JPH08319196A - ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 - Google Patents
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法Info
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- JPH08319196A JPH08319196A JP14552995A JP14552995A JPH08319196A JP H08319196 A JPH08319196 A JP H08319196A JP 14552995 A JP14552995 A JP 14552995A JP 14552995 A JP14552995 A JP 14552995A JP H08319196 A JPH08319196 A JP H08319196A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一回の育成により二回分の育成に相当する二
個のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を作製する
ことができる製造方法を提供すること。 【構成】 ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製
造方法で、白金製のるつぼ４を用いて、白金製の基板ホ
ルダ１に保持された、５ｍｍ以上の厚さの非磁性ガーネ
ット単結晶基板２の全体をビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット成分を含む融液３に浸漬し、該基板の両面にビスマ
ス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成させた後、該基
板を基板面に対して平行に切断し、二個に分割する。
個のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を作製する
ことができる製造方法を提供すること。 【構成】 ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製
造方法で、白金製のるつぼ４を用いて、白金製の基板ホ
ルダ１に保持された、５ｍｍ以上の厚さの非磁性ガーネ
ット単結晶基板２の全体をビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット成分を含む融液３に浸漬し、該基板の両面にビスマ
ス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成させた後、該基
板を基板面に対して平行に切断し、二個に分割する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファラデー素子用ビス
マス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法に関する
ものである。
マス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信の光源となる半導体レーザに、自
身から出射された光の一部が帰還すると、ノイズの原因
となる。この光の帰還を防止するため、ファラデー素子
（磁界中で非相反旋光能を示す素子）を使用した光アイ
ソレータが、既に実用化されている。
身から出射された光の一部が帰還すると、ノイズの原因
となる。この光の帰還を防止するため、ファラデー素子
（磁界中で非相反旋光能を示す素子）を使用した光アイ
ソレータが、既に実用化されている。
【０００３】ファラデー素子の高品質、低価格が、その
まま光アイソレータの高品質、低価格に結びつくため、
高品質、低価格を目的として、ファラデー素子の製造技
術の開発が活発である。
まま光アイソレータの高品質、低価格に結びつくため、
高品質、低価格を目的として、ファラデー素子の製造技
術の開発が活発である。
【０００４】このファラデー素子のうち、高品質、低価
格を両立するものとして、光通信に使用される波長１.
３μｍ〜１.５５μｍの光に対して、リキッド・フェイズ
・エピタキシャル（ＬＰＥ）法によるビスマス置換希土
類鉄単結晶（希土類鉄ガーネット単結晶中の希土類を一
部ビスマスで置換したもの）の厚さが、数百μｍの厚膜
が提案されている。
格を両立するものとして、光通信に使用される波長１.
３μｍ〜１.５５μｍの光に対して、リキッド・フェイズ
・エピタキシャル（ＬＰＥ）法によるビスマス置換希土
類鉄単結晶（希土類鉄ガーネット単結晶中の希土類を一
部ビスマスで置換したもの）の厚さが、数百μｍの厚膜
が提案されている。
【０００５】このＬＰＥ法は、図３に示すように、るつ
ぼ４を用いて、基板ホルダ１に保持された、厚さ１ｍｍ
程度のガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）等
の非磁性ガーネット単結晶基板２の片面をビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶の成分を含む高温の融液３の
表面に浸漬し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜をエピタキシャル成長させる方法であり、非磁性ガー
ネット単結晶基板２と同じサイズのビスマス置換希土類
鉄ガーネット単結晶が得られる。
ぼ４を用いて、基板ホルダ１に保持された、厚さ１ｍｍ
程度のガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）等
の非磁性ガーネット単結晶基板２の片面をビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶の成分を含む高温の融液３の
表面に浸漬し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜をエピタキシャル成長させる方法であり、非磁性ガー
ネット単結晶基板２と同じサイズのビスマス置換希土類
鉄ガーネット単結晶が得られる。
【０００６】この育成に際しては、非磁性ガーネット単
結晶基板を保持する基板ホルダ及び融液を入れるるつぼ
には白金が用いられる。そして、この育成には、開始か
ら終了まで数日間を要する。
結晶基板を保持する基板ホルダ及び融液を入れるるつぼ
には白金が用いられる。そして、この育成には、開始か
ら終了まで数日間を要する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＬＰＥ法により育成さ
れたファラデー素子用のビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶膜をファラデー素子に加工する場合、まず、ビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜と接合している
非磁性ガーネット単結晶基板を研磨により取り除き、更
に、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜をファラ
デー素子として必要な厚さまで研磨する必要がある。
れたファラデー素子用のビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶膜をファラデー素子に加工する場合、まず、ビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜と接合している
非磁性ガーネット単結晶基板を研磨により取り除き、更
に、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜をファラ
デー素子として必要な厚さまで研磨する必要がある。
【０００８】そのため、たとえ、非磁性ガーネット単結
晶基板の両面にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜が育成されたとしても、片方の面のビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜は、無駄に研磨せざるを得ない
