JPH0570290B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0570290B2 JPH0570290B2 JP57182851A JP18285182A JPH0570290B2 JP H0570290 B2 JPH0570290 B2 JP H0570290B2 JP 57182851 A JP57182851 A JP 57182851A JP 18285182 A JP18285182 A JP 18285182A JP H0570290 B2 JPH0570290 B2 JP H0570290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- garnet
- point
- ions
- positions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 25
- -1 iron ions Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical group [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001451 bismuth ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気バブル素子に用いられる磁性ガ
ーネツト膜に関し、詳しくは、バブル直径ほぼ
0.4μm以下の微小磁気バブルを保持するのに好適
な、磁気バブル素子に用いられる磁性ガーネツト
膜に関する。 〔従来技術〕 磁気バブルメモリ素子用ガーネツト材料におい
てバブル直径を小さくするためには飽和磁束密度
（4πMs）を大きくすれば良いことが知られてい
る。バブル直径をほぼ0.4μm以下にするためには
4πMsを約1900G以上にする必要がある。ところ
で鉄ガーネツトの飽和磁化（Ms）の大部分は、
４面体位置を占める鉄イオン（Fe3+；組成式当
り３個）の磁化と、これと逆方向を向いて配列し
ている８面体位置の鉄イオン（Fe3+；組成式当
り２個）の磁化との差によつて生ずる。従来、所
望の4πMsをもつ磁性ガーネツト膜は、４面体位
置選択性の強いガリウム（Ga3+）、アルミニウム
（Al3+）、シリコン（Si4+）もしくはゲルマニウム
（Ge4+）イオンなどで４面体位置の鉄イオン
（Fe3+）を置換することによりえられてきた。 従つて、４面体位置の鉄イオン（Fe3+）を置
換するGa3+，Al3+，Si4+，Ge4+などのイオンの
量を少なくすることにより4πMsを大きくしてバ
ブル直径を小さくすることができる。たとえば、
（SmLu）3Fe5-yGayO12系ガーネツトにおいて、ｙ
＝０とすることにより4πMsが約1800Gのバブル
用ガーネツト膜が形成されている（AIP.
Conference Proceedings No.29 PP.105−107，
1975）。しかし、このガーネツト系では、四面体
位置の鉄イオンの置換量をこれ以上少なくするこ
とができないため、これ以上4πMsを大きくする
ことはできない。 4πMsを大きくする他の１つの方法として、８
面体位置選択性の強い、スカンジウム（Sc3+）な
どの非磁性イオンで８面体位置の鉄イオン
（Fe3+）を置換することが考えられる。たとえ
ば、Y3 Fe5-y Scy O12でSc量ｙを０から0.7
まで増加することにより絶対零度における4πMs
が50％程度増加することが、知られている（J.
