JPH05117095A - ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法 - Google Patents
ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法Info
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- JPH05117095A JPH05117095A JP30669791A JP30669791A JPH05117095A JP H05117095 A JPH05117095 A JP H05117095A JP 30669791 A JP30669791 A JP 30669791A JP 30669791 A JP30669791 A JP 30669791A JP H05117095 A JPH05117095 A JP H05117095A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アイソレーションに影響を及ぼすピット、ス
ワールの低減をはかり、それによって膜面内で均一なア
イソレーションを得るガーネツト単結晶膜を提供するこ
と。 【構成】 液相エピタキシャル装置において抵抗加熱６
を有する炉中に白金るつぼ５をセットし、ビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶の成分となるＴｂ2Ｏ3，Ｆｅ
2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｂ2Ｏ3を１．９，２５，５
０，１５ｍｏｌ％の比で５Ｋｇを混合溶解し、その溶解
で得られた融液１に、白金ホルダー支持棒２の先に装着
した白金ホルダー３により保持された（ＧｄＣａ）
3（ＣａＭｇＺｒ）5Ｏ12の非磁性ガーネット単結晶基板
４に、前記メルトに侵析し、この単結晶基板上に（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ8Ｏ12単結晶厚膜を５０時間育成した。この
育成において、基板回転軸を移動させながら単結晶膜を
育成するビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法で
ある。
ワールの低減をはかり、それによって膜面内で均一なア
イソレーションを得るガーネツト単結晶膜を提供するこ
と。 【構成】 液相エピタキシャル装置において抵抗加熱６
を有する炉中に白金るつぼ５をセットし、ビスマス置換
希土類鉄ガーネット単結晶の成分となるＴｂ2Ｏ3，Ｆｅ
2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｂ2Ｏ3を１．９，２５，５
０，１５ｍｏｌ％の比で５Ｋｇを混合溶解し、その溶解
で得られた融液１に、白金ホルダー支持棒２の先に装着
した白金ホルダー３により保持された（ＧｄＣａ）
3（ＣａＭｇＺｒ）5Ｏ12の非磁性ガーネット単結晶基板
４に、前記メルトに侵析し、この単結晶基板上に（Ｔｂ
Ｂｉ）3Ｆｅ8Ｏ12単結晶厚膜を５０時間育成した。この
育成において、基板回転軸を移動させながら単結晶膜を
育成するビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファラデー効果を利用
した光アイソレータ等に使用されるビスマス置換希土類
鉄ガーネットの製造方法に関するものである。
した光アイソレータ等に使用されるビスマス置換希土類
鉄ガーネットの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信、光記録、光計測等に半導体レー
ザを光源として使用する場合、光伝送路の途中に設けら
れたコネクター、スイッチ等により反射光が光源である
半導体レーザに戻ると、モードポッピング現象により安
定なレーザ発振が得られないという問題点がある。その
ためこの戻り光を阻止するために、ファラデー効果を利
用した光アイソレータの必要性が高まっている。
ザを光源として使用する場合、光伝送路の途中に設けら
れたコネクター、スイッチ等により反射光が光源である
半導体レーザに戻ると、モードポッピング現象により安
定なレーザ発振が得られないという問題点がある。その
ためこの戻り光を阻止するために、ファラデー効果を利
用した光アイソレータの必要性が高まっている。
【０００３】光アイソレータの構造は、偏光子、検光子
（例えば方解石、ルチル等）、ファラデー回転素子、永
久磁石で構成され、光路となる各々の素子には光の反射
ロスが生じないように、使用波長に応じた反射防止膜が
施されている。従来ファラデー回転子としては、フロー
ティング・ゾーン法（ＦＺ法）によるバルクのイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＩＧ）単結晶や、
常磁性ガラスが使用されていた。しかしながら近年希土
類ガーネットの希土類をビスマス原子で置換することに
より、ファラデー回転能が大きくなるビスマス置換希土
類鉄ガーネットが提案されてからは、高品質、低価格を
両立するものとして、液相エピタキシャル法（ＬＰＥ
法）によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜
が提案されている。液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）
による育成は、以下のようなものである。
（例えば方解石、ルチル等）、ファラデー回転素子、永
久磁石で構成され、光路となる各々の素子には光の反射
ロスが生じないように、使用波長に応じた反射防止膜が
施されている。従来ファラデー回転子としては、フロー
