JPH0631197B2 - 酸化物ガーネット単結晶の製造方法 - Google Patents
酸化物ガーネット単結晶の製造方法Info
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- JPH0631197B2 JPH0631197B2 JP1156379A JP15637989A JPH0631197B2 JP H0631197 B2 JPH0631197 B2 JP H0631197B2 JP 1156379 A JP1156379 A JP 1156379A JP 15637989 A JP15637989 A JP 15637989A JP H0631197 B2 JPH0631197 B2 JP H0631197B2
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- garnet single
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- oxide garnet
- oxide
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は酸化物ガーネット単結晶の製造方法、特にはバ
ブルメモリ、磁気光学素子、マイクロ波素子として有用
とされる酸化物ガーネット単結晶の製造方法に関するも
のである。
ブルメモリ、磁気光学素子、マイクロ波素子として有用
とされる酸化物ガーネット単結晶の製造方法に関するも
のである。
［従来の技術］ 酸化物ガーネット単結晶の製造はガーネット単結晶を構
成する各成分元素の酸化物をフラックス成分としてのＰ
ｂＯ，Ｂｉ２Ｏ３成分と共に溶融した融液から過冷却状
態で液相エピタキシャル法で基板上に成長させるという
方法で行なわれており、この際ここに成長するエピタキ
シャル膜の膜厚やその磁気特性を一定にするために基板
を回転−反転動作させる方法が採用されている。
成する各成分元素の酸化物をフラックス成分としてのＰ
ｂＯ，Ｂｉ２Ｏ３成分と共に溶融した融液から過冷却状
態で液相エピタキシャル法で基板上に成長させるという
方法で行なわれており、この際ここに成長するエピタキ
シャル膜の膜厚やその磁気特性を一定にするために基板
を回転−反転動作させる方法が採用されている。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、この基板の回転−反転動作の機構と得られる酸
化物ガーネット単結晶膜の特性値の均一性との関連性に
ついては未だ充分に解明されていないために、均一な膜
厚と磁気特性、磁気光学特性を有する酸化物ガーネット
単結晶を安定して得ることが困難であるという欠点があ
る。
化物ガーネット単結晶膜の特性値の均一性との関連性に
ついては未だ充分に解明されていないために、均一な膜
厚と磁気特性、磁気光学特性を有する酸化物ガーネット
単結晶を安定して得ることが困難であるという欠点があ
る。
［課題を解決するための手段］ 本発明はこのような欠点を解決した酸化物ガーネット単
結晶の製造方法に関するものであり、これは基板上に融
液から酸化物ガーネット単結晶を液相エピタキシャル法
で成長させるに当り、該基板の回転方向を変える際の切
替え時の基板の回転数変化速度を２，０００rpm／秒以
上とすることを特徴とする酸化物ガーネット単結晶の製
造方法に関するものであり、これによれば基板をガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネットとし、酸化物ガーネット
単結晶を（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ12また
はＹ2.9Ｂｉ0.1Ｆｅ５Ｏ12とするとコラップス磁界分布
が2.0％以下であるか、磁気共鳴半値幅が1.8Ｏｅ以下
で、そのバラツキが1.0Ｏｅ以下である酸化物ガーネッ
ト単結晶が得られる。
結晶の製造方法に関するものであり、これは基板上に融
液から酸化物ガーネット単結晶を液相エピタキシャル法
で成長させるに当り、該基板の回転方向を変える際の切
替え時の基板の回転数変化速度を２，０００rpm／秒以
上とすることを特徴とする酸化物ガーネット単結晶の製
造方法に関するものであり、これによれば基板をガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネットとし、酸化物ガーネット
単結晶を（ＹＳｍＬｕＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ12また