Appl.Phys.Vol.37，PP.1408−1415（1966））。そ
こで、4πMsの値を上記（SmLu）3Fe5O12で得ら
れた1800G以上にするためには、８面体位置の
Fe3+を非磁性イオンで置換すれば良いと考えら
れる。しかし、実際に８面体位置のFe3+をSc3+
で置換したガーネツト膜の室温（25℃）における
4πMsを測定してみると、第１図に示したように、
Sc量ｙを増加させてもほとんど4πMsは増加しな
い。これは、第２図に示したように、Sc量ｙの
増加とともにキユリー温度（Tc）が低くなり、
その結果、鉄イオン間の磁気的な相互作用が弱く
なつて、4πMsが増加しないものと考えられる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、飽
和磁束密度が大きく、直径0.4μm以下の磁気バブ
ルを保持できる磁気バブル素子に用いられる磁性
ガーネツト膜を提供することである。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するため、本発明はビスマスイ
オン（Bi3+）によつて鉄イオン（Fe3+）間の磁
気的相互作用を強めるとともに、８面体位置の鉄
イオン（Fe3+）を非磁性イオンで置換すること
により、室温（25℃）における飽和磁束密度を
1900G以上にして、直径がほぼ0.4μm以下の微小
バブルを保持し得るようにするものである。 〔発明の実施例〕 以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。イツトリウム鉄ガーネツト（Y3Fe5O12）の
12面体位置を占めるイツトリウムイオン（Y3+）
の一部をビスマス（Bi3+）、鉛（Pb2+）などのイ
オン半径の大きなイオンで置換すると、キユリー
温度が高くなることが知られている。特にBi3+を
用いた場合にこの効果は大きい。このような、キ
ユリー温度の上昇は、Bi3+によつてFe3+間の磁
気的相互作用が強められることを示唆している。
従つて、８面体位置のFe3+を非磁性イオンで置
換したガーネツトにおいて、12面体位置を占める
イオンの一部をBi3+で置換すれば、Fe3+間の磁
気的相互作用が強められて室温（25℃）における
4πMsが増大すると考えられる。ところで、12面
体位置を占めるイオンは一般に４面体位置の
Fe3+と逆向きの磁化を持つており、これは4πMs
を小さくする。従つて、12面体位置を占めるBi3+
以外のイオンとしては、このような磁化が小さい
Y3+，La3+，Sm3+，Tm3+，Yb3+，Lu3+が適し
ている。とくに、Sm3+とLu3+をそれぞれ、組成
式当り0.7個以上含んでいると、バブルを安定に
存在させるための磁気異方性が大きくなり、とく
に好ましい。また、８面体位置のFe3+を置換す
る非磁性イオンとしては、８面体位置選択性が強
く、かつ電荷補償を必要としないSc3+，In3+Cr3+
が好適である。 第３図に（SmLu）3-xBixFe5-yScyO12において、
Bi量ｘを０，0.2，0.6，0.9とした場合のSc量ｙと
室温（25℃）における4πMsの関係を示す。第３
図から明かなように、Bi3+を含まないｘ＝０の場
合に比べて、Bi3+を含んだ場合はいずれも4πMs
が大きくなり、4πMsを1900G以上にできる。 第４図はｘを０〜0.9の範囲におけるキユリー
温度TcのSc量ｙ依存性を示す。いずれの場合も
Sc量の増加とともにキユリー温度Tcが低下する
が、Sc量ｙが同じであればBi量が多い膜ほどキ
ユリー温度は高い。 キユリー温度は、バブル素子の動作温度範囲の
上限を決めている重要な因子である。特に、イオ
ン打ち込みによつてバブル駆動層を形成するイオ
ン打ち込み素子においては、イオン打ち込みによ
つてバブル駆動層のキユリー温度が50度程度低下
するため、あらかじめキユリー温度を高くしてお
く必要がある。この点からもBiを含むガーネツ
ト膜の方が有利である。動作温度範囲の上限を
100℃以上とするためには、キユリー温度を240℃
以上にする必要がある。 第１表は種々のガーネツト膜の磁気特性を示し
たものである（室温測定値）。これらのガーネツ
ト膜はすべて800℃〜950℃の温度で基板を60rpm
で回転させ周知の液相エピタキシヤル成長法によ
つて作成した。なお基板としては、Nd3
ーネツト膜に関し、詳しくは、バブル直径ほぼ
0.4μm以下の微小磁気バブルを保持するのに好適
な、磁気バブル素子に用いられる磁性ガーネツト
膜に関する。 〔従来技術〕 磁気バブルメモリ素子用ガーネツト材料におい
てバブル直径を小さくするためには飽和磁束密度
（4πMs）を大きくすれば良いことが知られてい
る。バブル直径をほぼ0.4μm以下にするためには
4πMsを約1900G以上にする必要がある。ところ
で鉄ガーネツトの飽和磁化（Ms）の大部分は、
４面体位置を占める鉄イオン（Fe3+；組成式当
り３個）の磁化と、これと逆方向を向いて配列し
ている８面体位置の鉄イオン（Fe3+；組成式当
り２個）の磁化との差によつて生ずる。従来、所
望の4πMsをもつ磁性ガーネツト膜は、４面体位
置選択性の強いガリウム（Ga3+）、アルミニウム
（Al3+）、シリコン（Si4+）もしくはゲルマニウム
（Ge4+）イオンなどで４面体位置の鉄イオン
（Fe3+）を置換することによりえられてきた。 従つて、４面体位置の鉄イオン（Fe3+）を置
換するGa3+，Al3+，Si4+，Ge4+などのイオンの
量を少なくすることにより4πMsを大きくしてバ
ブル直径を小さくすることができる。たとえば、
（SmLu）3Fe5-yGayO12系ガーネツトにおいて、ｙ
＝０とすることにより4πMsが約1800Gのバブル
用ガーネツト膜が形成されている（AIP.