ティング・ゾーン法（ＦＺ法）によるバルクのイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＩＧ）単結晶や、
常磁性ガラスが使用されていた。しかしながら近年希土
類ガーネットの希土類をビスマス原子で置換することに
より、ファラデー回転能が大きくなるビスマス置換希土
類鉄ガーネットが提案されてからは、高品質、低価格を
両立するものとして、液相エピタキシャル法（ＬＰＥ
法）によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜
が提案されている。液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）
による育成は、以下のようなものである。
【０００４】図４に示すように、液相エピタキシャル装
置において抵抗加熱６を有する炉中に白金るつぼ５をセ
ットし、白金るつぼ５中にビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶の成分となる希土類酸化物、酸化鉄を含むメ
ルト１を高温で加熱し、白金ホルダー支持棒２であるア
ルミナ棒の先に装着させた白金ホルダー３により保持さ
れたガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）等
の非磁性ガーネット単結晶基板４をそのメルトに侵析
し、均一な膜を得るため一定速度で回転方向７に回転さ
せながらビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を一定
温度でエピタキシャル成長させる方法である。
置において抵抗加熱６を有する炉中に白金るつぼ５をセ
ットし、白金るつぼ５中にビスマス置換希土類鉄ガーネ
ット単結晶の成分となる希土類酸化物、酸化鉄を含むメ
ルト１を高温で加熱し、白金ホルダー支持棒２であるア
ルミナ棒の先に装着させた白金ホルダー３により保持さ
れたガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）等
の非磁性ガーネット単結晶基板４をそのメルトに侵析
し、均一な膜を得るため一定速度で回転方向７に回転さ
せながらビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を一定
温度でエピタキシャル成長させる方法である。
【０００５】この方法は、磁気バブルメモリーの材料と
なる薄膜の開発から進歩し、低価格の光アイソレータ用
ファラデー回転子材料となる厚膜の製造方法として発展
してきた。ファラデー回転子は、育成終了後、光学研磨
により単結晶基板を除去し、使用波長でファラデー回転
角４５ｄｅｇとなる膜厚に、ビスマス置換希土類ガーネ
ット単結晶膜を研磨することにより作製する。また、光
通信用光アイソレータの性能は、ファラデー素子の性能
いわゆる低光損失、高アイソレーションが重要な要因と
なっている。前者は、熱処理等により低光損失が実現さ
れている。後者は、不純物の混入により発生するピッ
ト、スワールを低減することにより実現可能であるが、
その有効な方法は見出されていない。
なる薄膜の開発から進歩し、低価格の光アイソレータ用
ファラデー回転子材料となる厚膜の製造方法として発展
してきた。ファラデー回転子は、育成終了後、光学研磨
により単結晶基板を除去し、使用波長でファラデー回転
角４５ｄｅｇとなる膜厚に、ビスマス置換希土類ガーネ
ット単結晶膜を研磨することにより作製する。また、光
通信用光アイソレータの性能は、ファラデー素子の性能
いわゆる低光損失、高アイソレーションが重要な要因と
なっている。前者は、熱処理等により低光損失が実現さ
れている。後者は、不純物の混入により発生するピッ
ト、スワールを低減することにより実現可能であるが、
その有効な方法は見出されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、アイ
ソレーションに影響を及ぼすピット、スワールを低減
し、膜面内で均一なアイソレーションを得うるビスマス
置換希土類ガーネット単結晶膜を提供することにある。
ソレーションに影響を及ぼすピット、スワールを低減
し、膜面内で均一なアイソレーションを得うるビスマス
置換希土類ガーネット単結晶膜を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するため単結晶基板を回転させながら行う育成にお
いて、回転軸を移動させながら単結晶膜の育成を行うこ
とにより解決をはかった。
解決するため単結晶基板を回転させながら行う育成にお
いて、回転軸を移動させながら単結晶膜の育成を行うこ
とにより解決をはかった。
【０００８】すなわち本発明は、液相エピタキシャル法
（ＬＰＥ法）によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜（化学式 Ｒ3-XＢｉXＦｅ5-YＭYＯ12 但し、Ｒ
はＹ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕで示される元素のうち少なくとも
一種類、０．２≦Ｘ≦２．５，０≦Ｙ≦２．０）の育成
において、基板回転軸を移動させながら単結晶膜の育成
をおこなうことを特徴としたビスマス置換希土類鉄ガー
ネットの製造方法である。
（ＬＰＥ法）によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単
結晶膜（化学式 Ｒ3-XＢｉXＦｅ5-YＭYＯ12 但し、Ｒ
はＹ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕで示される元素のうち少なくとも
一種類、０．２≦Ｘ≦２．５，０≦Ｙ≦２．０）の育成
において、基板回転軸を移動させながら単結晶膜の育成
