NL8004201A - Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. - Google Patents
Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8004201A NL8004201A NL8004201A NL8004201A NL8004201A NL 8004201 A NL8004201 A NL 8004201A NL 8004201 A NL8004201 A NL 8004201A NL 8004201 A NL8004201 A NL 8004201A NL 8004201 A NL8004201 A NL 8004201A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- magnetic
- iron
- grenade
- layer
- domain
- Prior art date
Links
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 title claims description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 229910017344 Fe2 O3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- -1 rare earth ion Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910016264 Bi2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005230 Ga2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 229910016491 Mn2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004899 motility Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
i * PHN 9809 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen.
De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen, bevattende een monokristallijn niet-magnetisch substraat uit een materiaal met een granaatstructuur en een laag van een magnetische 5 domeinen dragend granaat met een door mechanische spanning geïnduceerde uniaxiale magnetische anisotropie component, welke laag men epitaxiaal heeft laten groeien op het niet-magnetische substraat, en welk granaat bestaat uit een materiaal uit de klasse ijzer-granaat materialen.
10 In magnetische bellendomeininrichtingen geldt dat hoe kleiner de beldiameter hoe groter de informatie-opslag-dichtheid die bereikt kan worden.IJzer-granaat bellendomeinmaterialen hebben de voorkeur gekregen in de bellendomeintechniek in verband met de bellen van kleine diameter welke 15 daarin stabiel zijn. Voor een bellendomeinmateriaal dat bruikbaar moet zijn voor de vervaardiging van bellendomeinrichtingen, is het van belang, dat de in het materiaal gevormde bellen een hoge wandbewegelijkheid hebben waardoor betrekkelijk kleine aandrijvende velden snelle belbewegingen 20 kunnen veroorzaken. Deze eigenschap maakt het gebruik van hoge frequenties bij lage energie dissipatie mogelijk.
Het is ook belangrijk voor magnetische beldomein-materialen dat er een sterke eenassige anisotropie is. Dit blijkt nodig te zijn om spontane kernvorming van bellen te 25 vermijden. Dit is van groot belang voor een betrouwbare informatie-opslag en verwerking binnen het bellendomeinmateriaal .
De totale eenassige anisotropie (K ) kan bijdragen hebben van spanning geïnduceerde (K®) en van groei geïndu-30 ceerde (K^) componenten. Dat wil zeggen
Ku SS Ku + Ku (1) 800 4201 ♦ * PHN 9809 2
In een uit het DE-Offenlegungsschrift 2.232.902 bekend bellendomeinmateriaal wordt Ku in hoofdzaak bepaald door de spanning geïnduceerde component.
Dit bekende bellendomeinmateriaal wordt verkregen 5 door een ijzergranaatfilm met een éénkristal met de juiste kristallografische oriëntatie en met een positieve magneto-strictie constante neer te slaan op een substraat, waarbij de roosterconstante van de film groter is dan de roostercon-stante van het substraat. Wanneer namelijk plaatjes met een 10 eenkristal met positieve magnetostrictie constante onder een mechanische spanning staan, heeft de magnetostrictie bijdrage de neiging om loodrecht op het vlak van het plaatje een gemakkelijke magnetisatie as te maken indien het plaatje in compressie is. Het in de praktijk op basis van bovenstaand 15 concept gerealiseerde bellendomeinmateriaal was een (111) -georiënteerde film van Tb^Fe^O^ die was neergeslagen op een Sm^Ga^o^ substraat, wat inhoudt dat de waarde van de vereiste positieve magnetostrictie condante wordt bepaald door de keuze van het magnétische zeldzame aardion en dat de mechanische 20 spanning wordt bepaald door de keuze van het substraat.
