JPS6057210B2 - 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜Info
- Publication number
- JPS6057210B2 JPS6057210B2 JP53125101A JP12510178A JPS6057210B2 JP S6057210 B2 JPS6057210 B2 JP S6057210B2 JP 53125101 A JP53125101 A JP 53125101A JP 12510178 A JP12510178 A JP 12510178A JP S6057210 B2 JPS6057210 B2 JP S6057210B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- film
- garnet
- 4πms
- garnet film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Prostheses (AREA)
- Magnetic Treatment Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、バブル直径がほぼ１．５μｍ以下の高密度記
憶用磁気バブルメモリ素子に好適な、ガーネット膜に関
する。
憶用磁気バブルメモリ素子に好適な、ガーネット膜に関
する。
微小バブル（直径がほぼ１μｍ程度のバブル）用ガーネ
ット膜の材料としては、たとえばＧａ置換型ガーネット
として、（ＥｕＴｍ）Ｏ（ＦｅＧａ）、Ｏ、Ｏ、（Ｅｕ
Ｙｂ）Ｏ（ＦｅＧａ）、Ｏ、Ｏ、（ＥｕＬｕ）Ｏ（Ｆｅ
Ｇａ）。
ット膜の材料としては、たとえばＧａ置換型ガーネット
として、（ＥｕＴｍ）Ｏ（ＦｅＧａ）、Ｏ、Ｏ、（Ｅｕ
Ｙｂ）Ｏ（ＦｅＧａ）、Ｏ、Ｏ、（ＥｕＬｕ）Ｏ（Ｆｅ
Ｇａ）。
Ｏ、Ｏなどが、すでに提案されている。また、他のタイ
プの材料としては、ＥｕをＳｍにかえた（ＳｍＬｕ）Ｏ
（ＦｅＧａ）。Ｏ、、や、Ｆｅを他の元素て置換しない
（ＳｍＴｍ）。Ｆｅ。Ｏ、Ｏなども提案されている。こ
れらのガーネット膜は、（１）飽和磁束密度４πＭｓが
ほぼ８００Ｇ以上と大きい（たとえば、上 ｅを置換し
ない材料では４πＭｓ′＞、１２００Ｃ−であるが、２
μｍφ材料である（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧａ）。
プの材料としては、ＥｕをＳｍにかえた（ＳｍＬｕ）Ｏ
（ＦｅＧａ）。Ｏ、、や、Ｆｅを他の元素て置換しない
（ＳｍＴｍ）。Ｆｅ。Ｏ、Ｏなども提案されている。こ
れらのガーネット膜は、（１）飽和磁束密度４πＭｓが
ほぼ８００Ｇ以上と大きい（たとえば、上 ｅを置換し
ない材料では４πＭｓ′＞、１２００Ｃ−であるが、２
μｍφ材料である（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧａ）。
Ｏ、Ｏでは４πＭｓユ４３０Ｇ、（ＹＳｍＬｕ）Ｏ（Ｆ
ｅＧａ）５Ｏ、２では４πＭｓ１３８０である）、（２
）キューリー温度Ｔｃが２００℃以上と大きく、交換相
互作用定数Ａは〜３×１０−″ｅｒｇ／ＣｒｒＬ以上で
ある。（３）異方性エネルギーＫｕが２μｍφ材料に比
して２倍以上大きい、などの特徴を有している。これら
の磁性膜をバブル素子に用いる場合、最も大きな問題は
バブルを転送させるためのコイルでの消費電力Ｐが激増
し、著しい発熱をともなうことである。
ｅＧａ）５Ｏ、２では４πＭｓ１３８０である）、（２
）キューリー温度Ｔｃが２００℃以上と大きく、交換相
互作用定数Ａは〜３×１０−″ｅｒｇ／ＣｒｒＬ以上で
ある。（３）異方性エネルギーＫｕが２μｍφ材料に比
して２倍以上大きい、などの特徴を有している。これら
の磁性膜をバブル素子に用いる場合、最も大きな問題は
バブルを転送させるためのコイルでの消費電力Ｐが激増
し、著しい発熱をともなうことである。
これは、Ｐが磁性膜のＭｓの自乗にほぼ比例して増大す
るが、微小バブル用磁性膜の−４πＭｓは上記のように
大きいためである。したがつて微小バブル材料を開発す
るうえでの第１の要件は、できるだけＭｓを小さくする
ことである。今、バブル径ｄと膜厚れとが等しい場合、
４πＭｓは次式で表わされる。ノ ３２００π Ａ−Ｈ
ｋ ４πＭｓ■（ｄ０）”ｌ” ここで匪は異方性磁界（Ξ惰）である。
るが、微小バブル用磁性膜の−４πＭｓは上記のように
大きいためである。したがつて微小バブル材料を開発す
るうえでの第１の要件は、できるだけＭｓを小さくする
ことである。今、バブル径ｄと膜厚れとが等しい場合、
４πＭｓは次式で表わされる。ノ ３２００π Ａ−Ｈ
ｋ ４πＭｓ■（ｄ０）”ｌ” ここで匪は異方性磁界（Ξ惰）である。