Conference Proceedings No.29 PP.105−107，
1975）。しかし、このガーネツト系では、四面体
位置の鉄イオンの置換量をこれ以上少なくするこ
とができないため、これ以上4πMsを大きくする
ことはできない。 4πMsを大きくする他の１つの方法として、８
面体位置選択性の強い、スカンジウム（Sc3+）な
どの非磁性イオンで８面体位置の鉄イオン
（Fe3+）を置換することが考えられる。たとえ
ば、Y3 Fe5-y Scy O12でSc量ｙを０から0.7
まで増加することにより絶対零度における4πMs
が50％程度増加することが、知られている（J.
Appl.Phys.Vol.37，PP.1408−1415（1966））。そ
こで、4πMsの値を上記（SmLu）3Fe5O12で得ら
れた1800G以上にするためには、８面体位置の
Fe3+を非磁性イオンで置換すれば良いと考えら
れる。しかし、実際に８面体位置のFe3+をSc3+
で置換したガーネツト膜の室温（25℃）における
4πMsを測定してみると、第１図に示したように、
Sc量ｙを増加させてもほとんど4πMsは増加しな
い。これは、第２図に示したように、Sc量ｙの
増加とともにキユリー温度（Tc）が低くなり、
その結果、鉄イオン間の磁気的な相互作用が弱く
なつて、4πMsが増加しないものと考えられる。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、飽
和磁束密度が大きく、直径0.4μm以下の磁気バブ
ルを保持できる磁気バブル素子に用いられる磁性
ガーネツト膜を提供することである。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するため、本発明はビスマスイ
オン（Bi3+）によつて鉄イオン（Fe3+）間の磁
気的相互作用を強めるとともに、８面体位置の鉄
イオン（Fe3+）を非磁性イオンで置換すること
により、室温（25℃）における飽和磁束密度を
1900G以上にして、直径がほぼ0.4μm以下の微小
バブルを保持し得るようにするものである。 〔発明の実施例〕 以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。イツトリウム鉄ガーネツト（Y3Fe5O12）の
12面体位置を占めるイツトリウムイオン（Y3+）
の一部をビスマス（Bi3+）、鉛（Pb2+）などのイ
オン半径の大きなイオンで置換すると、キユリー
温度が高くなることが知られている。特にBi3+を
用いた場合にこの効果は大きい。このような、キ
ユリー温度の上昇は、Bi3+によつてFe3+間の磁
気的相互作用が強められることを示唆している。
従つて、８面体位置のFe3+を非磁性イオンで置
換したガーネツトにおいて、12面体位置を占める
イオンの一部をBi3+で置換すれば、Fe3+間の磁
気的相互作用が強められて室温（25℃）における
4πMsが増大すると考えられる。ところで、12面
体位置を占めるイオンは一般に４面体位置の
Fe3+と逆向きの磁化を持つており、これは4πMs
を小さくする。従つて、12面体位置を占めるBi3+
以外のイオンとしては、このような磁化が小さい
Y3+，La3+，Sm3+，Tm3+，Yb3+，Lu3+が適し
ている。とくに、Sm3+とLu3+をそれぞれ、組成
式当り0.7個以上含んでいると、バブルを安定に
存在させるための磁気異方性が大きくなり、とく
に好ましい。また、８面体位置のFe3+を置換す
る非磁性イオンとしては、８面体位置選択性が強
く、かつ電荷補償を必要としないSc3+，In3+Cr3+
が好適である。 第３図に（SmLu）3-xBixFe5-yScyO12において、
Bi量ｘを０，0.2，0.6，0.9とした場合のSc量ｙと
室温（25℃）における4πMsの関係を示す。第３
図から明かなように、Bi3+を含まないｘ＝０の場
合に比べて、Bi3+を含んだ場合はいずれも4πMs
が大きくなり、4πMsを1900G以上にできる。 第４図はｘを０〜0.9の範囲におけるキユリー
温度TcのSc量ｙ依存性を示す。いずれの場合も
Sc量の増加とともにキユリー温度Tcが低下する
が、Sc量ｙが同じであればBi量が多い膜ほどキ
ユリー温度は高い。 キユリー温度は、バブル素子の動作温度範囲の
上限を決めている重要な因子である。特に、イオ
ン打ち込みによつてバブル駆動層を形成するイオ
ン打ち込み素子においては、イオン打ち込みによ
つてバブル駆動層のキユリー温度が50度程度低下
するため、あらかじめキユリー温度を高くしてお
く必要がある。この点からもBiを含むガーネツ
ト膜の方が有利である。動作温度範囲の上限を
100℃以上とするためには、キユリー温度を240℃
以上にする必要がある。 第１表は種々のガーネツト膜の磁気特性を示し
たものである（室温測定値）。これらのガーネツ
ト膜はすべて800℃〜950℃の温度で基板を60rpm
で回転させ周知の液相エピタキシヤル成長法によ
つて作成した。なお基板としては、Nd3
【表】
Ga5O12およびSm3Ga5O12単結晶を用いそれら
の基板の（111）面上に成長させた。 試料番号Ｉは、12面体位置にBi3+を含まないガ
ーネツト膜である。８面体位置のFe3+をSc3+で
置換したが、キユリー温度が246℃とSc3+で置換