Deze weg leidt niet tot een bellendomeinmateriaal dat geschikt is om er bellendomeinen met een doorsnede kleiner dan 1 ^um onder gebruikmaking van betrekkelijk lage aandrijfvelden in voort te bewegen, waartoe een hoge Ku en een lage wandbewegelijkheid 25 vereist zijn, en dat bovendien op een Gd^Gaj^O^ substraat kan worden afgezet. Immers, de realisatie van een hoge K door middel van het inbouwen van zeldzame aardionen met een hoge positieve magnetostrictie constante leidt onherroepelijk tot het gebruik van Sm en Eu-ionen, die een aanzienlijke bijdrage 30 tot de demping leveren, terwijl de realisatie van een hoge Ku door het vergroten van de compressie van de film enerzijds maar beperkt mogelijk is.omdat als de compressie kracht te groot wordt de compressie zichzelf opheft en de film onder trek-spanning komt, en anderzijds leidt tot het gebruik van van 35 Gd3Ga5012 (roosterconstante 12,376) afwijkende substraatmateri-alen.
Aan de uitvinding ligt de opgave ten grondslag een inrichting van de in de aanhef genoemde soort te verschaffen 800 42 01 V * PHN 9809 3 met een op Za^Ga^O^ afgezette bellendmomeinlaag die geschikt is voor de voortbeweging van submicron beldomeinen met betrekkelijk kleine aandrijvende velden. (ZA is een zeldzame aard ion, in het bijzonder Gd.) 5 Deze opgave wordt opgelost door toepassing als bel lendomeinmateriaal van een ijzer-granaat dat op een deel van de ijzerplaatsen mangaan bevat en op de dodecaederplaatsen ionen die weinig bijdragen tot de demping, welk materiaal op een (100)-vlak van een Za^Ga^O.^ su^,straa‘t: is afgezet.
10 Met dit type materiaal waarin de magnetostrictie constante door het Mn bepaald wordt, en voor de bezetting van de dodecaederplaatsen dus ionen op grond van hun lage demping en niet op grond van hun hoge magnetostrictie constante gekozen kunnen worden, blijken anisotrópie constanten K van 5 3 u 15 1 a 2 x 10 erg./cm gehaald te kunnen worden, waardoor het geschikt is voor toepassing in beldomeininrichtingen met beldomeinen met een doorsnede tot minimaal 0.4 ^um. De kristallogra-fische oriëntatie van de bellendomeinlaag is zodanig gekozen dat men het maximale voordeel heeft van de positieve magneto-20 strictie constante van Mn. Als weinig dempende (zeldzame aard) ionen komen gadolinium en yttrium in aanmerking. Door het kiezen van de Gd/Y verhouding kan de "misfit" en daarmee de mechanische spanning worden ingesteld.
Een voorkeursmateriaal voor het maximaliseren van de 25 door spanning geïnduceerde anisotropie is -^Bi, Y^3 (Fe, Mn, Ga)50^2· Door het kiezen van de Bi/Y verhouding kan de misfit worden ingesteld zonder dat daarbij het gevaar bestaat dat de verzadigingsmagnetisatie 47£M aan de lage kant
O
komt, welk gevaar bij het gebruik van Gd/Y meer bestaat en dan 30 alleen verminderd kan worden door gallium, dat bij substitutie op de ijzerplaatsen de magnetisatie vermindert, weg te laten.
Waar elementen verschillend van gallium kunnen worden gesubstitueerd door ijzer en waar voor bepaalde doeleinden op de dodecaederplaatsen ook nog kleine hoeveelheden ZA ionen kunnen wor-35 den ingebouwd, is een meer algemene formule voor dit materiaal (bï, Y, ZA^ (Fe, Mn, waarin Q een niet-magnetisch ion is, dat bij voorkeur substitueert op de tetraëdrische rooster-plaatsen.
800 42 01 PHN 9809 4
Afhankelijk van het voor een bepaalde toepassing benodigde anisotropieveld is een combinatie van magneto- strictie constante (waarvoor Mn wordt ingebouwd) en verschil in rooster parameter van film en substraat vereist. Het is 5 mogelijk gebleken om bijvoorbeeld op een gadolinium-gallium- substraat de onderhavige films in compressie te groeien met £ — a ""2 een "mismatch" o 1 van -1x10 , die aan alle eisen ao (geen barsten, scheuren, etc.) voldeden. Voor de meeste toe- -3 10 passingen zal de "mismatch" een waarde van -6x10 echter niet overschrijden.