上式において、Ｈｋはバブルを安定に存在させるために
はあまり小さくすることはできない。
はあまり小さくすることはできない。
通常爪はバブルの動作温度範囲で〜１０００００ｅが必
要である。したがつて４７ｒＭＳを小さくするためには
、Ａを小さくすることが必要である。Ａは主にＦｅイオ
ン間の相互作用できまるからＦｅイオン量が多いほどＡ
は大きくなる。したがつて所望の４πＭｓを得るために
必要なＦｅの置換イオンの量が多いものほどＡは小さく
なる。ただし、Ａが１．５ｘ１０−７ｅｒｇＩｃｍ以下
になると、キュリー温度Ｔｃが１５０゜Ｃ以下となるた
め、バブルの温度変化が著しく大きくなつて実用に供し
得ない。Ｆｅの置換イオンとして、Ａｌ３＋，Ｇｅ４＋
，Ｓｉ４＋，■５＋などがあるが、これらのうちＡｌ３
＋以外のイオンは、単独ではＡおよびＴｃの両者を同時
に好ましい値にすることは困難である。
要である。したがつて４７ｒＭＳを小さくするためには
、Ａを小さくすることが必要である。Ａは主にＦｅイオ
ン間の相互作用できまるからＦｅイオン量が多いほどＡ
は大きくなる。したがつて所望の４πＭｓを得るために
必要なＦｅの置換イオンの量が多いものほどＡは小さく
なる。ただし、Ａが１．５ｘ１０−７ｅｒｇＩｃｍ以下
になると、キュリー温度Ｔｃが１５０゜Ｃ以下となるた
め、バブルの温度変化が著しく大きくなつて実用に供し
得ない。Ｆｅの置換イオンとして、Ａｌ３＋，Ｇｅ４＋
，Ｓｉ４＋，■５＋などがあるが、これらのうちＡｌ３
＋以外のイオンは、単独ではＡおよびＴｃの両者を同時
に好ましい値にすることは困難である。
本発明は、ＡおよびＴｃを同時に好ましい値にすること
が可能なＡｌ３＋によつてＦｅを所定量だけ置換するも
のてあり、その置換量ｙは、０．２〜０．９の範囲内に
あることが必要てある。
が可能なＡｌ３＋によつてＦｅを所定量だけ置換するも
のてあり、その置換量ｙは、０．２〜０．９の範囲内に
あることが必要てある。
本発明の要旨は、一般式
ｊ＆ν暴―墨Ａ編轟ν０ＪＡＡ＆ＪＶｌ２（ただし、
ＲはＹ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｌｕ，Ｌｌなる群から選ば
れた少なくとも一種の元素、０．５〈ｘ〈２．０，０．
２くｙ＜０．９，ＲとしてＧｄを用いた場，合、Ｇｄ（
７）量は一分子当たり０．５以下である）て表わされる
組成を有する磁気バブルメモリ素子用ガーネット膜にあ
る。
ＲはＹ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｌｕ，Ｌｌなる群から選ば
れた少なくとも一種の元素、０．５〈ｘ〈２．０，０．
２くｙ＜０．９，ＲとしてＧｄを用いた場，合、Ｇｄ（
７）量は一分子当たり０．５以下である）て表わされる
組成を有する磁気バブルメモリ素子用ガーネット膜にあ
る。
バブル径がほぼ１．５μｍ以下の微小バブル用ガーネッ
ト膜においては、４πＭｓが５５０〜１３００Ｇ（７）
！範囲内にあることが必要である。
ト膜においては、４πＭｓが５５０〜１３００Ｇ（７）
！範囲内にあることが必要である。
４πＭｓが５５０より小さいと、バブル径がほぼ１．５
μｍ以下の微小バブルが存在できず、また、１３００以
上になると、異方性エネルギがてき難いため、微小バブ
ルが安定に存在するのが困難になる。
μｍ以下の微小バブルが存在できず、また、１３００以
上になると、異方性エネルギがてき難いため、微小バブ
ルが安定に存在するのが困難になる。
４πＭｓの値はｙの値と対応し、４πＭＳ５５Ｏおよび
１３００に対応するｙの値は、それぞれ０．２および０
．９てあり、したがつて、ｙは０．２〜０．９の範囲内
にある必要がある。
１３００に対応するｙの値は、それぞれ０．２および０
．９てあり、したがつて、ｙは０．２〜０．９の範囲内
にある必要がある。
また、Ｙ，Ｌｌ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍ，Ｌｕは磁気損失っ
が小さいため膜と基板の格子定数を一致させるためＲＯ
として添加し、Ｓｍは異方性発現効果を示すイオンとし
て添加した。
が小さいため膜と基板の格子定数を一致させるためＲＯ
として添加し、Ｓｍは異方性発現効果を示すイオンとし
て添加した。
Ｓｍは異方性発現効果が大きいだけでなく、磁気損失も
比較的少ないので、バブルの移動度を損なうことは少な
く、また、Ｌａ，Ｌｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍは異方性効果
も有するので、Ｓｍとともに、所望の異方性エネルギを
得るうえにも有効である。Ｓｍの添加量を示すｘは一定
の範囲内にあることが必要である。