はＹ2.9Ｂｉ0.1Ｆｅ５Ｏ12とするとコラップス磁界分布
が2.0％以下であるか、磁気共鳴半値幅が1.8Ｏｅ以下
で、そのバラツキが1.0Ｏｅ以下である酸化物ガーネッ
ト単結晶が得られる。
すなわち、本発明者らは液相エピタキシャル法で得られ
た基板面内の酸化物ガーネット単結晶の膜厚および磁気
特性を均一なものとする方法について種々検討した結
果、この酸化物ガーネット単結晶の膜厚および磁気特性
の均一性はこの融液組成の均一性に依存するので、これ
には融液を強力に回転、反転させることが必要とされる
のであるが、この場合単に平均回転数を制御するだけで
は不充分で、これについては基板の回転方向を変える際
の切替え時の回転数の変化速度についても検討する必要
があり、この回転数変化速度が２，０００rpm／秒未満
では回転、膜厚のバラつきが大きくなって磁気共鳴半値
幅△Ｈおよびコラップス磁界の値がバラつくが、これを
２，０００rpm／秒以上とすると基板内での酸化物ガー
ネット単結晶の膜厚のバラツキが小さくなり、磁気共鳴
半値幅△Ｈの値も1.8Ｏｅ以下で、そのバラつきも1.0Ｏ
ｅ以下となり、コラップス磁界の分布も2.0％以下とな
ることを見出し、ここに使用する基板、融液の組成、液
相エピタキシャル法などについての研究を進めて本発明
を完成させた。
た基板面内の酸化物ガーネット単結晶の膜厚および磁気
特性を均一なものとする方法について種々検討した結
果、この酸化物ガーネット単結晶の膜厚および磁気特性
の均一性はこの融液組成の均一性に依存するので、これ
には融液を強力に回転、反転させることが必要とされる
のであるが、この場合単に平均回転数を制御するだけで
は不充分で、これについては基板の回転方向を変える際
の切替え時の回転数の変化速度についても検討する必要
があり、この回転数変化速度が２，０００rpm／秒未満
では回転、膜厚のバラつきが大きくなって磁気共鳴半値
幅△Ｈおよびコラップス磁界の値がバラつくが、これを
２，０００rpm／秒以上とすると基板内での酸化物ガー
ネット単結晶の膜厚のバラツキが小さくなり、磁気共鳴
半値幅△Ｈの値も1.8Ｏｅ以下で、そのバラつきも1.0Ｏ
ｅ以下となり、コラップス磁界の分布も2.0％以下とな
ることを見出し、ここに使用する基板、融液の組成、液
相エピタキシャル法などについての研究を進めて本発明
を完成させた。
以下にこれを詳述する。
［作 用］ 本発明による酸化物ガーネット単結晶の製造は、基板上
に酸化物ガーネット単結晶を構成する各成分元素の酸化
物を溶融して得た融液から液相エピタキシャル法で酸化
物ガーネット単結晶を膜状にエピタキシャル成長させる
ことによって行なわれる。
に酸化物ガーネット単結晶を構成する各成分元素の酸化
物を溶融して得た融液から液相エピタキシャル法で酸化
物ガーネット単結晶を膜状にエピタキシャル成長させる
ことによって行なわれる。
ここに使用される基板は希土類元素・ガリウム・ガーネ
ットが用いられるが、これにはガドリニウム・ガリウム
・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）、サマリウム・
ガリウム・ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）、ネオ
ジウム・ガリウム・ガーネット（以下ＮＧＧと略記す
る）、またはこのＧＧＧのＧｄ，Ｇａの一部をＣａ，Ｍ
ｇ，ＺｒまたはＹの１種または２種以上から選択される
元素で置換した置換ＧＧＧなどが例示される。これらは
Ｇｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３または必要に応じ
ＣａＣＯ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３などの置換材
をそれぞれＧａ２Ｏ３の所定量と共にルツボに仕込み、
高周波誘導で各々の融点以上に加熱して溶融したのち、
この融液からチヨクラルスキー法で単結晶を引上げるこ
とによって得ることができる。
ットが用いられるが、これにはガドリニウム・ガリウム
・ガーネット（以下ＧＧＧと略記する）、サマリウム・
ガリウム・ガーネット（以下ＳＧＧと略記する）、ネオ
ジウム・ガリウム・ガーネット（以下ＮＧＧと略記す
る）、またはこのＧＧＧのＧｄ，Ｇａの一部をＣａ，Ｍ
ｇ，ＺｒまたはＹの１種または２種以上から選択される
元素で置換した置換ＧＧＧなどが例示される。これらは
Ｇｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３または必要に応じ
