JP5311474B2 - 磁性ガーネット単結晶 - Google Patents
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Description
一般式が(RBi)3 Fe5-x-y-z Inx My Ptz O12で表され、
Rは、希土類から選択される1種以上の元素(但し、その他にCaを含むことがある)、Mは、Ga,Alから選択される1種以上の元素であり、
0.02≦x≦0.1、0.7<(x+y+z)<1.2、0<z<0.04
を満たしていることを特徴とする磁性ガーネット単結晶である。ここで、Bi2 O3 −Na2 CO3 鉛フリーフラックスにおけるNa2 CO3 の重量濃度が0wt%より大きく1wt%未満であるメルト原料から育成する。
表2に記載したメルト原料を白金坩堝に入れて950℃で24時間放置した後、同じ950℃で3時間攪拌した。その後、820℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数1.2496±0.0003nm、組成(CaGd)3 (MgZrGa)5 O12の1インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を40rpmで回転させながら40時間育成した。
Tb1.04Y0.67Bi1.26Ca0.02Fe3.99Ga0.95In0.05Pt0.009 O12
表3に記載したメルト原料を白金坩堝に入れて950℃で24時間放置した後、同じ950℃で3時間攪拌した。その後、820℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数1.2496±0.0003nm、組成(CaGd)3 (MgZrGa)5 O12の1インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を40rpmで回転させながら40時間育成した。
Tb1.03Y0.67Bi1.31Fe4.07Ga0.90In0.02Pt0.01O12
表4に記載したメルト原料を白金坩堝に入れて950℃で24時間放置した後、同じ950℃で3時間攪拌した。その後、820℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数1.2496±0.0003nm、組成(CaGd)3 (MgZrGa)5 O12の1インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を40rpmで回転させながら40時間育成した。
Tb1.09Y0.71Bi1.21Fe3.89Ga1.00In0.10Pt0.009 O12
表5に記載したメルト原料を白金坩堝に入れて950℃で24時間放置した後、同じ950℃で3時間攪拌した。その後、820℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数1.2496±0.0003nm、組成(CaGd)3 (MgZrGa)5 O12の1インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を40rpmで回転させながら40時間育成した。
Tb1.00Y0.65Bi1.35Fe4.14Ga0.85Pt0.008 O12
表6に記載したメルト原料を白金坩堝に入れて950℃で24時間放置した後、同じ950℃で3時間攪拌した。その後、820℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数1.2496±0.0003nm、組成(CaGd)3 (MgZrGa)5 O12の1インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を40rpmで回転させながら40時間育成した。
Tb1.14Y0.74Bi1.13Fe3.74Ga1.10In0.15Pt0.008 O12
Claims (3)
- フラックスとしてBi2 O3 −Na2 CO3 鉛フリーフラックスを用いたメルト原料から液相エピタキシャル成長法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、
一般式が(RBi)3 Fe5-x-y-z Inx My Ptz O12で表され、
Rは、希土類から選択される1種以上の元素(但し、その他にCaを含むことがある)、Mは、GaとAlから選択される1種以上の元素であり、
0.02≦x≦0.1、0.7<(x+y+z)<1.2、0<z<0.04
を満たしていて、
Bi 2 O 3 −Na 2 CO 3 鉛フリーフラックスにおけるNa 2 CO 3 の重量濃度が、0wt%より大きく1wt%未満であるメルト原料から育成されたことを特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - Bi2 O3 ,Na2 CO3 ,CaO,R2 O3 ,Fe2 O3 ,M2 O3 を含み、RはY元素及びTb元素、MはGa元素からなるメルト原料から育成された請求項1記載の磁性ガーネット単結晶。
- Bi2 O3 ,Na2 CO3 ,R2 O3 ,Fe2 O3 ,M2 O3 を含み、RはY元素及びTb元素、MはGa元素からなるメルト原料から育成された請求項1記載の磁性ガーネット単結晶。
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