JPS5933963B2 - 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 - Google Patents
磁気バブル用磁性ガ−ネット膜Info
- Publication number
- JPS5933963B2 JPS5933963B2 JP55086625A JP8662580A JPS5933963B2 JP S5933963 B2 JPS5933963 B2 JP S5933963B2 JP 55086625 A JP55086625 A JP 55086625A JP 8662580 A JP8662580 A JP 8662580A JP S5933963 B2 JPS5933963 B2 JP S5933963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- garnet film
- bubbles
- film
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
- H01F41/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids by liquid phase epitaxy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/91—Product with molecular orientation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子において、磁気バブルを
保持する膜として好適な、磁気バブル用ガーネット膜に
関する。
保持する膜として好適な、磁気バブル用ガーネット膜に
関する。
直径がほぼ2.5μm以下の、いわゆる微小バブル用の
磁性ガーネット膜は、一般に、バブル消減磁界Hoの温
度変化が大きいことが知られている。
磁性ガーネット膜は、一般に、バブル消減磁界Hoの温
度変化が大きいことが知られている。
たとえば、直径約2μmのバブルを保持することのでき
る(YSmLu)3(FeGa)5012膜の場合、3
0℃におけるHoの温度変化率は、−0.30%/0C
〜−0.35%/℃である。一方、バイアス磁界の印加
に一般に用いられている、バリウムフェライト材料のバ
イアス磁界の温度変化率は、−0.20%/℃であり、
両者の間には、相当大きな差が存在する。
る(YSmLu)3(FeGa)5012膜の場合、3
0℃におけるHoの温度変化率は、−0.30%/0C
〜−0.35%/℃である。一方、バイアス磁界の印加
に一般に用いられている、バリウムフェライト材料のバ
イアス磁界の温度変化率は、−0.20%/℃であり、
両者の間には、相当大きな差が存在する。
バブル磁性膜のHoの温度変化率が、上記バイアス磁界
の温度変化率と大きく異なると、バブルが安定に動作し
得る温度範囲が、極めて狭くなつてしまうので、磁気バ
ブルメモリ素子としては、非常に好ましくないことは明
らかである。
の温度変化率と大きく異なると、バブルが安定に動作し
得る温度範囲が、極めて狭くなつてしまうので、磁気バ
ブルメモリ素子としては、非常に好ましくないことは明
らかである。
本発明の目的は、従来の磁気バブル用ガーネット膜の有
する上記問題を解決し、広い温度変化範囲において、安
定に動作し得るような微小磁気バブル用ガーネット膜を
提供することである。
する上記問題を解決し、広い温度変化範囲において、安
定に動作し得るような微小磁気バブル用ガーネット膜を
提供することである。
上記目的を達成するため、本発明は(LaLuSm)3
(FeGa)5O、2なる組成を有する磁性ガーネット
膜に所定量のGdを添加し、かつ、GaおよびSmの量
を調節することによつて、直径1μm以下という微小バ
ブルの形成が可能であるばかりでなく、温度特性が良好
、磁壁移動速度μが大、保持力Hcが小さい、など素子
の動作に好まし特性を有する磁性ガーネット膜を得るも
のである。
(FeGa)5O、2なる組成を有する磁性ガーネット
膜に所定量のGdを添加し、かつ、GaおよびSmの量
を調節することによつて、直径1μm以下という微小バ
ブルの形成が可能であるばかりでなく、温度特性が良好
、磁壁移動速度μが大、保持力Hcが小さい、など素子
の動作に好まし特性を有する磁性ガーネット膜を得るも
のである。
すなわち、本発明にかかる磁性ガーネット膜は、通常の
液相エピタキシャル成長法によつて、容易に形成するこ
とができるが、直径0.4〜1.0ttmという極めて
微小な磁気バブルを保持し、良好な特性で動作させるこ
とができる、大きな垂直磁気異方性を生じ、異方性磁界
Hkの大きさは1500〜3500e、安定度qは2.
