FR2783357A1 - Couche mince monocristalline de grenat magnetique a faible teneur en plomb, son procede de fabrication et dispositif a ondes hyperfrequences le contenant - Google Patents
Couche mince monocristalline de grenat magnetique a faible teneur en plomb, son procede de fabrication et dispositif a ondes hyperfrequences le contenant Download PDFInfo
- Publication number
- FR2783357A1 FR2783357A1 FR9906475A FR9906475A FR2783357A1 FR 2783357 A1 FR2783357 A1 FR 2783357A1 FR 9906475 A FR9906475 A FR 9906475A FR 9906475 A FR9906475 A FR 9906475A FR 2783357 A1 FR2783357 A1 FR 2783357A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- thin
- monocrystalline
- layer
- magnetic garnet
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
- H01F10/245—Modifications for enhancing interaction with electromagnetic wave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/32—Composite [nonstructural laminate] of inorganic material having metal-compound-containing layer and having defined magnetic layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
L'invention concerne une couche mince monocristalline de grenat magnétique, ayant une teneur en Pb comprise dans le domaine de 0 à environ 4 000 ppm en masse, un procédé pour sa fabrication par épitaxie en phase liquide avec un fondant à base de PbO, et un dispositif à ondes hyperfréquences comprenant une telle couche mince monocristalline de grenat magnétique.
Description
La présente invention concerne une couche mince monocristalline de
grenat magnétique, un procédé pour sa fabrication et un dispositif à ondes hyper-
fréquences comportant cette couche mince monocristalline de grenat, et plus particulièrement une couche mince monocristalline de grenat magnétique qui est utilisée pour un dispositif à ondes hyperfréquences telles qu'un limiteur ou un
filtre à bruit.
Une couche mince monocristalline de Y3Fe5O12 (YIG) est une substance importante utilisée comme couche mince monocristalline de grenat magnétique pour un dispositif à ondes hyperfréquences. En particulier, une telle couche mince monocristalline de YIG a de remarquables propriétées dues à une largeur de bande ferromagnétique (AH) extrêmement étroite. Quand cette couche
mince monocristalline de YIG est appliquée à un dispositif à ondes hyper-
fréquences, cette caractéristique permet de rendre petite la différence entre un signal d'entrée et un signal de sortie. En outre, une autre caractéristique d'une telle couche mince monocristalline de YIG est qu'il se produit un phénomène de saturation à une puissance électrique relativement faible par rapport au signal d'entrée. Une telle couche mince monocristalline de YIG est largement utilisée dans les dispositifs à ondes hyperfréquences tels que les limiteurs et les filtres à
bruit qui utilisent les caractéristiques évoquées ci-dessus.
Une couche mince monocristalline de grenat magnétique contenant du fer, différente d'une couche mince monocristalline de YIG, est aussi appliquée aux dispositifs à ondes hyperfréquences de la même manière qu'une couche mince
monocristalline de YIG.
Bien qu'une couche mince monocristalline de grenat magnétique présente les excellentes propriétés évoquées ci-dessus, elle présente également des inconvénients, à savoir de grandes pertes d'insertion, une longue durée de réponse transitoire et une grande puissance d'entrée saturée qui dégradent les propriétés mentionnées ci-dessus lorsqu'une couche mince monocristalline de grenat
magnétique est appliquée à des dispositifs à ondes hyperfréquences. Ces caracté-
ristiques sont particulièrement importantes pour de telles applications.
La présente invention a pour but de fournir une couche mince mono-
cristalline de grenat magnétique permettant d'obtenir un dispositif à ondes hyper-
fréquences présentant des performances supérieures.
La présente invention a aussi pour but de fournir un procédé de fabrication de cette couche mince monocristalline de grenat magnétique et un
dispositif à ondes hyperfréquences comportant une telle couche mince.
Selon la présente invention, la couche mince monocristalline de grenat magnétique utilisée pour un dispositif à ondes hyperfréquences contient Pb dans un domaine compris entre 0 et environ 4 000 ppm en masse. De préférence, cette
couche mince monocristalline de grenat magnétique contient en outre du fer.