De uitvinding zal nader worden toegelicht aan de hand van de hierna volgende voorbeelden en van de tekening.
Figuur 1 geeft schematisch een bellendomeininrichting 15 weer.
Films met de nominale samenstelling {μ'υ13 (Fe,Mn,Ga)^0^2 liet men op een eerste serie GGG-substraten groeien door vloeibare fase epitaxie technieken uit een smelt onder gebruikmaking van een PbO/B203 fluxmiddel. Hierbij werd 20 het Ga-gehalte gevarieerd om de verzadigingsmagnetisatie in te stellen, werd de verhouding Gd203/Y203 in de smelt gevarieerd om de rooster constante van de afgezette laag te variëren, en werd het Μη-gehalte gevarieerd om de magneto-elastische constante aan te passen. Tevens werden met gebruikmaking van een 25 PbO/Bi-O^ smelt films met de nominale samenstelling ^Bi, YJ3 (Fe,Mn,Ga) j.0.j3 afgezet op een tweede serie GGG-substraten.
Men liet de lagen groeien op horizontaal in de smelt ondergedompelde substraten met een doorsnede van 2,5 cm en met een (100) georiënteerd afzetvlak bij temperaturen tussen 750 30 en 950°C gedurende tijden die varieerden van 0,25-2 minuten, waarbij de substraten met 100 omwentelingen per minuut werden geroteerd, terwijl na elke 5 omwentelingen de draairichting werd omgekeerd. De filmdiktes varieerden van 0,5 tot 4,5 ^um. Voorbeeld 1, 35 Voor het groeien van een laag met de nominale samen stelling! Gd,yJ3(Fe,Mn,Ga)^0^2 werden de volgende oxyden in de volgende hoeveelheden afgemeten : 80042 01 V.' t
Z
PHN 9809 5
PbO 87 g B203 1,81 g Y203 0,27 g
Gd203 0,37 g 5 Ga2°3 0,46 9
Fe203 8,18 g
Mn203 1,86 g
Het mengsel werd gesmolten en op temperatuur to van 876°C gebracht. Een Gd^a^O^ substraat met een (100) georiënteerd afzetvlak werd gedurende 2 minuten in de smelt gedompeld, waarna er een laag van 4,4 ^um dik op afgezet was. Geschatte samenstelling van de laag: Y1. ,1'Gd1,9' Fe3,8' Mn0,7' Ga0,5' °12* 15
Voorbeeld 2;
Voor het groeien van een laag met de nominale samenstelling {Y,GdJ3(Fe,Mn)^0^2 werden de volgende oxyden in de volgende hoeveelheden afgemeten: 20 B203 1 ,81 g
PbO 87 g Y203 0,27 g
Gd203 0,37 g
Fe203 8,18 g 25 Mn203 1 ,86 g
Het mengsel werd gesmolten en op een temperatuur van 876°C gebracht. Een Gd3Ga5012 substraat met een (100) georiënteerd afzetvlak werd gedurende 15 sec. in de smelt 30 gedompeld, waarna er een laag van 0,55 ^um op afgezet was.
