JPS61222109A - 希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法 - Google Patents
希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法Info
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- JPS61222109A JPS61222109A JP60062737A JP6273785A JPS61222109A JP S61222109 A JPS61222109 A JP S61222109A JP 60062737 A JP60062737 A JP 60062737A JP 6273785 A JP6273785 A JP 6273785A JP S61222109 A JPS61222109 A JP S61222109A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は希土類鉄ガーネット膜の製造方法に関し、特に
光磁気記録媒体として使用可能な磁化特性を有する希土
類鉄ガーネット膜を、任意の基板上に作成することがで
きる化学的方法を用いた希土類鉄ガーネット膜の製造方
法に関する。
光磁気記録媒体として使用可能な磁化特性を有する希土
類鉄ガーネット膜を、任意の基板上に作成することがで
きる化学的方法を用いた希土類鉄ガーネット膜の製造方
法に関する。
従来、ＧｄおよびＦｅイオンをイオンの比率３：ｊで含
んだ濃縮溶液をエチルアルコールで希釈して作成した塗
布溶液をイツトリウムアルミニウムガーネット基板（Ｙ
ＡＧ基板）上にスピンコードした後、５ｏｏ−ｓｏｏｏ
Ｃで乾燥し、その後空気中において６ｊＯ℃に加熱させ
てＹＡＧ基板上にＧｄ３Ｆｅ、０□２ をエピタキシャ
ル成長させる方法（化学的方法を用いて希土類鉄ガーネ
ット膜を作成する方法）が知られている。
んだ濃縮溶液をエチルアルコールで希釈して作成した塗
布溶液をイツトリウムアルミニウムガーネット基板（Ｙ
ＡＧ基板）上にスピンコードした後、５ｏｏ−ｓｏｏｏ
Ｃで乾燥し、その後空気中において６ｊＯ℃に加熱させ
てＹＡＧ基板上にＧｄ３Ｆｅ、０□２ をエピタキシャ
ル成長させる方法（化学的方法を用いて希土類鉄ガーネ
ット膜を作成する方法）が知られている。
上記従来の化学的方法は、ＹＡＧ又はＧＧＧ等の単結晶
基板上に良好な磁化特性を有する単結晶の希土類鉄ガー
ネット膜を作成す、ることができる利点を有するものの
、垂直磁化特性を有する被膜が得られるのは、基板とし
て上記単結晶基板を用いた場合のみであり、ガラス板等
の非晶質基板を用いた場合には面内磁化特性の被膜しか
得られないという問題点があった。
基板上に良好な磁化特性を有する単結晶の希土類鉄ガー
ネット膜を作成す、ることができる利点を有するものの
、垂直磁化特性を有する被膜が得られるのは、基板とし
て上記単結晶基板を用いた場合のみであり、ガラス板等
の非晶質基板を用いた場合には面内磁化特性の被膜しか
得られないという問題点があった。
垂直磁化膜を得るための基板材料が単結晶に限定される
ことは、単結晶基板の生産性の悪さおよび価格の点で工
業化しにくいという問題点を持っている。
ことは、単結晶基板の生産性の悪さおよび価格の点で工
業化しにくいという問題点を持っている。
そこで本発明は、単結晶の基板に限らず多結晶および非
晶質の基板上にも垂直磁化特性を有する希土類鉄ガーネ
ット膜を作成できる、希土・類鉄ガーネット膜の製造方
法を提供することをその目的とする。
晶質の基板上にも垂直磁化特性を有する希土類鉄ガーネ
ット膜を作成できる、希土・類鉄ガーネット膜の製造方
法を提供することをその目的とする。
上記従来の問題点を解決するために、本発明はＦｅ３＋
イオンおよび希土類イオンを含む塗布溶液を基板上に塗
布して塗布膜を形成した後焼成を行ない塗布膜を熱分解
および結晶化させて希土類鉄ガーネット膜とする希土類
鉄ガーネット膜の製造方法において塗布溶液中にガーネ
ット中のＦｅ３＋イオンと置換可能なイオンおよびＢｉ
３＋イ、オンとを含ませている。
イオンおよび希土類イオンを含む塗布溶液を基板上に塗
布して塗布膜を形成した後焼成を行ない塗布膜を熱分解
および結晶化させて希土類鉄ガーネット膜とする希土類
鉄ガーネット膜の製造方法において塗布溶液中にガーネ
ット中のＦｅ３＋イオンと置換可能なイオンおよびＢｉ
３＋イ、オンとを含ませている。
上記ガーネット中のＦｅ３＋イオンと置換可能なイオン
としては、Ｎ１２＋、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋９Ｍｎ３＋。
としては、Ｎ１２＋、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋９Ｍｎ３＋。
ｃｒ”ｇ Ａｚ３＋、Ｃｕ２＋、ｚｎ２＋ｇ ｓｃ
”＠ Ｈｆ’＋。
”＠ Ｈｆ’＋。
Ｖ”＋ Ｔｉ”、Ｍｏ”ｔ Ｓｎ”、Ｉｎ”、Ｒｈ
”＋ Ｒｕ”ｒ Ｚｒ”、 Ｇｅ”、 Ｓｉ”、 Ｌｉ
十およびこれらのイオンの組合せ、即ち例えば（Ｃｏ”
＋ＡＡ！” ） 。
”＋ Ｒｕ”ｒ Ｚｒ”、 Ｇｅ”、 Ｓｉ”、 Ｌｉ
十およびこれらのイオンの組合せ、即ち例えば（Ｃｏ”
＋ＡＡ！” ） 。
（ＪＣＯ”＋ Ｖ５＋）等である。又上述のイオンのう
ち特に非磁性イオンが飽和磁化を下げるので好ましい。
ち特に非磁性イオンが飽和磁化を下げるので好ましい。
本発明は塗布溶液中にガーネット中のＦｅ３＋イオンと
