JP5757484B2

JP5757484B2 - ファラデー回転子の製造方法

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Publication number: JP5757484B2
Application number: JP2012049761A
Authority: JP
Inventors: 花木　陽平; 陽平花木; 関和　秀幸; 秀幸関和
Original assignee: 株式会社グラノプト
Priority date: 2012-02-17
Filing date: 2012-02-17
Publication date: 2015-07-29
Anticipated expiration: 2032-02-17
Also published as: JP2013170120A

Description

本発明は、光アイソレータや光サーキュレータなどのファラデー回転子に用いられる希土類鉄ガーネット単結晶に関する。詳しくは、永久磁石を用いないビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶からなるファラデー回転子に関する。

光ファイバ通信や光計測では多くの場合、信号源として半導体レーザが使用されている。しかし、半導体レーザは、光ファイバ端面などから反射し、再び半導体レーザ自身に戻ってくるところの所謂反射戻り光があると、発振が不安定になるという重大な欠点がある。そのため半導体レーザの出射側に光アイソレータを設けて、反射戻り光を遮断し、半導体レーザの発振を安定化させることが行われている。

一般的に、光アイソレータは偏光子、検光子、ファラデー回転子およびファラデー回転子を磁気的に飽和させるための永久磁石からなる。このファラデー回転子として用いられるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の中には、いったん外部磁界を加え磁気的に飽和させた後、外部磁界を無くしても磁気的飽和状態が保たれるという性能を有するものがある。この特性を有するファラデー回転子を用いた場合、光アイソレータにおいて、永久磁石が不要となるため、光アイソレータの小型化やコスト面において非常に大きなメリットがある。

これまで、このように光アイソレータといった光部品を構成する場合に、永久磁石を必要しない性能を有するビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶には、（ＴｂＢｉ）_３（ＦｅＧａＡｌ）_５Ｏ_１２（特許文献１）、（ＴｂＨｏＢｉ）_３（ＦｅＧａ）_５Ｏ_１２（特許文献２）、（ＥｕＨｏＢｉ）_３（ＦｅＧａ）_５Ｏ_１２（特許文献３）、（ＴｂＹｂＢｉ）_３（ＦｅＧａ）_５Ｏ_１２（特許文献４）等が提案され、また、実用化されている。

一般に、ファラデー回転子として使用されるビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶（以下、ＲＩＧと適宜略す）は、液相エピタキシャル（以下、ＬＰＥと略す）法にて、主に３インチ（１１１）ガーネット単結晶（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板を用いて育成される。その後、１０ｍｍ×１０ｍｍ程度へ切断し、両面を鏡面に研磨後、両面に反射防止膜を付着するという製造工程を歩む。
その後、１ｍｍ×１ｍｍ程度のチップの製品形状に切断した後に、永久磁石を不要とする性能を有するＲＩＧでは、外部から磁界を加え磁気的に飽和させ、永久磁石が不要なファラデー回転子として用いられる。

永久磁石を必要としないファラデー回転子にて問題となるのが、外部磁界及び環境温度の影響で磁気的な飽和状態が破られる、という点である。光アイソレータが使用される温度環境は、通常、−４０〜８５℃であり、また光アイソレータの設置場所に外部磁界が存在するケースも想定される。したがって、−４０〜８５℃の温度範囲で、外部磁界が存在した場合、例えば１００（Ｏｅ）程度、好ましくは２００（Ｏｅ）程度までの外部磁界が存在した場合にも、一旦飽和させたファラデー回転角が維持されることが、これらファラデー回転子には望まれる。ここで、外部磁界、特に磁気的に飽和したファラデー回転子に対して逆向きの磁界であって、この磁気的に飽和した状態を破る磁界を保磁力Ｈｃと定義する。