をおこなうことを特徴としたビスマス置換希土類鉄ガー
ネットの製造方法である。
【０００９】
【作用】液相エピタキシャル法で結晶を育成すると、る
つぼから溶け出した白金（Ｐｔ）がガーネット格子に入
り込み、これによって図５に示すように、ピット８、ス
ワール９が発生することが一般に知られている。本発明
は、液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄
ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させる
際、基板回転軸を変化させ、メルトの定常的強制対流を
乱すことにより、ピット、スワールが低減できることを
実験的に見出した。これらの事実を踏まえ、液相エピタ
キシャル法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結
晶厚膜の育成において、基板回転軸を移動させながら行
うことにより、面内でピット、スワール等の欠陥のない
ファラデー回転子の作製を可能とした。
つぼから溶け出した白金（Ｐｔ）がガーネット格子に入
り込み、これによって図５に示すように、ピット８、ス
ワール９が発生することが一般に知られている。本発明
は、液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄
ガーネット単結晶膜を液相エピタキシャル成長させる
際、基板回転軸を変化させ、メルトの定常的強制対流を
乱すことにより、ピット、スワールが低減できることを
実験的に見出した。これらの事実を踏まえ、液相エピタ
キシャル法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結
晶厚膜の育成において、基板回転軸を移動させながら行
うことにより、面内でピット、スワール等の欠陥のない
ファラデー回転子の作製を可能とした。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明に使用した液相エピタキシャ
ル装置を示す説明図である。図２は、本発明の実施例に
より作製したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚
膜を赤外顕微鏡観察した結果、５０μｍ以下のピットを
示す図である。図３は比較例により作製したビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を赤外顕微鏡観察した
結果、３００μｍ以上のピット及びスワールを示す図で
ある。
ル装置を示す説明図である。図２は、本発明の実施例に
より作製したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚
膜を赤外顕微鏡観察した結果、５０μｍ以下のピットを
示す図である。図３は比較例により作製したビスマス置
換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を赤外顕微鏡観察した
結果、３００μｍ以上のピット及びスワールを示す図で
ある。
【００１１】図１に示すように、液相エピタキシャル装
置の抵抗加熱６を有する炉中に白金るつぼ５をセット
し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の成分とな
る酸化テルビウム（Ｔｂ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、
酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化硼
素（Ｂ2Ｏ3）を１．９，２５，５０，１５ｍｏｌ％の比
で、総重量５Ｋｇを混合溶解した。溶解によって得られ
た融液（メルト）１を用い、白金ホルダー支持棒２の先
に装着した白金ホルダー３により保持された、方位｛１
１１｝の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウ
ム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット｛（ＧｄＣ
ａ）3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12｝の２インチ径の非磁性ガ
ーネツト単結晶基板４をメルトに侵析し、非磁性カルシ
ウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・
ガリウム・ガーネット｛（ＧｄＣａ）3（ＧａＭｇＺ
ｒ）5Ｏ12｝の２インチ径の単結晶基板上に液相エピタ
キシャル法によりビスマス置換テルビウム鉄ガーネット
｛（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12｝単結晶厚膜を５０時間にわ
たり育成した。育成中は基板回転軸を一定の位置に固定
しなかった。即ち、基板回転軸を移動させるために、基
板回転軸移動方向１０、すなわち回転軸の位置を図１に
示すように、Ｘ軸方向に速度１（ｍｍ／ｓｅｃ）振幅５
０ｍｍで振動させた。その結果、５２０μｍのビスマス
置換テルビウム鉄ガーネット｛（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ
5Ｏ12｝単結晶厚膜が得られた。基板を除去し、両面鏡
面研磨をした結果、膜厚は５００μｍであった。更に図
２に示すように、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット
の単結晶膜１１を赤外顕微鏡により結晶欠陥を観察した
結果、スワールについては観察されず、またピットにつ
いても使用するビーム径より十分小さい５０μｍ以下の
ピット１２が観察されるほどになった。