置換可能なイオンおよびＢｉ３＋イオンとを含ませたも
のであるが、塗布溶液組成はその塗布膜を焼成すること
によって希土類鉄ガーネットを形成するものであること
が必要ときれる。希土類鉄ガーネットを形成するもので
あれば電荷の整合性のとれたものである必要性はなく、
例えばＦｅ３＋イオン、希土類イオン（Ｙ Ｉ Ｌａ
ｌ Ｃｅ Ｉ Ｐｒ ｙＮｄ＋ Ｐｍ、Ｓｍ＊ Ｅｕ＋
Ｇｄ＋ ’ｒｂｔ Ｂ７．Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂｔ
およびＬｕの各イオン、以後Ｒｅ３＋と略称する）。
置換可能なイオンおよびＢｉ３＋イオンとを含ませたも
のであるが、塗布溶液組成はその塗布膜を焼成すること
によって希土類鉄ガーネットを形成するものであること
が必要ときれる。希土類鉄ガーネットを形成するもので
あれば電荷の整合性のとれたものである必要性はなく、
例えばＦｅ３＋イオン、希土類イオン（Ｙ Ｉ Ｌａ
ｌ Ｃｅ Ｉ Ｐｒ ｙＮｄ＋ Ｐｍ、Ｓｍ＊ Ｅｕ＋
Ｇｄ＋ ’ｒｂｔ Ｂ７．Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂｔ
およびＬｕの各イオン、以後Ｒｅ３＋と略称する）。
Ｂｉ３＋イオンおよびガーネット構造中のＦｅ３＋イオ
ンと置換可能なＡ３＋ｌ Ｂ”Ｉ Ｃ”ｔ Ｅ５＋の各
イオン （ＡＩ”ｔＧａ３＋、Ｃｒ３＋１ｃｏ３＋等、
Ｃｏ ” ＊ Ｆ ｅ ”十＋Ｃｕ” ’Ｊ、Ｓｉ’十
、Ｇｅ”＋Ｓｎ４＋、Ｐｂ’十等、ｖ５＋、。
ンと置換可能なＡ３＋ｌ Ｂ”Ｉ Ｃ”ｔ Ｅ５＋の各
イオン （ＡＩ”ｔＧａ３＋、Ｃｒ３＋１ｃｏ３＋等、
Ｃｏ ” ＊ Ｆ ｅ ”十＋Ｃｕ” ’Ｊ、Ｓｉ’十
、Ｇｅ”＋Ｓｎ４＋、Ｐｂ’十等、ｖ５＋、。
Ｎｂ５＋等およびそれらの混合物 ）およびＲｅ ”イ
オンと置換可能なり２＋イオン （Ｐｂ”、Ｃｏ”。
オンと置換可能なり２＋イオン （Ｐｂ”、Ｃｏ”。
Ｍｇ２＋等およびそれらの混合物 ）を（Ｒｅ３＋）＋
（Ｂｉ３３＋（Ｄ２＋）＋（Ｆｅ３＋）＋（Ａ３＋）＋
ＣＢ３＋（Ｃ３＋（Ｅ３−１ｒ ’
（１）４（、ｊ≦（Ｆｅ３＋））（Ａ３＋）＋（Ａ３）
（Ｃ３＋（Ｒ５カ≦４．０（Ｊ）２．０≦（Ｒｅ３＋）
＋）＋（Ｂｉ３＋ＣＤ３ ≦３．ｔ （ｊ
）ｏ、ｓ≦（Ｒｅ３＋）≦ｊ、 ＯＣＩＩ）Ｏ，コＳ≦
）＋（Ｂｉ３≦２．３ Ｃ６）３
．０≦（Ｒｅ３≦ｊ、ＯＣ４３０．３≦（Ａ３ ３＋（Ａ３＋（Ｃ３＋（Ｅ３≦２．０ （７）〔ここ
で）＋（Ｂｉ３ ｓ （Ｆｅ３等は塗布溶液中に含まれ
るＢｉ”、 Ｆｅ３＋等のカチオン数の相対的な比率を
示す値である。〕を示す値である。〕 の各条件式を満足するように含んだ溶液を用いることが
できる。
（Ｂｉ３３＋（Ｄ２＋）＋（Ｆｅ３＋）＋（Ａ３＋）＋
ＣＢ３＋（Ｃ３＋（Ｅ３−１ｒ ’
（１）４（、ｊ≦（Ｆｅ３＋））（Ａ３＋）＋（Ａ３）
（Ｃ３＋（Ｒ５カ≦４．０（Ｊ）２．０≦（Ｒｅ３＋）
＋）＋（Ｂｉ３＋ＣＤ３ ≦３．ｔ （ｊ
）ｏ、ｓ≦（Ｒｅ３＋）≦ｊ、 ＯＣＩＩ）Ｏ，コＳ≦
）＋（Ｂｉ３≦２．３ Ｃ６）３
．０≦（Ｒｅ３≦ｊ、ＯＣ４３０．３≦（Ａ３ ３＋（Ａ３＋（Ｃ３＋（Ｅ３≦２．０ （７）〔ここ
で）＋（Ｂｉ３ ｓ （Ｆｅ３等は塗布溶液中に含まれ
るＢｉ”、 Ｆｅ３＋等のカチオン数の相対的な比率を
示す値である。〕を示す値である。〕 の各条件式を満足するように含んだ溶液を用いることが
できる。
上記条件式（１）〜（９）を満足する組成中でさらに
ｓ、ｏ≦（Ｆｅ３＋（Ａ３＋（Ａ３＋（Ｃ３＋（Ａ３≦
ｒ、ｔ（ｒ）コ、ｊ≦（Ｒｅ３＋）＋（Ｂｉ３＋（Ｄ３
≦３．ｏ （９）ｏ、ｑ≦（Ｒｅ ）≦／、
ｊ （／Ｑ）／、ｊ≦（Ｂｉ
３３＋（Ｄ３≦ｊ、 ／ （／ハ
Ｊ、０≦（Ｆｅ３＋）≦ａ、ｏ
（／−２）７、０ ≦（Ａ３＋）＋（Ｂ２＋）＋（Ｃ３
＋（Ｅ３≦２．０ （／ｊ）の条件式を満足するもの
が良好な磁化特性を有する鉄ガーネツト被膜を得るため
に好ましく、さらに条件式（１）〜（１３）を満足する
組成中で（Ｆｅ３３＋−（Ａ３３＋（Ａ３＋（Ｃ３＋（
Ｅ３−ｓ、ｏ （Ｌの（Ｒｅ３＋（Ｂｉ３＋）＋（Ｄ
３ −３，ＯＣｔｓ）（Ｂ２＋）＋（Ｄ２＋）−（Ｃ４
＋）＋Ｌ（Ｅ５＋）（１６）コ コ の条件式を満足するものが電荷符号の整合性のとれた鉄
ガーネツト構造となるので好まれて使用される。
ｒ、ｔ（ｒ）コ、ｊ≦（Ｒｅ３＋）＋（Ｂｉ３＋（Ｄ３
≦３．ｏ （９）ｏ、ｑ≦（Ｒｅ ）≦／、
ｊ （／Ｑ）／、ｊ≦（Ｂｉ
３３＋（Ｄ３≦ｊ、 ／ （／ハ
Ｊ、０≦（Ｆｅ３＋）≦ａ、ｏ
（／−２）７、０ ≦（Ａ３＋）＋（Ｂ２＋）＋（Ｃ３
＋（Ｅ３≦２．０ （／ｊ）の条件式を満足するもの
が良好な磁化特性を有する鉄ガーネツト被膜を得るため
に好ましく、さらに条件式（１）〜（１３）を満足する
組成中で（Ｆｅ３３＋−（Ａ３３＋（Ａ３＋（Ｃ３＋（
Ｅ３−ｓ、ｏ （Ｌの（Ｒｅ３＋（Ｂｉ３＋）＋（Ｄ
３ −３，ＯＣｔｓ）（Ｂ２＋）＋（Ｄ２＋）−（Ｃ４
＋）＋Ｌ（Ｅ５＋）（１６）コ コ の条件式を満足するものが電荷符号の整合性のとれた鉄
ガーネツト構造となるので好まれて使用される。
ここでＢｉ イオンは上記（１）式を満足する）＋（
Ｂｉ３で表わして０．２３以上であることが好まれるが
、これはＯ，コ！より少ないと垂直の磁化膜が得られに
くくなるためである。又、ガーネット中のＦｅ イオ
ノと置換可能なイオンは上記（１）式％式％： してＯ，３以上であることが好まれるが、これも０．３
より少ないと垂直の磁化膜が得られにくくなるためであ
る。
Ｂｉ３で表わして０．２３以上であることが好まれるが
、これはＯ，コ！より少ないと垂直の磁化膜が得られに