ＣａＣＯ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２，Ｙ２Ｏ３などの置換材
をそれぞれＧａ２Ｏ３の所定量と共にルツボに仕込み、
高周波誘導で各々の融点以上に加熱して溶融したのち、
この融液からチヨクラルスキー法で単結晶を引上げるこ
とによって得ることができる。
また、この基板単結晶上に液相エピタキシャル法でエピ
タキシャル成長させる酸化物ガーネット単結晶は式（Ｙ
Ｍ）ａＦｅ8-aＯ12または（ＹＭ）ａ（ＦｅＮ）8-aＯ12
で示され、ＭがＢｉ，Ｙ，Ｃａまたは希土類元素から選
択される少なくとも１つの元素、ＮがＳｃ，Ｉｎ，Ｇ
ａ，Ａｌ，ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１
つの元素でａは3.1≧ａ≧3.0の数とされるものとすれば
よく、このＭ，Ｎの種類、添加割合、ａの数値はこの酸
化物ガーネット単結晶の格子定数が前記した基板の格子
定数に合致するように選ぶようにすればよいが、これに
は（ＹＭ）ａ（ＦｅＮ）8-aＯ12または（ＹＳｍＬｕＣ
ａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ12で示されるもの、例えば（Ｙ
0.96Ｂｉ0.1）Ｆｅ５Ｏ12，Ｙ0.77Ｓｍ0.64Ｌｕ0.79Ｃ
ａ0.80Ｆｅ4.20Ｇｅ0.80Ｏ12などが例示される。
タキシャル成長させる酸化物ガーネット単結晶は式（Ｙ
Ｍ）ａＦｅ8-aＯ12または（ＹＭ）ａ（ＦｅＮ）8-aＯ12
で示され、ＭがＢｉ，Ｙ，Ｃａまたは希土類元素から選
択される少なくとも１つの元素、ＮがＳｃ，Ｉｎ，Ｇ
ａ，Ａｌ，ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１
つの元素でａは3.1≧ａ≧3.0の数とされるものとすれば
よく、このＭ，Ｎの種類、添加割合、ａの数値はこの酸
化物ガーネット単結晶の格子定数が前記した基板の格子
定数に合致するように選ぶようにすればよいが、これに
は（ＹＭ）ａ（ＦｅＮ）8-aＯ12または（ＹＳｍＬｕＣ
ａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ12で示されるもの、例えば（Ｙ
0.96Ｂｉ0.1）Ｆｅ５Ｏ12，Ｙ0.77Ｓｍ0.64Ｌｕ0.79Ｃ
ａ0.80Ｆｅ4.20Ｇｅ0.80Ｏ12などが例示される。
しかして、本発明による酸化物ガーネット単結晶の製造
は白金ルツボ中にＹ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３および必要に応
じ元素Ｍの酸化物、元素Ｎの酸化物（Ｍ，Ｎは前記に同
じ）をフラックスとしてのＰｂＯ，Ｂ２Ｏ３と共に仕込
み、１，１００〜１，２００℃に加熱してこれを融解さ
せて得た、目的とする酸化物ガーネット単結晶と同一組
成の融液を過冷却状態とし、この融液から液相エピタキ
シャル法で酸化物ガーネット単結晶を基体上に成長させ
るという方法で行なわれるが、本発明の方法ではこの際
の基板の回転方向を変える際の切替え時の基板の回転数
変化速度が２，０００rpm／秒以上とされる。この回転
数変化速度とは反転時における回転数の変化値を所要時
間（秒）で除した値として定義されるものであるが、こ
れが２，０００rpm／秒未満では基板の回転−反転がバ
ラつくし、得られる酸化物ガーネット単結晶の膜厚のバ
ラつきも大きくなり、この酸化物ガーネット単結晶の磁
気共鳴半値幅△Ｈの分布、コラップス磁界Ｈ０の分布が
バラつくことになるが、これを２，０００rpm／秒以上
とすると融液が急激に移動され、その激しい撹拌によっ
てこの組成が常に均一に保たれるので、これによれば得
られる酸化物ガーネット単結晶の基板内での膜厚が14.7
〜15.8μｍとなってバラつきの小さいものとなるし、こ
のものの磁気共鳴半値幅△Ｈの分布も1.8Ｏｅ以下でそ
のバラつきも1.0Ｏｅ以下となり、コラップス磁界の分
布も2.0％以下であるものとすることができるので、基
板の回転方向を変える際の切替え時のこの基板の回転数
変化速度は２，０００rpm／秒以上とすることが必要と
される。
は白金ルツボ中にＹ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３および必要に応
じ元素Ｍの酸化物、元素Ｎの酸化物（Ｍ，Ｎは前記に同
じ）をフラックスとしてのＰｂＯ，Ｂ２Ｏ３と共に仕込
み、１，１００〜１，２００℃に加熱してこれを融解さ
せて得た、目的とする酸化物ガーネット単結晶と同一組
成の融液を過冷却状態とし、この融液から液相エピタキ