置の抵抗加熱６を有する炉中に白金るつぼ５をセット
し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の成分とな
る酸化テルビウム（Ｔｂ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、
酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化硼
素（Ｂ2Ｏ3）を１．９，２５，５０，１５ｍｏｌ％の比
で、総重量５Ｋｇを混合溶解した。溶解によって得られ
た融液（メルト）１を用い、白金ホルダー支持棒２の先
に装着した白金ホルダー３により保持された、方位｛１
１１｝の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウ
ム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット｛（ＧｄＣ
ａ）3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12｝の２インチ径の非磁性ガ
ーネツト単結晶基板４をメルトに侵析し、非磁性カルシ
ウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・
ガリウム・ガーネット｛（ＧｄＣａ）3（ＧａＭｇＺ
ｒ）5Ｏ12｝の２インチ径の単結晶基板上に液相エピタ
キシャル法によりビスマス置換テルビウム鉄ガーネット
｛（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12｝単結晶厚膜を５０時間にわ
たり育成した。育成中は基板回転軸を一定の位置に固定
しなかった。即ち、基板回転軸を移動させるために、基
板回転軸移動方向１０、すなわち回転軸の位置を図１に
示すように、Ｘ軸方向に速度１（ｍｍ／ｓｅｃ）振幅５
０ｍｍで振動させた。その結果、５２０μｍのビスマス
置換テルビウム鉄ガーネット｛（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ
5Ｏ12｝単結晶厚膜が得られた。基板を除去し、両面鏡
面研磨をした結果、膜厚は５００μｍであった。更に図
２に示すように、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネット
の単結晶膜１１を赤外顕微鏡により結晶欠陥を観察した
結果、スワールについては観察されず、またピットにつ
いても使用するビーム径より十分小さい５０μｍ以下の
ピット１２が観察されるほどになった。
【００１２】
【比較例】実施例で用いた融液と同組成、同量の融液を
用い、方位｛１１１｝の非磁性カルシウム・マグネシウ
ム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット｛（ＧｄＣａ）3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12｝２インチ
径単結晶基板上に液相エピタシャル法によりビスマス置
換テルビウム鉄ガーネット｛（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12｝
単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成中は基板
回転軸を一定に固定しておいた。その結果、５２０μｍ
のビスマス置換テルビウム鉄ガーネット｛（ＴｂＢｉ）
3Ｆｅ5Ｏ12｝単結晶厚膜が得られた。基板を除去し、両
面鏡面研磨をした結果、膜厚は５００μｍであった。更
に図３に示すように、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネ
ットの単結晶膜１１を赤外顕微鏡により結晶欠陥を観察
した結果、スワールについては大きいものが数本、また
ピットについても３００μｍ以上の大きさのものが数十
個観察された。図３に、その３００μｍ以上のピット及
びスワール１３を示す。
用い、方位｛１１１｝の非磁性カルシウム・マグネシウ
ム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット｛（ＧｄＣａ）3（ＧａＭｇＺｒ）5Ｏ12｝２インチ
径単結晶基板上に液相エピタシャル法によりビスマス置
換テルビウム鉄ガーネット｛（ＴｂＢｉ）3Ｆｅ5Ｏ12｝
単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成中は基板
回転軸を一定に固定しておいた。その結果、５２０μｍ
のビスマス置換テルビウム鉄ガーネット｛（ＴｂＢｉ）
3Ｆｅ5Ｏ12｝単結晶厚膜が得られた。基板を除去し、両
面鏡面研磨をした結果、膜厚は５００μｍであった。更
に図３に示すように、ビスマス置換テルビウム鉄ガーネ
ットの単結晶膜１１を赤外顕微鏡により結晶欠陥を観察
した結果、スワールについては大きいものが数本、また
ピットについても３００μｍ以上の大きさのものが数十
個観察された。図３に、その３００μｍ以上のピット及
びスワール１３を示す。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば低
欠陥ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を作製
することが可能となり、高品質ファラデー回転子を提供
できる。
欠陥ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を作製
することが可能となり、高品質ファラデー回転子を提供
できる。
【図１】液相エピタキシャル装置を表し、基板回転軸の
移動方向を示す説明図。
移動方向を示す説明図。
【図２】実施例により作製したビスマス置換希土類鉄ガ