くくなるためである。又、ガーネット中のＦｅ イオ
ノと置換可能なイオンは上記（１）式％式％： してＯ，３以上であることが好まれるが、これも０．３
より少ないと垂直の磁化膜が得られにくくなるためであ
る。
上記塗布溶液の金属イオンの供給源としては、硝酸塩、
硫酸塩、酢酸塩等の各種の塩を使用することができるが
、硝酸塩が熱分解温度が低く、水に溶けやすく、又取扱
いが容易なため好まれる。
硫酸塩、酢酸塩等の各種の塩を使用することができるが
、硝酸塩が熱分解温度が低く、水に溶けやすく、又取扱
いが容易なため好まれる。
溶液は水溶液および有機溶液およびこれらの混合物等任
意の溶液として使用できる。中でも硝酸塩を硝酸中に溶
かした濃縮溶液にエチルアルコール、イソプロピルアル
コール、アセトン、ベンゼル、トルエン等の有機溶剤を
加えた溶液が均一な塗布膜を手早く得るために好まれる
。上記有機溶剤および水溶液の混合塗布溶液の濃度は、
溶液中のカチオンの濃度として０．０１モル／ｌ より
薄いと塗布膜が薄くなりすぎるために均一な被膜を得に
くくなり、又０．７モル／ｌより濃くなると塗布溶液が
基板上で均一に延びにくくなるために０．０１〜０．７
モル／ｌのものが好まれる。さらに好ましくはｏ、ｏｓ
Ｎｏ、ｓモル／Ｉｌであり一通常０．／〜Ｏ，Ｊモル
／ｌとして使用される。
意の溶液として使用できる。中でも硝酸塩を硝酸中に溶
かした濃縮溶液にエチルアルコール、イソプロピルアル
コール、アセトン、ベンゼル、トルエン等の有機溶剤を
加えた溶液が均一な塗布膜を手早く得るために好まれる
。上記有機溶剤および水溶液の混合塗布溶液の濃度は、
溶液中のカチオンの濃度として０．０１モル／ｌ より
薄いと塗布膜が薄くなりすぎるために均一な被膜を得に
くくなり、又０．７モル／ｌより濃くなると塗布溶液が
基板上で均一に延びにくくなるために０．０１〜０．７
モル／ｌのものが好まれる。さらに好ましくはｏ、ｏｓ
Ｎｏ、ｓモル／Ｉｌであり一通常０．／〜Ｏ，Ｊモル
／ｌとして使用される。
本発明に用いる基板としては、ＹＡＣ）、ＧＧＧ等の単
結晶の基板をはじめとして多結晶基板、非晶質基板、そ
の他複合基板等の任意の基板を用いることができる。内
でもガラス板等の透明でありかつ生産性の良好な非晶質
基板を用いることができることは光磁気メモリ媒体への
応用の点で大きな利点を持っている。
結晶の基板をはじめとして多結晶基板、非晶質基板、そ
の他複合基板等の任意の基板を用いることができる。内
でもガラス板等の透明でありかつ生産性の良好な非晶質
基板を用いることができることは光磁気メモリ媒体への
応用の点で大きな利点を持っている。
前記基板としては熱膨張係数がＪＯ−１０ＯＸ１０”−
７／’Ｃのものが基板上に作成される希土類鉄ガーネッ
ト膜との熱膨張率差が小さく、被膜にクラック等が生じ
にくいために好まれる。
７／’Ｃのものが基板上に作成される希土類鉄ガーネッ
ト膜との熱膨張率差が小さく、被膜にクラック等が生じ
にくいために好まれる。
塗布溶液の塗布方法としては、デゆツピング。
スピンコード、スプレー等の通常の塗布方法が使用でき
る。
る。
塗布によって作成した被膜を乾燥するためには基板表面
をり００℃以下に保つことが泡などのない塗布膜を得る
ために好まれ、塗布膜を焼成する温度は＋ｏｏ−ｔｏｏ
℃ とすることが好まれる。
をり００℃以下に保つことが泡などのない塗布膜を得る
ために好まれ、塗布膜を焼成する温度は＋ｏｏ−ｔｏｏ
℃ とすることが好まれる。
塗布溶液を塗布した後乾燥を行ない再度塗布をくり返す
ことで厚い塗布膜を作成することも可能であり、均一な
厚膜を得るために好まれて使用される。
ことで厚い塗布膜を作成することも可能であり、均一な
厚膜を得るために好まれて使用される。
上記基板は塗布膜との接着性をあげるためにほこりや油
分を洗浄することが好まれる。又通常の洗浄の後にプラ
ズマによる少量のエツチング処理を行なうことも可能で
あり、上記処理は作成された被膜の付着性を向上させる
ので好まれる。
分を洗浄することが好まれる。又通常の洗浄の後にプラ
ズマによる少量のエツチング処理を行なうことも可能で
あり、上記処理は作成された被膜の付着性を向上させる
ので好まれる。
塗布膜作成後の焼成の処理時間は生産性およびエネルギ
ー的な面から短かい方が好まれ、５時間以内とすること
が好まれる。
ー的な面から短かい方が好まれ、５時間以内とすること
が好まれる。
本発明によれば、塗布溶液中にＢｉ３＋イオンおよびガ
ーネット中のＦｅ３＋イオンと置換可能なイオンとを含
ませているが、塗布溶液中にＢｉ３＋イオンを含ませる
ことは焼成により出来あがる希土類鉄ガーネット膜のガ
ーネット構造中の希土類イオンをＢｉ３＋イオンで置換
することになる。
ーネット中のＦｅ３＋イオンと置換可能なイオンとを含
ませているが、塗布溶液中にＢｉ３＋イオンを含ませる
ことは焼成により出来あがる希土類鉄ガーネット膜のガ
ーネット構造中の希土類イオンをＢｉ３＋イオンで置換
することになる。
希土類鉄ガーネット中の希土類をＢｉ３＋で置換するこ
とは希土類鉄ガーネットの光の吸収係数α０＋ をさほど大きくすることなく７アラデ一回転角―を大き
くする作用および希土類鉄ガーネットの結晶化温度を下
げる作用をする。又希土類鉄ガーネット中のＦｅ３＋イ
オンを他の置換可能なイオンと置換することは、主とし
て■キエリ一温度を下げる。■飽和磁化を小さくする。
とは希土類鉄ガーネットの光の吸収係数α０＋ をさほど大きくすることなく７アラデ一回転角―を大き
くする作用および希土類鉄ガーネットの結晶化温度を下