Le procédé de fabrication de cette couche mince monocristalline de grenat magnétique selon l'invention comprend une étape de croissance de la couche mince monocristalline de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide au moyen d'un fondant à base de PbO à une température d'au moins environ 940 C. A titre d'alternative, l'étape de croissance peut être mise en oeuvre par épitaxie en phase liquide au moyen d'un fondant à base de PbO ayant une teneur
en un composé de Pb, exprimée en PbO, au plus égale à environ 70 % en masse.
Dans ce procédé, les deux alternatives ci-dessus peuvent être combinées.
Ainsi, selon la présente invention, il est possible d'empêcher les pertes d'insertion, une augmentation de la durée de réponse transitoire et de la puissance électrique d'entrée saturée dans le cas d'un dispositif à ondes hyperfréquences qui
utilise la couche mince monocristalline de grenat magnétique.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée
qui suit et se réfère au dessin annexé dont la figure unique est une vue isométrique
d'un exemple de dispositif à ondes hyperfréquences selon la présente invention.
Les présents demandeurs ont étudié des améliorations des couches minces monocristallines de grenat magnétique et ont constaté que le plomb contenu dans ces couches minces à titre d'impureté a une influence défavorable sur les pertes d'insertion, la durée de réponse transitoire et la puissance d'entrée saturée.
Conventionnellement, on fait croître une couche mince mono-
cristalline de grenat magnétique au moyen d'un procédé d'épitaxie en phase liquide utilisant un fondant à base de PbO car PbO fond à une température relativement basse, est stable à l'état fondu et présente une faible viscosité. Ces caractéristiques sont importantes pour faire croître une excellente couche mince monocristalline de grenat magnétique, mais les présents demandeurs ont constaté que le plomb présent dans le fondant de PbO est incorporé de manière néfaste dans la couche mince monocristalline de grenat magnétique obtenue pendant la croissance cristalline. D'après les études menées par les présents demandeurs, on suppose que Pb est sous forme de Pb2+ ou de Pb4+ dans la couche mince monocristalline de grenat magnétique obtenue et que Pb2+ ou Pb4+ réduit Fe3+ en Fe2+, ce qui dégrade les caractéristiques concernant les pertes d'insertion, la durée de réponse
transitoire et la puissance d'entrée saturée.
Bien qu'il soit possible de faire croître une couche mince mono-
cristalline de grenat magnétique sans plomb en employant un flux sans plomb, il est impossible de faire croître une couche mince monocristalline de grenat
magnétique présentant une excellente cristallinité sans utiliser PbO.
Compte tenu de ce qui précède, selon la présente invention, la couche mince monocristalline de grenat magnétique utilisée pour un dispositif à ondes hyperfréquences comprend Pb dans le domaine compris entre 0 et environ 4 000 ppm en masse car, quand la teneur en Pb est limitée à environ 4 000 ppm en masse ou moins, la couche mince monocristalline de grenat magnétique présente d'excellentes caractéristiques concernant les pertes d'insertion, la durée de réponse
transitoire et la puissance d'entrée saturée.
On a constaté qu'il est possible de limiter la quantité de Pb dans la couche mince en contrôlant la température ou la teneur en PbO du fondant, ou les deux. Il est possible de faire croître la couche mince monocristalline de grenat contenant Pb à raison d'environ 4 000 ppm en masse ou moins par épitaxie en phase liquide en utilisant un fondant à base de PbO à une température d'au moins environ 940 C. Conventionnellement, on considérait qu'il était préférable de faire croître une couche mince monocristalline de grenat à basse température de manière à améliorer la cristallinité de la couche mince. Ceci est en accord avec l'emploi d'un fondant à base de PbO. Toutefois, comme on l'expliquera dans la suite, on a constaté que l'ampleur de contamination par Pb décroît quand la température de croissance augmente. Quand on porte la température au-delà de