Voorbeeld 3:
Voor het groeien van een laag met de nominale samenstelling ^Y,Gd^3(Fe,Mn,Ga)3012 werden de volgende oxyden 35 in de volgende hoeveelheden afgemeten: 800 42 01 PHN 9809 6 -f *r
PbO 87 g B2°3 1f81 g Y203 0,36 g
Gd203 0,23 g 5 Ga2^3 0,46 g
Fe203 8,18 g
Mn203 1,86 g
Het mengsel werd gesmolten en op een temperatuur 10 van 898° gebracht. Een Gd^a^-O^ substraat met een (100) georiënteerd afzetvlak werd gedurende 2 minuten in de smelt gedompeld, waarna er een laag met een dikte van 3,88 ^um op afgezet was. Geschatte samenstelling van de laag: Y2,1' Gd0,9' Fe3,8' Mn0,7' Ga0,5' °12* 15
Voorbeeld 4:
Voor het groeien van een laag met de nominale samenstelling £bï,yJ3(Fe,Mn,Ga)5012 werden de volgende oxyden in de volgende hoeveelheden afgemeten: 20 Bi203 133,47 g
PbO 319,71 g
MnCOs 12,00 g Y203 2,0 g
Fe203 29,88 g 25 Ga203 0,1 g
Met mengsel werd gesmolten en op een temperatuur van 778°C gebracht. Een Gd3Ga5Ol2 substraat met een (100) georiënteerd afzetvlak werd gedurende 60 sec. in de smelt 30 gedompeld waarna er een laag met een dikte van 0,76 ^um op afgezet was. De afgezette lagen hadden de volgende eigenschappen : 35 80 0 4 2 01 PHN 9809 7 =r '* t
Laag nummer I II III IV
(a0-a1)/aQ -2,5x10~3 x10~3 -1,08x10~3 -3,16χ1θ“3 5 B (yUm)
Ku (erg.cm3) 2x105 9,3x104 1 ,8x105 Δ H (Oe) 25 10 4TMs (Gauss) 467 1267 665 1779 ,u(m sec ^Oe ^) 50-160 10 Q 1,4
In bovenstaande tabel is B de stabiele stripdomein-breedte, K de uniaxiale anisotropie constante, A H de 15 ferromagnetische resonantie lijnbreedte bij 10 GHz, 4TCM
s de verzadigingsmagnetisatie, ^u de beldomeinbewegelijkheid en Q = Ha/4TTM, waarbij is het anisotropieveld en 4TM is het demagnetiserend veld.
De eenassige anisotropie constanten van de verkre- 20 gen films werden bepaald met behulp van een torsie magneto- 5 3 meter. Waarden tot 2x10 erg./cm werden dus gerealiseerd voor zowel (Gd,Y)3(Fe,Mn)2 als (Bi,Y)3(Fe,Mn,Ga)50^2 films op GGG.
Hiermee is een nieuw type beldomeinmateriaal ver-25 schaft met - ook qua verzadigingsmagnetisatie en mobiliteit-eigenschappen die het bij uitstek geschikt maken voor toepassing in beldomeinvoortbewegingsinrichtingen met submicron beldomeinen. (Materialen met 0,4 ^.urn en 0,5 ^,um beldomeinen zijn gerealiseerd). De deskundige op het onderhavige gebied 30 zal in staat zijn de samenstelling van de beldomeinlaag te variëren gebruikmakend van de hiervoor gegeven algemene samenstelling en zonder buiten het kader van de uitvinding te komen. De voorbeelden zijn derhalve slechts illustratief en niet beperkend.
35 In een uitvoeringsvorm wordt volgens de uitvinding gebruik gemaakt van een substraatlaag 1 en een beldomeinlaag 2 voor de actieve opslag en verplaatsing van magnetische domeinen, die een gemeenschappelijk grensvlak 3 hebben, 800 4 2 01 ► PHN 9809 8 waarbij iedere laag wordt gekenmerkt door een bijzondere aard en door een hiervoor beschreven onderling verband. De laag 2 heeft een bovenste oppervlak. 4 tegenover het grensvlak 3 dat normaliter behoort bij bepaalde gebruikelijke elementen 5 voor de excitatie en het aftasten van domeinen. De laag 2 voor het opslaan of verplaatsen van magnetische domeinen kan algemeen gezegd de plaats zijn van ieder van de verschillende bewerkingen voor digitale logica, zoals die uitvoerig werden beschreven in octrooischriften en andere technische 10 literatuur. Verwezen moge bijvoorbeeld worden naar The
Bell System Technical Journal, XLVI, No. 8, 1901-1925 (1967), dat het artikel onder de titel "Properties and Device Applications of Magnetic Domains in Orthoferrites" bevat.
Figuur 1 van de bijgevoegde tekening is een voor-15 stelling van algemene strekking, die een tamelijk eenvoudige configuratie voorstelt, die slechts een fragment van een normaliter grotere constructie vertegenwoordigt, die de laag 2 voor opslag en verplaatsing van magnetische domeinen en verschillende gebruikelijke elementen voor de excitatie, ver-20 plaatsing en aftasting van magnetische domeinen vertegenwoordigt. Figuur 1 kan worden geacht een schuifregister 5 voor te stellen waarbij volgens de uitvinding gebruik wordt gemaakt van een laag 2 uit een magnetisch materiaal met hoge een-assige magnetische anisotropie en hoge domeinbewegelijkheid.