5〜5.0である、バブル消減磁界Hoの温度変化率は
−0.25〜一 0.0%/℃の間にあり、バリウムフ
ェライト磁石などによるバイアス磁界HBの温度変化率
によく適合する、磁壁移動度μwが大きく、200cm
/秒/0e以上に達する。
液相エピタキシャル成長法によつて、容易に形成するこ
とができるが、直径0.4〜1.0ttmという極めて
微小な磁気バブルを保持し、良好な特性で動作させるこ
とができる、大きな垂直磁気異方性を生じ、異方性磁界
Hkの大きさは1500〜3500e、安定度qは2.
5〜5.0である、バブル消減磁界Hoの温度変化率は
−0.25〜一 0.0%/℃の間にあり、バリウムフ
ェライト磁石などによるバイアス磁界HBの温度変化率
によく適合する、磁壁移動度μwが大きく、200cm
/秒/0e以上に達する。
さらに、保持力Hcは0.2〜2.00eと小さいなど
、多くの特徴を有して卦り、微小バブル用磁性ガーネツ
ト膜として、極めてすぐれている。本発明は、上記のよ
うに、所定量のGaを含有しs (LaLu)3jx−
YSmxGdyFe5−ZGazOl2なる一般式で表
わされる組成を有している。
、多くの特徴を有して卦り、微小バブル用磁性ガーネツ
ト膜として、極めてすぐれている。本発明は、上記のよ
うに、所定量のGaを含有しs (LaLu)3jx−
YSmxGdyFe5−ZGazOl2なる一般式で表
わされる組成を有している。
x<0.3になると、室温ではqく2.0,80。Cで
はq〈1.0になる。バブルが安定に存在して動作する
ためには、qがほぼ2より大きいことが必要であるが、
X<0.3のときは、qが2より小さくなり、バブルは
安定に存在できない。また、x〉1.0ではμwが20
0cm/秒/0e以下になり、バブルの高速動作(10
0KHz以上の駆動)ができなくなるので、xは0.3
から1.0の範囲内にあることが必要である。
はq〈1.0になる。バブルが安定に存在して動作する
ためには、qがほぼ2より大きいことが必要であるが、
X<0.3のときは、qが2より小さくなり、バブルは
安定に存在できない。また、x〉1.0ではμwが20
0cm/秒/0e以下になり、バブルの高速動作(10
0KHz以上の駆動)ができなくなるので、xは0.3
から1.0の範囲内にあることが必要である。
y〈0.2では、HOの温度変化率がl−0.25%/
℃l以上になる。
℃l以上になる。
一方、y〉1.0では、HOが低温(−40〜20℃)
に卦いて急激に低下してしまいバイアス磁界に適合しな
くなるので、yは0.2から1.0の範囲内でなければ
ならない。また、Zは、0.8より大きくなると飽和磁
束密度4πMsが600G以下となるため、バブル直径
が1.0μm以上になつてしまうので、zは0.8以下
とすることが必要である。実施例 −一 −一 −一 八 J4J− UGa2O
,2で表わされる磁性ガーネツト膜Vc.卦いて、X,
y卦よびzの値を種々に変えて、特性を測定し、第1表
に示す結果を得た。
に卦いて急激に低下してしまいバイアス磁界に適合しな
くなるので、yは0.2から1.0の範囲内でなければ
ならない。また、Zは、0.8より大きくなると飽和磁
束密度4πMsが600G以下となるため、バブル直径
が1.0μm以上になつてしまうので、zは0.8以下
とすることが必要である。実施例 −一 −一 −一 八 J4J− UGa2O
,2で表わされる磁性ガーネツト膜Vc.卦いて、X,
y卦よびzの値を種々に変えて、特性を測定し、第1表
に示す結果を得た。
第1表に卦いて、判定欄の○は、微小バブル用ガーネツ
ト膜として好適であることを示し、×は不適であること
を示して卦り、備考欄に不適の理由を示した。また、第
1表の結果を、XとYlfCついてグラフに表示すると
第1図のようになり、x卦よびyが上記範囲内ならば、
好ましい結果の得られることがわかつた。第1図Vc卦
ける数字卦よび0,×は、それぞれ第1表Vc卦ける番
号卦よび○,×に対応する
ト膜として好適であることを示し、×は不適であること
を示して卦り、備考欄に不適の理由を示した。また、第
1表の結果を、XとYlfCついてグラフに表示すると
第1図のようになり、x卦よびyが上記範囲内ならば、
好ましい結果の得られることがわかつた。第1図Vc卦
ける数字卦よび0,×は、それぞれ第1表Vc卦ける番
号卦よび○,×に対応する
第1図は、Sm量XとGd量yの好ましい範囲を示す曲
線図である。
線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (LaLu)_3_−_x_−_ySm_xGd_yF
e_5_−_zGa_zO_1_2ただし、0.3≦x
≦1.00.2≦y≦1.0 0.0≦Z≦0.8 で表わされる組成を有することを特徴とする磁気バブル
用磁性ガーネット膜。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55086625A JPS5933963B2 (ja) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 |
US06/278,700 US4397912A (en) | 1980-06-27 | 1981-06-29 | Garnet film for magnetic bubble element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55086625A JPS5933963B2 (ja) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5715276A JPS5715276A (en) | 1982-01-26 |
JPS5933963B2 true JPS5933963B2 (ja) | 1984-08-20 |
Family
ID=13892200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55086625A Expired JPS5933963B2 (ja) | 1980-06-27 | 1980-06-27 | 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4397912A (ja) |
