JPH04338200A - ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 - Google Patents
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法Info
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- JPH04338200A JPH04338200A JP13829791A JP13829791A JPH04338200A JP H04338200 A JPH04338200 A JP H04338200A JP 13829791 A JP13829791 A JP 13829791A JP 13829791 A JP13829791 A JP 13829791A JP H04338200 A JPH04338200 A JP H04338200A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信等のアイソレータ
用に用いられるファラデー素子用ビスマス置換希土類鉄
ガーネット単結晶膜の製造方法に関するものである。
用に用いられるファラデー素子用ビスマス置換希土類鉄
ガーネット単結晶膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信の信号源となる半導体レーザに於
て、半導体レーザ自身から出射された光の一部が半導体
レーザ側に帰還するとノイズの原因となり問題となる。 このレーザ光の帰還を防止するためにファラデー素子（
磁界中での非相反旋光能、すなわちファラデー効果を示
す素子）を使用した光アイソレータが実用化されている
。ファラデー素子の高品質、低価格化がそのまま光アイ
ソレータの高品質、低価格化に結びつくため、ファラデ
ー素子の高品質と低価格を目的とした製造技術の開発が
活発である。
て、半導体レーザ自身から出射された光の一部が半導体
レーザ側に帰還するとノイズの原因となり問題となる。 このレーザ光の帰還を防止するためにファラデー素子（
磁界中での非相反旋光能、すなわちファラデー効果を示
す素子）を使用した光アイソレータが実用化されている
。ファラデー素子の高品質、低価格化がそのまま光アイ
ソレータの高品質、低価格化に結びつくため、ファラデ
ー素子の高品質と低価格を目的とした製造技術の開発が
活発である。
【０００３】このファラデー素子のうちとくに、高品質
で低価格を要求されるものとして、光通信に使用される
波長が１．３〜１．５５μｍの光に対して、リキッド・
フェイズ・エピタキシャル（ＬＰＥ）法により、希土類
鉄ガーネット単結晶中の希土類を一部ビスマスで置換し
たビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶の厚
膜が提案されている。このＬＰＥ法はガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）等の非磁性ガーネット単
結晶基板を、ビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット
単結晶の成分を含む高温の融液に浸析し、ビスマス（Ｂ
ｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶膜をエピタキシャル
成長させる方法であり、他の製造方法に比べ生産性が非
常に高い。
で低価格を要求されるものとして、光通信に使用される
波長が１．３〜１．５５μｍの光に対して、リキッド・
フェイズ・エピタキシャル（ＬＰＥ）法により、希土類
鉄ガーネット単結晶中の希土類を一部ビスマスで置換し
たビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶の厚
膜が提案されている。このＬＰＥ法はガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）等の非磁性ガーネット単
結晶基板を、ビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット
単結晶の成分を含む高温の融液に浸析し、ビスマス（Ｂ
ｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶膜をエピタキシャル
成長させる方法であり、他の製造方法に比べ生産性が非
常に高い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ファラデー効果はすな
わち光路長である素子の厚さに比例する。ビスマス（Ｂ
ｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を波長１．３〜１
．５５μｍの光に対するファラデー素子として用いる場
合の最大厚さは、波長および組成により若干の違いがあ
るが２００μｍ以上となる。すなわち光伝送路に用い、
低損失のファラデー素子を得るためには、最大厚さまで
結晶欠陥が少ない光学的品質の高いビスマス（Ｂｉ）置
換希土類鉄ガーネット単結晶膜を育成させることが望ま
れる。
わち光路長である素子の厚さに比例する。ビスマス（Ｂ
ｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を波長１．３〜１
．５５μｍの光に対するファラデー素子として用いる場
合の最大厚さは、波長および組成により若干の違いがあ
るが２００μｍ以上となる。すなわち光伝送路に用い、
低損失のファラデー素子を得るためには、最大厚さまで
結晶欠陥が少ない光学的品質の高いビスマス（Ｂｉ）置
換希土類鉄ガーネット単結晶膜を育成させることが望ま
れる。
【０００５】しかしながら従来の育成時間中基板を一定
の回転速度で回転させる育成法で、２００μｍ以上の厚
さのビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
を育成した場合、膜の表面に直径が５００μｍかそれ以
上にわたる結晶が不揃いとなる結晶欠陥が生じる。そし
てこの欠陥の発生頻度は５個／ｃｍ２以上あり、高品質
の光アイソレータ材が供給出来なくなると言う問題があ
った。
の回転速度で回転させる育成法で、２００μｍ以上の厚
さのビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
を育成した場合、膜の表面に直径が５００μｍかそれ以
上にわたる結晶が不揃いとなる結晶欠陥が生じる。そし
てこの欠陥の発生頻度は５個／ｃｍ２以上あり、高品質