940 C, il peut être approprié d'abaisser la teneur en Pb du fondant.
A titre d'alternative, on réalise l'épitaxie en phase liquide en utilisant un fondant à base de PbO ayant une teneur en un composé de Pb, exprimée en PbO, qui ne dépasse pas environ 70 % en masse. On a constaté aussi que l'ampleur de contamination par Pb diminue quand la température de croissance augmente et que, si la teneur en un composé de Pb ne dépasse pas environ 70 %, l'ampleur de contamination par Pb diminue beaucoup. On peut employer une température de
croissance inférieure à 940 C si la teneur en PbO est suffisamment basse.
On va maintenant décrire des modes de réalisation de la présente invention que l'on préfère en se référant à la figure unique du dessin qui est une vue en perspective d'un dispositif à ondes hyperfréquences selon un exemple de la présente invention. Le dispositif à ondes hyperfréquences 10 comprend une couche mince monocristalline de grenat magnétique 12 formée sur l'une des surfaces principales d'un substrat de Gd3Ga5O12 14. Deux transducteurs 16a et 16b constitués par des fils métalliques sont disposés parallèlement à distance l'un de l'autre sur la couche mince monocristalline de grenat magnétique 12. Une borne du transducteur 16a est reliée à une borne d'entrée (non représentée) et l'autre borne est reliée à la masse. De plus, un champ magnétique en courant continu est appliqué au dispositif 10 dans une direction parallèle à la surface principale de la couche mince monocristalline de grenat magnétique 12 et dans une direction
parallèle aux transducteurs 16a et 16b, comme l'indique la flèche H0.
Exemple 1
On a utilisé un substrat de Gd3Ga5O12 comme substrat pour former une couche mince monocristalline de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide. Puis, on a utilisé comme matières premières Fe203, Y203, PbO et B203 en des quantités de 7,5 % en masse, 0,5 % en masse, 90,0 % en masse et 2,0 % en masse respectivement, que l'on a mélangées, introduites dans un creuset en platine maintenu dans un four électrique vertical, homogénéisées à une température de 1200 C et fait fondre. On a maintenu la masse fondue à une température de croissance constante comprise entre 930 et 950 C indiquée dans le tableau 1 suivant, de manière que le grenat soit sursaturé. Puis, on a plongé le substrat de Gd3GasO]2 dans la masse fondue et on l'a fait tourner pendant une durée prédéterminée. Ensuite, on a retiré le substrat de la masse fondue et on l'a fait tourner à grande vitesse pour éliminer sous l'influence de la force centrifuge la
masse fondue située sur la couche mince monocristalline de grenat magnétique.
On a ainsi formé une couche mince monocristalline de grenat magnétique de
Y3Fe5Ol2 d'une épaisseur d'environ 10 pm.
On a produit des dispositifs 10 à ondes hyperfréquences tels que celui représenté sur la figure en utilisant les couches minces monocristallines de grenat magnétique ainsi obtenues et on a mesuré les pertes d'insertion, la durée de réponse transitoire et la puissance électrique d'entrée saturée. De plus, on a mesuré la teneur en Pb des couches minces monocristallines de grenat magnétique
obtenues. Les résultats correspondants sont présentés dans le tableau I ci-dessous.
Dans le tableau 1, les échantillons comportant un astérisque * ne sont pas
conformes à la présente invention.
Tableau 1
Echantillon Température Teneur en Pertes Durée de Puissance n de Pb de la d'insertion réponse d'entrée croissance couche (dB) transitoire saturée ( C) mince (ppm (ns) (dBm) en masse)
1* 930 6200 16 330 -17
2* 935 5800 14 290 -18
3 940 3900 9 180 -25
4 945 2100 7 170 -26
* 950 pas de formation de couche mince monocristalline de YIG Comme le montre le tableau 1, les échantillons n 1, 2 et 5 qui ne sont pas conformes à la présente invention n'ont pas permis d'obtenir des dispositifs à ondes hyperfréquences présentant des faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance d'entrée saturée, ou n'ont pas permis de former une couche mince monocristalline de grenat magnétique. Au contraire, les échantillons n 3 et 4 qui sont conformes à la présente invention ont permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance
électrique d'entrée saturée.
