JPH02248398A - 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 - Google Patents
酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法Info
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- JPH02248398A JPH02248398A JP6794489A JP6794489A JPH02248398A JP H02248398 A JPH02248398 A JP H02248398A JP 6794489 A JP6794489 A JP 6794489A JP 6794489 A JP6794489 A JP 6794489A JP H02248398 A JPH02248398 A JP H02248398A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物ガーネット単結晶膜およびその製造方法
、特には周波数１００ＭＩ（ｚから数１０ＧＨｚマイク
ロ波帯で使用されるマイクロ波素子、例えばアイソレー
ター、サーキュレータ−用の新規な磁性膜やアイソレー
ターとしての磁気光学素子用磁性膜として有用とされる
鏡面厚膜の酸化物ガーネット単結晶膜およびその製造方
法に関するものである。
、特には周波数１００ＭＩ（ｚから数１０ＧＨｚマイク
ロ波帯で使用されるマイクロ波素子、例えばアイソレー
ター、サーキュレータ−用の新規な磁性膜やアイソレー
ターとしての磁気光学素子用磁性膜として有用とされる
鏡面厚膜の酸化物ガーネット単結晶膜およびその製造方
法に関するものである。
（従来の技術）
光アイソレーターやマイクロ波素子用の磁性材料として
は液相エピタキシャル法で育成したＹ、Ｆｅ５０．、
（ＹＩＧ）または（Ｙ Ｂｉ Ｆｅ）ａＯ＋２で示され
る単結晶を使用することが提案されている。
は液相エピタキシャル法で育成したＹ、Ｆｅ５０．、
（ＹＩＧ）または（Ｙ Ｂｉ Ｆｅ）ａＯ＋２で示され
る単結晶を使用することが提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、これらの単結晶膜はクラックが発生し易く、２
０μｍ以上、の膜厚を得ることも難しく、これはその表
面がストリエーションやスワロールのあるものとなるた
めに鏡面として得ることが難しいし、さらには膜中にフ
ラックス成分から多量のＰｂイオンが取り込まれるため
に磁気共鳴半値幅ΔＨが大きい値を示し、光アイソレー
ター素子では光吸収が大きくなるという欠点があり、し
たがってこれらの用途には使用することが難しいという
不利がある。
０μｍ以上、の膜厚を得ることも難しく、これはその表
面がストリエーションやスワロールのあるものとなるた
めに鏡面として得ることが難しいし、さらには膜中にフ
ラックス成分から多量のＰｂイオンが取り込まれるため
に磁気共鳴半値幅ΔＨが大きい値を示し、光アイソレー
ター素子では光吸収が大きくなるという欠点があり、し
たがってこれらの用途には使用することが難しいという
不利がある。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような不利を解決した高品質のマイクロ波
素子用材料や磁気光学素子用材料として有用とされる酸
化物ガーネット単結晶膜およびその製造方法に関するも
ので、これは液相エピタキシャル法により基板上に育成
される酸化物ガーネット単結晶膜であって、構造式が（
Ｙｔ−Ｊｘ）ｓ（Ｆｅ皇−ｙＮｙ）ａｏ＊ｚ （ここに
−は希土類元素、 Ｂｉ、 Ｃａから、またＮは非磁性
元素から選択される少なくとも一つの元素、ＸはＯ≦Ｘ
≦０゜９、ｙは０≦ｙ≦０．９）で示され、ここに希土
類元素はＬａ、 Ｇａ、 Ｎｄ、 Ｓｍなど、非磁性元
素はＧｅ。
素子用材料や磁気光学素子用材料として有用とされる酸
化物ガーネット単結晶膜およびその製造方法に関するも
ので、これは液相エピタキシャル法により基板上に育成
される酸化物ガーネット単結晶膜であって、構造式が（
Ｙｔ−Ｊｘ）ｓ（Ｆｅ皇−ｙＮｙ）ａｏ＊ｚ （ここに