JP (1) | JPS5933963B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4728178A (en) * | 1984-07-02 | 1988-03-01 | Allied Corporation | Faceted magneto-optical garnet layer and light modulator using the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3995093A (en) * | 1975-03-03 | 1976-11-30 | Rockwell International Corporation | Garnet bubble domain material utilizing lanthanum and lutecium as substitution elements to yields high wall mobility and high uniaxial anisotropy |
JPS6011450B2 (ja) * | 1976-10-08 | 1985-03-26 | 株式会社日立製作所 | 泡磁区素子用ガ−ネツト単結晶膜 |
NL7713759A (nl) * | 1977-12-13 | 1979-06-15 | Philips Nv | Magnetisch beldomein materiaal en inrichting voor het voortbewegen van magnetische beldomei- nen waarvan een dergelijk materiaal deel uit- maakt. |
JPS5562714A (en) * | 1978-11-01 | 1980-05-12 | Hitachi Ltd | Garnet film for magnetic bubble |
JPS5642311A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-20 | Hitachi Ltd | Garnet film for magnetic bubble |
FR2466836B1 (fr) * | 1979-10-03 | 1985-08-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour regler la dimension des bulles d'elements a bulles magnetiques |
-
1980
- 1980-06-27 JP JP55086625A patent/JPS5933963B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-06-29 US US06/278,700 patent/US4397912A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5715276A (en) | 1982-01-26 |
US4397912A (en) | 1983-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Humphrey et al. | Flux reversal in soft ferromagnetics | |
US4367257A (en) | Thin magnetic recording medium | |
JPS6079702A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS5837608B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS5933963B2 (ja) | 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 | |
US3795541A (en) | Ferromagnetic material | |
RU2138069C1 (ru) | Магнитооптическая тонкопленочная структура | |
US4338372A (en) | Garnet film for magnetic bubble device | |
JPS6249969B2 (ja) | ||
JPH03296202A (ja) | 磁性膜 | |
JPS6057210B2 (ja) | 磁気バブルメモリ素子用ガ−ネット膜 | |
JP2679157B2 (ja) | テルビウム鉄ガーネット及びそれを用いた磁気光学素子 | |
US3938111A (en) | Magnetic device for producing domains | |
Weng et al. | Domain wall mobility in rare earth-transition metal alloys | |
JPS6213801B2 (ja) | ||
JPH039079B2 (ja) | ||
JPS6122451A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
US4207613A (en) | Bubble device containing a ferrite biasing magnet | |
SU1541673A1 (ru) | Носитель информации | |
JPS5817604A (ja) | 磁気バブル材料 | |
Carey et al. | High coercivity sputtered Nd-Fe films with perpendicular anisotropy | |
JP2824998B2 (ja) | 磁性膜 | |
JPS6244843B2 (ja) | ||
JP2948589B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH039080B2 (ja) |