ことになり、加工工程も、片面のみにビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜が育成されている場合よりも、
多少多くなってしまう。
晶基板の両面にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶
膜が育成されたとしても、片方の面のビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜は、無駄に研磨せざるを得ない
ことになり、加工工程も、片面のみにビスマス置換希土
類鉄ガーネット単結晶膜が育成されている場合よりも、
多少多くなってしまう。
【０００９】そのため、前述のように、ＬＰＥ法による
ファラデー素子用のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶の育成の際には、非磁性ガーネット単結晶基板の片
面だけをビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の成
分を含む融液の表面に浸漬し、片面のみにビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶を育成している。
ファラデー素子用のビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶の育成の際には、非磁性ガーネット単結晶基板の片
面だけをビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の成
分を含む融液の表面に浸漬し、片面のみにビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶を育成している。
【００１０】もし、両面にビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶が育成されて、その両方ともにファラデー素
子に加工することが可能であれば、一回の育成が従来の
二回分の育成に相当するため、有効であるが、その方法
は見い出されていなかった。
ット単結晶が育成されて、その両方ともにファラデー素
子に加工することが可能であれば、一回の育成が従来の
二回分の育成に相当するため、有効であるが、その方法
は見い出されていなかった。
【００１１】本発明の目的は、一回の育成により二回分
の育成に相当する二個のビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶を作製することができるビスマス置換希土類鉄
ガーネット単結晶の製造方法を提供することである。
の育成に相当する二個のビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト単結晶を作製することができるビスマス置換希土類鉄
ガーネット単結晶の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＬＰＥ法によ
るビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ3-xＢｉx
Ｆｅ5-yＭyＯ12で示した時、０.２≦ｘ≦２.５，０≦ｙ
≦２.０。但し、ＲはＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙで示される元素のう
ち、少なくとも１種類、ＭはＡｌ，Ｇａで示される元素
のうち、少なくとも１種類）単結晶の製造において、基
板となる非磁性ガーネット単結晶ウエハの厚さを５ｍｍ
以上とし、図２に示すように、白金製のるつぼ４を用い
て、白金製の基板ホルダ１に保持された非磁性ガーネッ
ト単結晶基板２の全体をビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト成分を含む融液３に浸漬し、該基板の両面にビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成させた後、該基板
を基板面に対して平行に切断し、二個に分割する手法で
ある。
るビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ3-xＢｉx
Ｆｅ5-yＭyＯ12で示した時、０.２≦ｘ≦２.５，０≦ｙ
≦２.０。但し、ＲはＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，
Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙで示される元素のう
ち、少なくとも１種類、ＭはＡｌ，Ｇａで示される元素
のうち、少なくとも１種類）単結晶の製造において、基
板となる非磁性ガーネット単結晶ウエハの厚さを５ｍｍ
以上とし、図２に示すように、白金製のるつぼ４を用い
て、白金製の基板ホルダ１に保持された非磁性ガーネッ
ト単結晶基板２の全体をビスマス置換希土類鉄ガーネッ
ト成分を含む融液３に浸漬し、該基板の両面にビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成させた後、該基板
を基板面に対して平行に切断し、二個に分割する手法で
ある。
【００１３】
【作用】本発明によれば、ＬＰＥ法でビスマス置換希土
類鉄ガーネットを育成する際、非磁性ガーネット基板の
片面のみにビスマス置換希土類鉄ガーネットが育成され
たものと同じ状態のものが二個取得できることになり、
従来法の約２倍の効率が得られる。
類鉄ガーネットを育成する際、非磁性ガーネット基板の
片面のみにビスマス置換希土類鉄ガーネットが育成され
たものと同じ状態のものが二個取得できることになり、
従来法の約２倍の効率が得られる。
【００１４】
【実施例】以下に、実施例と比較例を用いて、本発明を
説明する。
説明する。
【００１５】（実施例１）酸化テルビウム（Ｔｂ2Ｏ3）
を１ｍｏｌ％、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）を９ｍｏｌ％、酸化
ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を２５ｍｏｌ％、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）を５０ｍｏｌ％、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）を１５ｍｏ
ｌ％を、それぞれの比で総重量５ｋｇを溶解混合した融
液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さが５ｍｍの非
磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）3（ＧａＭｇ
Ｚｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の両面に、ＬＰＥ
法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００μｍ）を７
２時間にわたり育成した。
を１ｍｏｌ％、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）を９ｍｏｌ％、酸化
ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を２５ｍｏｌ％、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）を５０ｍｏｌ％、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）を１５ｍｏ
ｌ％を、それぞれの比で総重量５ｋｇを溶解混合した融
液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さが５ｍｍの非
磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）3（ＧａＭｇ
Ｚｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の両面に、ＬＰＥ
法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００μｍ）を７
２時間にわたり育成した。
【００１６】その非磁性ガーネット単結晶基板の両面に
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット基板部分を基板面と平行に
外周刃切断機により切断した。
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット基板部分を基板面と平行に
外周刃切断機により切断した。
【００１７】切断にあたっては、図１に示すように、非
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
【００１８】切断した結果、非磁性ガーネット単結晶基
板の片面にビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００μｍ）が成
長したものと同じ状態のものが２個取得できた。これら
は、切断時にクラックが生ずることもなかった。
板の片面にビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００μｍ）が成
長したものと同じ状態のものが２個取得できた。これら
は、切断時にクラックが生ずることもなかった。
【００１９】（実施例２）実施例１で用いた融液と同組
成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さ
が１０ｍｍの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニ
ウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣ
ａ）3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の
両面に、ＬＰＥ法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガ
ーネット（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５
００μｍ）を７２時間にわたり育成した。
成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さ
が１０ｍｍの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニ
ウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣ
ａ）3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の
両面に、ＬＰＥ法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガ
ーネット（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５
００μｍ）を７２時間にわたり育成した。
【００２０】その非磁性ガーネット単結晶基板の両面に
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット基板部分を基板面と平行に
外周刃切断機により切断した。
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット基板部分を基板面と平行に
外周刃切断機により切断した。
【００２１】切断にあたっては、図１に示すように、非
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
【００２２】切断した結果、非磁性ガーネット単結晶基
板の片面にビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００μｍ）が成
長したものと同じ状態のものが２個取得できた。これら
は、切断時にクラックが生ずることもなかった。
板の片面にビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００μｍ）が成
長したものと同じ状態のものが２個取得できた。これら
は、切断時にクラックが生ずることもなかった。
【００２３】（比較例１）実施例１で用いた融液と同組
成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さ
が４ｍｍの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウ
ム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）
3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の両面
に、ＬＰＥ法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネ
ット（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００
μｍ）を７２時間にわたり育成した。
成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さ
が４ｍｍの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウ
ム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）
3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の両面
に、ＬＰＥ法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネ
ット（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００
μｍ）を７２時間にわたり育成した。
【００２４】その非磁性ガーネット単結晶基板の両面に
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット単結晶基板部分を基板面と
平行に外周刃切断機により切断した。
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット単結晶基板部分を基板面と
平行に外周刃切断機により切断した。
【００２５】切断にあたっては、図１に示すように、非
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
【００２６】切断した結果、非磁性ガーネット単結晶基
板とビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜の
双方にクラックが生じ、ファラデー素子を取得できない
状態であった。
板とビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜の
双方にクラックが生じ、ファラデー素子を取得できない
状態であった。
【００２７】（比較例２）実施例１で用いた融液と同組
成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さ
が２ｍｍの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウ
ム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）
3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の両面
に、ＬＰＥ法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネ
ット（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００
μｍ）を７２時間にわたり育成した。
