JPS59141495A - ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法 - Google Patents
ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法Info
- Publication number
- JPS59141495A JPS59141495A JP58015662A JP1566283A JPS59141495A JP S59141495 A JPS59141495 A JP S59141495A JP 58015662 A JP58015662 A JP 58015662A JP 1566283 A JP1566283 A JP 1566283A JP S59141495 A JPS59141495 A JP S59141495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- garnet
- film
- thick film
- single crystal
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ノア２デー回転効果を利用した光アイソレー
タ、サーキュレータまたはスイッチなどに用いられる磁
気光学素子用磁性ガーネット材料の製造方法に関する。
タ、サーキュレータまたはスイッチなどに用いられる磁
気光学素子用磁性ガーネット材料の製造方法に関する。
近時、光フアイバー通信技術の進歩は目ざましい。低損
失７アイバーと長時間連続発振可能な半導体レーザの開
発により、光フアイバー通信技術は通信量の増加に対応
し安価でしかも高品質の通信手段を提供する手段として
期待されている。
失７アイバーと長時間連続発振可能な半導体レーザの開
発により、光フアイバー通信技術は通信量の増加に対応
し安価でしかも高品質の通信手段を提供する手段として
期待されている。
しかしながら、光伝送路の途中に設けられるスイッチ等
の部品から反射される戻り光が光源である半導体レーザ
に入るとレーザ発振の安定性を損うという大きな問題が
ある。
の部品から反射される戻り光が光源である半導体レーザ
に入るとレーザ発振の安定性を損うという大きな問題が
ある。
この問題の解決のために、光アイソレータをレーザー光
源の後段に設けることが提案されている。
源の後段に設けることが提案されている。
１３〜１８μｍの長波長帯用光アイソレータとしては、
電子通信学会技術研究報告０ＱＥ７８−１３３に報告さ
れているように１強磁性体であるイツトリウム−鉄−カ
ーネット（Ｙ３ＦｅｓＯｘｚ 、 ＹＩＧ ）の７アラ
デー効果を用りたものが提案されている。この報告で用
いられているＹＩＧは７２ヴクス法で育成されたバルク
単結晶である。
電子通信学会技術研究報告０ＱＥ７８−１３３に報告さ
れているように１強磁性体であるイツトリウム−鉄−カ
ーネット（Ｙ３ＦｅｓＯｘｚ 、 ＹＩＧ ）の７アラ
デー効果を用りたものが提案されている。この報告で用
いられているＹＩＧは７２ヴクス法で育成されたバルク
単結晶である。
しかしながら、バルク単結晶を用いる方法は原材料コス
トが著しく高く、光アイソレータの普及を阻げている。
トが著しく高く、光アイソレータの普及を阻げている。
この解決のために、特願昭５５−９３４４９および特願
昭５５−１２６２３９に開示されるような非磁性ガーネ
ット基板の上にエビタキシャル成長させたガーネット厚
膜の採用が提案されている。
昭５５−１２６２３９に開示されるような非磁性ガーネ
ット基板の上にエビタキシャル成長させたガーネット厚
膜の採用が提案されている。
光アイソレータではこのガーネット厚膜を円筒状の磁石
の中に置き、直線偏光した光をそのガーネット厚膜の中
を膜面と平行忙透過させるとその出射光の偏光面が回転
するように構成されている。
の中に置き、直線偏光した光をそのガーネット厚膜の中
を膜面と平行忙透過させるとその出射光の偏光面が回転
するように構成されている。
このようにバルク単結晶に代えてエビクーｔ”／ヤル成
長された単結晶厚膜を用いることにより、原材料コスト
を引き下けることが可能となった。
長された単結晶厚膜を用いることにより、原材料コスト
を引き下けることが可能となった。
膜厚としては、シングルモード７アイバ用ニは２００μ
ｍが、マルチモードファイバ用ニハ５ｏｏμｍが必要で
ある。また、膜面と垂直に光を入射させたときに入射直
線偏光の偏光面を４５°回転させるに足りる厚さのエピ
タキシャル膜が得られれば。
ｍが、マルチモードファイバ用ニハ５ｏｏμｍが必要で