−は希土類元素、 Ｂｉ、 Ｃａから、またＮは非磁性
元素から選択される少なくとも一つの元素、ＸはＯ≦Ｘ
≦０゜９、ｙは０≦ｙ≦０．９）で示され、ここに希土
類元素はＬａ、 Ｇａ、 Ｎｄ、 Ｓｍなど、非磁性元
素はＧｅ。
Ｇａ、ＡＪＺ 、 Ｓｃ、 Ｉｎなど１あり、膜厚が２
０μｍ以上で、その表面の粗さが０．５μ−以下の鏡面
状態であることを特徴とする酸化物ガーネット単結晶膜
、および液相エピタキシャル法によりフラックス融液か
ら基板上に式が（’／ｃ−ｘＭｍ） ｓ （Ｆｅｔ−ｙ
Ｎｙ）ｓｏｓ２ （Ｍ、Ｎ、Ｘ、ｙ、は前記に同じ）
で示される酸化物ガーネット単結晶膜を成長させるに当
り、過冷却温度とフラックス成分としてのＰｂＯ／２Ｂ
２０！ （モル比）をそれぞれＸ、Ｙ軸としたｘｙ平面
において、このそル比を３点（０，０），Ｂ点（６０゜
Ｏ）、Ｃ点（６Ｇ、１５．６） 、 Ｄ点（０，５，５
）で囲まれた範囲とすることを特徴とする酸化物ガーネ
ット単結晶膜の製造方法に関するものである。
０μｍ以上で、その表面の粗さが０．５μ−以下の鏡面
状態であることを特徴とする酸化物ガーネット単結晶膜
、および液相エピタキシャル法によりフラックス融液か
ら基板上に式が（’／ｃ−ｘＭｍ） ｓ （Ｆｅｔ−ｙ
Ｎｙ）ｓｏｓ２ （Ｍ、Ｎ、Ｘ、ｙ、は前記に同じ）
で示される酸化物ガーネット単結晶膜を成長させるに当
り、過冷却温度とフラックス成分としてのＰｂＯ／２Ｂ
２０！ （モル比）をそれぞれＸ、Ｙ軸としたｘｙ平面
において、このそル比を３点（０，０），Ｂ点（６０゜
Ｏ）、Ｃ点（６Ｇ、１５．６） 、 Ｄ点（０，５，５
）で囲まれた範囲とすることを特徴とする酸化物ガーネ
ット単結晶膜の製造方法に関するものである。
すなわち、本発明者らは液相エピタキシャル法によりフ
ラックス融液から基板上に酸化物ガーネット単結晶を育
成する際の過冷却温度△Ｔｇとここに使用されるフラッ
クス成分としてのＰｂＯとＢ、０３とのモル比がエピタ
キシャル膜の表面の凹凸および磁気共鳴半値幅ΔＨ値に
大きい影響を与えることを見出し、この値について種々
検討した結果、酸化物ガーネット単結晶膜が、（Ｙｔ−
ｘＭ＋ｇ）ｓ（Ｆｌｌｔ−ｙＮｙ）ｓＯ＋＊ （Ｍ、
Ｎ、 Ｘ、 Ｌは前記に同じ）であるときにｉｊｌ？４
１却温度ΔＴｇをＸ軸とし、ＰｂＯ／２Ｂ２０ｓ （モ
ア１／比）をＹ軸としたＸＹ平面において、このＰｂＯ
／２Ｂ２０ｓ （モル比）を３点（Ｏ，Ｏ）、 ａ点
（６０，０）、 Ｃ点（６０，１５，８）、 Ｄ点（
０゜５．５）で囲まれた第１図に示された範囲とすると
クラックがなく、エピタキシャル膜の表面の粗さが０．
５μｉ以下で、膜中のＰｂイオン量を大幅に減少させる
ことができるので、ΔＨ値が２．００６以下と小さく、
２０μ膳以上の厚さを有する酸化物ガーネット単結晶厚
膜を得ることができることを確認して本発明を完成させ
た。
ラックス融液から基板上に酸化物ガーネット単結晶を育
成する際の過冷却温度△Ｔｇとここに使用されるフラッ
クス成分としてのＰｂＯとＢ、０３とのモル比がエピタ
キシャル膜の表面の凹凸および磁気共鳴半値幅ΔＨ値に
大きい影響を与えることを見出し、この値について種々
検討した結果、酸化物ガーネット単結晶膜が、（Ｙｔ−
ｘＭ＋ｇ）ｓ（Ｆｌｌｔ−ｙＮｙ）ｓＯ＋＊ （Ｍ、
Ｎ、 Ｘ、 Ｌは前記に同じ）であるときにｉｊｌ？４
１却温度ΔＴｇをＸ軸とし、ＰｂＯ／２Ｂ２０ｓ （モ
ア１／比）をＹ軸としたＸＹ平面において、このＰｂＯ
／２Ｂ２０ｓ （モル比）を３点（Ｏ，Ｏ）、 ａ点
（６０，０）、 Ｃ点（６０，１５，８）、 Ｄ点（
０゜５．５）で囲まれた第１図に示された範囲とすると
クラックがなく、エピタキシャル膜の表面の粗さが０．
５μｉ以下で、膜中のＰｂイオン量を大幅に減少させる
ことができるので、ΔＨ値が２．００６以下と小さく、
２０μ膳以上の厚さを有する酸化物ガーネット単結晶厚
膜を得ることができることを確認して本発明を完成させ
た。
以下にこれを詳述する。
（作用）
本発明の酸化物ガーネット単結晶膜を育成させるために
使用されるガーネット基板単結晶はガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）、サマリウ