比較的少ないので、バブルの移動度を損なうことは少な
く、また、Ｌａ，Ｌｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｔｍは異方性効果
も有するので、Ｓｍとともに、所望の異方性エネルギを
得るうえにも有効である。Ｓｍの添加量を示すｘは一定
の範囲内にあることが必要である。
すなわち、バブル径がほぼ１．５μｍ以下の微小バブル
用ガーネット膜においては、上記のように、４πＭｓは
５５０〜１３００Ｇの範囲内になければならない。この
ような条件下で微小バブルが安定して存在するためには
、Ｘが０．５〜２．０の範囲内にあることが必要である
。ｘが０．５より小さいと、異方性エネルギが小さすぎ
るため微小バブルが形成できず、ｘが２．０より大きく
なると、バブルの移動速度が非常に遅くなり、実用に供
するのは困難になる。
用ガーネット膜においては、上記のように、４πＭｓは
５５０〜１３００Ｇの範囲内になければならない。この
ような条件下で微小バブルが安定して存在するためには
、Ｘが０．５〜２．０の範囲内にあることが必要である
。ｘが０．５より小さいと、異方性エネルギが小さすぎ
るため微小バブルが形成できず、ｘが２．０より大きく
なると、バブルの移動速度が非常に遅くなり、実用に供
するのは困難になる。
α量が一分子式当り０．５モル以上になると、４πＭｓ
の温度変化が大きくなり、温度特性が不良になるのでＧ
ｄ量は０．５モル以上になるのは避ける必要があり、Ｒ
１として、Ｙなど上記他の元素とともに使用する。
の温度変化が大きくなり、温度特性が不良になるのでＧ
ｄ量は０．５モル以上になるのは避ける必要があり、Ｒ
１として、Ｙなど上記他の元素とともに使用する。
次に本発明に係るガーネット膜と従来のガーネット膜と
の特性の比較をする。
の特性の比較をする。
下記４種類のガーネット（１）〜（５）のうち、（１）
〜（４）は従来のガーネット、（５）は本願発明の一例
であり、いずれも、直径ほぼ１μｍ程度の微小バブル用
として提案されたものてある。
〜（４）は従来のガーネット、（５）は本願発明の一例
であり、いずれも、直径ほぼ１μｍ程度の微小バブル用
として提案されたものてある。
これらのガーネット（１）〜（５）は、本発明のみがＳ
ｍとＡ１の両者を含んでいる以外の点ては、よく以た組
成を有していることがわかる。
ｍとＡ１の両者を含んでいる以外の点ては、よく以た組
成を有していることがわかる。
しかし、これらのガーネット膜の特性を測定すると、下
記表のように著るく異なつていることがわかつた。
記表のように著るく異なつていることがわかつた。
上記表に示した結果から明らかなように、直径がはぼ１
μｍの微小バブル用ガーネットであつても、本願発明の
ガーネット５は、他のガーネット（１）〜（４）にくら
べて、バブル消減磁界と４πＭｓが著るしく小さい。
μｍの微小バブル用ガーネットであつても、本願発明の
ガーネット５は、他のガーネット（１）〜（４）にくら
べて、バブル消減磁界と４πＭｓが著るしく小さい。
バブル消減磁界と４７ｒＭＳは、バブル転送特性に大き
く影響するから、これらを小さく保ちながら微小バブル
を保持し得る本願発明は極めて有用である。
く影響するから、これらを小さく保ちながら微小バブル
を保持し得る本願発明は極めて有用である。
たとえば、上記表において、本願発明によるガーーネツ
ト５の４７ｒＭＳは他のガーネットの４πＭＳより、ほ
ぼ２５％小さい。
ト５の４７ｒＭＳは他のガーネットの４πＭＳより、ほ
ぼ２５％小さい。
磁気バブル素子の消費電力は、４πＭｓの２乗にほぼ比
例するから、本願発明により、消費電力がほぼ１／２に
低下している。この効果が、微小バブル用の素子を形成
する上に、極めて大きいことはいうまでもない。
例するから、本願発明により、消費電力がほぼ１／２に
低下している。この効果が、微小バブル用の素子を形成
する上に、極めて大きいことはいうまでもない。
実施例１
原料酸化物Ｙ２Ｏ３Ｏ．５６ｙ．．Ｓｍ２Ｏ３Ｏ．８７
ｙｌＦｅ２Ｏ３ｌ６ｙ．Ａｌ２Ｏ３Ｏ．５４ｙ及びフラ
ックスＰｂＯ２３Ｏダ、Ｂ２Ｏ３４．６ｙを白金るつぼ
中て１２００℃×■時間処理して均質化した後９２０′
Ｃで３分間液相エピタキシャル成長させた。
ｙｌＦｅ２Ｏ３ｌ６ｙ．Ａｌ２Ｏ３Ｏ．５４ｙ及びフラ
ックスＰｂＯ２３Ｏダ、Ｂ２Ｏ３４．６ｙを白金るつぼ
中て１２００℃×■時間処理して均質化した後９２０′
Ｃで３分間液相エピタキシャル成長させた。
このようにして得られたガーネット膜の特性値は膜厚（
ｈ）＝バブル径（ｄ）＝０．８μｍ１特性長（ト））＝
０．０９μｍキュリー温度（ＴＣ）＝１８００Ｃ．．Ａ
＝２．０×１０−７ｅｒｇ／Ｃｗｌであり、４π〜１ｓ
は７００Ｇまで減少した。また磁壁移土力度μｗは２５