永久磁石を不要とする性能を有するＲＩＧとするためには、すなわち大きなＨｃをＲＩＧに持たせるためには、ＲＩＧの磁気異方性を上げ、飽和磁界（以下、Ｈｓと適宜略す）を下げることが有効である。したがって、磁気異方性の増大に寄与する希土類元素やその組み合わせを選択して、かつ四面体サイトの鉄を非磁性元素で置換するなどして飽和磁界を下げることが有効となる。四面体サイトの鉄を置換する非磁性元素には、一般にＧａやＡｌが使われる。これは、ＧａやＡｌが四面体と八面体の２サイトある鉄の内、四面体サイトの方に選択的に置換され、フェリ磁性体であるＲＩＧの飽和磁界を下げる効果があるためである。特にＧａの四面体へのサイト選択率は、一般に９０％程度と言われていて飽和磁界を下げる目的に適している。特許文献１〜４のＲＩＧでは、飽和磁界を下げて、永久磁石を不要とする性能を有するＲＩＧが実現される。

しかしながら、これら非磁性元素にて鉄を置換すると、ファラデー回転角４５ｄｅｇのファラデー回転子において、温度１℃当たりのファラデー回転角の変化（以下、温度特性と記す）が非磁性元素量の増加と共に悪化することが知られている。構成する希土類の種類に応じて異なるが、通常、非磁性イオンで置換しないファラデー回転子の温度特性は絶対値で、０．０４５〜０．０７（ｄｅｇ／℃）（以下、温度特性値は絶対値の値で表記する）であるのに対して、一般に市販されていて永久磁石を必要としない、特許文献２または特許文献３記載のＲＩＧでは、その温度特性が０．０９〜０．１（ｄｅｇ／℃）と大きい。ＲＩＧの大きな温度特性は、光アイソレータの外部温度変化による性能低下の要因となる。

一方、特許文献１記載のＲＩＧは、温度特性は０．０７〜０．０８（ｄｅｇ／℃）と比較的良好であるが、このＲＩＧからなる市販されているファラデー回転子のＨｃの保証値は室温にて２００（Ｏｅ）（製品カタログ値）であり、他の市販品（４００〜５００（Ｏｅ））と比較すると小さい。更に、高温にてＨｃの低下が大きいことを本発明者らは確認している。ＲＩＧの磁気的な物性である磁気異方性定数を大きくするとＨｃは大きくなる。磁気異方性定数と、希土類イオンの種類やそのイオン半径に関連があることは一般に知られている。特許文献１記載のＲＩＧに、イオン半径が小さく磁性を有するＨｏを加えてＨｃの向上を提案したものが特許文献２であり、特許文献３では磁性を有してイオン半径の異なるＥｕとＨｏが組み合わされている。特許文献４で特許文献１記載のＲＩＧに、イオン半径が小さく磁性を有するＹｂを組み合わせることでも大きなＨｃを有することを見出して、そして、その温度特性が従来よりも小さな０．０７５〜０．０８（ｄｅｇ／℃）であるＲＩＧが提案されている。
さらに、特許文献５においては、特許文献２及び特許文献４記載のＲＩＧに、ＲＩＧを育成する際の坩堝材を金とし、加えてＣａをＲＩＧに混入させることで、その温度特性が０．０７５（ｄｅｇ／℃）以下となることが見出されている。しかし、温度特性の向上のためには、坩堝材に金を用いることが必須であり、従来から使用されていて、金よりも融点が高く、生産性に優れている白金製の坩堝が使用できないという制約がある。
また、育成後の熱処理で鉄サイトを置換しているＧａのサイト選択率を変化させることが知られているが（非特許文献１）、この場合は雰囲気制御用の熱処理炉という大掛かりな装置が必要となり、さらに熱処理工程のための工数が必要となる。

特許第３５２０８８９号特開平１０−３１１１２特許第３１９８０５３号特開２０１０−７２２６３特開２０１０−２５６５８８

バブル技術ハンドブック電気学会著オーム社

本発明者らは、Ｈｃの大きな特許文献２にて提案されているＲＩＧにおいて、実績のある生産性の高い白金坩堝を使って生産してもなお、温度特性に優れた当該ファラデー回転子の製造方法を提供することを課題とした。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、育成温度の上昇と共に、ＲＩＧの鉄サイトへ置換されるＧａにおいて、飽和磁界を下げる効果がある四面体サイトへのサイト選択率が上昇するという知見を得、結果として従来よりも少ないＧａ置換量にて、ＲＩＧの温度特性を悪化させることなく、飽和磁界を低下させることが可能であるとの知見を見出し、本発明を完成させた。
すなわち、化学式Ｔｂ_{３−ｘ−ｙ}Ｈｏ_ｘＢｉ_ｙＦｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２（式中、０．４≦ｘ≦０．７，１．１≦ｙ≦１．３，０．６≦ｚ≦０．７５）で示される、液相エピタキシャル法にて育成されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶及びこれを磁化処理してなる角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製造方法において、結晶育成温度を８７０℃以上９５０℃以下とすることで、温度特性０．０７５（ｄｅｇ／℃）以下が達成された。

育成温度と飽和磁界を調整するために必要なＧａ置換量と、温度特性の関係を示したグラフ図。

表１は、実施例１〜５、比較例１〜２の製造方法で作製したファラデー回転子の評価結果をまとめたものである。

表１内における各実施例および各比較例に記載した方法により製造したＲＩＧにおいて、その時の育成温度とＲＩＧ中のＧａの置換量及び温度特性の関係を図１に示す。表１内、Ｈｃの値の定義としては、下記実施例で述べているように得られたＲＩＧにおいて、１ｍｍ×１ｍｍチップに加工された１００チップのＨｃにおける平均値とし、さらに十分なＨｃが得られたという判断基準を上記１００チップのＨｃにおける平均値が１０００（Ｏｅ）以上であることとした。ＨｃはＨｓに反比例するため、表１における飽和磁界が７０（Ｏｅ）を超えると、Ｈｃが低くなる。また、３０（Ｏｅ）未満では、磁気補償温度が室温付近となるため、Ｈｃが高くなり過ぎて、製品化する際に大きな着磁磁界を必要とするなどの支障が生じる。
図１で明確なように、育成温度の上昇とともに十分なＨｃを得るための、飽和磁界の調整に必要なＧａ置換量は減少し、それに伴い温度特性が向上することを本発明者らは見出した。飽和磁界の調整に必要なＧａ量が減少した理由は、育成温度の上昇と共に、ＲＩＧの鉄サイトへ置換されるＧａにおいて、飽和磁界を下げる効果がある鉄サイトの四面体サイトへのサイト選択率が上昇したためと、本発明者らは考えている。図１より、育成温度が８７０℃以上とすることで温度特性０．０７５（ｄｅｇ／℃）以下が達成できる。
また、本発明は坩堝材の制約が無いため、金坩堝を用いた製造方法でも有効である。金は融点が１０６４℃と低いため、育成温度は９５０℃以下であることが望ましいが、白金製のルツボを使用する際はそれ以上の育成温度でもよい。

Ｈｏの置換量ｘは、０．４以上０．７以下が好ましい。ｘが０．４未満ではＢｉの置換量が減りファラデー効果が低下して必要な膜厚が厚くなるので好ましくない。逆にｘが０．７を超えるとＢｉが多く入ることになるが、Ｂｉを多量に置換すると結晶の質や生産性が低下するので好ましくない。Ｈｏの置換量ｘを上記の様に設定することで、ＲＩＧ中の希土類サイトにおけるＨｏ、Ｔｂ、Ｂｉの各イオン半径と使用する基板の格子定数との整合性によりＴｂ、Ｂｉの置換量はそれぞれ決定され、Ｂｉの置換量ｙは１．１以上１．３以下となる。
Ｇａの置換量ｚは、できるだけ少ないことがファラデー回転角の温度特性に対して有効である。本発明を用いると、Ｇａの置換量ｚは０．６〜０．７５の範囲で上記飽和磁界を得ることができる。