しない場合のキユリー温度（287℃）よりも
39degも低くなつており、飽和磁束密度は1820G
とほとんど増加していない。このためバブル直径
を0.4μm以下にできなかつた。 試料番号は、試料番号Ｉのガーネツト膜の12
面体位置のSm3+およびLu3+の一部をBi3+で置換
したガーネツト膜である。キユリー温度が、Bi3+
を含まない試料番号Ｉに比べて24deg高くなつて
おり、飽和磁束密度は1990Gと大きくなつてい
る。これによつて保持できるバブルの直径は
0.37μmと0.4μm以下になつた。 試料番号は、試料番号のガーネツト膜で８
面体位置のFe3+を置換するのに用いたSc3+の代
わりにIn3+を用いたガーネツト膜である。試料番
号とほぼ同様な特性が得られており、直径
0.4μm以下の微小磁気バブルを保持することがで
きた。 本発明において、Biおよび８面体位置置換元
素の含有量は極めて重要であり、好ましい効果を
得るためには、所定の範囲内にあることが必要で
ある。第２表は一般式R3-xBixFe5-yMyO12（ここ
でＲはＹ，La，Sm，Tm，Yb，Luからなる群
より選択された少なくとも１種からなる元素。Ｍ
はSc，In，Crからなる群より選択された少くと
も一種からなる元素。）で表わされるガーネツト
膜において、Bi量ｘと８面体位置置換元素量ｙ
の値を種々に変えた場合に得られる特性を示す。 第２表において、特性の良否は○および×で表
わした。飽和磁束密度が1900G以上であつて、直
径0.4μm以下の微小磁気バブルが安定に存在する
ことができ、しかも、キユリー温度が240℃以上
のものを○、これ等の条件を満足しないものを×
で表わした。
の基板の（111）面上に成長させた。 試料番号Ｉは、12面体位置にBi3+を含まないガ
ーネツト膜である。８面体位置のFe3+をSc3+で
置換したが、キユリー温度が246℃とSc3+で置換
しない場合のキユリー温度（287℃）よりも
39degも低くなつており、飽和磁束密度は1820G
とほとんど増加していない。このためバブル直径
を0.4μm以下にできなかつた。 試料番号は、試料番号Ｉのガーネツト膜の12
面体位置のSm3+およびLu3+の一部をBi3+で置換
したガーネツト膜である。キユリー温度が、Bi3+
を含まない試料番号Ｉに比べて24deg高くなつて
おり、飽和磁束密度は1990Gと大きくなつてい
る。これによつて保持できるバブルの直径は
0.37μmと0.4μm以下になつた。 試料番号は、試料番号のガーネツト膜で８
面体位置のFe3+を置換するのに用いたSc3+の代
わりにIn3+を用いたガーネツト膜である。試料番
号とほぼ同様な特性が得られており、直径
0.4μm以下の微小磁気バブルを保持することがで
きた。 本発明において、Biおよび８面体位置置換元
素の含有量は極めて重要であり、好ましい効果を
得るためには、所定の範囲内にあることが必要で
ある。第２表は一般式R3-xBixFe5-yMyO12（ここ
でＲはＹ，La，Sm，Tm，Yb，Luからなる群
より選択された少なくとも１種からなる元素。Ｍ
はSc，In，Crからなる群より選択された少くと
も一種からなる元素。）で表わされるガーネツト
膜において、Bi量ｘと８面体位置置換元素量ｙ
の値を種々に変えた場合に得られる特性を示す。 第２表において、特性の良否は○および×で表
わした。飽和磁束密度が1900G以上であつて、直
径0.4μm以下の微小磁気バブルが安定に存在する
ことができ、しかも、キユリー温度が240℃以上
のものを○、これ等の条件を満足しないものを×
で表わした。
上記説明から明らかなように、本発明によれば
飽和磁束密度（4πMs）を1900G以上にできるの
で、膜厚とバブル直径がほぼ等しい磁性ガーネツ
ト膜において、バブル直径をほぼ0.4μm以下とす
ることが可能である。また、キユリー温度を240
℃以上とすることができ、イオン打ち込み素子に
使用しても、極めて好ましい結果が得られる。
飽和磁束密度（4πMs）を1900G以上にできるの
で、膜厚とバブル直径がほぼ等しい磁性ガーネツ
ト膜において、バブル直径をほぼ0.4μm以下とす
ることが可能である。また、キユリー温度を240
℃以上とすることができ、イオン打ち込み素子に
使用しても、極めて好ましい結果が得られる。
第１図は（SmLu）3Fe5-yScyO12単結晶膜のSc
量ｙと飽和磁束密度4πMsの関係を示す曲線図、
第２図は（SmLu）3Fe5-yScyO12単結晶膜のSc量
ｙとキユリー温度Tcの関係を示す曲線図、第３
図は（SmLu）3-xBixFe5-yScyO12単結晶膜のBi量
ｙ，Sc量ｙと飽和磁束密度4πMsの関係を示す曲
線図、第４図は（SmLu）3-xBixFe5-yScyO12単結
晶膜のBi量ｘ，Sc量ｙとキユリー温度Tcの関係
を示す曲線図、第５図は本発明において、Bi量
ｘおよび８面体位置置換元素量ｙの好ましい値の
範囲を示す図である。
量ｙと飽和磁束密度4πMsの関係を示す曲線図、
第２図は（SmLu）3Fe5-yScyO12単結晶膜のSc量
ｙとキユリー温度Tcの関係を示す曲線図、第３
図は（SmLu）3-xBixFe5-yScyO12単結晶膜のBi量
ｙ，Sc量ｙと飽和磁束密度4πMsの関係を示す曲
線図、第４図は（SmLu）3-xBixFe5-yScyO12単結
晶膜のBi量ｘ，Sc量ｙとキユリー温度Tcの関係
を示す曲線図、第５図は本発明において、Bi量
ｘおよび８面体位置置換元素量ｙの好ましい値の
範囲を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性ガーネツト基板上に育成された磁性ガ
ーネツト膜において、その組成が一般式 R3-xBixFe5-yMyO12 （ＲはＹ，La，Sm，Tm，Yb及びLuからな
る群より選択された少なくとも１種の元素、Ｍは
実質的に４面体位置の鉄イオンを置換せず８面体
位置の鉄イオンを置換する少なくとも１種の非磁
性イオン元素であり、且つ０＜ｘ≦0.9、０＜ｙ
≦0.4）で示されることを特徴とする磁性ガーネ
ツト膜。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載の磁性ガーネツ
ト膜において、上記一般式中のＭはSc、In及び
Crからなる群より選択された少なくとも１種の
元素であり、上記ｘ及びｙの値は第５図の点１
（0.2，0.3）と点２（0.2，0.1）を結ぶ線分ａ、
（0.2，0.1）と点（0.9，0.03）を結ぶ線分ｂ、
（0.9，0.03）と点（0.9，0.4）を結ぶ線分ｃ及び
（0.9，0.4）と点（0.2，0.1）を結ぶ線分ｄによつ
て囲まれた領域Ａ内にあることを特徴とする磁性
ガーネツト膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182851A JPS5972707A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁性ガーネット膜 |
| US06/543,423 US4622264A (en) | 1982-10-20 | 1983-10-19 | Garnet film for magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57182851A JPS5972707A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁性ガーネット膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972707A JPS5972707A (ja) | 1984-04-24 |
| JPH0570290B2 true JPH0570290B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=16125563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57182851A Granted JPS5972707A (ja) | 1982-10-20 | 1982-10-20 | 磁性ガーネット膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4622264A (ja) |
| JP (1) | JPS5972707A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2572844B1 (fr) * | 1984-11-02 | 1986-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Materiau magnetique du type grenat, film magnetique a forte rotation faraday comportant un tel materiau et son procede de fabrication |
| US5021302A (en) * | 1986-08-15 | 1991-06-04 | At&T Bell Laboratories | Bismuth-iron garnets with large growth-induced magnetic anisotropy |
| JPS6421908A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Tokin Corp | Material for magnetooptic element |
| US5043231A (en) * | 1988-11-04 | 1991-08-27 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Gadolinium-lutetium-gallium garnet crystal, process for its production and substrate for magneto-optical device made thereof |
| US5925474A (en) * | 1996-10-14 | 1999-07-20 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Bismuth-substituted rare earth iron garnet single crystal film |
| JPH1197242A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 静磁波デバイス |