シャル法で酸化物ガーネット単結晶を基体上に成長させ
るという方法で行なわれるが、本発明の方法ではこの際
の基板の回転方向を変える際の切替え時の基板の回転数
変化速度が２，０００rpm／秒以上とされる。この回転
数変化速度とは反転時における回転数の変化値を所要時
間（秒）で除した値として定義されるものであるが、こ
れが２，０００rpm／秒未満では基板の回転−反転がバ
ラつくし、得られる酸化物ガーネット単結晶の膜厚のバ
ラつきも大きくなり、この酸化物ガーネット単結晶の磁
気共鳴半値幅△Ｈの分布、コラップス磁界Ｈ０の分布が
バラつくことになるが、これを２，０００rpm／秒以上
とすると融液が急激に移動され、その激しい撹拌によっ
てこの組成が常に均一に保たれるので、これによれば得
られる酸化物ガーネット単結晶の基板内での膜厚が14.7
〜15.8μｍとなってバラつきの小さいものとなるし、こ
のものの磁気共鳴半値幅△Ｈの分布も1.8Ｏｅ以下でそ
のバラつきも1.0Ｏｅ以下となり、コラップス磁界の分
布も2.0％以下であるものとすることができるので、基
板の回転方向を変える際の切替え時のこの基板の回転数
変化速度は２，０００rpm／秒以上とすることが必要と
される。
上記したような方法で得られる酸化物ガーネット単結晶
膜は、クラックもなくエピタキシャル膜表面も鏡面状で
あり、磁気共鳴半値幅△Ｈも小さく、コラップス磁界の
分布も2.0％以下のものとなるのでマイクロ波素子用材
料としてすぐれた物性をもつものとなり、このものは例
えば周波数１００MHzから数１０GHzのマイクロ波帯で使
用されるマイクロ波素子として有用とされるほか、光ア
イソレーター、サーキュレーター用の磁気光学素子用，
バブルメモリー用磁性膜としても有用とされる。
膜は、クラックもなくエピタキシャル膜表面も鏡面状で
あり、磁気共鳴半値幅△Ｈも小さく、コラップス磁界の
分布も2.0％以下のものとなるのでマイクロ波素子用材
料としてすぐれた物性をもつものとなり、このものは例
えば周波数１００MHzから数１０GHzのマイクロ波帯で使
用されるマイクロ波素子として有用とされるほか、光ア
イソレーター、サーキュレーター用の磁気光学素子用，
バブルメモリー用磁性膜としても有用とされる。
［実施例］ つぎに本発明の実施例をあげるが、例中における酸化物
ガーネット単結晶の膜厚の測定は各基板内の５ケ所につ
いて分光器による干渉スペクトルから行なったもの、磁
気共鳴半値幅△ＨはＦＭＲを用いた破壊測定で求めたも
の、コラップス磁界Ｈ０は偏光顕微鏡とヘルムホルツコ
イルとからなる装置による測定値を示したものであり、
回転数変化速度は回転モーターのエンコーダー出力をデ
ィジタルオシログラフＸ−Ｙブロックで時間（秒）−回
転数（rpm）のグラフを書かせることによって求めたも
のである。
ガーネット単結晶の膜厚の測定は各基板内の５ケ所につ
いて分光器による干渉スペクトルから行なったもの、磁
気共鳴半値幅△ＨはＦＭＲを用いた破壊測定で求めたも
の、コラップス磁界Ｈ０は偏光顕微鏡とヘルムホルツコ
イルとからなる装置による測定値を示したものであり、
回転数変化速度は回転モーターのエンコーダー出力をデ
ィジタルオシログラフＸ−Ｙブロックで時間（秒）−回
転数（rpm）のグラフを書かせることによって求めたも
のである。
実施例１〜２、比較例１〜２ 白金製るつぼを内嵌する縦型電気炉のるつぼ上部にＧＧ
Ｇ基板を白金製ホルダーに担持させた液相エピタキシャ
ル育成炉を用い、この白金るつぼ中に所定量のＹ
２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３とフラックス成分とし
てのＰｂＯ，Ｂ２Ｏ３を仕込み、１，１００℃に加熱し
て溶融させたのち、この融液にＧＧＧ基板を浸漬し、こ
のＧＧＧウエーハを平均回転速度４５rpm、反転周期1.0
秒とし、各反転周期における回転数を第１図の(a)，
(b)，(c)，(d)のようにし、これより回転数変化速度（r
pm／秒）を求めたところ、それぞれ380，500，2,000，
4,900rpm／秒となったが、この条件で基板を回転−反転
させながらこのＧＧＧウエーハの〈１１１〉方向にＹ
2.9Ｂｉ0.1Ｆｅ５Ｏ12で示されるエピタキシャル膜を成
長させて厚さ1.5μｍの酸化物ガーネット単結晶を作っ
たところ、得られた酸化物ガーネット単結晶の中心膜厚
（Ａ）、膜厚差（△Ａ）、膜厚分布（△Ａ／Ａ）および
磁気共鳴半値幅△Ｈの分布についてつぎの第１表に示し
たとおりの結果が得られた。
Ｇ基板を白金製ホルダーに担持させた液相エピタキシャ