げる作用をする。又希土類鉄ガーネット中のＦｅ３＋イ
オンを他の置換可能なイオンと置換することは、主とし
て■キエリ一温度を下げる。■飽和磁化を小さくする。
の作用を有する。
特にＡｌ３＋は光の吸収係数を減少させる作用も有する
。
。
本発明は上記塗布溶融液中に■Ｂｉ３＋を含ませた事お
よび■ガーネット中のｌｉ’６３＋と置換可能なイオン
を含ませた事の総合作用として、基板にガラス板を用い
た場合であっても基板と磁性膜との熱膨張率差に基づく
応力および応力誘起磁気異方性によって、多結晶体であ
るにもかかわらず垂直磁化特性を有する希土類鉄ガーネ
ット膜が得られているものと考えられる。
よび■ガーネット中のｌｉ’６３＋と置換可能なイオン
を含ませた事の総合作用として、基板にガラス板を用い
た場合であっても基板と磁性膜との熱膨張率差に基づく
応力および応力誘起磁気異方性によって、多結晶体であ
るにもかかわらず垂直磁化特性を有する希土類鉄ガーネ
ット膜が得られているものと考えられる。
本発明を以下の実施例に基づきさらに詳細に説明する。
実施例１
まず硝酸第２鉄、硝酸イツトリウム、硝酸ビスマス、硝
酸アルミニウムをそれぞれ ３、ｌ：コ、０ ： ／、０ ： ／、２のモル比で、
かつ全体合計が０．１モルとなる様に秤量した。この硝
酸塩をビーカーに入れ全体量が２ｒｍｌ程度になるよう
に蒸留水を加え、さらに濃硝酸３０ｍ１ｌを加えた。そ
の後この溶液を加熱して硝酸塩を完全に溶解した。
酸アルミニウムをそれぞれ ３、ｌ：コ、０ ： ／、０ ： ／、２のモル比で、
かつ全体合計が０．１モルとなる様に秤量した。この硝
酸塩をビーカーに入れ全体量が２ｒｍｌ程度になるよう
に蒸留水を加え、さらに濃硝酸３０ｍ１ｌを加えた。そ
の後この溶液を加熱して硝酸塩を完全に溶解した。
その後冷却させたこの溶液に全量がｏ、ｓｉとなるよう
にエチルアルコールを添加した。こうしてできあがった
塩の濃度がＯ０λモル／ｌの溶液を塗布用溶液とした。
にエチルアルコールを添加した。こうしてできあがった
塩の濃度がＯ０λモル／ｌの溶液を塗布用溶液とした。
次に３ｃｍ角／鱈厚のガラス板（コーニング社製７０３
り）を十分洗浄し、さらに３分間のプラズマ処理（プラ
ズマによるガラス表面のエツチング処理）を行なった。
り）を十分洗浄し、さらに３分間のプラズマ処理（プラ
ズマによるガラス表面のエツチング処理）を行なった。
このガラス板をスピンナーに固定し、その上に前記塗布
用溶液を数滴滴下した後スピンナーを回転させ約２００
０回転／分で６０秒間保持した。塗布終了後スピンナー
上部に取りつけた強力な赤外線ランプを数分間点燈させ
、ガラス藁鼾ｆ８／加執１．−桧右謹中π穐。ていムア
ルコール分および水分の大部分を蒸発させた。このとき
基板表面温度は３００℃前後となっていた。
用溶液を数滴滴下した後スピンナーを回転させ約２００
０回転／分で６０秒間保持した。塗布終了後スピンナー
上部に取りつけた強力な赤外線ランプを数分間点燈させ
、ガラス藁鼾ｆ８／加執１．−桧右謹中π穐。ていムア
ルコール分および水分の大部分を蒸発させた。このとき
基板表面温度は３００℃前後となっていた。
上記操作で得られる塗布膜を焼成して得られる希土類鉄
ガーネット膜の膜厚はｓｏ−１０ｏｎｍ程度であった。
ガーネット膜の膜厚はｓｏ−１０ｏｎｍ程度であった。
そこで、本実施例では上記塗布および乾燥の操作を同一
のガラス板について５回くりかえし、焼成後の膜厚が約
０．３μｍとなるようにした。
のガラス板について５回くりかえし、焼成後の膜厚が約
０．３μｍとなるようにした。
上記塗布膜つきガラス板を６７０℃の炉で３時間保持し
、上記塗布膜を熱分解および結晶化させた後冷却した。
、上記塗布膜を熱分解および結晶化させた後冷却した。
得られた結晶膜のＸ線回折を測定すると第を図となり、
得られた被膜が優性方位のない多結晶の希土類鉄ガーネ
ットであることがわかる。
得られた被膜が優性方位のない多結晶の希土類鉄ガーネ
ットであることがわかる。
又得られた被膜の膜面に垂直な方向の磁界Ｈに呵
対する４ＪＪｎｍの光の７アラデ一回転角幇を測定する
と第１図の様になった。第１図から上記希土類鉄ガーネ
ット膜は多結晶体であるにもかかわらず垂直磁化特性を
有することがわかった。
と第１図の様になった。第１図から上記希土類鉄ガーネ
ット膜は多結晶体であるにもかかわらず垂直磁化特性を
有することがわかった。
又得られた被膜にはクラック等がなく、又表面平滑性が
良好であった。又電子顕微鏡観察の結果上記希土類鉄ガ
ー早ツトの平均粒径は約ｇ ｏ ｎｍであることがわか
った。
良好であった。又電子顕微鏡観察の結果上記希土類鉄ガ
ー早ツトの平均粒径は約ｇ ｏ ｎｍであることがわか
った。
塗布用浴液の組成およびＸ線回折結果から推定して上記
希土類鉄ガーネット被膜はＹ Ｂｉ１２Ｆｅ３．ｓ Ａ
ｌ１．２０１２ と考えられる。
希土類鉄ガーネット被膜はＹ Ｂｉ１２Ｆｅ３．ｓ Ａ
ｌ１．２０１２ と考えられる。
実施例コ
硝酸第２鉄、硝酸ガドリニウム、硝酸ビスマス、硝酸ア
ルミニウムをそれぞれＪ、Ｉ ： ／、０ ：２．０
： ／、コのモル比でかつ全体合計が０．１モルとなる
様に秤量した後実施例１と同様な操作で塗布溶液の作成
、塗布、焼成を行ないガラス板上に希土類鉄ガーネット
被膜を作成した。
ルミニウムをそれぞれＪ、Ｉ ： ／、０ ：２．０
： ／、コのモル比でかつ全体合計が０．１モルとなる
様に秤量した後実施例１と同様な操作で塗布溶液の作成
、塗布、焼成を行ないガラス板上に希土類鉄ガーネット
被膜を作成した。
作成した被膜は実施例／と同様平滑な優性方位のない多
