ） Ｊｊｓ（Ｌ ２単結
晶膜の成長方向での格子定数を調査したところ、第１表
に示すような結果が得られた。即ち格子定数は育成開始
から育成終了まで次第に小さくなり、育成終了時では１
２．４７２オングストロームであった。
本発明における実施例、比較例について説明したが、本
発明はその原理により上記実施例のみならず、ＬＰＥ法
によるビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット（化学
式Ｒコ−ＸＢｉＸＦｅ５−ｙＭｙｏ＋ ２で示される。
発明はその原理により上記実施例のみならず、ＬＰＥ法
によるビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット（化学
式Ｒコ−ＸＢｉＸＦｅ５−ｙＭｙｏ＋ ２で示される。
但し、ＲはＮｄ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、
Ｄｙ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｌｕ、 Ｙで示され
る元素のうち少なくとも１種類、ＭはＡＩ、Ｇａで示さ
れる元素のうち少なくとも１種、Ｘ及びＹは０．２≦Ｘ
≦２．５． Ｏ≦Ｙ≦２．０）単結晶膜の育成全般に
適用されるものである。
Ｄｙ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｌｕ、 Ｙで示され
る元素のうち少なくとも１種類、ＭはＡＩ、Ｇａで示さ
れる元素のうち少なくとも１種、Ｘ及びＹは０．２≦Ｘ
≦２．５． Ｏ≦Ｙ≦２．０）単結晶膜の育成全般に
適用されるものである。
以下余白
ハ１発明の効果
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によるＬＰＥ法による単結
晶育成時に一定範囲の割合で降温しながら育成すること
により、育成の規模を拡大することなく、割れのない大
口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜をＬＰＥ
法により育成し、高性能でしかも極めて低価格のファラ
デー素子を提供することが出来るようになった。
晶育成時に一定範囲の割合で降温しながら育成すること
により、育成の規模を拡大することなく、割れのない大
口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜をＬＰＥ
法により育成し、高性能でしかも極めて低価格のファラ
デー素子を提供することが出来るようになった。
特許出願人 株式会社トーキン
Claims (1)
- １、ＬＰＥ法によるビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガー
ネット（化学式Ｒ＿３＿−＿ＸＢｉ＿ＸＦｅ＿５＿−＿
ＹＭ＿ＹＯ＿１＿２で示した時、０．２≦Ｘ≦２．５、
０≦Ｙ≦２．０。但し、ＲはＮｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｉ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙで示される元
素のうち少なくとも１種類、ＭはＡｌ、Ｇａで示される
元素のうち少なくとも１種。）単結晶膜の育成において
、単結晶膜の成長方向の格子定数の変動を、育成開始時
の格子定数を基準として±０．００３オングストローム
以下に制御するよう、単結晶膜の育成中に育成膜を形成
する融液温度を降下させながら膜育成を行うことを特徴
とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258550A JP2989654B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2258550A JP2989654B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139093A true JPH04139093A (ja) | 1992-05-13 |
| JP2989654B2 JP2989654B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=17321791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2258550A Expired - Fee Related JP2989654B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2989654B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143042A1 (en) * | 2000-03-22 | 2001-10-10 | TDK Corporation | Magnetic garnet single-crystal film and method of producing the same, and faraday rotator comprising the same |
| WO2005056887A1 (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-23 | Lee, Hun-Su | Method for manufacturing garnet single crystal and garnet single crystal manufactured thereby |
| CN103228826A (zh) * | 2010-11-29 | 2013-07-31 | 住友金属矿山株式会社 | 铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2258550A patent/JP2989654B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143042A1 (en) * | 2000-03-22 | 2001-10-10 | TDK Corporation | Magnetic garnet single-crystal film and method of producing the same, and faraday rotator comprising the same |
| US6875270B2 (en) | 2000-03-22 | 2005-04-05 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single-crystal film and method of producing the same, and Faraday rotator comprising the same |
| WO2005056887A1 (en) * | 2003-12-11 | 2005-06-23 | Lee, Hun-Su | Method for manufacturing garnet single crystal and garnet single crystal manufactured thereby |
| CN103228826A (zh) * | 2010-11-29 | 2013-07-31 | 住友金属矿山株式会社 | 铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2989654B2 (ja) | 1999-12-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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