ル育成炉を用い、この白金るつぼ中に所定量のＹ
２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３とフラックス成分とし
てのＰｂＯ，Ｂ２Ｏ３を仕込み、１，１００℃に加熱し
て溶融させたのち、この融液にＧＧＧ基板を浸漬し、こ
のＧＧＧウエーハを平均回転速度４５rpm、反転周期1.0
秒とし、各反転周期における回転数を第１図の(a)，
(b)，(c)，(d)のようにし、これより回転数変化速度（r
pm／秒）を求めたところ、それぞれ380，500，2,000，
4,900rpm／秒となったが、この条件で基板を回転−反転
させながらこのＧＧＧウエーハの〈１１１〉方向にＹ
2.9Ｂｉ0.1Ｆｅ５Ｏ12で示されるエピタキシャル膜を成
長させて厚さ1.5μｍの酸化物ガーネット単結晶を作っ
たところ、得られた酸化物ガーネット単結晶の中心膜厚
（Ａ）、膜厚差（△Ａ）、膜厚分布（△Ａ／Ａ）および
磁気共鳴半値幅△Ｈの分布についてつぎの第１表に示し
たとおりの結果が得られた。
実施例３〜４、比較例３〜４ 酸化物ガーネット単結晶の融液成分を所定量のＹ
２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，ＣａＣＯ３，Ｆｅ２
Ｏ３，ＧｅＯ２とした以外は実施例１〜２、比較例１〜
２と同様の方法でＧＧＧウエーハの〈１１１〉方向に式 Ｙ0.77Ｓｍ0.64Ｌｕ0.79Ｃａ0.80Ｆｅ4.20Ｇｅ0.80Ｏ12 で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ約2.0μ
ｍの酸化物ガーネット単結晶を作ったところ、得られた
酸化物ガーネット単結晶のコラップス磁界Ｈ０の分布に
ついて第２表に示したとおりの結果が得られた。
２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３，Ｌｕ２Ｏ３，ＣａＣＯ３，Ｆｅ２
Ｏ３，ＧｅＯ２とした以外は実施例１〜２、比較例１〜
２と同様の方法でＧＧＧウエーハの〈１１１〉方向に式 Ｙ0.77Ｓｍ0.64Ｌｕ0.79Ｃａ0.80Ｆｅ4.20Ｇｅ0.80Ｏ12 で示されるエピタキシャル膜を成長させ、厚さ約2.0μ
ｍの酸化物ガーネット単結晶を作ったところ、得られた
酸化物ガーネット単結晶のコラップス磁界Ｈ０の分布に
ついて第２表に示したとおりの結果が得られた。
［発明の効果］ 本発明は酸化物ガーネット単結晶の製造方法に関するも
のであり、これは前記したように基板上に融液から酸化
物ガーネット単結晶を液相エピタキシャル法で成長させ
るに当り、該基板の回転方向を変える際の切替え時の基
板の回転数変化速度を２，０００rpm／秒以上とするこ
とを特徴とするものであるが、これによれば融液が急激
に移動され、その激しい撹拌によってその組成が常に均
一に保たれ、これから成長した酸化物ガーネット単結晶
の膜厚、各種動物性値を均一なものとすることができる
ので、バブルメモリ、磁気光学素子、マイクロ波素子と
して有用とされる酸化物ガーネット単結晶を容易にかつ
安定して得ることができるという有利性が与えられる。
のであり、これは前記したように基板上に融液から酸化
物ガーネット単結晶を液相エピタキシャル法で成長させ
るに当り、該基板の回転方向を変える際の切替え時の基
板の回転数変化速度を２，０００rpm／秒以上とするこ
とを特徴とするものであるが、これによれば融液が急激
に移動され、その激しい撹拌によってその組成が常に均
一に保たれ、これから成長した酸化物ガーネット単結晶
の膜厚、各種動物性値を均一なものとすることができる
ので、バブルメモリ、磁気光学素子、マイクロ波素子と
して有用とされる酸化物ガーネット単結晶を容易にかつ
安定して得ることができるという有利性が与えられる。
第１図は実施例、比較例における基板の回転数変化速度
を測定するための基板の回転数（rpm）と周期内の時間
（秒）との関係図であり、(a)は比較例１、(b)は比較例
２、(c)は実施例１、(d)は実施例２の関係図を示したも
のである。
を測定するための基板の回転数（rpm）と周期内の時間
（秒）との関係図であり、(a)は比較例１、(b)は比較例
２、(c)は実施例１、(d)は実施例２の関係図を示したも
のである。
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に融液から酸化物ガーネット単結晶
を液相エピタキシャル法で成長させるに当り、該基板の
回転方向を変える際の切替え時の基板の回転数変化速度
を２，０００rpm／秒以上とすることを特徴とする酸化
