JP2009016548A - ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、Caを添加した融液から育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素3〜20vol%の混合ガス雰囲気下で短時間熱処理することで、所望の光損失特性を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を得ることができる
【選択図】 図1
Description
言い換えれば、本発明らは、非磁性ガーネット単結晶基板にBIGを育成するLPE法において、Caを添加した融液から育成したBIGを窒素と水素の混合ガス雰囲気で熱処理することで、短時間で所望の損失性能を有するBIG得ることができるとの知見を得て、上記課題の解決につき、さらに鋭意検討した結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、BIGを育成する液相エピタキシャル法において、Caを添加した融液から育成したBIGを窒素と水素の混合ガス雰囲気で熱処理することを特徴とするBIGの製造方法である。
R3−xBixFe5−yAyO12 (2)
〔式(2)において、RはY、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、YbおよびLuからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素であり、Aは、Ga、Sc、AlおよびInからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素である。また、0.5≦x≦2.0、y≦1.6である。〕
の式で表されるBIGから、選択することができる。
ここで、xが0.5未満ではファラデー効果が小さくなり好ましくない。ファラデー効果との観点からは、より大きいことが好ましいが、2.0を越えると結晶欠陥が増加してくるので好ましくない。またyが1.6を超えるとファラデー効果が小さくなるので好ましくない。
希土類Rは、光学特性と磁気特性を考慮し、かつ、育成基板との格子定数の適合性などを考慮して選択するものであるが、具体的には、通信波長で光吸収の無いY、Eu、Gd、Tb、Ho、Ybの組み合わせが挙げられる。非磁性イオンAは、通常BIGの飽和磁界を下げるために置換されることから、具体的には、Ga、Alの組み合わせが挙げられる。
実施例1
希土類酸化物や酸化鉄などBIG成分とフラックス成分であるPbO-Bi2O3-B2O3の融液にCaOを0.05重量%添加した後育成して、両面を研磨した450μm厚の(TbYbBi)3Fe5O12を、20%vol水素雰囲気下で、370℃にて熱処理を行った。熱処理は、内径60mmφの筒状の石英管内に、石英治具を使って管や治具にBIGがなるべく触れないように配置、水素と窒素の混合ガスを流量500ml流した状態で行った。熱処理を4時間行った後に、試料の両面に反射防止膜を施し、波長1550nmのレーザ光にて挿入損失を測定した。その結果は0.08dBであり、この材料本来の挿入損失0.1dB未満となった。
実施例2
実施例3
実施例4
実施例5
実施例6
実施例7
実施例8
実施例9
比較例1
比較例2
比較例3
比較例4
比較例5
比較例6
比較例7
比較例8
比較例9
比較例10
比較例11
比較例12
比較例13
比較例14
比較例15
Claims (3)
- 非磁性ガーネット単結晶基板にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する液相エピタキシャル法において、CaOを添加した融液を用いることを特徴とし、かつ育成したビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を窒素と水素の混合ガス雰囲気にて熱処理することを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。
- 請求項1において、融液中のCaO濃度は0.01〜0.1重量%、水素の体積比は3〜20vol%、熱処理温度は360〜530℃であることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶。
- 請求項2において、水素の体積比Vr(vol%)とすると、熱処理温度T(℃)が(1)式の条件を満たす熱処理であることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶。
−120×LOG(Vr)+580≧T≧−55×LOG(Vr)+430 (1)
( 3≦Vr(モル%)≦20、360≦T(℃)≦530)
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JP2014141374A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の熱処理方法 |
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JPH11255600A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜の製造法 |
JP2000089187A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料の製造方法 |
JP2003252699A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Nec Tokin Corp | ビスマス置換型希土類鉄系ガーネット単結晶の製造方法 |
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2007
- 2007-07-04 JP JP2007176263A patent/JP2009016548A/ja active Pending
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