結晶膜であった。得られたＣｄ Ｂｉ２Ｆｅ３．８ Ａ
Ａ’ｌ、２ ｏ１２と推定される被膜の膜面に垂直な方
向の磁界Ｈに対する６Ｊ 、３ ｎｍの光の７アラデラ
讐 一回転角−を実施例／と同様測定した。（以後光学的ヒ
ステリシス特性の測定と略称する。）得られた結果を第
２図に示す。
結晶膜であった。得られたＣｄ Ｂｉ２Ｆｅ３．８ Ａ
Ａ’ｌ、２ ｏ１２と推定される被膜の膜面に垂直な方
向の磁界Ｈに対する６Ｊ 、３ ｎｍの光の７アラデラ
讐 一回転角−を実施例／と同様測定した。（以後光学的ヒ
ステリシス特性の測定と略称する。）得られた結果を第
２図に示す。
第２図から得られた被膜は角型比１００％の磁気特性を
示すことがわかる。
示すことがわかる。
実施例３．弘
硝＃！第２鉄、硝酸イツトリウム、硝酸ビスマス、硝酸
アルミニウムをツレぞｔ’Ｌ ３．１ ： ／Ｊ ：
／Ｊ ： ／、２および３．ざ：／：／Ｊ：／、、？
のモル比でかつそれぞれの全体合計が０．１モルとな
る様に秤量し、それぞれ実施例１と同様な操作でガラス
板上に鉄ガーネツト被膜を作成した。
アルミニウムをツレぞｔ’Ｌ ３．１ ： ／Ｊ ：
／Ｊ ： ／、２および３．ざ：／：／Ｊ：／、、？
のモル比でかつそれぞれの全体合計が０．１モルとな
る様に秤量し、それぞれ実施例１と同様な操作でガラス
板上に鉄ガーネツト被膜を作成した。
得られた表面平滑なＹｌ、５ Ｂｉｌ、５ Ｆ’ｅ３，
８１１．２０１２およびＹ Ｂｉ，５ Ｆｅ３．８ Ａ
ｊ！’１．２０１２と推定されルカーネット多結晶膜の
光学的ヒステリシス特性を実施例１と同様に測定した結
果を第３図および第１図に示す。
８１１．２０１２およびＹ Ｂｉ，５ Ｆｅ３．８ Ａ
ｊ！’１．２０１２と推定されルカーネット多結晶膜の
光学的ヒステリシス特性を実施例１と同様に測定した結
果を第３図および第１図に示す。
第３図および第ｑ図より得られた被膜は垂直磁化特性を
有することがわかる。
有することがわかる。
実施例！
硝酸第２鉄、硝酸ガドリニウム、硝酸ビスマス、硝酸ア
ルミニウムをそれぞれＪ、Ｉ ： ２．０ ： ／、０
： ／ｕのモル比で、かつ全体合計が００１モルとな
る様に秤量した後実施例１と同様な方法でガラス板上に
鉄ガーネツト被膜を作成した。
ルミニウムをそれぞれＪ、Ｉ ： ２．０ ： ／、０
： ／ｕのモル比で、かつ全体合計が００１モルとな
る様に秤量した後実施例１と同様な方法でガラス板上に
鉄ガーネツト被膜を作成した。
得られた表面平滑なにｄ２ Ｂｉ Ｆｅ３．Ｂ Ａｌ１
．．２０１２と推定されるガーネット、多結晶膜の光学
ヒステリシス特性を実施例１と同様に測定した結果を第
５図に示す。第３図から本被膜も垂直磁化特性を有する
ことがわかる。
．．２０１２と推定されるガーネット、多結晶膜の光学
ヒステリシス特性を実施例１と同様に測定した結果を第
５図に示す。第３図から本被膜も垂直磁化特性を有する
ことがわかる。
実施例６
実施例／と同じ組成の塗布溶液をＩ１作成した。
この溶液に／Ｑｃｍ角２間厚のガラス板（コーニンク社
製７ｏｚｑ）を浸漬し毎分１０ｃｍの速度で引き上げた
。
製７ｏｚｑ）を浸漬し毎分１０ｃｍの速度で引き上げた
。
ここでこの様なデツピング法においては、均一な被膜を
得るために一定の速度（数Ｃｍ ／ ｍｉｎ −。
得るために一定の速度（数Ｃｍ ／ ｍｉｎ −。
数ｔ Ｏｃｍ／ｍｉｎ ）で引き上げることが非常に重
要であるが、本実施例においても均一な被膜が得られる
様に速度を一定に制御しながら行なった。
要であるが、本実施例においても均一な被膜が得られる
様に速度を一定に制御しながら行なった。
溶液からガラス板を引きあげた後、ガラス板側部に設け
た赤外線ヒーターでガラス板表面が約、３００″Ｃとな
るように数分間ガラス板を加熱した。
た赤外線ヒーターでガラス板表面が約、３００″Ｃとな
るように数分間ガラス板を加熱した。
上記１回の引、きあげ、乾燥および後述の焼成の操作で
約／ ！； Ｏｎｍ厚の希土類鉄ガーネット膜が形成さ
れた。本実施例では上記塗布および乾燥の操作を２回く
り返し、得られた塗布膜つきガラス板を６７０℃の炉の
内で３時間焼成した。
約／ ！； Ｏｎｍ厚の希土類鉄ガーネット膜が形成さ
れた。本実施例では上記塗布および乾燥の操作を２回く
り返し、得られた塗布膜つきガラス板を６７０℃の炉の
内で３時間焼成した。
熱処理により得られた被膜は実施例１と同様極めて均一
で平滑であった。（ただし引きあげ時の最下端は若干膜
厚が厚くなっていた。）電子顕微鏡による観察では得ら
れた被膜は実施例１と同様平均粒径ｔｏｎｍの多結晶体
であり、ＸＭ回折のデータおよび光学的ヒステリシス特
性は第６図および第１図とほぼ同様であった。
で平滑であった。（ただし引きあげ時の最下端は若干膜
厚が厚くなっていた。）電子顕微鏡による観察では得ら
れた被膜は実施例１と同様平均粒径ｔｏｎｍの多結晶体
であり、ＸＭ回折のデータおよび光学的ヒステリシス特
性は第６図および第１図とほぼ同様であった。
実施例７
硝酸イツトリウム、硝酸ビスマス、硝酸第２鉄、硝酸ア
ルミニウムをそれぞれ（（転）３．０ ： ０ ： ！
；、０ ： ０ 。
ルミニウムをそれぞれ（（転）３．０ ： ０ ： ！
；、０ ： ０ 。
（ｂｌ Ｊ、（７： ｏ ： ３．ｒ ： ／、２ 、
（ｃ）コ、７ｊ ： Ｏｉｊ ： ！、０ ： ０
。
（ｃ）コ、７ｊ ： Ｏｉｊ ： ！、０ ： ０
。
（ｄ）２．ｔ ：０．！； ：！；、０ ：０ 、 （
ｅ２．０ ： ／、０ ：３．０ ：０（１）２．ｙｓ
：ｏ、２ｓ：ｔｘ、ｙ：ｏ、３（ｚ）ｘ、ｙｓ：ｏ、ｓ