０ｃｍＩｓ．０ｅ，Ｈｋは１５０００ｅであり、本材料
を用いてバブル素子を作製した場合、バブルの高速転送
が可能でかつ十分バブルが安定であることがわかつた。
また保磁力Ｈｃも０．８０ｅと小さく、極めて容易に良
質膜が得られた。本実施例における膜の組成はＹｌ．７
ｓｍｌ．３Ｆｅ４．３ＡｌＯ．７Ｏｌ２である。実施例
２ Ｓｍ２０３１．２ｙ．Ｔｍ２０３０．６ｙ．．Ｆｅ２０
３１６ｆＩ、，Ａｌ２Ｏ３Ｏ．３ｙおよびＰｂＯ２５Ｏ
ｙｌ八０３５．０ｙをそれぞれ原料酸化物およびフラッ
クスに用い、実施例１と同様にして液相成長を行なつた
。
ｈ）＝バブル径（ｄ）＝０．８μｍ１特性長（ト））＝
０．０９μｍキュリー温度（ＴＣ）＝１８００Ｃ．．Ａ
＝２．０×１０−７ｅｒｇ／Ｃｗｌであり、４π〜１ｓ
は７００Ｇまで減少した。また磁壁移土力度μｗは２５
０ｃｍＩｓ．０ｅ，Ｈｋは１５０００ｅであり、本材料
を用いてバブル素子を作製した場合、バブルの高速転送
が可能でかつ十分バブルが安定であることがわかつた。
また保磁力Ｈｃも０．８０ｅと小さく、極めて容易に良
質膜が得られた。本実施例における膜の組成はＹｌ．７
ｓｍｌ．３Ｆｅ４．３ＡｌＯ．７Ｏｌ２である。実施例
２ Ｓｍ２０３１．２ｙ．Ｔｍ２０３０．６ｙ．．Ｆｅ２０
３１６ｆＩ、，Ａｌ２Ｏ３Ｏ．３ｙおよびＰｂＯ２５Ｏ
ｙｌ八０３５．０ｙをそれぞれ原料酸化物およびフラッ
クスに用い、実施例１と同様にして液相成長を行なつた
。
得られた膜の特性は、ｈ＝ｄ＝０．５μＭｌｌ＝０．０
５６μｍ１キュリー温度ＴＣ＝２２０℃、Ａ＝２．５×
１０−７ｅｒｇ／Ｃｍであり４πＭＳは９５０Ｇであつ
た。
５６μｍ１キュリー温度ＴＣ＝２２０℃、Ａ＝２．５×
１０−７ｅｒｇ／Ｃｍであり４πＭＳは９５０Ｇであつ
た。
μｗは、１８０Ｃ７Ｆ！／ｓ・０ｅ，Ｈｋは１７０００
ｅである。本材料を用いることにより、ビット周期４μ
ｍの超高密度磁気バルブ素子ができることが明らかにな
つた。本実施例における膜の組成はＳｍ２ＴｍｌＦｅ４
・６Ａ１０・４０１２であるＯ実施例３下記に示す融液
組成でＧｄ３Ｇａ５Ｏｌ２単結晶上にエピタキシャル成
長させたガーネット膜は事実上Ｙ１・７６ｓｒｒ１０・
９２Ｇｄ０・３２Ｆｅ４・３８Ａ１０・６２０１２なる
組成を有し）バブル径は室温で１．０μｍ１膜厚１．０
μｍであつた。
ｅである。本材料を用いることにより、ビット周期４μ
ｍの超高密度磁気バルブ素子ができることが明らかにな
つた。本実施例における膜の組成はＳｍ２ＴｍｌＦｅ４
・６Ａ１０・４０１２であるＯ実施例３下記に示す融液
組成でＧｄ３Ｇａ５Ｏｌ２単結晶上にエピタキシャル成
長させたガーネット膜は事実上Ｙ１・７６ｓｒｒ１０・
９２Ｇｄ０・３２Ｆｅ４・３８Ａ１０・６２０１２なる
組成を有し）バブル径は室温で１．０μｍ１膜厚１．０
μｍであつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 Ｒ＿３＿−＿ｘＳｍ＿ｘＦｅ＿５＿−＿ｙＡｌ＿ｙＯ＿
１＿２（ただし、ＲはＹ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｌｕ、Ｌ
ａなる群から選ばれた少なくとも一種の元素、０．５＜
ｘ＜２．０、０．２＜ｙ＜０．９、ＲとしてＧｄを用い
た場合、Ｇｄの量は一分子当たり０．５以下である）で
表わされる組成を有する磁気バブルメモリ素子用ガーネ
ット膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53125101A JPS6057210B2 (ja) | 1978-10-13 | 1978-10-13 | 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 |
| GB7935577A GB2034297B (en) | 1978-10-13 | 1979-10-12 | Garnet film for a magnetic bubble device |
| DE19792941442 DE2941442A1 (de) | 1978-10-13 | 1979-10-12 | Granatfilm fuer ein magnetblasen-speicherelement |
| NL7907616A NL178920C (nl) | 1978-10-13 | 1979-10-15 | Magnetisch bellengeheugenelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53125101A JPS6057210B2 (ja) | 1978-10-13 | 1978-10-13 | 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5552205A JPS5552205A (en) | 1980-04-16 |