本発明は、組成（ＴｂＨｏＢｉ）_３（ＦｅＧａ）_５Ｏに関するものであるが、特許文献１記載の（ＴｂＢｉ）_３（ＦｅＧａＡｌ）_５Ｏ_１２、特許文献４及び特許文献５記載の（ＴｂＹｂＢｉ）_３（ＦｅＧａ）_５Ｏ_１２等においても、育成温度を上昇させることで飽和磁界の調整に必要なＧａ及びＡｌ量が減少し、温度特性が向上することが期待できる。

本発明に用いる上記ＲＩＧ膜の製造に用いる種結晶基板としては、公知のものが使用できる。一般には、ＳＧＧＧ基板と称して市販されている格子定数が１．２４９０ｎｍから１．２５１５ｎｍの非磁性ガーネット（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板から適宜選択する。
以下、表１に記載したＲＩＧの製法と評価結果の詳細を記載する。実施例や比較例では、すべて３Ｎかそれ以上の高純度試薬を用いている。また、いずれの製法による液相エピタキシャル法における結晶育成中においては、特別な雰囲気制御は実施していなく、いずれも大気中で行っている。

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例１
白金製坩堝に原料、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化ホルミウム（Ｈｏ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_４Ｏ_７）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化第２鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化ほう素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化鉛（ＰｂＯ）において、酸化第２鉄に対する酸化ガリウムのモル比［Ｇａ_２Ｏ_３］／［Ｆｅ_２Ｏ_３］が０．１１、さらに酸化ホルミウム、酸化テルビウム、酸化第２鉄、酸化ガリウムのそれぞれのモル分率の和が０．１９となるように仕込み、融液とした。
この融液を精密縦型管状電気炉の所定の位置に設置し、１０００℃に加熱溶融し、十分に攪拌することで均一に混合してＲＩＧ育成融液とした。ここに得られた融液の温度を８７８℃まで低下させて後、融液表面に、格子定数が１．２４９６ｎｍの３インチ（１１１）ガーネット単結晶（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板の片面を接触させ、基板を回転させながらエピタキシャル成長を行い、ＲＩＧ（以下ＲＩＧ−１と記す）を得た。ＲＩＧ−１の飽和磁界Ｈｓを測定した結果、値は４０（Ｏｅ）であった。このＲＩＧ−１をＩＣＰ発光分析法で分析した結果、組成はＴｂ_１．２１Ｈｏ_０．５４Ｂｉ_１．２５Ｆｅ_４．２７Ｇａ_０．７３Ｏ_１２であった。得られたＲＩＧ−１を１１ｍｍ×１１ｍｍに分割した後、基板を除去し、ファラデー回転角が４５度になるように厚さを調整した。その後、波長１５５０ｎｍを中心とする反射防止膜を付与した。
次に、任意の１１ｍｍ×１１ｍｍのＲＩＧ−１を１枚選択し、ファラデー回転角の温度特性を測定した結果、値は０．０７５（ｄｅｇ／℃）であった。
このＲＩＧ−１、１枚を１ｍｍ×１ｍｍの大きさに切断した。得られたチップ１００個において、各々の保磁力Ｈｃを測定した結果、１００個のＨｃの平均値は１３８４（Ｏｅ）であった。