ｓ：ａ、ｚ：０Ｊ（３２，７３： ０．２！； ：３．
ｌｒ ： ／、２ （４）２Ｊ ：０．！； ：３．ｌ
：／、Ｊの各モル比でかつそれぞれの全体合計が０．
／モルとなる様に、又硝酸イツトリウム、ｈｍ酸ビスマ
ス、硝酸第２鉄、硝酸ガリウムを（５１２，７ｊｔ ：
０．２！ ：Ｌｊ ： ０．ｊ （６） ２．ｊ ：
ＯＪ ： ３．１ ： ／、２の各モル比でかつそれ
ぞれの全体合計が０．１モルとなる様に秤量し、実施例
１と同様な操作で塗布溶液を作成し、実施例１と同様に
塗布、焼成を行ないガラス板上に希土類鉄ガーネット被
膜を作成した。得られた被膜の磁気特性を振動試料型磁
力計（７８Ｍ）を用いて測定した所（ａ）〜（ｅ）は面
内磁化膜であり、（１）〜（６）は垂直磁化膜であるこ
とがわかった。
ｅ２．０ ： ／、０ ：３．０ ：０（１）２．ｙｓ
：ｏ、２ｓ：ｔｘ、ｙ：ｏ、３（ｚ）ｘ、ｙｓ：ｏ、ｓ
ｓ：ａ、ｚ：０Ｊ（３２，７３： ０．２！； ：３．
ｌｒ ： ／、２ （４）２Ｊ ：０．！； ：３．ｌ
：／、Ｊの各モル比でかつそれぞれの全体合計が０．
／モルとなる様に、又硝酸イツトリウム、ｈｍ酸ビスマ
ス、硝酸第２鉄、硝酸ガリウムを（５１２，７ｊｔ ：
０．２！ ：Ｌｊ ： ０．ｊ （６） ２．ｊ ：
ＯＪ ： ３．１ ： ／、２の各モル比でかつそれ
ぞれの全体合計が０．１モルとなる様に秤量し、実施例
１と同様な操作で塗布溶液を作成し、実施例１と同様に
塗布、焼成を行ないガラス板上に希土類鉄ガーネット被
膜を作成した。得られた被膜の磁気特性を振動試料型磁
力計（７８Ｍ）を用いて測定した所（ａ）〜（ｅ）は面
内磁化膜であり、（１）〜（６）は垂直磁化膜であるこ
とがわかった。
上記測定例として（（転）により作成した被膜の膜面に
垂直な方向（よ）の磁界−磁化特性を第７図、仏膜面方
向（１）の磁界−磁化特性を第１図に、（ｂ）により作
成した被膜の垂直方向および面方向の同様な磁気特性を
第９図、第ｉｏ図に、（ｅ）により作成した被膜の垂直
方向及び面方向の磁気特性を第１１図、第１コ図に、（
１）により作成した被膜の垂直方向及び面方向の磁気特
性を第１３図、第１ＩＩ図に示す。
垂直な方向（よ）の磁界−磁化特性を第７図、仏膜面方
向（１）の磁界−磁化特性を第１図に、（ｂ）により作
成した被膜の垂直方向および面方向の同様な磁気特性を
第９図、第ｉｏ図に、（ｅ）により作成した被膜の垂直
方向及び面方向の磁気特性を第１１図、第１コ図に、（
１）により作成した被膜の垂直方向及び面方向の磁気特
性を第１３図、第１ＩＩ図に示す。
本発明によれば、実施例から明らがな通り塗布溶液中に
Ｂｉ３＋イオンおよびガーネット中のｌ＋’６．３ ＋
イオンと置換可能なイオンとを含ませているためにガラ
ス板等の非晶質基板上に対しても垂直磁化特性を有し、
しかも表面平滑性の良好な希土類鉄ガーネット膜が得ら
れている。
Ｂｉ３＋イオンおよびガーネット中のｌ＋’６．３ ＋
イオンと置換可能なイオンとを含ませているためにガラ
ス板等の非晶質基板上に対しても垂直磁化特性を有し、
しかも表面平滑性の良好な希土類鉄ガーネット膜が得ら
れている。
又本発明の製造方法により作成した希土類鉄ガーネット
膜は良好な磁気特性を有し、表面平滑なため光磁気メモ
リ用の磁気媒体として使用できるものである。又大面積
にわたって均一な被膜であるために光スイツチアレイ等
にも使用できる。
膜は良好な磁気特性を有し、表面平滑なため光磁気メモ
リ用の磁気媒体として使用できるものである。又大面積
にわたって均一な被膜であるために光スイツチアレイ等
にも使用できる。
第１図ないし第３図はそれぞれ実施例／−Ｊで作成した
希土類鉄ガーネット膜の光学的ヒステリシス特性を示す
図であり第６図は実施例１により得られた希土類鉄ガー
ネット膜のｘＩＭ回折図であり、第７図ないし第１４Ｚ
図は実施例７７７）（ａ）、（ｂ）、（８１および（１
）の塗布溶液で作成した希土類鉄ガーネット膜の膜面に
対して垂直方向および面方向の磁気特性を示す図面であ
る。 第１図 第３図 −【 第４図 需 第５図 第６図 回１角２θ（ｄｅｇ） 第７Ｉ！１ 第８ 図 （ｂ） １ｉ！１０ｔ５！１ 第１．２ＵＡ
希土類鉄ガーネット膜の光学的ヒステリシス特性を示す
図であり第６図は実施例１により得られた希土類鉄ガー
ネット膜のｘＩＭ回折図であり、第７図ないし第１４Ｚ
図は実施例７７７）（ａ）、（ｂ）、（８１および（１
）の塗布溶液で作成した希土類鉄ガーネット膜の膜面に
対して垂直方向および面方向の磁気特性を示す図面であ
る。 第１図 第３図 −【 第４図 需 第５図 第６図 回１角２θ（ｄｅｇ） 第７Ｉ！１ 第８ 図 （ｂ） １ｉ！１０ｔ５！１ 第１．２ＵＡ
Claims (6)
- （１）Ｆｅ＾３＾＋イオンおよび希土類イオンを含む塗
布溶液を基板上に塗布して塗布膜を形成した後焼成を行
ない塗布膜を熱分解および結晶化させて希土類鉄ガーネ
ット膜とする希土類鉄ガーネット膜の製造方法において
、塗布溶液中にガーネット中のＦｅ＾３＾＋イオンと置
換可能なイオンとＢｉ＾３＾＋イオンとを含ませること
を特徴とする希土類鉄ガーネット膜の製造方法。 - （２）前記ガーネット中のＦｅ＾３＾＋イオンと置換可
能なイオンが、Ａｌ＾３＾＋、Ｇａ＾３＾＋、Ｃｒ＾３
＾＋、Ｃｏ＾３＾＋よりなる群より選ばれた少なくとも
１種のイオンよりなる３価のイオンＡ＾３＾＋、Ｃｏ＾
２＾＋、Ｆｅ＾２＾＋、Ｃｕ＾２＾＋よりなる群より選
ばれた少なくとも１種のイオンよりなる２価のイオンＢ
＾２＾＋、Ｓｉ＾４＾＋、Ｇｅ＾４＾＋、Ｓｎ＾４＾＋
、Ｐｂ＾４＾＋よりなる群より選ばれた少なくとも１種