の光アイソレータ材が供給出来なくなると言う問題があ
った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＧＧＧ等の非
磁性ガーネット単結晶基板上へ、膜の厚さが２００μｍ
以上のビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネットである
化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２）で示
され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、
ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビ
ウム（Ｔｂ）、ジスプロビウム（Ｄｙ）、エルビウム（
Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツテリビウム（Ｙｂ）、
ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ）で示される元
素のうち少なくとも１種類、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）
、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のうち少なくとも１
種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０である単結晶
膜のリキッド・フェイズ・エピタキシャル（ＬＰＥ）育
成において、単結晶膜の育成時間中、基板回転速度を変
化させることにより膜に発生する結晶欠陥を低減するも
のである。
磁性ガーネット単結晶基板上へ、膜の厚さが２００μｍ
以上のビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネットである
化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２）で示
され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、
ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビ
ウム（Ｔｂ）、ジスプロビウム（Ｄｙ）、エルビウム（
Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツテリビウム（Ｙｂ）、
ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ）で示される元
素のうち少なくとも１種類、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）
、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のうち少なくとも１
種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０である単結晶
膜のリキッド・フェイズ・エピタキシャル（ＬＰＥ）育
成において、単結晶膜の育成時間中、基板回転速度を変
化させることにより膜に発生する結晶欠陥を低減するも
のである。
【０００７】即ち本発明は非磁性ガーネット単結晶基板
上へ、膜厚が２００μｍ以上のビスマス置換希土類鉄ガ
ーネットである化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭ
ＹＯ１２）で示され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリ
ウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロビウム（Ｄｙ）
、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツトリビ
ウム（Ｙｂ）、ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ
）で示される元素のうち少なくとも１種類、Ｍはアルミ
ニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のう
ち少なくとも１種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．
０で示される単結晶膜をリキッド・フェイズ・エピタキ
シャル（ＬＰＥ）法を用い育成するビスマス置換希土類
鉄ガーネット単結晶膜の製造方法に於て、前記非磁性ガ
ーネット単結晶基板の回転速度を１００ｒ．ｐ．ｍ〜２
００ｒ．ｐ．ｍとし、基板回転速度の変化の割合を１／
６０回転／秒以下（０を含まず）とし、回転速度を変化
しながら単結晶膜を育成することを特徴とするビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法である。
上へ、膜厚が２００μｍ以上のビスマス置換希土類鉄ガ
ーネットである化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭ
ＹＯ１２）で示され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリ
ウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロビウム（Ｄｙ）
、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツトリビ
ウム（Ｙｂ）、ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ
）で示される元素のうち少なくとも１種類、Ｍはアルミ
ニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のう
ち少なくとも１種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．
０で示される単結晶膜をリキッド・フェイズ・エピタキ
シャル（ＬＰＥ）法を用い育成するビスマス置換希土類
鉄ガーネット単結晶膜の製造方法に於て、前記非磁性ガ
ーネット単結晶基板の回転速度を１００ｒ．ｐ．ｍ〜２
００ｒ．ｐ．ｍとし、基板回転速度の変化の割合を１／
６０回転／秒以下（０を含まず）とし、回転速度を変化
