JP6887678B2 - 磁性ガーネット単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
化学式BixNayCazM13−x−y−zFe5−v−wPtvM2wO12で表され、
前記化学式中のM1は、Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される1種類以上の元素であり、
前記化学式中のM2は、Ga、Al、Inから選択される1種類以上の元素であり、
前記化学式において、
x>0、
y>0、
z>0、
3−x−y−z>0、
5−v−w>0、
w≧0
0<v≦0.02
である磁性ガーネット単結晶を、液相エピタキシャル成長法により育成する方法であって、
同一の白金坩堝内のメルトを用い、基板の一主面側に所定の膜厚の前記磁性ガーネット単結晶を育成する育成ステップを繰り返し、
前記育成ステップの実行後に次回の前記育成ステップを実行するまでの間に、前記メルトを、当該メルトの原料の溶融温度以上の所定の温度まで昇温させるとともに、当該所定の温度で維持する溶融ステップと、前記所定の温度に維持されている前記メルトを、白金からなる攪拌部材を用いて攪拌する攪拌ステップとを実行し、
前記攪拌ステップでは、前記育成ステップにおいて坩堝からメルト内に溶出した白金を前記攪拌部材に付着させる、
磁性ガーネット単結晶の製造方法としている。
また、前記化学式中のx、y、z、wが、それぞれ、
0.8<x≦1.5、
0<y<0.02、
0<z<0.09、
0≦w<1.5、
である磁性ガーネット単結晶の製造方法としてもよい。
図1に本発明の実施例に係る磁性ガーネット単結晶の作製手順を示した。図1に示したように、まず、メルトの原料を白金坩堝に投入し(s1)、坩堝内の温度をメルトの原料が溶融する温度以上の所定の温度(以下、溶融温度とも言う)まで昇温させる(s2)。原料が溶融温度に達したならば、所定の時間、そのまま坩堝を放置する(s3)。すなわち、坩堝内の温度を溶融温度で所定時間維持し、原料を溶融させる。それによってメルトが得られる。さらに、メルトを溶融温度で維持しつつ、坩堝内のメルトを白金でできた攪拌部材を用いて攪拌する(s4)。なお、ここでは板状の攪拌部材を用いた。もちろん、攪拌部材の形状は、板状に限らず、棒状など適宜な形状とすることができる。次いで、LPE法によって磁性ガーネット単結晶を育成する際の温度(以下、育成温度とも言う)になるまでメルトを降温させる(s5)。また、メルトが育成温度に到達する前に、基板を取り付けたホルダーを、そのメルト上方に配置する(s6)。メルトが育成温度に達したならば、基板の一主面をメルトの液面に接触させるとともに、基板を所定の回転速度で回転させ、基板の一主面側に磁性ガーネット単結晶を育成する(s7)。目的の膜厚になるまで磁性ガーネット単結晶が成長したならば、基板をメルト液面から離し、基板を室温になるまで徐々に冷却する(s8)。基板が室温にまで冷却されたならば、ホルダーに装着されていた基板を取り出す(s9)。以上の手順で、まず、1枚目の基板に対する磁性ガーネット単結晶の育成作業が終了する。
本発明の第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、化学式BixNayCazTb3−x−y−zFe5−vPtvO12で表される。当該磁性ガーネット単結晶は、Tb2O3、Bi2O3、Fe2O3、Na2CO3、CaOをメルト原料として作製される。なお、これらの原料のうち、Bi2O3、Na2CO3、CaOがフラックス成分である。
1枚目の基板に対して磁性ガーネット単結晶を育成する作業では、原料を白金坩堝に投入し、その原料を1000℃以上の溶融温度で溶融させてメルトを作製し、そのメルトをその溶融温度で24時間維持した。ここでは、溶融温度を1050℃とした。次いで、1050℃の溶融温度を維持したまま3時間攪拌した。その後、メルトを育成温度まで降温させた。育成温度は、育成時におけるメルト中へのPtの溶出量を抑制するために、800℃以上とすることが望ましい。ここでは、育成温度を850℃とした。
上述した手順で作製された第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、30枚の全ての基板において、膜厚が450±30μmの範囲にあり、膜厚のバラツキが小さかった。そして、30枚の基板上のそれぞれに作製された第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、全て、同じ坩堝内の同じメルトから育成されたものである。このように、第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、優れた生産性を有するものであることが確認できた。また、ICP(高周波誘導結合プラズマ)分析法を用い、30枚の基板上のそれぞれに育成された第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶の組成を調べたところ、第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶の組成は、Bi0.9NayCazTb2.1Fe5−vPtvO12であり、y、z、vは、それぞれ、0.001≦y≦0.002、0.002≦z≦0.03、0.005≦v≦0.02であった。
次に、第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶の光学特性を評価するために、一主面上に磁性ガーネット単結晶が育成された基板を3mm角に切断するとともに、基板側の面を研磨することで基板が除去された状態の磁性ガーネット単結晶を得た。さらに、その基板が除去された3mm角の磁性ガーネット単結晶に対し、体積濃度3%の水素を含む不活性ガス中で、400℃の温度で4時間熱処理を行った後、340μmの厚さとなるように、両面鏡面仕上げ加工を行った。また、鏡面仕上げされた試料の両面に無反射コートを施し、光学特性を評価するための試料を作製した。そして、その試料に対し、光学特性として、波長1.31μmの赤外線を透過させてファラデー回転角と挿入損失を測定した。第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、ファラデー回転角45.5゜であった。そして、第1の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、そのファラデー回転角において、挿入損失が0.05dBであり、優れた光学特性を有していることが確認できた。