Exemple 2
On a utilisé un substrat de Gd3Ga50O2 comme substrat pour former une couche mince monocristalline de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide. Puis, on a utilisé comme matières premières Fe203, Y203 et B203 en des quantités de 7,5 % en masse, 0,5 % en masse et 2,0 % en masse, respectivement, et PbO et MoO3 en les quantités indiquées dans le tableau 2 suivant. Puis, on a mélangé toutes les matières premières, on les a introduites dans un creuset en platine maintenu dans un four électrique vertical, on les a homogénéisées à une température de 1200 C et on les a fait fondre. On a maintenu la masse fondue
résultante à une température de 920 C de manière que le grenat soit sursaturé.
Puis, on a plongé le substrat de Gd2Ga5O12 dans la masse fondue et on l'a fait tourner pendant une durée prédéterminée. Ensuite, on a retiré le substrat de la masse fondue et on l'a fait tourner à grande vitesse pour éliminer sous l'influence
de la force centrifuge la masse fondue présente sur la couche mince mono-
cristalline de grenat magnétique. On a ainsi formé une couche mince mono-
cristalline de grenat magnétique de Y3Fe5OI2 d'une épaisseur d'environ 10 pm.
On a produit des dispositifs à ondes hyperfréquences 10 en utilisant les couches minces monocristallines de grenat magnétique obtenues et on a mesuré les pertes d'insertion, la durée de réponse transitoire et la puissance électrique
d'entrée saturée. De plus, on a mesuré la teneur en Pb des couches minces mono-
cristallines de grenat magnétique obtenues. Les résultats obtenus sont présentés dans le tableau 2 ci-dessous. Dans le tableau 2, les échantillons comportant un
astérisque ne sont pas conformes à la présente invention.
Tableau 2
Echantillon Teneur en Teneur en Teneur en Pertes Durée de Puissance n PbO MoO3 Pb de la d'insertion réponse d'entrée (% en (% en couche (dB) transitoire saturée masse) masse) mince (ns) (dBm) (ppm en masse)
6* 90 0 8400 22 390 -14
7* 80 10 6700 18 300 -17
8 70 20 3500 10 190 -25
9 60 30 3100 8 160 -27
Comme le montre le tableau 2, les échantillons n 6 et 7 qui ne sont pas conformes à l'invention n'ont pas permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance électrique d'entrée saturée. Au contraire, les échantillons 8 et 9 conformes à la présente invention ont permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte
durée de réponse transitoire et une faible puissance électrique d'entrée saturée.
Exemple 3
On a utilisé un substrat de Gd3Ga5O12 comme substrat pour former une couche mince monocristalline de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide. Puis, on a utilisé comme matières premières Fe203, Y203, La203, Ga203 et B203 en des quantités de 7,0 % en masse, 0,5 % en masse, 0,1 % en masse, 0,4 % en masse et 2,0 % en masse, respectivement, ainsi que PbO et MoO3 en les quantités indiquées dans le tableau 3 ci-dessous. Puis, on a mélangé toutes les matières premières, on les a introduites dans un creuset en platine maintenu dans un four électrique vertical, on les a homogénéisées à une température de 1200 C et on les a fait fondre. On a maintenu la masse fondue résultante à une température de 900 C de manière que le grenat soit sursaturé. Puis, on a plongé le substrat de Gd3Ga5012 dans la masse fondue et on l'a fait tourner pendant une durée prédéterminée. Ensuite, on a retiré le substrat de la masse fondue et on l'a fait tourner à grande vitesse pour éliminer sous l'effet de la force centrifuge la masse fondue présente sur la couche mince monocristalline de grenat magnétique. On a ainsi obtenu une couche mince monocristalline de grenat magnétique de
(Y,La)3(Fe,Ga)5012 d'une épaisseur d'environ 10 pm.