しながら単結晶膜を育成することを特徴とするビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法である。
【０００８】
【作用】直径が５００μｍ以上にまで達する結晶欠陥が
発生する機構は以下のように考えられる。イ）．直径が
数μｍ〜数十μｍのごく小さなるつぼ材である白金（Ｐ
ｔ）の粒子や、自然核発生したガーネットの異物が成長
している膜の表面に付着する。ロ）．本来膜の表面全域
で均一であるべき膜と融液の界面での融液の流れが、正
常な部分と異物が付着した部分およびその周囲で異なっ
てくる。ハ）．基板回転速度を一定にすると、異物の付
着していない正常な部分での定常的な融液の流れと、異
物が付着した部分およびその周囲での正常な部分とは異
なった融液の流れが発生し、異物の付着していない正常
な部分と、異物の付着した部分、およびその周囲が異な
る成長を続ける。そのため異物の付着した部分を中心と
して、正常な部分と異なる結晶欠陥部分が大きくなる。 そこで育成中に基板回転速度を変化すると、異物および
その周囲部分の融液の流れは正常部分での流れとは異な
っているものの、結晶欠陥部分に於ける融液の流れは欠
陥部分に於ては定常状態にはならないため成長が継続せ
ず、大きな結晶欠陥にはならない。
発生する機構は以下のように考えられる。イ）．直径が
数μｍ〜数十μｍのごく小さなるつぼ材である白金（Ｐ
ｔ）の粒子や、自然核発生したガーネットの異物が成長
している膜の表面に付着する。ロ）．本来膜の表面全域
で均一であるべき膜と融液の界面での融液の流れが、正
常な部分と異物が付着した部分およびその周囲で異なっ
てくる。ハ）．基板回転速度を一定にすると、異物の付
着していない正常な部分での定常的な融液の流れと、異
物が付着した部分およびその周囲での正常な部分とは異
なった融液の流れが発生し、異物の付着していない正常
な部分と、異物の付着した部分、およびその周囲が異な
る成長を続ける。そのため異物の付着した部分を中心と
して、正常な部分と異なる結晶欠陥部分が大きくなる。 そこで育成中に基板回転速度を変化すると、異物および
その周囲部分の融液の流れは正常部分での流れとは異な
っているものの、結晶欠陥部分に於ける融液の流れは欠
陥部分に於ては定常状態にはならないため成長が継続せ
ず、大きな結晶欠陥にはならない。
【０００９】
【実施例】以下に実施例と比較例により本発明につき説
明する。実施例、酸化テルビウム（Ｔｂ２Ｏ３）、酸化
鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化
鉛（ＰｂＯ）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）をそれぞれ１、
９、２５、５０、１５モル％（ｍｏｌ％）の比で、総重
量５ｋｇを溶解混合した融液（この融液と同組成、同量
の融液を以下の比較例でも使用した）を用い、３インチ
径の、面の方位が｛１１１｝の非磁性カルシウム・マグ
ネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・
ガーネット〔（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２
〕単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビスマス置換テルビウ
ム鉄ガーネット〔（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２〕単結晶
厚膜を５０時間にわたり育成した。育成中は基板の回転
速度を１００ｒ．ｐ．ｍ〜２００ｒ．ｐ．ｍの範囲で、
かつ回転時の加速度を±１／６０回転／秒で周期的に変
化させ、２００μｍの厚さのビスマス置換テルビウム鉄
ガーネット（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶厚膜を繰
返し実験し、結晶欠陥の有無を調査した所、この膜の表
面には２００μｍ以上の径の結晶欠陥は発生せず、また
１００〜２００μｍ径の結晶欠陥の発生頻度は０．５個
／ｃｍ２以下であった。
明する。実施例、酸化テルビウム（Ｔｂ２Ｏ３）、酸化
鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化
鉛（ＰｂＯ）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）をそれぞれ１、
９、２５、５０、１５モル％（ｍｏｌ％）の比で、総重
量５ｋｇを溶解混合した融液（この融液と同組成、同量
の融液を以下の比較例でも使用した）を用い、３インチ
径の、面の方位が｛１１１｝の非磁性カルシウム・マグ
ネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・
ガーネット〔（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２
〕単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビスマス置換テルビウ
ム鉄ガーネット〔（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２〕単結晶
厚膜を５０時間にわたり育成した。育成中は基板の回転
速度を１００ｒ．ｐ．ｍ〜２００ｒ．ｐ．ｍの範囲で、
かつ回転時の加速度を±１／６０回転／秒で周期的に変
化させ、２００μｍの厚さのビスマス置換テルビウム鉄
ガーネット（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶厚膜を繰
返し実験し、結晶欠陥の有無を調査した所、この膜の表
面には２００μｍ以上の径の結晶欠陥は発生せず、また
１００〜２００μｍ径の結晶欠陥の発生頻度は０．５個
／ｃｍ２以下であった。
【００１０】
【比較例】実施例に記載した融液と同様の組成の融液を
使用し、３インチ径の、面の方位が｛１１１｝の非磁性
カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット〔（ＧｄＣａ）３（ＧａＭ
ｇＺｒ）５Ｏ１２〕単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビス
マス置換テルビウム鉄ガーネット〔（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ
５Ｏ１２〕単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。単