実施例２
白金製坩堝に原料、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化ホルミウム（Ｈｏ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_４Ｏ_７）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化第２鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化ほう素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化鉛（ＰｂＯ）において、酸化第２鉄に対する酸化ガリウムのモル比［Ｇａ_２Ｏ_３］／［Ｆｅ_２Ｏ_３］が０．１１、さらに酸化ホルミウム、酸化テルビウム、酸化第２鉄、酸化ガリウムのそれぞれのモル分率の和が０．２０となるように仕込み、融液とした。
この融液を精密縦型管状電気炉の所定の位置に設置し、１０００℃に加熱溶融し、十分に攪拌することで均一に混合してＲＩＧ育成融液とした。ここに得られた融液の温度を８９１℃まで低下させて後、融液表面に、格子定数が１．２４９６ｎｍの３インチ（１１１）ガーネット単結晶（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板の片面を接触させ、基板を回転させながらエピタキシャル成長を行い、ＲＩＧ（以下ＲＩＧ−２と記す）を得た。ＲＩＧ−２の飽和磁界Ｈｓを測定した結果、値は３５（Ｏｅ）であった。このＲＩＧ−２をＩＣＰ発光分析法で分析した結果、組成はＴｂ_１．２５Ｈｏ_０．５３Ｂｉ_１．２２Ｆｅ_４．２８Ｇａ_０．７２Ｏ_１２であった。得られたＲＩＧ−２を１１ｍｍ×１１ｍｍに分割した後、基板を除去し、ファラデー回転角が４５度になるように厚さを調整した。その後、波長１５５０ｎｍを中心とする反射防止膜を付与した。
次に、任意の１１ｍｍ×１１ｍｍのＲＩＧ−２を１枚選択し、ファラデー回転角の温度特性を測定した結果、値は０．０７４（ｄｅｇ／℃）であった。
このＲＩＧ−２、１枚を１ｍｍ×１ｍｍの大きさに切断した。得られたチップ１００個において、各々の保磁力Ｈｃを測定した結果、１００個のＨｃの平均値は１５１６（Ｏｅ）であった。

実施例３
白金製坩堝に原料、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化ホルミウム（Ｈｏ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_４Ｏ_７）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化第２鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化ほう素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化鉛（ＰｂＯ）において、酸化第２鉄に対する酸化ガリウムのモル比［Ｇａ_２Ｏ_３］／［Ｆｅ_２Ｏ_３］が０．１１、さらに酸化ホルミウム、酸化テルビウム、酸化第２鉄、酸化ガリウムのそれぞれのモル分率の和が０．２１となるように仕込み、融液とした。
この融液を精密縦型管状電気炉の所定の位置に設置し、１０００℃に加熱溶融し、十分に攪拌することで均一に混合してＲＩＧ育成融液とした。ここに得られた融液の温度を９０１℃まで低下させて後、融液表面に、格子定数が１．２４９６ｎｍの３インチ（１１１）ガーネット単結晶（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板の片面を接触させ、基板を回転させながらエピタキシャル成長を行い、ＲＩＧ（以下ＲＩＧ−３と記す）を得た。ＲＩＧ−３の飽和磁界Ｈｓを測定した結果、値は６５（Ｏｅ）であった。このＲＩＧ−３をＩＣＰ発光分析法で分析した結果、組成はＴｂ_１．２４Ｈｏ_０．５１Ｂｉ_１．２５Ｆｅ_４．３０Ｇａ_０．７０Ｏ_１２であった。得られたＲＩＧ−３を１１ｍｍ×１１ｍｍに分割した後、基板を除去し、ファラデー回転角が４５度になるように厚さを調整した。その後、波長１５５０ｎｍを中心とする反射防止膜を付与した。
次に、任意の１１ｍｍ×１１ｍｍのＲＩＧ−３を１枚選択し、ファラデー回転角の温度特性を測定した結果、値は０．０７２（ｄｅｇ／℃）であった。
このＲＩＧ−３、１枚を１ｍｍ×１ｍｍの大きさに切断した。得られたチップ１００個において、各々の保磁力Ｈｃを測定した結果、１００個のＨｃの平均値は１００８（Ｏｅ）であった。