On a produit des dispositifs à ondes hyperfréquences 10 en utilisant les couches minces monocristallines de grenat magnétique ainsi obtenues et on a mesuré les pertes d'insertion, la durée de réponse transitoire et la puissance électrique d'entrée saturée. De plus, on a mesuré la teneur en Pb des couches
minces monocristallines de grenat magnétique obtenues. Les résultats correspon-
dants sont présentés dans le tableau 3 ci-dessous. Dans le tableau 3, les échantillons comportant un astérisque * ne sont pas conformes à la présente invention.
Tableau 3
Echantillon Teneur en Teneur en Teneur en Pertes Durée de Puissance n PbO MoO3 Pb de la d'insertion réponse d'entrée (% en (% en couche (dB) transitoire saturée masse) masse) mince (ns) (dBm) (ppm en masse)
* 90 0 8900 24 330 -19
11* 80 10 7200 19 280 -20
12 70 20 3900 10 180 -28
13 60 30 3000 9 160 -29
Comme le montre le tableau 3, les échantillons n 10 et 1 qui ne sont pas conformes à la présente invention n'ont pas permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance électrique d'entrée saturée. Au contraire, les échantillons 12 et 13 conformes à la présente invention ont permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance électrique d'entrée saturée.
Exemple 4
On a utilisé un substrat de Gd3Ga5Ol2 comme substrat pour former une couche mince monocristalline de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide. Puis, on a utilisé comme matières premières Fe203, Y203 et B203 en des quantités de 7,5 % en masse, 0,5 % en masse et 2,0 % en masse, respectivement,
ainsi que PbO, PbF2 et MoO3 en les quantités indiquées dans le tableau 4 ci-
dessous. Puis, on a mélangé toutes les matières premières, on les a introduites dans un creuset en platine maintenu dans un four électrique vertical, on les a homogénéisées à une température de 1200 C et on les a fait fondre. On a maintenu la masse fondue à une température de 910 C de manière que le grenat soit sursaturé. Puis, on a plongé le substrat de Gd3Ga5O12 dans la masse fondue et on l'a fait tourner pendant une durée prédéterminée. Ensuite, on a retiré le substrat de la masse fondue et on l'a fait tourner à grande vitesse pour éliminer sous l'influence de la force centrifuge la masse fondue présente sur la couche mince
monocristalline de grenat magnétique. On a ainsi formé une couche mince mono-
cristalline de grenat magnétique de Y3F501O2 d'une épaisseur d'environ 10 pm.
On a produit des dispositifs à ondes hyperfréquences 10 en utilisant les couches minces monocristallines de grenat magnétique obtenues, et on a mesuré les pertes d'insertion, la durée de réponse transitoire et la puissance électrique
d'entrée saturée. De plus, on a mesuré la teneur en Pb des couches minces mono-
cristallines de grenat magnétique obtenues. Les résultats correspondants sont présentés dans le tableau 4 ci-dessous. Dans le tableau 4, les échantillons
comportant un astérisque ne sont pas conformes à la présente invention.
Tableau 4
Teneur Teneur Teneur Teneur en Pb de Durée de Puissance Echan- en PbO en PbF2 en MoO3 la couche Pertes réponse d'entrée tillon n (%c en (% en (%c en mince d'insertion transitoire saturée masse) masse) masse) (ppm en (dB) (ns) (dBm) masse)
14* 85 5 0 6400 23 300 -16
* 75 5 10 6000 20 260 -17
16 65 S 20 2100 9 200 -25
17 55 5 30 1800 7 170 -27
Comme le montre le tableau 4, les échantillons n 14 et 15 qui ne sont pas conformes à la présente invention n'ont pas permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance électrique d'entrée saturée. Au contraire, les échantillons 16 et 17 conformes à la présente invention ont permis de produire des dispositifs à ondes hyperfréquences ayant de faibles pertes d'insertion, une courte durée de réponse transitoire et une faible puissance électrique d'entrée
saturée.