結晶厚膜育成中は基板の回転速度を１００ｒ．ｐ．ｍに
固定して回転した。その結果２００μｍの厚さのビスマ
ス置換テルビウム鉄ガーネット〔（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５
Ｏ１２〕単結晶厚膜が得られた。この膜の表面には５０
０μｍ以上の径の結晶欠陥が全域に渡って発生し、その
頻度は５個／ｃｍ２以上であった。
使用し、３インチ径の、面の方位が｛１１１｝の非磁性
カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット〔（ＧｄＣａ）３（ＧａＭ
ｇＺｒ）５Ｏ１２〕単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビス
マス置換テルビウム鉄ガーネット〔（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ
５Ｏ１２〕単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。単
結晶厚膜育成中は基板の回転速度を１００ｒ．ｐ．ｍに
固定して回転した。その結果２００μｍの厚さのビスマ
ス置換テルビウム鉄ガーネット〔（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５
Ｏ１２〕単結晶厚膜が得られた。この膜の表面には５０
０μｍ以上の径の結晶欠陥が全域に渡って発生し、その
頻度は５個／ｃｍ２以上であった。
【００１１】以上に示す実施例および比較例を用いて、
本発明によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
の製造方法を説明したが、上記実施例および比較例のみ
ならず、本発明者が行った多くの実験の結果によれば、
ＬＰＥ法により膜厚が２００μｍ以上の厚さのビスマス
（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネットである、化学式が（Ｒ
３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２）で示され、Ｒはネ
オジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム
（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）
、ジスプロシウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリ
ウム（Ｔｍ）、イツテルビウム（Ｙｂ）、ルテニウム（
Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ）で示される元素のうち少な
くとも１種、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）で示される元素のうち少なくとも１種、０．２≦Ｘ
≦２．５、０≦Ｙ≦２．０の単結晶膜の育成において、
ビスマス置換希土類鉄ガーネットを育成する非磁性基板
の回転速度を一定回転に固定し単結晶を育成した場合、
基板回転速度を変えても得られる膜の表面には５００μ
ｍ以上の径の結晶欠陥が５個／ｃｍ２以上の頻度で発生
したが、一方基板の回転速度を１００〜２００ｒ．ｐ．
ｍの範囲で、回転の加速度を±１／６０回転／秒の割合
で変化させた場合、回転速度変化の加速度、最高速度、
最低速度、変化の周期性の有無などに関わらず、同一の
基板回転速度で育成を行った場合よりも育成した結晶膜
中に発生した結晶欠陥はほぼ１／１０に低減した。
本発明によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
の製造方法を説明したが、上記実施例および比較例のみ
ならず、本発明者が行った多くの実験の結果によれば、
ＬＰＥ法により膜厚が２００μｍ以上の厚さのビスマス
（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネットである、化学式が（Ｒ
３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２）で示され、Ｒはネ
オジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム
（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）
、ジスプロシウム（Ｄｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリ
ウム（Ｔｍ）、イツテルビウム（Ｙｂ）、ルテニウム（
Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ）で示される元素のうち少な
くとも１種、Ｍはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇ
ａ）で示される元素のうち少なくとも１種、０．２≦Ｘ
≦２．５、０≦Ｙ≦２．０の単結晶膜の育成において、
ビスマス置換希土類鉄ガーネットを育成する非磁性基板
の回転速度を一定回転に固定し単結晶を育成した場合、
基板回転速度を変えても得られる膜の表面には５００μ
ｍ以上の径の結晶欠陥が５個／ｃｍ２以上の頻度で発生
したが、一方基板の回転速度を１００〜２００ｒ．ｐ．
ｍの範囲で、回転の加速度を±１／６０回転／秒の割合
で変化させた場合、回転速度変化の加速度、最高速度、
最低速度、変化の周期性の有無などに関わらず、同一の
基板回転速度で育成を行った場合よりも育成した結晶膜
中に発生した結晶欠陥はほぼ１／１０に低減した。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、膜
厚が２００μｍ以上のビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガ
ーネットである化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭ
ＹＯ１２）で示され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリ
ウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）
、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツテルビ
ウム（Ｙｂ）、ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ
）で示される元素のうち少なくとも１種、Ｍはアルミニ
ウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のうち
少なくとも１種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０
の単結晶膜の、リキッド・フェイズ・エピタキシャル（
ＬＰＥ）育成時、基板回転速度の周期を変えることによ
り、結晶欠陥の少ない光学的品質に優れた単結晶膜を得
ることが可能となり、高性能でしかも低価格のファラデ
ー素子を提供することができる。
厚が２００μｍ以上のビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガ
ーネットである化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭ
ＹＯ１２）で示され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリ
ウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）
、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツテルビ
ウム（Ｙｂ）、ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ
）で示される元素のうち少なくとも１種、Ｍはアルミニ
ウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のうち
少なくとも１種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０
の単結晶膜の、リキッド・フェイズ・エピタキシャル（
ＬＰＥ）育成時、基板回転速度の周期を変えることによ
り、結晶欠陥の少ない光学的品質に優れた単結晶膜を得
ることが可能となり、高性能でしかも低価格のファラデ
ー素子を提供することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性ガーネット単結晶基板上へ、膜
厚が２００μｍ以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット
である化学式が（Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２
）で示され、Ｒはネオジウム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓ
ｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、
テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、エルビ
ウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イツテルビウム（Ｙ
ｂ）、ルテニウム（Ｌｕ）、イツトリウム（Ｙ）で示さ
れる元素のうち少なくとも１種類、Ｍはアルミニウム（
Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）で示される元素のうち少なく
とも１種、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０で示さ
れる単結晶膜を、リキッド・フェイズ・エピタキシャル
（ＬＰＥ）法を用い育成するビスマス置換希土類鉄ガー
ネット単結晶膜の製造方法に於て、前記非磁性ガーネッ
ト単結晶基板の回転速度を１００ｒ．ｐ．ｍ〜２００ｒ
．ｐ．ｍとし、基板回転速度の変化の割合を１／６０回
転／秒以下（０を含まず）とし、回転速度を変化しなが
ら単結晶膜を育成することを特徴とするビスマス置換希
土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13829791A JPH04338200A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13829791A JPH04338200A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04338200A true JPH04338200A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=15218593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13829791A Pending JPH04338200A (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04338200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5547613A (en) * | 1994-07-05 | 1996-08-20 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material formed of magnetic garnet single crystals |
| JP2017065941A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 非磁性ガーネット単結晶基板、磁性ガーネット単結晶膜 |
-
1991
- 1991-05-13 JP JP13829791A patent/JPH04338200A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5547613A (en) * | 1994-07-05 | 1996-08-20 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material formed of magnetic garnet single crystals |
| JP2017065941A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 非磁性ガーネット単結晶基板、磁性ガーネット単結晶膜 |
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