ある。また、膜面と垂直に光を入射させたときに入射直
線偏光の偏光面を４５°回転させるに足りる厚さのエピ
タキシャル膜が得られれば。
膜面に垂直に光を入射させる方式の光アイクレータがエ
ピタキシャル膜を用いて作成可能である。
ピタキシャル膜を用いて作成可能である。
膜育成用の基板の方位としては０通常は（ｎｌ）が用い
られている。これは、基板に用いられるガドリニウム・
ガリウム・ガーネット膜キサイド）を引き上げ方向とし
て育成され、これより基板用ウェルが垂直に切り出され
るからである。
られている。これは、基板に用いられるガドリニウム・
ガリウム・ガーネット膜キサイド）を引き上げ方向とし
て育成され、これより基板用ウェルが垂直に切り出され
るからである。
（１１１）成長エビタキシャルガーネシト厚膜金、光ア
イソレータｌとのファラデー回転子として用いる場合の
問題点は、厚膜の育成温度と膜厚とによってはｇ成用融
液がフランクスインクルージョンとして膜中に取り込ま
れることである。本発明渚の実験ｔＣよれはフラックス
インクルージヨン生成の布陣は厚膜の表面形態と密接に
関係のあることが判っ友。第１図に示すよ５に、ガーネ
ット厚膜の表面形態には、膜厚および肖成温度によって
鏡面３、脈！２および渦巻１の３種類があることが↑：
］った７、仁のうち、「渦巻」が現われるときには必ず
フラックスインクルージヨンヲ伴っていた。例えＶｌ、
第１図においては、表面形態としてＵ脈理ｊ七ｒ゛渦巻
コとの境界１１ｆ１．、成長温度が９６０ Ｃにおいで
は２ｏｏＡｍである。すなわち９６０ｕＣにおい′Ｃは
膜厚が２００／ｌｔｍ以上となると、あるいは膜厚が２
００１ｏｎでちっても９６０“′Ｃ以上で０欣すると、
表面形態ｔよ「渦巻」とｌリフシックスインクルージョ
ンを生う′る。した〃：って、これらの条件では７ンソ
クスインクルージヨン′ｆ：伴なわな い高品質の磁気
光学素子用材料を得ることができな力Ｓつた。
イソレータｌとのファラデー回転子として用いる場合の
問題点は、厚膜の育成温度と膜厚とによってはｇ成用融
液がフランクスインクルージョンとして膜中に取り込ま
れることである。本発明渚の実験ｔＣよれはフラックス
インクルージヨン生成の布陣は厚膜の表面形態と密接に
関係のあることが判っ友。第１図に示すよ５に、ガーネ
ット厚膜の表面形態には、膜厚および肖成温度によって
鏡面３、脈！２および渦巻１の３種類があることが↑：
］った７、仁のうち、「渦巻」が現われるときには必ず
フラックスインクルージヨンヲ伴っていた。例えＶｌ、
第１図においては、表面形態としてＵ脈理ｊ七ｒ゛渦巻
コとの境界１１ｆ１．、成長温度が９６０ Ｃにおいで
は２ｏｏＡｍである。すなわち９６０ｕＣにおい′Ｃは
膜厚が２００／ｌｔｍ以上となると、あるいは膜厚が２
００１ｏｎでちっても９６０“′Ｃ以上で０欣すると、
表面形態ｔよ「渦巻」とｌリフシックスインクルージョ
ンを生う′る。した〃：って、これらの条件では７ンソ
クスインクルージヨン′ｆ：伴なわな い高品質の磁気
光学素子用材料を得ることができな力Ｓつた。
一方 ガーネット膜の吸収４爪数鉱成長温度が高いｔｌ
と低く、より高い温度、と＜ Ｋ １０（１０″Ｃ以上
て育成されることが望まれる。
と低く、より高い温度、と＜ Ｋ １０（１０″Ｃ以上
て育成されることが望まれる。
本発明の目的は、フラックスインクルージヨンを伴なわ
ない高品質のガーネッ）／〒Ｒ分を広いｒＪｙ長漉度範
囲で再現性良く得る方法紮提伊＝することにある。
ない高品質のガーネッ）／〒Ｒ分を広いｒＪｙ長漉度範
囲で再現性良く得る方法紮提伊＝することにある。
本発明の原理り、ガーネット厚膜を育成する際に用いる
融液の組成、特にｐｂｏと１３１）との比を１８ 調節して、＊を育成することにある。第１１８４１は、
ｐｂｏとり）８とのモル比（Ｐｂｏ）／（Ｂ２ｃ）８］
＝ ｐを７７＝１５．６とした融液から育成した場合
での表面形態であるが、本発明渚の実験結果によればｐ
ｋこれより小さくしてゆくと、第２図に示すようにそれ
ぞれの表面形態間の境界線は高温および高膜厚側に移動
してゆく仁とが判った。ｔなわち第２図中の３１．１２
．１３．１４．１５．１６はｐがそれぞれ１５６゜す、
ｔ ｆｒ−２１，２２，２３，２４，２５，ｖｊ： ｐ
がそｙ’ｔぞれ１５Ａ５゜１４、１２．１０．８のとき
の脈ｊ′Ｉ！Ｊと鏡面との境界である。■の値を１４ｖ
下とすると、１０（１０”Ｃ以上の温度で育成１１Ｃも
２００ｙｌｔ ｍ の膜厚において表面形態はなお脈仰
に貿寸り、渦巻は出現することｌ〈［７たがってフラッ
クスインクルージヨン金主ずることがなかりＴ、 。