Ainsi, comme le montrent les exemples précédents, en réduisant la concentration en Pb d'une couche mince monocristalline de grenat magnétique à environ 4 000 ppm en masse ou moins, il est possible de limiter les pertes d'insertion à des valeurs ne dépassant pas 10 dB, la durée de réponse transitoire à des valeurs ne dépassant pas 200 ns et la puissance électrique d'entrée saturée a
des valeurs ne dépassant pas -25 dBm.
Claims (6)
1. Couche mince monocristalline de grenat magnétique, caractérisée en ce qu'elle a une teneur en Pb comprise dans le domaine de 0 à environ 4 000 ppm en masse.
2. Couche mince monocristalline de grenat magnétique selon la
revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre du fer.
3. Couche mince monocristalline de grenat magnétique selon l'une
quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en ce qu'elle est obtenue par
épitaxie en phase liquide.
4. Procédé de fabrication d'une couche mince monocristalline de grenat magnétique, caractérisé en ce qu'il comprend la croissance d'une couche mince monocristalline de grenat magnétique par épitaxie en phase liquide et l'emploi d'un fondant à base de PbO (a) à une température au moins égale à environ 940 C et/ou (b) ayant une teneur en un composé de Pb, exprimée en PbO,
d'au plus environ 70 % en masse.
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche
mince monocristalline de grenat magnétique comprend en outre du fer.
6. Dispositif à ondes hyperfréquences, caractérisé en ce qu'il comprend une couche mince monocristalline de grenat magnétique (12) selon l'une
quelconque des revendications 1 à 3 et un substrat (14).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10158474A JPH11340038A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 磁性ガーネット単結晶膜、磁性ガーネット単結晶膜の製造方法および静磁波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2783357A1 true FR2783357A1 (fr) | 2000-03-17 |
| FR2783357B1 FR2783357B1 (fr) | 2003-09-26 |
Family
ID=15672540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9906475A Expired - Fee Related FR2783357B1 (fr) | 1998-05-22 | 1999-05-21 | Couche mince monocristalline de grenat magnetique a faible teneur en plomb, son procede de fabrication et dispositif a ondes hyperfrequences le contenant |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6426156B2 (fr) |
| JP (1) | JPH11340038A (fr) |
| DE (1) | DE19922784B4 (fr) |
| FR (1) | FR2783357B1 (fr) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3539322B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2004-07-07 | 株式会社村田製作所 | 静磁波素子 |
| WO2009054054A1 (fr) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Pioneer Corporation | Procédé et dispositif de mesure du retrait d'un support d'enregistrement d'hologramme |
| CN116154435B (zh) * | 2023-04-21 | 2023-08-08 | 成都威频科技有限公司 | 一种基于开口谐振环的yig限幅器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4273610A (en) * | 1979-09-11 | 1981-06-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for controlling the resonance frequency of yttrium iron garnet films |
| JPH02248398A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3837911A (en) * | 1971-04-12 | 1974-09-24 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic devices utilizing garnet epitaxial materials and method of production |
| JPS6057210B2 (ja) * | 1978-10-13 | 1985-12-13 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 |
| JPS61222109A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法 |
| JPH0760965B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1995-06-28 | 株式会社村田製作所 | 静磁波装置 |
| JPH07335438A (ja) * | 1994-06-15 | 1995-12-22 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波デバイス用材料 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP10158474A patent/JPH11340038A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-18 DE DE19922784A patent/DE19922784B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-21 FR FR9906475A patent/FR2783357B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-30 US US09/772,438 patent/US6426156B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4273610A (en) * | 1979-09-11 | 1981-06-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for controlling the resonance frequency of yttrium iron garnet films |