本発明の第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、化学式BixNayCaz(GdaHob)3−x−y−zFe5−vPtvO12で表される。当該磁性ガーネット単結晶は、Gd2O3、Ho2O3、Bi2O3、Fe2O3、Na2CO3、CaOをメルト原料として作製される。そして、第1の実施例と同様の手順で合計30枚の基板に対して磁性ガーネット単結晶を育成した。なお、第2の実施例では、2枚目以降の基板に対する磁性ガーネット単結晶の育成作業に際し、坩堝に膜厚470μmの磁性ガーネット単結晶に相当するメルト原料を補充した。
第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、膜厚が470±30μmであった。また、第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶の組成は、Bi1.05NayCazGd0.9Ho1.05Fe5−vPtvO12であり、y、z、vは、0.001≦y≦0.002、0.005≦z≦0.03、0.01≦v≦0.02であった。
第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶の光学特性を評価するために、鏡面仕上げされた厚さ390μmの試料に無反射コートを施した試料を作製し、その試料に対し、波長1.55μmの赤外線での光学特性を測定した。その結果、第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、ファラデー回転角45.2゜であり、そのファラデー回転角における挿入損失が0.05dBであった。
磁性ガーネット単結晶中のPtの量と生産性との関係を調べるため、比較例に係る磁性ガーネット単結晶として、第1および第2の実施例に対してPtの量が異なる磁性ガーネット単結晶を基板上に育成した。
比較例に係る磁性ガーネット単結晶は、化学式BixNayCaz(TbaYb)3−x−y−zFe5−vPtvO12で表され、Tb2O3、Y2O3、Bi2O3、Fe2O3、Na2CO3、CaOをメルト原料として作製される。作製条件としては、溶融温度を950℃、育成温度を750℃とした。また、52時間掛けて基板上に磁性ガーネット単結晶を育成し、1枚の基板に対して磁性ガーネット単結晶を育成する毎に、膜厚505μm相当の原料を補充した。その他は、第1および第2の実施例と同様の手順とした。そして、合計30枚の基板に対して比較例に係る磁性ガーネット単結晶を育成した。
比較例に係る磁性ガーネット単結晶の組成は、Bi1.2NayCazTb1.1Y0.7Fe5−vPtvO12であり、y、z、vは、0.03≦y≦0.05、0.08≦z≦0.15、0.1≦v≦0.2であった。このように、比較例に係る磁性ガーネット単結晶は、第1および第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶に対し、Ptが多く、育成に際してPtを核とした析出物が生成され易い組成を有している。
比較例に係る磁性ガーネット単結晶では、505μmの膜厚を得るために結晶の育成に52時間を掛けていたが、6枚目以降の基板では、磁性ガーネット単結晶の成長速度が遅くなり、枚数を重ねる毎に、目標の505μmの膜厚に対して実際に育成される膜厚が減少していった。そして、12枚目の基板では、育成時間を72時間にしても、380μmしか磁性ガーネット単結晶が成長しなかった。このように、組成中のPtが多いと、生産性が悪化することが確認できた。
本発明の実施例に係る磁性ガーネット単結晶は、化学式BixNayCazM13−x−y−zFe5−v−wPtvM2wO12で表されるものである。上記第1および第2の実施例に係る磁性ガーネット単結晶では、w=0であり、上記化学式中のM2が含まれていなかった。もちろん、組成中にM2が含まれる磁性ガーネット単結晶も本発明の実施例に含まれる。
Claims (4)
- 化学式BixNayCazM13−x−y−zFe5−v−wPtvM2wO12で表され、
前記化学式中のM1は、Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される1種類以上の元素であり、
前記化学式中のM2は、Ga、Al、Inから選択される1種類以上の元素であり、
前記化学式において、
x>0、
y>0、
z>0、
3−x−y−z>0、
5−v−w>0、
w≧0
0<v≦0.02
である磁性ガーネット単結晶を、液相エピタキシャル成長法により育成する方法であって、
同一の白金坩堝内のメルトを用い、基板の一主面側に所定の膜厚の前記磁性ガーネット単結晶を育成する育成ステップを繰り返し、
前記育成ステップの実行後に次回の前記育成ステップを実行するまでの間に、前記メルトを、当該メルトの原料の溶融温度以上の所定の温度まで昇温させるとともに、当該所定の温度で維持する溶融ステップと、前記所定の温度に維持されている前記メルトを、白金からなる攪拌部材を用いて攪拌する攪拌ステップとを実行し、
前記攪拌ステップでは、前記育成ステップにおいて坩堝からメルト内に溶出した白金を前記攪拌部材に付着させる、
磁性ガーネット単結晶の製造方法。 - 請求項1において、前記化学式中のx、y、z、wが、それぞれ、
0.8<x≦1.5、
0<y<0.02、
0<z<0.09、
0≦w<1.5、
である磁性ガーネット単結晶の製造方法。 - 請求項1または2において、
前記溶融ステップでは、前記メルトを1000℃以上に昇温し、
前記攪拌ステップでは、前記溶融ステップにより前記所定の温度に達した時点から12時間以内に当該メルトの攪拌を開始する、
磁性ガーネット単結晶の製造方法。 - 請求項3において、前記育成ステップでは、前記磁性ガーネット単結晶を、800℃以上で前記溶融温度よりも低い温度の前記メルトを用いて育成する磁性ガーネット単結晶の製造方法。
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