のイオンよりなる４価のイオンＣ＾４＾＋、Ｖ＾５＾＋
および／またはＮｂ＾５＾＋よりなる５価のイオンＥ＾
５＾＋よりなる群より選ばれた少なくとも１種のイオン
である特許請求の範囲第１項記載の希土類鉄ガーネット
膜の製造方法。 - （３）前記塗布溶液が、該液体中に含まれるＰｂ＾２＾
＋、Ｃａ＾２＾＋、Ｍｇ＾２＾＋よりなる群より選ばれ
た少なくとも１種のイオンよりなる２価のイオンＤ＾２
＾＋、前記Ａ＾３＾＋、前記Ｂ＾２＾＋、前記Ｃ＾４＾
＋、前記Ｅ＾５＾＋、Ｂｉ＾３＾＋および希土類イオン
のそれぞれの間に以下の条件式がなりたつものである特
許請求の範囲第２項記載の希土類鉄ガーネット膜の製造
方法。 （Ｒｅ＾３＾＋）＋（Ｂｉ＾３＾＋）＋（Ｄ＾２＾＋）
＋（Ｆｅ＾３＾＋）＋（Ａ＾３＾＋）＋（Ｂ＾２＾＋）
＋（Ｃ＾４＾＋）＋（Ｅ＾５＾＋）＝８４．５≦（Ｆｅ
＾３＾＋）＋（Ａ＾３＾＋（Ｂ＾２＾＋）＋（Ｃ＾４＾
＋）＋（Ｅ＾５＾＋）≦６．０２．０≦（Ｒｅ＾３＾＋
）＋（Ｂｉ＾３＾＋）＋（Ｄ＾２＾＋）≦３．５０．５
≦（Ｒｅ＾３＾＋）≦３．０、０．２５≦（Ｂｉ＾３＾
＋）≦２．５３．０≦（Ｆｅ＾３＾＋）≦５．０、０．
３≦（Ａ＾３＾＋）＋（Ｂ＾２＾＋）＋（Ｃ＾４＾＋）
＋（Ｅ＾５＾＋）≦２．０ ここでＲｅ＾３＾＋は希土類イオンであり（Ｂｉ＾３＾
＋）、（Ｆｅ＾３＾＋）等は塗布溶液中に含まれるＢｉ
＾３＾＋、Ｆｅ＾３＾＋等のカチオン数の相対的な比率
を示す値である。 （３）該塗布溶液が水溶液および有機溶剤との混合溶液
である特許請求の範囲第１項または第２項記載の希土類
鉄ガーネット膜の製造方法。 - （４）該塗布溶液中の全カチオンの濃度が０．０１〜０
．７モル／ｌである特許請求の範囲第１項ないし第３項
記載の希土類鉄ガーネット膜の製造方法。 - （５）前記焼成時の焼成温度が４００〜８００℃である
特許請求の範囲第１項ないし第４項記載の希土類鉄ガー
ネット膜の製造方法。 - （６）前記塗布膜が、溶液を塗布した後に４００℃より
ひくい温度の乾燥を行なう工程のくりかえしによる厚膜
である特許請求の範囲第１項ないし第５項記載の希土類
鉄ガーネット膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062737A JPS61222109A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法 |
| US06/840,875 US4657782A (en) | 1985-03-27 | 1986-03-18 | Method of forming a rare earth-iron-garnet vertically magnetized film |
| FR8604473A FR2579814A1 (fr) | 1985-03-27 | 1986-03-27 | Procede de fabrication d'un film de grenat de terres rares-fer magnetise normalement |
| DE19863610467 DE3610467A1 (de) | 1985-03-27 | 1986-03-27 | Verfahren zur herstellung einer vertikal magnetisierten schicht auf basis eines seltenen erden-eisen-granats |
| GB08607714A GB2175012B (en) | 1985-03-27 | 1986-03-27 | Methods of forming rare earth-iron garnet vertically magnetized films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60062737A JPS61222109A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222109A true JPS61222109A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0562808B2 JPH0562808B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=13208992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60062737A Granted JPS61222109A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 希土類鉄ガ−ネツト膜の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4657782A (ja) |
| JP (1) | JPS61222109A (ja) |
| DE (1) | DE3610467A1 (ja) |
| FR (1) | FR2579814A1 (ja) |
| GB (1) | GB2175012B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6398855A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS63160220A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Ricoh Co Ltd | 酸化物垂直磁化膜の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3842673A1 (de) * | 1988-12-19 | 1990-06-21 | Atilla Dipl Chem Dr Ing Akyol | Verfahren zur herstellung verschleissfester schichten |