| US5865106A (en) * | 1998-07-02 | 1999-02-02 | Van Der Ent; Johannes G. | Sandwich cookie making machine |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48104099A (ja) * | 1972-04-14 | 1973-12-26 | ||
| JPS4929497A (ja) * | 1972-07-18 | 1974-03-15 | ||
| JPS5245095A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-08 | Rockwell International Corp | Method of adjusting magnetic property of garnet composition |
| JPS5346699A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-26 | Hitachi Ltd | Garnet single crystal film for magnetic bubble domain element |
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL160659C (nl) * | 1972-01-08 | 1979-11-15 | Philips Nv | Magneto-optische inrichting. |
| JPS5225000B2 (ja) * | 1972-08-11 | 1977-07-05 | ||
| FR2369229A1 (fr) * | 1976-10-26 | 1978-05-26 | Thomson Csf | Grenat ferrimagne |
| US4263374A (en) * | 1978-06-22 | 1981-04-21 | Rockwell International Corporation | Temperature-stabilized low-loss ferrite films |
| JPS56155515A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-01 | Olympus Optical Co Ltd | Magnetic garnet film and manufacture |
| DE3174704D1 (en) * | 1980-07-11 | 1986-07-03 | Philips Nv | Device for propagating magnetic domains |
| NL8004201A (nl) * | 1980-07-22 | 1982-02-16 | Philips Nv | Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. |
| JPS57128911A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Fujitsu Ltd | Magnetic film for magnetic bubble memory |
| EP0061892B1 (en) * | 1981-03-26 | 1988-06-22 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording methods |
| JPS5869498A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-25 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 巻線形誘導電動機の制御方法および装置 |
| US4419417A (en) * | 1981-11-09 | 1983-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic domain device having a wide operational temperature range |
| US4433034A (en) * | 1982-04-12 | 1984-02-21 | Allied Corporation | Magnetic bubble layer of thulium-containing garnet |
-
1982
- 1982-10-20 JP JP57182851A patent/JPS5972707A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-19 US US06/543,423 patent/US4622264A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48104099A (ja) * | 1972-04-14 | 1973-12-26 | ||
| JPS4929497A (ja) * | 1972-07-18 | 1974-03-15 | ||