融液の組成、特にｐｂｏと１３１）との比を１８ 調節して、＊を育成することにある。第１１８４１は、
ｐｂｏとり）８とのモル比（Ｐｂｏ）／（Ｂ２ｃ）８］
＝ ｐを７７＝１５．６とした融液から育成した場合
での表面形態であるが、本発明渚の実験結果によればｐ
ｋこれより小さくしてゆくと、第２図に示すようにそれ
ぞれの表面形態間の境界線は高温および高膜厚側に移動
してゆく仁とが判った。ｔなわち第２図中の３１．１２
．１３．１４．１５．１６はｐがそれぞれ１５６゜す、
ｔ ｆｒ−２１，２２，２３，２４，２５，ｖｊ： ｐ
がそｙ’ｔぞれ１５Ａ５゜１４、１２．１０．８のとき
の脈ｊ′Ｉ！Ｊと鏡面との境界である。■の値を１４ｖ
下とすると、１０（１０”Ｃ以上の温度で育成１１Ｃも
２００ｙｌｔ ｍ の膜厚において表面形態はなお脈仰
に貿寸り、渦巻は出現することｌ〈［７たがってフラッ
クスインクルージヨン金主ずることがなかりＴ、 。
すなわち、本発明（・ユ非磁性ガーネ・ｙト単結晶基板
上へのガーネット厚膜の液相エピタキシャル法によるｆ
ｆ成（′こおいて、１敦液中のｐｉ・０７にＨ瓜とＢ、
、０．改変とのモル比ＩＦ？ｂＯ〕／′〔Ｂ２０．〕−
ｒがＰ≦１４である融液より育成するガーオソト単結晶
りツ膜肖りシカ法である 以下に×施ぜ１ｊ金用いて本発明を詳細ＶＣ税胸−Ｊイ
）。
上へのガーネット厚膜の液相エピタキシャル法によるｆ
ｆ成（′こおいて、１敦液中のｐｉ・０７にＨ瓜とＢ、
、０．改変とのモル比ＩＦ？ｂＯ〕／′〔Ｂ２０．〕−
ｒがＰ≦１４である融液より育成するガーオソト単結晶
りツ膜肖りシカ法である 以下に×施ぜ１ｊ金用いて本発明を詳細ＶＣ税胸−Ｊイ
）。
実施例
表に示゛すようＺ ７７−＝’８．０となる組成の融液
を用いて、ＨＪ（１＋ｌ Ｃ［オい”’Ｃ４１４気光字
索子用に ｄＯ，２Ｙ ２８Ｐ゛θ５（Ｌカ・−ネット
Ｊｖ膜を非（ｄ性カドリニ゛り人・ガリウム・ガーネッ
ト基板上に２５ψハ１のｔｌさに汀成したところ、狭面
形態は「脈：Ｂ！！Ｊてありフラックスインクルージシ
ンは生ずることがなかった。このガーネット厚膜から切
り出したチックを用いて、光アイソレータ および磁気
光学スイッチ７作ることができた。
を用いて、ＨＪ（１＋ｌ Ｃ［オい”’Ｃ４１４気光字
索子用に ｄＯ，２Ｙ ２８Ｐ゛θ５（Ｌカ・−ネット
Ｊｖ膜を非（ｄ性カドリニ゛り人・ガリウム・ガーネッ
ト基板上に２５ψハ１のｔｌさに汀成したところ、狭面
形態は「脈：Ｂ！！Ｊてありフラックスインクルージシ
ンは生ずることがなかった。このガーネット厚膜から切
り出したチックを用いて、光アイソレータ および磁気
光学スイッチ７作ることができた。
実施例
表に示すようａｐ＝１３Ａｊとなる組成の融液を用い゛
〔，１ｏｏｏ’ｃにおいて磁気光学素子用Ｇａ ａ１１
’ｄｓｓＦ’ Ｕ 、 （Ｊ、□カーイツトツク脱を非
磁性ガドリニウム・ガリウム拳ガーネット基板上に、２
（Ｊ（１μｍ／／）厚さに育成したところ、表面形態は
１−脈理」てあり、７シツクスインクルジヨンｆｉ生ず
ることがなかった。このガーネットＪ厚ｌ換から切り出
したチップを用いて、光アイソレータおよび磁気光学ス
イッチを作ることかで＠た。
〔，１ｏｏｏ’ｃにおいて磁気光学素子用Ｇａ ａ１１
’ｄｓｓＦ’ Ｕ 、 （Ｊ、□カーイツトツク脱を非
磁性ガドリニウム・ガリウム拳ガーネット基板上に、２
（Ｊ（１μｍ／／）厚さに育成したところ、表面形態は
１−脈理」てあり、７シツクスインクルジヨンｆｉ生ず
ることがなかった。このガーネットＪ厚ｌ換から切り出
したチップを用いて、光アイソレータおよび磁気光学ス
イッチを作ることかで＠た。
実施例
表に示すよりなＰ＝１４．０となる組成の融液を用いて
１０００°ＣＶ（おいてカーネット厚［ｒ育成したとこ
ろ、２０１１７ｎｉの厚さにしたときの表面形態は「脈
理」であり、フランクスインクルジロンは生ずることが
なかった。このガーネット厚膜から切りｆｉ！ シ＞ｒ
ヲノブを用いて、光アイソレータおよび磁気光学スイッ
チ全作ることができた。
１０００°ＣＶ（おいてカーネット厚［ｒ育成したとこ
ろ、２０１１７ｎｉの厚さにしたときの表面形態は「脈
理」であり、フランクスインクルジロンは生ずることが
なかった。このガーネット厚膜から切りｆｉ！ シ＞ｒ
ヲノブを用いて、光アイソレータおよび磁気光学スイッ
チ全作ることができた。
比較例１
表に示すようなＩ）＝１．４．２となる組成σ）融Ａｌ
ｉを用いて１Ｏ０Ｃ；’Ｃにおいて２００１ｐ厚の７ト
ツト厚膜を育成１−たところ表面形態は「渦巻」となり
、フラックス インクルージヨンを生じｆｃｏこのため
、この２００ｆｉｍ Ｊ甲膜よｔ）切り出したチップを