25 De voorkeursrichting voor gemakkelijke magnetisering van de laag 2 staat loodrecht op het oppervlak 4. De algemene mag-netiseringstoestand van laag 2 wordt aangegeven door mintekens die de X het oppervlak 4 gerichte lijnen van magnetische· flux aangeven. Binnen de domeinen gelegen en tegengesteld 30 gerichte magnetische fluxlijnen worden voorgesteld door plustekens, zoals het plusteken 6 binnen de geleiderlussen 7 en 8.
Geleiders 12, 13 en 14, beheerst door een domeinoverdrager 9, kunnen worden bevestigd aan of zich bevinden in de naaste nabijheid van het oppervlak 4 van de laag 2 35 voor magnetische domeinen, op een vooraf gekozen gebruikelijke wijze. De geleiders 12, 13 en 14 respectievelijk gekoppeld aan achtereenvolgende triaden van geleidende lussen, zoals de lussen 8, 8a, 8b van een eerste van een dergelijke 800 42 01 T C* t PHN 9809 9 triade, enz. Een reeks rijen en kolommen van dergelijke meervoudige lusrangschikkingen wordt vaak toegepast in opslagsystemen. Het vooraf ingestelde veld wordt op gebruikelijke wijze verschaft, bijvoorbeeld door de toepassing van 5 een gebruikelijke spoel of spoelen (niet afgeheeld), die de tweelaagsconfiguratie omgeven, of door toepassing van op gebruikelijke wijze geplaatste permanente magneten.
Tijdens de werking worden de magnetische domeinen opgewekt of geëxciteerd door middel van een gebruikelijke 10 domeinexcitator, zoals voorgesteld door de excitator 20 gecombineerd met de lus 7 die in hoofdzaak coaxiaal is met de lus 8. Een stabiel, cylindrisch magnetisch domein, bijvoorbeeld het door het plusteken 6 voorgestelde domein, kan, wanneer het eenmaal is gevormd op gebruikelijke wijze door de 15 domeinenexcitator 20 en door lus 7, van positie worden veranderd in incrementele trappen vanuit de plaats van de lus 8 naar de plaats van de lus 8a, vervolgens naar die van de lus 8b, enz. door achtereenvolgens excitatie van de geleiders 12, 13 en 14 enz. door de domeinoverdrager 9. Wanneer het 20 zich voortplantende magnetische domein lus 8n bereikt, dan kan het worden uitgelezen (Engels:read out) door de lus 8n onder beheersing door de domeinsensor 21. Het zal duidelijk zijn, dat andere digitale logische functies gemakkelijk kunnen worden uitgevoerd onder gebruikmaking van dezelfde 25 bekende technieken als die worden toegepast in het voorbeeld van het schuifregister 5.
30 80 0 4 2 01 35
Claims (8)
1. Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen (6), bevattende een monokristallijn niet-magnetisch substraat (1) uit een materiaal met een granaat structuur en een laag (2) uit een magnetische domeinen dragend granaat 5 met een door mechanische spanning geïnduceerde uniaxiale magnetische anisotropie component, welke laag men in compressie heeft laten groeien op het niet-magnetische substraat (1), welk granaat bestaat uit een materiaal uit de klasse der ijzer-granaat materialen met positieve magnetostrictie-10 constante, met het kenmerk, dat het ijzer-granaat uit een materiaal bestaat dat op een deel van de ijzerplaatsen . mangaan bevat, en op de dodecaeder plaatsen ionen die weinig bijdragen aan de demping, welk materiaal is afgezet op een (100)vlak van een zeldzame aard-gallium-substraat.
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat verder bij het oppervlak van de laag uit magnetische domeinen dragend materiaal deel daarvan uitmaken, koppelings-middelen (7) voor het exciteren van een magnetisch domein/ sensormiddelen (8n, 21) voor het detecteren van de aanwezig-20 heid van een magnetisch domein, en domein voortbewegings-middelen (8, 8a, 8b, 9) voor het overdragen van een magnetisch domein van de koppelingsmiddelen (7) naar de sensormiddelen (8n, 21).
3. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, 25 dat het niet-magnetisch granaatmateriaal een eerste kenmerkende roosterafstand aQ heeft en dat het magnetisch domein dragende ijzer-granaat een tweede kenmerkende roosterafstand a- heeft, waarbij a -a. -3/ ° 1 ✓ -2 -1x10 - <1x10 . 30 ao
4. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het magnetische ijzer-granaat uit een materiaal bestaat dat op de dodecaederplaatsen gadolinium en yttrium bevat.
5. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, 35 dat het magnetische ijzer-granaat uit een materiaal bestaat dat op de dodecaederplaatsen van het granaatrooster bismuth en yttrium bevat.
6. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, 8 00 4 2 01 ζ·> PHN 9809 11 dat het magnetische ijzer-granaat op de dodecaederplaatsen van het granaatrooster bismuth, yttrium en een zeldzame aardmetaal bevat.
7. Inrichting volgens conclusie 6, met het kenmerk, 5 dat het magnetische ijzer-granaat uit een materiaal bestaat dat in hoofdzaak beantwoordt aan de formule ^Bi,Y,z^3(Fe,Mn,Q) (-0.J2/ met ZA is tenminste êên representant van de groep omvattende de zeldzame aardmetalen en Q is tenminste êên representant gekozen uit de groep omvattende 10 Ge, Si, Al en Ga.
8·· Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de laag magnetisch ijzer-granaat een dikte heeft tussen 0,1 en 1 ^um 15 20 25 30 800 42 01 35
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8004201A NL8004201A (nl) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. |
| US06/274,974 US4435484A (en) | 1980-07-22 | 1981-06-18 | Device for propagating magnetic domains |
| DE8181200763T DE3165225D1 (en) | 1980-07-22 | 1981-07-03 | Device for propagating magnetic domains |
| EP81200763A EP0044586B1 (en) | 1980-07-22 | 1981-07-03 | Device for propagating magnetic domains |
| JP56112382A JPS5752113A (en) | 1980-07-22 | 1981-07-20 | Magnetic domain moving device |
| JP1987077433U JPH0219932Y2 (nl) | 1980-07-22 | 1987-05-25 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8004201A NL8004201A (nl) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. |
| NL8004201 | 1980-07-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8004201A true NL8004201A (nl) | 1982-02-16 |
Family
ID=19835654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8004201A NL8004201A (nl) | 1980-07-22 | 1980-07-22 | Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4435484A (nl) |
| EP (1) | EP0044586B1 (nl) |
| JP (2) | JPS5752113A (nl) |
| DE (1) | DE3165225D1 (nl) |
| NL (1) | NL8004201A (nl) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972707A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Hitachi Ltd | 磁性ガーネット膜 |
| US4584237A (en) * | 1983-04-04 | 1986-04-22 | Litton Systems, Inc. | Multilayer magneto-optic device |
| EP0166924A3 (en) * | 1984-07-02 | 1987-02-04 | Allied Corporation | Faceted magneto-optical garnet layer |
| US4728178A (en) * | 1984-07-02 | 1988-03-01 | Allied Corporation | Faceted magneto-optical garnet layer and light modulator using the same |
| FR2572844B1 (fr) * | 1984-11-02 | 1986-12-26 | Commissariat Energie Atomique | Materiau magnetique du type grenat, film magnetique a forte rotation faraday comportant un tel materiau et son procede de fabrication |
| JPH0653267B2 (ja) * | 1985-11-15 | 1994-07-20 | トヨタ自動車株式会社 | 金属部品の樹脂コ−テイング方法 |
| US5021302A (en) * | 1986-08-15 | 1991-06-04 | At&T Bell Laboratories | Bismuth-iron garnets with large growth-induced magnetic anisotropy |
| JPH0354198A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶 |
| JP2904668B2 (ja) * | 1993-02-10 | 1999-06-14 | 信越化学工業株式会社 | 静磁波素子用ガーネット磁性酸化物単結晶とその製造方法および静磁波素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3745046A (en) | 1970-12-28 | 1973-07-10 | North American Rockwell | Method for producing bubble domains in magnetic film-substrate structures |
| DE2232902A1 (de) | 1971-08-04 | 1973-02-15 | Ibm | Magnetische granat-einkristallschicht |
| JPS4929497A (nl) * | 1972-07-18 | 1974-03-15 | ||
| CA1028055A (en) * | 1973-07-02 | 1978-03-14 | Rodney D. Henry | Magnetic bubble domain composite with hard bubble suppression |
| US4018692A (en) | 1973-10-04 | 1977-04-19 | Rca Corporation | Composition for making garnet films for improved magnetic bubble devices |
| NL7700419A (nl) | 1977-01-17 | 1978-07-19 | Philips Nv | Magnetisch beldomein materiaal. |
-
1980
- 1980-07-22 NL NL8004201A patent/NL8004201A/nl not_active Application Discontinuation
-
1981
- 1981-06-18 US US06/274,974 patent/US4435484A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-07-03 EP EP81200763A patent/EP0044586B1/en not_active Expired
- 1981-07-03 DE DE8181200763T patent/DE3165225D1/de not_active Expired
- 1981-07-20 JP JP56112382A patent/JPS5752113A/ja active Pending
-
1987
- 1987-05-25 JP JP1987077433U patent/JPH0219932Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3165225D1 (en) | 1984-09-06 |
| EP0044586A2 (en) | 1982-01-27 |
| JPH0219932Y2 (nl) | 1990-05-31 |
| JPS5752113A (en) | 1982-03-27 |
| EP0044586B1 (en) | 1984-08-01 |
| US4435484A (en) | 1984-03-06 |
| JPS62197817U (nl) | 1987-12-16 |
| EP0044586A3 (en) | 1982-02-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ishikawa et al. | Hard magnetic phase in rapidly quenched Zr-Co-B alloys | |
| US4263374A (en) | Temperature-stabilized low-loss ferrite films | |
| NL8004201A (nl) | Inrichting voor de voortbeweging van magnetische domeinen. | |
| Giess et al. | Rare earth-yttrium iron-gallium garnet epitaxial films for magnetic bubble domain applications | |
| US4563236A (en) | Method for making large area stable domains | |
| JP3198053B2 (ja) | 低磁気モーメントを有する磁気光学材からなる製品 | |
| US3886533A (en) | Magnetic devices utilizing garnet epitaxial material | |
| US4002803A (en) | Magnetic bubble devices with controlled temperature characteristics | |
| US4647514A (en) | Magnetic domain device having a wide operational temperature range | |
| EP0044109B1 (en) | Device for propagating magnetic domains | |
| Giess | Magnetic bubble materials | |
| US4698281A (en) | Garnet-type magnetic material high faraday rotation magnetic film containing such a material and process for the production thereof | |
| JPS6034806B2 (ja) | 磁気バブル用磁性構造体 | |
| Goml et al. | Sputtered Iron Garner Fills for Magneto-Optical Storage | |
| US4239805A (en) | Method of depositing a layer of magnetic bubble domain material on a monocrystalline substrate | |
| US5021302A (en) | Bismuth-iron garnets with large growth-induced magnetic anisotropy | |
| US3648260A (en) | Magnetic devices | |
| Enz | Magnetism and magnetic materials: Historical developments and present role in industry and technology | |
| JPH0454367B2 (nl) | ||
| EP0057614A2 (en) | Magnetic bubble memory chip | |
| JP3217721B2 (ja) | ファラデー素子及びファラデー素子の製造方法 | |
| Haberey et al. | LPE-grown hexagonal strontium aluminoferrite films | |
| Barns | Characterization of Magnetic Bubble Domain Garnet Crystals by X‐Ray Diffraction: Symmetry and Compositional Gradients | |
| Gyorgy | The Imperfect Solid—Magnetic Properties | |
| Moody et al. | Properties of Gd y Y 3-y Fe 5-x Ga x O 12 films grown by liquid phase epitaxy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |