JPS5854314A - 磁気光学素子 - Google Patents
磁気光学素子Info
- Publication number
- JPS5854314A JPS5854314A JP15325581A JP15325581A JPS5854314A JP S5854314 A JPS5854314 A JP S5854314A JP 15325581 A JP15325581 A JP 15325581A JP 15325581 A JP15325581 A JP 15325581A JP S5854314 A JPS5854314 A JP S5854314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- garnet
- cut out
- single crystal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/095—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0036—Magneto-optical materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本ＪＩ？、９４は、ファラデー回転効果を利用した元ア
イソレータ又ｉエサーキ、レータなどの磁気光学菓子に
関する。
イソレータ又ｉエサーキ、レータなどの磁気光学菓子に
関する。
近時、光フアイバ通信技術の進歩は目ざましい。
低損失ファイバと長時間連醜発振可能な半導体レーザの
開発により、元ファイバ通イｄ技術は通信量の増加に対
応し安価でしかも高品質の通１一手段を提供する手段と
じＣ期待されている。しかしながら、光伝送路の途中に
設けられるスイッチ等の部品から反射される戻り光が光
源である半導体レーザに入るとレーザ発振の安定性ｋｍ
５という大きなＣ１題がある。
開発により、元ファイバ通イｄ技術は通信量の増加に対
応し安価でしかも高品質の通１一手段を提供する手段と
じＣ期待されている。しかしながら、光伝送路の途中に
設けられるスイッチ等の部品から反射される戻り光が光
源である半導体レーザに入るとレーザ発振の安定性ｋｍ
５という大きなＣ１題がある。
この問題の解決のために、光アイソレータをレーザ光源
の後段に設けることが４ｉ％案されている。
の後段に設けることが４ｉ％案されている。
１．３〜１．８μｍの長波長借用光アイソレータとして
は電子４１！学会技術研究報告ＯＱＥ７ｇ−１３３Ｋ報
ｔｉされているよ’Ｂｃ、強磁性体であるイツトリウム
・鉄、ガーネｙ ） （ＹｌＦｅｌｏｌｇ 、 ＹＩＧ
）のファラデー効＊に用いたものが提案されでいる。こ
の報告で用いられでいるＹＩＧ［７う、クス紙で育成さ
れたバルク単結晶である。
は電子４１！学会技術研究報告ＯＱＥ７ｇ−１３３Ｋ報
ｔｉされているよ’Ｂｃ、強磁性体であるイツトリウム
・鉄、ガーネｙ ） （ＹｌＦｅｌｏｌｇ 、 ＹＩＧ
）のファラデー効＊に用いたものが提案されでいる。こ
の報告で用いられでいるＹＩＧ［７う、クス紙で育成さ
れたバルク単結晶である。
一方、ＹＩＧＩ光が通過する際に入射−光面の一転が生
ずるためには、ＹＩＧは元の入射方間と平行に磁気的に
飽和していなげればならない。円陶形に加工したＹＩＧ
バルク単結墨を用いる場合には、飽和の丸めの外部ａ場
は極めて大きくなり２００００＠にも達する。この問題
点を解決する丸めに一一子通信学余技術研究報告０Ｑｈ
８０−５３に示されるごとく、ＹＩＧバルク単結晶を薄
板状に研磨したものを用いることが提案されている。
ずるためには、ＹＩＧは元の入射方間と平行に磁気的に
飽和していなげればならない。円陶形に加工したＹＩＧ
バルク単結墨を用いる場合には、飽和の丸めの外部ａ場
は極めて大きくなり２００００＠にも達する。この問題
点を解決する丸めに一一子通信学余技術研究報告０Ｑｈ
８０−５３に示されるごとく、ＹＩＧバルク単結晶を薄
板状に研磨したものを用いることが提案されている。
しかしながら、バルク単結晶を用いるかぎり特願昭５５
−９３４４Ｓ１に不さ几るごとく高品質なＹＩＧバルク
単結晶を入手することは勧めて癲しく、このため光アイ
ソレータの原材料コストは高くなり。
−９３４４Ｓ１に不さ几るごとく高品質なＹＩＧバルク
単結晶を入手することは勧めて癲しく、このため光アイ
ソレータの原材料コストは高くなり。