| JPS6057210B2 true JPS6057210B2 (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14901870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53125101A Expired JPS6057210B2 (ja) | 1978-10-13 | 1978-10-13 | 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057210B2 (ja) |
| DE (1) | DE2941442A1 (ja) |
| GB (1) | GB2034297B (ja) |
| NL (1) | NL178920C (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642311A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Hitachi Ltd | Garnet film for magnetic bubble |
| US4433034A (en) * | 1982-04-12 | 1984-02-21 | Allied Corporation | Magnetic bubble layer of thulium-containing garnet |
| WO1995016269A1 (fr) * | 1993-12-06 | 1995-06-15 | Kirbitov, Viktor Mikhailovich | Materiau ferromagnetique et son procede de production |
| JPH11340038A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜、磁性ガーネット単結晶膜の製造方法および静磁波デバイス |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825197A (ja) * | 1971-08-04 | 1973-04-02 | ||
| JPS4855399A (ja) * | 1971-11-15 | 1973-08-03 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7607959A (nl) * | 1976-07-19 | 1978-01-23 | Philips Nv | Magnetisch beldomein materiaal. |
-
1978
- 1978-10-13 JP JP53125101A patent/JPS6057210B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-10-12 GB GB7935577A patent/GB2034297B/en not_active Expired
- 1979-10-12 DE DE19792941442 patent/DE2941442A1/de active Granted
- 1979-10-15 NL NL7907616A patent/NL178920C/xx not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4825197A (ja) * | 1971-08-04 | 1973-04-02 | ||
| JPS4855399A (ja) * | 1971-11-15 | 1973-08-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2941442C2 (ja) | 1989-10-19 |
| GB2034297A (en) | 1980-06-04 |
| NL178920B (nl) | 1986-01-02 |
| DE2941442A1 (de) | 1980-04-17 |
| NL178920C (nl) | 1986-06-02 |
| JPS5552205A (en) | 1980-04-16 |
| GB2034297B (en) | 1982-10-13 |
| NL7907616A (nl) | 1980-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mimura et al. | Hall effect in rare‐earth–transition‐metal amorphous alloy films | |