ーネット単結晶厚膜を赤外顕微鏡観察した結果、５０μ
ｍ以下のピットを示す説明図。
ーネット単結晶厚膜を赤外顕微鏡観察した結果、５０μ
ｍ以下のピットを示す説明図。
【図３】比較例により作製したビスマス置換希土類鉄ガ
ーネット単結晶厚膜を赤外顕微鏡観察した結果、３００
μｍ以上のピット及びスワールを示す説明図。
ーネット単結晶厚膜を赤外顕微鏡観察した結果、３００
μｍ以上のピット及びスワールを示す説明図。
【図４】液相エピタキシャル装置の原理を示す説明図。
【図５】結晶欠陥を示す説明図。
１ 融液（メルト） ２ 白金ホルダー支持棒（アルミナ製） ３ 白金ホルダー ４ 非磁性ガーネット単結晶基板 ５ 白金るつぼ ６ 抵抗加熱 ７ 回転方向 ８ ピット ９ スワール １０ 基板回転軸移動方向 １１ ビスマス置換テルビウム鉄ガーネットの単結晶
膜 １２ ５０μｍ以下のピット １３ ３００μｍ以上のピット及びスワール
膜 １２ ５０μｍ以下のピット １３ ３００μｍ以上のピット及びスワール
Claims (1)
- 【請求項１】 液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）によ
るビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜（化学式
Ｒ3-XＢｉXＦｅ5-YＭYＯ12 但し、ＲはＹ，Ｎｄ，Ｓ
ｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙ
ｂ，Ｌｕで示される元素のうち少なくとも一種類、０．
２≦Ｘ≦２．５，０≦Ｙ≦２．０）の育成において、基
板回転軸を移動させながら単結晶膜の育成をおこなうこ
とを特徴としたビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30669791A JPH05117095A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30669791A JPH05117095A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05117095A true JPH05117095A (ja) | 1993-05-14 |
Family
ID=17960222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30669791A Pending JPH05117095A (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05117095A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5547613A (en) * | 1994-07-05 | 1996-08-20 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material formed of magnetic garnet single crystals |
| US5587015A (en) * | 1994-04-07 | 1996-12-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for production of single crystal oxide films by liquid-phase epitaxy |
| US6770223B1 (en) | 2002-12-13 | 2004-08-03 | Integrated Photonics, Inc. | Article comprising a faraday rotator that does not require a bias magnet |
| CN104775153A (zh) * | 2015-05-08 | 2015-07-15 | 西南应用磁学研究所 | 新型磁光单晶材料生长方法 |
| CN114318536A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP30669791A patent/JPH05117095A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5587015A (en) * | 1994-04-07 | 1996-12-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for production of single crystal oxide films by liquid-phase epitaxy |
| US5547613A (en) * | 1994-07-05 | 1996-08-20 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material formed of magnetic garnet single crystals |
| US6770223B1 (en) | 2002-12-13 | 2004-08-03 | Integrated Photonics, Inc. | Article comprising a faraday rotator that does not require a bias magnet |
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| CN114318536A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件 |
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