物ガーネット単結晶の製造方法。 - 【請求項２】基板が式Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ12またはこのＧ
ｄ、Ｇａの一部をＣａ、Ｍｇ、ＺｒまたはＹの１種また
は２種以上で置換したガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ットである請求項１に記載の酸化物ガーネット単結晶の
製造方法。 - 【請求項３】酸化物ガーネット単結晶が式（ＹＭ）ａＦ
ｅ8-aＯ12または（ＹＭ）ａ（ＦｅＮ）8-aＯ12［ここに
ＭはＢｉ、Ｙ、Ｃａ、または希土類元素から選択される
少なくとも１つの元素、ＮはＳｃ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、
Ｇｅ、Ｓｉから選択される少なくとも１つの元素、ａは
3.1≧ａ≧3.0］で示されるものである請求項１または２
に記載の酸化物ガーネット単結晶の製造方法。 - 【請求項４】基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
トであり、酸化物ガーネット単結晶が式（ＹＳｍＬｕＣ
ａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ12で示されるものである請求項
１に記載の酸化物ガーネット単結晶の製造方法。 - 【請求項５】酸化物ガーネット単結晶が式Ｙ0.77Ｓｍ
0.64Ｌｕ0.79Ｃａ0.80Ｆｅ4.20Ｇｅ0.80Ｏ12で示される
ものである請求項４に記載の酸化物ガーネット単結晶の
製造方法。 - 【請求項６】基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネッ
トであり、酸化物ガーネット単結晶が式Ｙ2.9Ｂｉ0.1Ｆ
ｅ５Ｏ12で示されるものである請求項１に記載の酸化物
ガーネット単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156379A JPH0631197B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 酸化物ガーネット単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1156379A JPH0631197B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 酸化物ガーネット単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323288A JPH0323288A (ja) | 1991-01-31 |
| JPH0631197B2 true JPH0631197B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=15626465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1156379A Expired - Lifetime JPH0631197B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 酸化物ガーネット単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0631197B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0631196U (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | 日東工業株式会社 | 電気機器キャビネット用ルーバー |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1156379A patent/JPH0631197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0631196U (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | 日東工業株式会社 | 電気機器キャビネット用ルーバー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323288A (ja) | 1991-01-31 |
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