JPS5933963B2 - 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 - Google Patents

磁気バブル用磁性ガ−ネット膜

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JPS5933963B2
JPS5933963B2 JP55086625A JP8662580A JPS5933963B2 JP S5933963 B2 JPS5933963 B2 JP S5933963B2 JP 55086625 A JP55086625 A JP 55086625A JP 8662580 A JP8662580 A JP 8662580A JP S5933963 B2 JPS5933963 B2 JP S5933963B2
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JP
Japan
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magnetic
garnet film
bubbles
film
bubble
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JP55086625A
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憲雄 太田
圭吉 安藤
譲 細江
愃 杉田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • H01F10/18Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
    • H01F10/20Ferrites
    • H01F10/24Garnets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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    • H01F41/24Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリ素子において、磁気バブルを
保持する膜として好適な、磁気バブル用ガーネット膜に
関する。
直径がほぼ2.5μm以下の、いわゆる微小バブル用の
磁性ガーネット膜は、一般に、バブル消減磁界Hoの温
度変化が大きいことが知られている。
たとえば、直径約2μmのバブルを保持することのでき
る(YSmLu)3(FeGa)5012膜の場合、3
0℃におけるHoの温度変化率は、−0.30%/0C
〜−0.35%/℃である。一方、バイアス磁界の印加
に一般に用いられている、バリウムフェライト材料のバ
イアス磁界の温度変化率は、−0.20%/℃であり、
両者の間には、相当大きな差が存在する。
バブル磁性膜のHoの温度変化率が、上記バイアス磁界
の温度変化率と大きく異なると、バブルが安定に動作し
得る温度範囲が、極めて狭くなつてしまうので、磁気バ
ブルメモリ素子としては、非常に好ましくないことは明
らかである。
本発明の目的は、従来の磁気バブル用ガーネット膜の有
する上記問題を解決し、広い温度変化範囲において、安
定に動作し得るような微小磁気バブル用ガーネット膜を
提供することである。
上記目的を達成するため、本発明は(LaLuSm)3
(FeGa)5O、2なる組成を有する磁性ガーネット
膜に所定量のGdを添加し、かつ、GaおよびSmの量
を調節することによつて、直径1μm以下という微小バ
ブルの形成が可能であるばかりでなく、温度特性が良好
、磁壁移動速度μが大、保持力Hcが小さい、など素子
の動作に好まし特性を有する磁性ガーネット膜を得るも
のである。
すなわち、本発明にかかる磁性ガーネット膜は、通常の
液相エピタキシャル成長法によつて、容易に形成するこ
とができるが、直径0.4〜1.0ttmという極めて
微小な磁気バブルを保持し、良好な特性で動作させるこ
とができる、大きな垂直磁気異方性を生じ、異方性磁界
Hkの大きさは1500〜3500e、安定度qは2.
5〜5.0である、バブル消減磁界Hoの温度変化率は
−0.25〜一 0.0%/℃の間にあり、バリウムフ
ェライト磁石などによるバイアス磁界HBの温度変化率
によく適合する、磁壁移動度μwが大きく、200cm
/秒/0e以上に達する。
さらに、保持力Hcは0.2〜2.00eと小さいなど
、多くの特徴を有して卦り、微小バブル用磁性ガーネツ
ト膜として、極めてすぐれている。本発明は、上記のよ
うに、所定量のGaを含有しs (LaLu)3jx−
YSmxGdyFe5−ZGazOl2なる一般式で表
わされる組成を有している。
x<0.3になると、室温ではqく2.0,80。Cで
はq〈1.0になる。バブルが安定に存在して動作する
ためには、qがほぼ2より大きいことが必要であるが、
X<0.3のときは、qが2より小さくなり、バブルは
安定に存在できない。また、x〉1.0ではμwが20
0cm/秒/0e以下になり、バブルの高速動作(10
0KHz以上の駆動)ができなくなるので、xは0.3
から1.0の範囲内にあることが必要である。
y〈0.2では、HOの温度変化率がl−0.25%/
℃l以上になる。
一方、y〉1.0では、HOが低温(−40〜20℃)
に卦いて急激に低下してしまいバイアス磁界に適合しな
くなるので、yは0.2から1.0の範囲内でなければ
ならない。また、Zは、0.8より大きくなると飽和磁
束密度4πMsが600G以下となるため、バブル直径
が1.0μm以上になつてしまうので、zは0.8以下
とすることが必要である。実施例 −一 −一 −一 八 J4J− UGa2O
,2で表わされる磁性ガーネツト膜Vc.卦いて、X,
y卦よびzの値を種々に変えて、特性を測定し、第1表
に示す結果を得た。
第1表に卦いて、判定欄の○は、微小バブル用ガーネツ
ト膜として好適であることを示し、×は不適であること
を示して卦り、備考欄に不適の理由を示した。また、第
1表の結果を、XとYlfCついてグラフに表示すると
第1図のようになり、x卦よびyが上記範囲内ならば、
好ましい結果の得られることがわかつた。第1図Vc卦
ける数字卦よび0,×は、それぞれ第1表Vc卦ける番
号卦よび○,×に対応する
【図面の簡単な説明】
第1図は、Sm量XとGd量yの好ましい範囲を示す曲
線図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (LaLu)_3_−_x_−_ySm_xGd_yF
    e_5_−_zGa_zO_1_2ただし、0.3≦x
    ≦1.00.2≦y≦1.0 0.0≦Z≦0.8 で表わされる組成を有することを特徴とする磁気バブル
    用磁性ガーネット膜。
JP55086625A 1980-06-27 1980-06-27 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜 Expired JPS5933963B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55086625A JPS5933963B2 (ja) 1980-06-27 1980-06-27 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜
US06/278,700 US4397912A (en) 1980-06-27 1981-06-29 Garnet film for magnetic bubble element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55086625A JPS5933963B2 (ja) 1980-06-27 1980-06-27 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5715276A JPS5715276A (en) 1982-01-26
JPS5933963B2 true JPS5933963B2 (ja) 1984-08-20

Family

ID=13892200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55086625A Expired JPS5933963B2 (ja) 1980-06-27 1980-06-27 磁気バブル用磁性ガ−ネット膜

Country Status (2)

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US (1) US4397912A (ja)
JP (1) JPS5933963B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4728178A (en) * 1984-07-02 1988-03-01 Allied Corporation Faceted magneto-optical garnet layer and light modulator using the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3995093A (en) * 1975-03-03 1976-11-30 Rockwell International Corporation Garnet bubble domain material utilizing lanthanum and lutecium as substitution elements to yields high wall mobility and high uniaxial anisotropy
JPS6011450B2 (ja) * 1976-10-08 1985-03-26 株式会社日立製作所 泡磁区素子用ガ−ネツト単結晶膜
NL7713759A (nl) * 1977-12-13 1979-06-15 Philips Nv Magnetisch beldomein materiaal en inrichting voor het voortbewegen van magnetische beldomei- nen waarvan een dergelijk materiaal deel uit- maakt.
JPS5562714A (en) * 1978-11-01 1980-05-12 Hitachi Ltd Garnet film for magnetic bubble
JPS5642311A (en) * 1979-09-17 1981-04-20 Hitachi Ltd Garnet film for magnetic bubble
FR2466836B1 (fr) * 1979-10-03 1985-08-30 Commissariat Energie Atomique Procede pour regler la dimension des bulles d'elements a bulles magnetiques

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5715276A (en) 1982-01-26
US4397912A (en) 1983-08-09

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