ム・ガリウム・ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）、
ネオジム・ガリウム・ガーネット（以下ＮＧＧと略記す
る）、上記したＧＧＧにＣａ、 ｍｇ％２「、Ｙの少な
くとも１つで置換したＧＧＧ系のＳＯＧ、 ＮＯＧ、
ＹＯＧ ［いずれも信越化学工業（株）商品名］とす
ればよく、これらはｃｄ、ｏ３． Ｓｌ、０３． Ｎｄ
２Ｏ３または必要に応じＣａｂ、 ＭｇＯ，ＺｒＯ，ｙ
２ｏ、などの置換材をそれぞれＧａ２Ｏ＠の所定量と共
にルツボに仕込み、高周波誘導で各々の融点以上に加熱
して溶融したのち、この融液からチョクラルスキー法で
単結晶を引上げることによって得ることがで咎る。また
、この基板単結晶上に液相エピタキシャル法でエピタキ
シャル成長させる酸化物ガーネット単結晶は上記したよ
うに組成式が（Ｙｔ−ｘＬ）ｓ（Ｆｅ＋−ｙＮｙ）ｓＯ
＋２（Ｍ、 Ｎ、 ｘ、ｙは前記に同じ）で示されるも
のであるが、上記した式で示されるガーネット単結晶膜
は白金ルツボ中にＹ２Ｏ５，Ｆｅｒｎｓおよび必要に応
じ元素Ｍの酸化物１元素Ｎの酸化物（Ｍ、 Ｎは前記に
同じ）をフラックスとしてのＰｂＯ，Ｂ、０゜と共に仕
込み、１，１００〜１，２００℃に加熱してこれを融解
させたのち、この過冷却状態の融液からＬＰＥ法で単結
晶を成長させることによって得ることができる。
使用されるガーネット基板単結晶はガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）、サマリウ
ム・ガリウム・ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）、
ネオジム・ガリウム・ガーネット（以下ＮＧＧと略記す
る）、上記したＧＧＧにＣａ、 ｍｇ％２「、Ｙの少な
くとも１つで置換したＧＧＧ系のＳＯＧ、 ＮＯＧ、
ＹＯＧ ［いずれも信越化学工業（株）商品名］とす
ればよく、これらはｃｄ、ｏ３． Ｓｌ、０３． Ｎｄ
２Ｏ３または必要に応じＣａｂ、 ＭｇＯ，ＺｒＯ，ｙ
２ｏ、などの置換材をそれぞれＧａ２Ｏ＠の所定量と共
にルツボに仕込み、高周波誘導で各々の融点以上に加熱
して溶融したのち、この融液からチョクラルスキー法で
単結晶を引上げることによって得ることがで咎る。また
、この基板単結晶上に液相エピタキシャル法でエピタキ
シャル成長させる酸化物ガーネット単結晶は上記したよ
うに組成式が（Ｙｔ−ｘＬ）ｓ（Ｆｅ＋−ｙＮｙ）ｓＯ
＋２（Ｍ、 Ｎ、 ｘ、ｙは前記に同じ）で示されるも
のであるが、上記した式で示されるガーネット単結晶膜
は白金ルツボ中にＹ２Ｏ５，Ｆｅｒｎｓおよび必要に応
じ元素Ｍの酸化物１元素Ｎの酸化物（Ｍ、 Ｎは前記に
同じ）をフラックスとしてのＰｂＯ，Ｂ、０゜と共に仕
込み、１，１００〜１，２００℃に加熱してこれを融解
させたのち、この過冷却状態の融液からＬＰＥ法で単結
晶を成長させることによって得ることができる。
しかして、本発明の方法ではこの融液から上記した基板
上に酸化物単結晶膜を液相エピタクシシル法で育成する
に際し、この融液を構成するフラックス成分としてのＰ
ｂＯ，ｔｔ２ｏ３のモル比を特定の範囲内とすることが
必要とされるのであるが、これは第１図に示したように
過冷却温度ΔＴｇをＸ軸とし、ＰｂＯ／２Ｂ２０ｓ
（モル比・Ｒ３）をＹ軸としたＸＹ平面においてこの図
中のＡ点（０，０），Ｂ点（６０，０）、 Ｃ点（６０
，１５，６）および０点（０，５，５）の４点で囲まれ
た範囲内にあるようにするものであり、過冷却温度△Ｔ
ｇとフラックス成分のそル比をこの範囲内とすると、得
られる酸化物ガーネット単結晶膜はクラックがなく、ま
た表面の粗さが０．５μ−以下の鏡面状で、しかもＰｂ
含有量が少なく、磁気共鳴半値幅△Ｈも２．００ｅ以下
の小さい値になるという有利性が与えられる。
上に酸化物単結晶膜を液相エピタクシシル法で育成する
に際し、この融液を構成するフラックス成分としてのＰ
ｂＯ，ｔｔ２ｏ３のモル比を特定の範囲内とすることが
必要とされるのであるが、これは第１図に示したように
過冷却温度ΔＴｇをＸ軸とし、ＰｂＯ／２Ｂ２０ｓ
（モル比・Ｒ３）をＹ軸としたＸＹ平面においてこの図
中のＡ点（０，０），Ｂ点（６０，０）、 Ｃ点（６０