| JPH02248398A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| DATABASE WPI Section Ch Week 199046, Derwent World Patents Index; Class J04, AN 1990-344615, XP002191556 * |
| W.HONGXU ET AL: "The growth of LPE YIG films with narrow FMR Linewidth", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS., vol. 20, no. 5, September 1984 (1984-09-01), IEEE INC. NEW YORK., US, pages 1222 - 1223, XP002191555, ISSN: 0018-9464 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2783357B1 (fr) | 2003-09-26 |
| US20010006038A1 (en) | 2001-07-05 |
| DE19922784B4 (de) | 2006-06-14 |
| US6426156B2 (en) | 2002-07-30 |
| JPH11340038A (ja) | 1999-12-10 |
| DE19922784A1 (de) | 1999-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2845523A1 (fr) | Procede pour realiser un substrat par transfert d'une plaquette donneuse comportant des especes etrangeres, et plaquette donneuse associee | |
| FR2548219A1 (fr) | Procede de formation d'une couche de matiere a constituants multiples | |
| FR2804245A1 (fr) | Procede de formation d'une couche mince cristalline contenant du silicium | |
| FR2783357A1 (fr) | Couche mince monocristalline de grenat magnetique a faible teneur en plomb, son procede de fabrication et dispositif a ondes hyperfrequences le contenant | |
| FR2606546A1 (fr) | Pellicule mince en materiau magnetique doux | |
| EP2134883A1 (fr) | Cible de pulverisation cathodique d'oxynitrure | |
| FR2536210A1 (fr) | Couches en silicium polycristallin pour dispositifs a semi-conducteurs et procede de formation d'un dispositif a semi-conducteurs | |
| EP0186528B1 (fr) | Matériau magnétique du type grenat, film magnétique à forte rotation Faraday comportant un tel matériau et son procédé de fabrication | |
| FR2888399A1 (fr) | Substrat, notamment en carbure de silicium, recouvert par une couche mince de nitrure de silicium stoechiometrique, pour la fabrication de composants electroniques, et procede d'obtention d'une telle couche | |
| FR2960562A1 (fr) | Monocristal texture | |
| EP0848414A1 (fr) | Procédé de relaxation de film contraint par fusion de couche interfaciale | |
| JP2003282897A (ja) | Ｃｕ２Ｏ薄膜及び太陽電池の製造方法 | |
| EP0392925B1 (fr) | Matériau composite comportant une couche d'un composé III-V et une couche de pnicture de terres rares, procédé de fabrication et application | |
| EP0524114B1 (fr) | Procédé de fabrication d'un cristal à gradient de maille | |
| EP0024378A1 (fr) | Procédé de réalisation d'une couche contenant du silicium à structure hybride entre les formes amorphe et polycristalline, et pile solaire comprenant une telle couche | |
| FR2795096A1 (fr) | Procede de production d'une couche mince monocristalline de grenat magnetique et couche mince obtenue par ce procede | |
| FR2597885A1 (fr) | Monocristal d'un compose du groupe iiib-vb en particulier de gaas et procede pour sa preparation | |
| FR2802342A1 (fr) | Element a ondes magnetostatiques et son procede de fabrication | |
| CA1311402C (fr) | Procede de preparation de semi-isolants 3-5 monocristallins pardopage et application des semi-isolants ainsi obtenus | |
| WO2024115410A1 (fr) | Support comprenant une couche de piegeage de charges, substrat composite comprenant un tel support et procedes de fabrication associes. | |
| WO2024115411A1 (fr) | Support comprenant une couche de piegeage de charges, substrat composite comprenant un tel support et procedes de fabrication associes | |
| Dylla et al. | Adsorption and Oxidation Effects in Microcrystalline Silicon | |
| WO2024175311A1 (fr) | Support comprenant une couche de piégeage de charges, substrat composite comprenant un tel support et procédé de fabrication associés | |
| FR2570394A1 (fr) | Procede de realisation d'un monocristal d'arseniure de gallium et d'indium | |
| JP2002029893A (ja) | マイクロ波素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20080131 |