| JPH0354198A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶 |
| FR2655463B1 (fr) * | 1989-12-06 | 1995-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'une memoire magnetooptique. |
| JPH11340038A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜、磁性ガーネット単結晶膜の製造方法および静磁波デバイス |
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|---|---|---|---|---|
| JPS4943480A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-04-24 | ||
| JPS56155515A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-01 | Olympus Optical Co Ltd | Magnetic garnet film and manufacture |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3745046A (en) * | 1970-12-28 | 1973-07-10 | North American Rockwell | Method for producing bubble domains in magnetic film-substrate structures |
| DE3424467A1 (de) * | 1984-07-03 | 1986-01-16 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung wismut-substituierter ferrimagnetischer granatschichten |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60062737A patent/JPS61222109A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-18 US US06/840,875 patent/US4657782A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-27 GB GB08607714A patent/GB2175012B/en not_active Expired
- 1986-03-27 FR FR8604473A patent/FR2579814A1/fr active Pending
- 1986-03-27 DE DE19863610467 patent/DE3610467A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4943480A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-04-24 | ||
| JPS56155515A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-01 | Olympus Optical Co Ltd | Magnetic garnet film and manufacture |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6398855A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS63160220A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Ricoh Co Ltd | 酸化物垂直磁化膜の製造方法 |
| JP2546999B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1996-10-23 | 株式会社リコー | 酸化物垂直磁化膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0562808B2 (ja) | 1993-09-09 |
| US4657782A (en) | 1987-04-14 |
| GB8607714D0 (en) | 1986-04-30 |
| DE3610467A1 (de) | 1986-10-09 |
| FR2579814A1 (fr) | 1986-10-03 |
| GB2175012A (en) | 1986-11-19 |
| GB2175012B (en) | 1988-10-05 |
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