比較例１
白金製坩堝に原料、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化ホルミウム（Ｈｏ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_４Ｏ_７）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化第２鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化ほう素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化鉛（ＰｂＯ）において、酸化第２鉄に対する酸化ガリウムのモル比［Ｇａ_２Ｏ_３］／［Ｆｅ_２Ｏ_３］が０．１３、さらに酸化ホルミウム、酸化テルビウム、酸化第２鉄、酸化ガリウムのそれぞれのモル分率の和が０．１３となるように仕込み、融液とした。
この融液を精密縦型管状電気炉の所定の位置に設置し、１０００℃に加熱溶融し、十分に攪拌することで均一に混合してＲＩＧ育成融液とした。ここに得られた融液の温度を７９０℃まで低下させて後、融液表面に、格子定数が１．２４９６ｎｍの３インチ（１１１）ガーネット単結晶（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板の片面を接触させ、基板を回転させながらエピタキシャル成長を行い、ＲＩＧ（以下ＲＩＧ−４と記す）を得た。ＲＩＧ−４の飽和磁界Ｈｓを測定した結果、値は５０（Ｏｅ）であった。このＲＩＧ−４をＩＣＰ発光分析法で分析した結果、組成はＴｂ_１．１７Ｈｏ_０．５８Ｂｉ_１．２５Ｆｅ_４．１７Ｇａ_０．８３Ｏ_１２であった。得られたＲＩＧ−４を１１ｍｍ×１１ｍｍに分割した後、基板を除去し、ファラデー回転角が４５度になるように厚さを調整した。その後、波長１５５０ｎｍを中心とする反射防止膜を付与した。
次に、任意の１１ｍｍ×１１ｍｍのＲＩＧ−４を１枚選択し、ファラデー回転角の温度特性を測定した結果、値は０．０８５（ｄｅｇ／℃）であった。
このＲＩＧ−４、１枚を１ｍｍ×１ｍｍの大きさに切断した。得られたチップ１００個において、各々の保磁力Ｈｃを測定した結果、１００個のＨｃの平均値は１５７４（Ｏｅ）であった。

比較例２
白金製坩堝に原料、酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）、酸化ホルミウム（Ｈｏ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_４Ｏ_７）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化第２鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）、酸化ほう素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化鉛（ＰｂＯ）において、酸化第２鉄に対する酸化ガリウムのモル比［Ｇａ_２Ｏ_３］／［Ｆｅ_２Ｏ_３］が０．１２、さらに酸化ホルミウム、酸化テルビウム、酸化第２鉄、酸化ガリウムのそれぞれのモル分率の和が０．１５となるように仕込み、融液とした。
この融液を精密縦型管状電気炉の所定の位置に設置し、１０００℃に加熱溶融し、十分に攪拌することで均一に混合してＲＩＧ育成融液とした。ここに得られた融液の温度を８２３℃まで低下させて後、融液表面に、格子定数が１．２４９６ｎｍの３インチ（１１１）ガーネット単結晶（ＧｄＣａ）_３（ＧａＭｇＺｒ）_５Ｏ_１２基板の片面を接触させ、基板を回転させながらエピタキシャル成長を行い、ＲＩＧ（以下ＲＩＧ−５と記す）を得た。ＲＩＧ−５の飽和磁界Ｈｓを測定した結果、値は５５（Ｏｅ）であった。このＲＩＧ−５をＩＣＰ発光分析法で分析した結果、組成はＴｂ_１．１９Ｈｏ_０．５９Ｂｉ_１．２２Ｆｅ_４．２３Ｇａ_０．７７Ｏ_１２であった。得られたＲＩＧ−５を１１ｍｍ×１１ｍｍに分割した後、基板を除去し、ファラデー回転角が４５度になるように厚さを調整した。その後、波長１５５０ｎｍを中心とする反射防止膜を付与した。
次に、任意の１１ｍｍ×１１ｍｍのＲＩＧ−５を１枚選択し、ファラデー回転角の温度特性を測定した結果、値は０．０８０（ｄｅｇ／℃）であった。
このＲＩＧ−５、１枚を１ｍｍ×１ｍｍの大きさに切断した。得られたチップ１００個において、各々の保磁力Ｈｃを測定した結果、１００個のＨｃの平均値は１３１３（Ｏｅ）であった。

Claims

化学式Ｔｂ_{３−ｘ−ｙ}Ｈｏ_ｘＢｉ_ｙＦｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２（式中、０．４≦ｘ≦０．７，１．１≦ｙ≦１．３，０．６≦ｚ≦０．７５）で示される、液相エピタキシャル法にて育成されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶及びこれを磁化処理してなる角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製造方法において、結晶育成温度を８７０℃以上９５０℃以下とすることを特徴とする製造方法。