用いても光アイソレータもしくは磁気光学スイッチケ１
′１ろことができケかり１こ。
ｉを用いて１Ｏ０Ｃ；’Ｃにおいて２００１ｐ厚の７ト
ツト厚膜を育成１−たところ表面形態は「渦巻」となり
、フラックス インクルージヨンを生じｆｃｏこのため
、この２００ｆｉｍ Ｊ甲膜よｔ）切り出したチップを
用いても光アイソレータもしくは磁気光学スイッチケ１
′１ろことができケかり１こ。
（注）；’ｚ：ｌ、−表中の各数字は各酸化物のモルチ
を衣ゎず。
を衣ゎず。
８１図は、融液中のｐｂｏとＢＯとのモル比を ８
１５．６とした融液から育成したガーネット厚膜の表面
形態図。 第１図で１，２および３は表面形態としてそれぞれ渦巻
、脈理および鏡面を示す。また１１および２１は、それ
ぞれ表面形態が渦巻と脈理との境界および「脈理ｊと「
鏡面Ｊとの境界を示す。 第２図は、ガーネット膜育成温度およびガーネット膜と
表面形態との関係図。第２図で１１．１２゜１３、１４
．１５および１６盲融液中ノＰｂｏト１鴇とのモル比が
、それぞし’１５．６．１４．１２．１０．８＄−！Ｕ
１３の時の渦巻と脈理との境界を示す。２１．２２．２
３゜２４および２５は融液中のｆｌｂｏとＢ２ ｏ！１
のモル比が、それぞれ１５．６．１４．１２．１０およ
びＢｃｔ）Ｑ（Ｄｆ脈川用「鏡面ｊとの境界を示す。
形態図。 第１図で１，２および３は表面形態としてそれぞれ渦巻
、脈理および鏡面を示す。また１１および２１は、それ
ぞれ表面形態が渦巻と脈理との境界および「脈理ｊと「
鏡面Ｊとの境界を示す。 第２図は、ガーネット膜育成温度およびガーネット膜と
表面形態との関係図。第２図で１１．１２゜１３、１４
．１５および１６盲融液中ノＰｂｏト１鴇とのモル比が
、それぞし’１５．６．１４．１２．１０．８＄−！Ｕ
１３の時の渦巻と脈理との境界を示す。２１．２２．２
３゜２４および２５は融液中のｆｌｂｏとＢ２ ｏ！１
のモル比が、それぞれ１５．６．１４．１２．１０およ
びＢｃｔ）Ｑ（Ｄｆ脈川用「鏡面ｊとの境界を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性ガーネット単結晶基板上へのガーネット厚膜の液
相エピタキシャル法による育成において。 融液中のＰｈｏ濃度とＢ２Ｏ３濃度とのモル比（Ｐｂｏ
）／［Ｂ２０３） ＝ １’がＰ≦１４である融液より
育成することを特徴とするガーネット単結晶厚膜育成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015662A JPS59141495A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015662A JPS59141495A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59141495A true JPS59141495A (ja) | 1984-08-14 |
| JPH0415199B2 JPH0415199B2 (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=11894949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015662A Granted JPS59141495A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59141495A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248398A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
| WO2009004791A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Hitachi Metals, Ltd. | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101626517B1 (ko) * | 2013-07-30 | 2016-06-01 | (주) 씨엠테크 | 커피 배전기 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578800A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-18 | Masaharu Mori | Production of granular seasoning