，１５，６）および０点（０，５，５）の４点で囲まれ
た範囲内にあるようにするものであり、過冷却温度△Ｔ
ｇとフラックス成分のそル比をこの範囲内とすると、得
られる酸化物ガーネット単結晶膜はクラックがなく、ま
た表面の粗さが０．５μ−以下の鏡面状で、しかもＰｂ
含有量が少なく、磁気共鳴半値幅△Ｈも２．００ｅ以下
の小さい値になるという有利性が与えられる。
上記したような方法で得られる酸化物ガーネット単結晶
膜は、クラックもなくエピタキシャル膜表面も鏡面状で
あり、また△Ｈも小さいので、マイクロ波素子用材料と
してすぐれた物性をもつものとなり、このものは例えば
周波数１００Ｍ）ｌｚから数１０ＧＨｚのマイクロ波帯
で使用されるマイクロ波素子として有用とされるほか、
光アイソレータ−、サーキュレータ−用の磁気光学素子
用磁性膜としても有用とされる。
膜は、クラックもなくエピタキシャル膜表面も鏡面状で
あり、また△Ｈも小さいので、マイクロ波素子用材料と
してすぐれた物性をもつものとなり、このものは例えば
周波数１００Ｍ）ｌｚから数１０ＧＨｚのマイクロ波帯
で使用されるマイクロ波素子として有用とされるほか、
光アイソレータ−、サーキュレータ−用の磁気光学素子
用磁性膜としても有用とされる。
つぎに本発明の実施例をあげるが例中における磁気共鳴
半値幅ΔＨはＦＭＲを用いた破壊測定で求めたもの、Ｐ
ｂ量はＸ線マイクロアナライザーで求めたもの、ストリ
エーションはタリステップを用いて表面の凹凸の高さの
差を測定したもの、またクラックの有無は顕微鏡視野内
のひびの本数で評価したものである。
半値幅ΔＨはＦＭＲを用いた破壊測定で求めたもの、Ｐ
ｂ量はＸ線マイクロアナライザーで求めたもの、ストリ
エーションはタリステップを用いて表面の凹凸の高さの
差を測定したもの、またクラックの有無は顕微鏡視野内
のひびの本数で評価したものである。
実施例１
基板としてＧＧＧ単結晶ウェつ八をへい、エピタキシャ
ル膜を形成させる成分として所定量のＹａｏｓ、 Ｆ＠
２０＝を加え、フラックス成分としてのＰｂＯ，Ｂ２ａ
ｓをＰｂＯ／２ＢｉＯｓのモル比（Ｒｓ）を変えて白金
ルツボに仕込み、１，１００℃に加熱してこれを溶融さ
せ溶融からＹ１０３／ＦｅｚＯ５（そル比）＝８１を２
０〜４０とし、Ｙ２Ｏ３＋Ｆｅ２Ｏ３／Ｙ２Ｏ３＋Ｆｅ
２０ｓ”ＰｂＯ＋２Ｂ２０ｓ （モル比）！Ｒ４を０
．２とすると共に、上記したＰｂＯ／２ＢｚＯｓ （
モル比）−Ｒ３と成長温度を変えてＬＰＥ法でＧＧＧ単
結晶ウェーへの＜１１１ ＞方向に式Ｙ３ＦｅｓＯ＋２
で示されるエピタキシャル膜を厚さ５０〜８０μ−に成
長させて酸化物ガーネット単結晶膜を作り、このウェー
八表面の鏡面度をタリステップにより測定し表面粗さが
０．５μ−以下のものを（０）とし、これが０．５μ園
以上のものを（×）と判定することとしたところ、第１
表に示したとおりの結果が得られたが、この場合の過冷
却温度（６７ｇ）−飽和温度（Ｔｓ）−成長温度（Ｔｓ
）と鏡面度との関係については第１図に示したとおりの
結果が得られた。
ル膜を形成させる成分として所定量のＹａｏｓ、 Ｆ＠
２０＝を加え、フラックス成分としてのＰｂＯ，Ｂ２ａ
ｓをＰｂＯ／２ＢｉＯｓのモル比（Ｒｓ）を変えて白金
ルツボに仕込み、１，１００℃に加熱してこれを溶融さ
せ溶融からＹ１０３／ＦｅｚＯ５（そル比）＝８１を２
０〜４０とし、Ｙ２Ｏ３＋Ｆｅ２Ｏ３／Ｙ２Ｏ３＋Ｆｅ
２０ｓ”ＰｂＯ＋２Ｂ２０ｓ （モル比）！Ｒ４を０
．２とすると共に、上記したＰｂＯ／２ＢｚＯｓ （
モル比）−Ｒ３と成長温度を変えてＬＰＥ法でＧＧＧ単
結晶ウェーへの＜１１１ ＞方向に式Ｙ３ＦｅｓＯ＋２
で示されるエピタキシャル膜を厚さ５０〜８０μ−に成
長させて酸化物ガーネット単結晶膜を作り、このウェー
八表面の鏡面度をタリステップにより測定し表面粗さが
０．５μ−以下のものを（０）とし、これが０．５μ園
以上のものを（×）と判定することとしたところ、第１
表に示したとおりの結果が得られたが、この場合の過冷
却温度（６７ｇ）−飽和温度（Ｔｓ）−成長温度（Ｔｓ
）と鏡面度との関係については第１図に示したとおりの
結果が得られた。
また、このウェーハの共鳴磁界値を測定してマイクロ波
吸収スペクトルの半値幅（△Ｈ）を求めたところ、鏡面