| US3995093A (en) | Garnet bubble domain material utilizing lanthanum and lutecium as substitution elements to yields high wall mobility and high uniaxial anisotropy | |
| Bonner et al. | Growth and characteristics of high mobility bubble domain garnets with improved temperature stability | |
| Zhang et al. | Magnetic properties and domain-wall motion in single-crystal BaFe 10.2 Sn 0.74 Co 0.66 O 19 | |
| Van Uitert et al. | Control of bubble domain properties in garnets | |
| Van Uitert et al. | Garnets for bubble domain devices | |
| US4183999A (en) | Garnet single crystal film for magnetic bubble domain devices | |
| US4002803A (en) | Magnetic bubble devices with controlled temperature characteristics | |
| JPS6057210B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 | |
| US6733587B2 (en) | Process for fabricating an article comprising a magneto-optic garnet material | |
| Van Uitert et al. | Rare earth orthoferrites for bubble domain devices | |
| Van Uitert et al. | Hexagonal ferrites for bubble domain devices | |
| US4239805A (en) | Method of depositing a layer of magnetic bubble domain material on a monocrystalline substrate | |
| Sellmyer et al. | Magnetic properties of Fe/Nd multilayer films | |
| Nielsen | Properties and preparation of magnetic materials for bubble domains | |
| JPS58186916A (ja) | ツリウム含有ガ−ネットを使用した磁性バブル装置 | |
| US3646529A (en) | Magnetic devices utilizing garnet compositions | |
| JP2002287104A (ja) | 磁石不使用ファラデー回転子の製造法 | |
| JPH0570290B2 (ja) | ||
| Tănăsoiu et al. | Crystal growth and bubble domain properties of some aluminium substituted hexaferrites | |
| US3949386A (en) | Bubble domain devices using garnet materials with single rare earth ion on all dodecahedral sites | |
| US3837911A (en) | Magnetic devices utilizing garnet epitaxial materials and method of production | |
| JPS59213111A (ja) | 磁気バブルメモリ用ガ−ネツト膜 | |
| JPS5933963B2 (ja) | 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 | |
| Ferrand et al. | Properties of 2 µm bubbles garnet films |