成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向で、厚さ
が２ｍｍの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウ
ム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）
3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12の２インチ径単結晶基板の両面
に、ＬＰＥ法により、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネ
ット（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12単結晶厚膜（厚さ約５００
μｍ）を７２時間にわたり育成した。
【００２８】その非磁性ガーネット単結晶基板の両面に
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット単結晶基板部分を基板面と
平行に外周刃切断機により切断した。
ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜が成長
したものの非磁性ガーネット単結晶基板部分を基板面と
平行に外周刃切断機により切断した。
【００２９】切断にあたっては、図１に示すように、非
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
磁性ガーネット単結晶基板５の両面にビスマス置換テル
ビウム鉄ガーネット６の単結晶厚膜が成長したものの両
面を２インチ径で、厚さ５ｃｍの円筒状ガラス７をワッ
クスで接着し、固定した。
【００３０】切断した結果、非磁性ガーネット単結晶基
板とビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜の
双方にクラックが生じ、ファラデー素子を取得できない
状態であった。
板とビスマス置換テルビウム鉄ガーネット単結晶厚膜の
双方にクラックが生じ、ファラデー素子を取得できない
状態であった。
【００３１】本発明における実施例、比較例について説
明したが、本発明は上記実施例のみならず、ＬＰＥ法に
よるビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ3-xＢ
ｉxＦｅ5-yＭyＯ12で示した時、０.２≦ｘ≦２.５，０
≦ｙ≦２.０。但し、ＲはＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙで示される元素
のうち、少なくとも１種類、ＭはＡｌ，Ｇａで示される
元素のうち、少なくとも１種類）単結晶の製造全般に適
用されるものである。
明したが、本発明は上記実施例のみならず、ＬＰＥ法に
よるビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ3-xＢ
ｉxＦｅ5-yＭyＯ12で示した時、０.２≦ｘ≦２.５，０
≦ｙ≦２.０。但し、ＲはＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙで示される元素
のうち、少なくとも１種類、ＭはＡｌ，Ｇａで示される
元素のうち、少なくとも１種類）単結晶の製造全般に適
用されるものである。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、ＬＰＥ法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶の製造において、一回の育成につき２個のビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶が得られることになり、
高性能で低価格のファラデー素子を提供することができ
るようになった。
ば、ＬＰＥ法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶の製造において、一回の育成につき２個のビスマス
置換希土類鉄ガーネット単結晶が得られることになり、
高性能で低価格のファラデー素子を提供することができ
るようになった。
【図１】非磁性ガーネット単結晶基板の両面にビスマス
置換希土類鉄ガーネットが育成されたものの両面を円筒
状ガラスでワックスにより接着固定したファラデー素子
の斜視図。
置換希土類鉄ガーネットが育成されたものの両面を円筒
状ガラスでワックスにより接着固定したファラデー素子
の斜視図。
【図２】非磁性ガーネット基板の両面へのＬＰＥ法によ
るビスマス置換希土類鉄ガーネットの育成を示す断面
図。
るビスマス置換希土類鉄ガーネットの育成を示す断面
図。
【図３】非磁性ガーネット基板の片面へのＬＰＥ法によ
るビスマス置換希土類鉄ガーネットの育成を示す断面
図。
るビスマス置換希土類鉄ガーネットの育成を示す断面
図。
１ （白金製の）基板ホルダ ２，５ 非磁性ガーネット単結晶基板 ３ 融液 ４ （白金製の）るつぼ ６ ビスマス置換希土類鉄ガーネット ７ 円筒状ガラス
Claims (1)
- 【請求項１】 リキッド・フェイズ・エピタキシャル法に
よるビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ3-xＢ
ｉxＦｅ5-yＭyＯ12で示した時、０.２≦ｘ≦２.５，０
≦ｙ≦２.０。但し、ＲはＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙで示される元素
のうち、少なくとも１種類、ＭはＡｌ，Ｇａで示される
元素のうち、少なくとも１種類）単結晶の製造方法にお
いて、基板となる非磁性ガーネット単結晶ウエハの厚さ
を５ｍｍ以上とし、該基板全体をビスマス置換希土類鉄
ガーネット成分を含む融液に浸漬し、該基板の両面にビ
スマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成させた後、
該基板を基板面に対して平行に切断することを特徴とす
るビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14552995A JPH08319196A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14552995A JPH08319196A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08319196A true JPH08319196A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=15387328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14552995A Pending JPH08319196A (ja) | 1995-05-18 | 1995-05-18 | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08319196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103228826A (zh) * | 2010-11-29 | 2013-07-31 | 住友金属矿山株式会社 | 铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器 |
-
1995
- 1995-05-18 JP JP14552995A patent/JPH08319196A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103228826A (zh) * | 2010-11-29 | 2013-07-31 | 住友金属矿山株式会社 | 铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器 |
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