sugar |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015662A patent/JPS59141495A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578800A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-18 | Masaharu Mori | Production of granular seasoning sugar |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248398A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 |
| JPH0543678B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1993-07-02 | Shinetsu Chem Ind Co | |
| WO2009004791A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Hitachi Metals, Ltd. | 単結晶シンチレータ材料およびその製造方法 |
| US8013306B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-09-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Single crystal scintillator material and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415199B2 (ja) | 1992-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61245134A (ja) | 平面光導波路及びその製造方法 | |
| US4932760A (en) | Magneto-optic garnet | |
| JPS59141495A (ja) | ガ−ネツト単結晶厚膜育成方法 | |
| US4707058A (en) | Planar optical waveguide and process for its manufacture | |
| JPH0576611B2 (ja) | ||
| JP4400959B2 (ja) | ファラデー回転子用ガーネット結晶体、およびそれを有する光アイソレータ | |
| JPS63107900A (ja) | 磁気光学素子材料 | |
| JPS61292613A (ja) | フアラデ−回転子及びその製造方法 | |
| JPS61113026A (ja) | 磁気光学素子用媒体 | |
| JPH0642026B2 (ja) | 磁気光学素子材料 | |
| JPH08165197A (ja) | ガーネット磁性酸化物単結晶及び静磁波素子の製造方法 | |
| JPS6278194A (ja) | 磁気光学ガ−ネツト単結晶膜とその育成方法 | |
| JPH111394A (ja) | 低飽和ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜 | |
| JP2681869B2 (ja) | 磁気光学素子 | |
| JP2874320B2 (ja) | 磁気光学材料、その製造法およびそれを用いた光素子 | |
| JPS61205698A (ja) | 磁気光学材料 | |
| JP2794306B2 (ja) | 磁性ガーネット材料およびファラデー回転素子 | |
| JP2843433B2 (ja) | Ｂｉ置換磁性ガーネット及び磁気光学素子 | |
| JPS5957990A (ja) | 液相エピタキシヤルガ−ネツト厚膜の育成方法 | |
| JPS5854314A (ja) | 磁気光学素子 | |
| JPS60145990A (ja) | 液相エピタキシャル磁性ガーネット単結晶 | |
| KR0146002B1 (ko) | 자기광학용 조성물 | |
| JPH03242620A (ja) | 磁気光学材料 | |
| JPH02248398A (ja) | 酸化物ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
| JPH04142009A (ja) | 磁性ガーネット結晶 |