膜を示したものはいずれも２．００ｅ以下の値を示し、
（×）印のものは２．０００以上となり、またｐｂ量も
（０）印のものはいずれも小さい値を示したが、（×）
印のものは大きい値を示した。
吸収スペクトルの半値幅（△Ｈ）を求めたところ、鏡面
膜を示したものはいずれも２．００ｅ以下の値を示し、
（×）印のものは２．０００以上となり、またｐｂ量も
（０）印のものはいずれも小さい値を示したが、（×）
印のものは大きい値を示した。
第
表
４゜
表面がタリステップでの測定で粗さが０．５μｍ以下の
鏡面状であることから、磁気共鳴半値幅ΔＨが２．００
ｓ以下となり、ｐｂ量も少ないので、光アイソレーター
素子、マイクロ波素子用の磁性材料として有用とされる
という工業的な有利性が与えられる。
鏡面状であることから、磁気共鳴半値幅ΔＨが２．００
ｓ以下となり、ｐｂ量も少ないので、光アイソレーター
素子、マイクロ波素子用の磁性材料として有用とされる
という工業的な有利性が与えられる。
第１図は本発明の実施例による液晶エピタキシャル法に
よる酸化物ガーネット単結晶膜の引上げ時における、フ
ラックス成分としてのＰｂＯ／２Ｂ２Ｏ３（モル比）＝
Ｒｓと過冷却温度（６７ｇ）との関係グラフを示したも
のである。 （発明の効果） 本発明は式（Ｙ＊−＋＋Ｌ） ｓ （Ｆａｔ−ｙＮｙ）
５ｏｄａ （Ｍ、Ｎ、Ｘ、Ｙは前記に同じ）で示され
る、膜厚が２０μ−以上で鏡面状である酸化物ガーネッ
ト単結晶膜およびこの製造方法に関するものであるが、
このものはその手続 ネ甫 正 書 ２゜ ３゜ ４゜ 発明の名称 酸化物ガーネッ 補正をする者 事件との関係 名称（２
よる酸化物ガーネット単結晶膜の引上げ時における、フ
ラックス成分としてのＰｂＯ／２Ｂ２Ｏ３（モル比）＝
Ｒｓと過冷却温度（６７ｇ）との関係グラフを示したも
のである。 （発明の効果） 本発明は式（Ｙ＊−＋＋Ｌ） ｓ （Ｆａｔ−ｙＮｙ）
５ｏｄａ （Ｍ、Ｎ、Ｘ、Ｙは前記に同じ）で示され
る、膜厚が２０μ−以上で鏡面状である酸化物ガーネッ
ト単結晶膜およびこの製造方法に関するものであるが、
このものはその手続 ネ甫 正 書 ２゜ ３゜ ４゜ 発明の名称 酸化物ガーネッ 補正をする者 事件との関係 名称（２
Claims (2)
- １．液相エピタキシャル法により基板上に育成される酸
化物ガーネット単結晶膜であって、構造式（Ｙ＿１＿−
＿ｘＭ＿ｘ）＿３（Ｆｅ＿１＿−＿ｙＮ＿ｙ）＿５Ｏ＿
１＿２（ここにＭは希土類元素，Ｂｉ，Ｃａから、また
Ｎは非磁性元素から選択される少なくとも一つの元素，
ｘは０≦ｘ≦０．９，Ｙは０≦Ｙ≦０．９）で示され、
膜厚が２０μｍ以上で、その表面の粗さが０．５μｍ以
下の鏡面状態であることを特徴とする酸化物ガーネット
単結晶膜。 - ２．液相エピタキシャル法によりフラックス融液から基
板上に式（Ｙ＿１＿−＿ｘＭ＿ｘ）＿３（Ｆｅ＿１＿−
＿ｙＮ＿ｙ）＿５Ｏ＿１＿２（Ｍ，Ｎ，ｘ，ｙは前記に
同じ）で示される酸化物ガーネット単結晶膜を成長させ
るに当り、過冷却温度とフラックス成分としてのＰｂＯ
／２Ｂ＿２Ｏ＿３（モル比）をそれぞれＸ，Ｙ軸とした
ＸＹ平面において、このモル比をＡ点（０，０），Ｂ点
（６０，０），Ｃ点（６０，１５，６），Ｄ点（０，５
，５）で囲まれた範囲とすることを特徴とする酸化物ガ
ーネット単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6794489A JPH02248398A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6794489A JPH02248398A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02248398A true JPH02248398A (ja) | 1990-10-04 |