| JPS5245095A (en) * | 1975-10-03 | 1977-04-08 | Rockwell International Corp | Method of adjusting magnetic property of garnet composition |
| JPS5346699A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-26 | Hitachi Ltd | Garnet single crystal film for magnetic bubble domain element |
| JPS5613710A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Nec Corp | Material for magnetic element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4622264A (en) | 1986-11-11 |
| JPS5972707A (ja) | 1984-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4263374A (en) | Temperature-stabilized low-loss ferrite films | |
| US3995093A (en) | Garnet bubble domain material utilizing lanthanum and lutecium as substitution elements to yields high wall mobility and high uniaxial anisotropy | |
| JPH0570290B2 (ja) | ||
| US4183999A (en) | Garnet single crystal film for magnetic bubble domain devices | |
| Van Uitert et al. | Control of bubble domain properties in garnets | |
| US20030072870A1 (en) | Process for fabricating an article comprising a magneto-optic garnet material | |
| US4138530A (en) | Magnetic structures | |
| US4379853A (en) | Magnetic device having a monocrystalline garnet substrate bearing a magnetic layer | |
| Blank et al. | Design and development of single‐layer, ion‐implantable small bubble materials for magnetic bubble devices | |
| CA1059624A (en) | Characteristic temperature-derived hard bubble suppression | |
| US4269651A (en) | Process for preparing temperature-stabilized low-loss ferrite films | |
| US3519498A (en) | Ferromagnetic film | |
| JP3217721B2 (ja) | ファラデー素子及びファラデー素子の製造方法 | |
| Van Uitert et al. | Hexagonal ferrites for bubble domain devices | |
| US4568618A (en) | Magnetic bubble memory chip | |
| US4433034A (en) | Magnetic bubble layer of thulium-containing garnet | |
| JPS6129128B2 (ja) | ||
| US3949386A (en) | Bubble domain devices using garnet materials with single rare earth ion on all dodecahedral sites | |
| US4468438A (en) | Garnet epitaxial films with high Curie temperatures | |
| JP3387341B2 (ja) | 表面静磁波デバイス | |
| JPS62101012A (ja) | 静磁波マイクロ波素子 | |
| Tănăsoiu et al. | Crystal growth and bubble domain properties of some aluminium substituted hexaferrites | |
| US4354254A (en) | Devices depending on garnet materials | |
| JPS6244685B2 (ja) | ||
| JP3476557B2 (ja) | ファラデー回転子 |