| JPH0543678B2 JPH0543678B2 (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=13359553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6794489A Granted JPH02248398A (ja) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02248398A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0737987A1 (en) * | 1995-04-11 | 1996-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Magnetic material for microwave and high-frequency circuit component using the same |
| FR2783357A1 (fr) * | 1998-05-22 | 2000-03-17 | Murata Manufacturing Co | Couche mince monocristalline de grenat magnetique a faible teneur en plomb, son procede de fabrication et dispositif a ondes hyperfrequences le contenant |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4965400A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-06-25 | ||
| JPS49126573A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-04 | ||
| JPS5326798A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-13 | Nec Corp | Growing method for magnetic garnet by liquid phase method |
| JPS5957990A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Nec Corp | 液相エピタキシヤルガ−ネツト厚膜の育成方法 |
| JPS59141495A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-14 | Nec Corp | ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法 |
| JPS63112500A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-17 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ガ−ネツト液相エピタキシヤル膜育成法 |
-
1989
- 1989-03-20 JP JP6794489A patent/JPH02248398A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4965400A (ja) * | 1972-10-27 | 1974-06-25 | ||
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| FR2783357A1 (fr) * | 1998-05-22 | 2000-03-17 | Murata Manufacturing Co | Couche mince monocristalline de grenat magnetique a faible teneur en plomb, son procede de fabrication et dispositif a ondes hyperfrequences le contenant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543678B2 (ja) | 1993-07-02 |
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