光アイソレータの普及を阻げている。Ｃの解決のために
上配待奸顔に開示されるごとく、非ａＳガーネ、ト基碩
上りこエピタキシャル成長させたガー半２ト厚躾の採用
が提案されている。これにより、原材料コストを安価に
することが可能である。
上配待奸顔に開示されるごとく、非ａＳガーネ、ト基碩
上りこエピタキシャル成長させたガー半２ト厚躾の採用
が提案されている。これにより、原材料コストを安価に
することが可能である。
ガーネット厚ｍｔ−光アイソレータ用のファラデー１転
子として用いる場合の＋ｎｔ迩点の一つは、基板とガー
ネット膜との格子室ａ差によって生ずる複屈折であった
。複屈折によっＣアイソレージ。
子として用いる場合の＋ｎｔ迩点の一つは、基板とガー
ネット膜との格子室ａ差によって生ずる複屈折であった
。複屈折によっＣアイソレージ。
ンが劣化する現象は、特願昭５６−０４５１９５に開示
される如く基板と膜との格子定数の差を０．００１Ａ以
下とすることによって解決できた。しかしながら、
（Ｉ’ｌｌ）成長させたガー半２ト厚展の場合に線、基
板と楓との格子定紋の差をｏ、ｏｏｔＸ以下としてもア
イソレージ、ンは最大３０ａＢ Ｌか確保できなかった
。
される如く基板と膜との格子定数の差を０．００１Ａ以
下とすることによって解決できた。しかしながら、
（Ｉ’ｌｌ）成長させたガー半２ト厚展の場合に線、基
板と楓との格子定紋の差をｏ、ｏｏｔＸ以下としてもア
イソレージ、ンは最大３０ａＢ Ｌか確保できなかった
。
ガーネット液相エピタキシャルｍ成長の麿の方位として
は、従来は（１１１） が用いられていた。
は、従来は（１１１） が用いられていた。
（１１１） が用いられたのはバブル磁区素子用のガ
ーネット膜の成長方位として専ら（１１１） が用い
１られでいるために（１１１） Ｇｄ５ＧａｓＯ□基板
の人手が極めて′４易だからである。しかしながら、本
発明らの実験によれば光フィンレータのファラデー回転
子用に用いるガーネット液相エピタキシャル展を（１１
１） Ｇｄ１（ｊａ＠Ｌ）１１基板上に育成すると、（
１１１） がガーネットにおける所ａｔｅ＠キンクｒ
ＩＩｉ”であるために結晶性か悪く前述の如く基板と職
との格子定数による複屈折を一カ小さくしたとしてもア
イソレーシ、ンはたかだか３０ｒｉＢであった。
ーネット膜の成長方位として専ら（１１１） が用い
１られでいるために（１１１） Ｇｄ５ＧａｓＯ□基板
の人手が極めて′４易だからである。しかしながら、本
発明らの実験によれば光フィンレータのファラデー回転
子用に用いるガーネット液相エピタキシャル展を（１１
１） Ｇｄ１（ｊａ＠Ｌ）１１基板上に育成すると、（
１１１） がガーネットにおける所ａｔｅ＠キンクｒ
ＩＩｉ”であるために結晶性か悪く前述の如く基板と職
との格子定数による複屈折を一カ小さくしたとしてもア
イソレーシ、ンはたかだか３０ｒｉＢであった。
また、液相エピタキシャル襄を用いる場合でもガーネッ
ト膜を磁気的に飽和させるための磁石が必要であり、廟
相させる為の磁場の大きさはバルク結晶の場合よりも小
さくて済むが、（１１１） Ｍの場合には結晶磁気異方
性エネルギーに８ による磁化容易軸（１１１）は膜面
内にはなく、磁化容易軸が膜内内にある場合と比べ磁気
的飽和に必要な磁場の値は大きくなる。
ト膜を磁気的に飽和させるための磁石が必要であり、廟
相させる為の磁場の大きさはバルク結晶の場合よりも小
さくて済むが、（１１１） Ｍの場合には結晶磁気異方
性エネルギーに８ による磁化容易軸（１１１）は膜面
内にはなく、磁化容易軸が膜内内にある場合と比べ磁気
的飽和に必要な磁場の値は大きくなる。
一方、本発明らは、ガーネットのファセ、ト面である口
１０）あるいは（２１１）に極めて近い面、すなわち（
１１０）あるいは（２１１）から数度傾いた面を基板面
として用いたガーネット厚＊を光アイソレータとして用
いると、（１１１） ［を用いた場合と比べ結晶性声良
好なことからフィンレージ。
１０）あるいは（２１１）に極めて近い面、すなわち（
１１０）あるいは（２１１）から数度傾いた面を基板面
として用いたガーネット厚＊を光アイソレータとして用
いると、（１１１） ［を用いた場合と比べ結晶性声良
好なことからフィンレージ。
ンは改善され、しかも（１１０）あるいは（２１１）の
ファセ、ト面そのものを用いた成長よりも成長過度が充
分大きく取れ、厚膜育成に要する時間が（１１０３ある
いは（２１１）よりも格段に少なくて済むことを実験的
に見出した。
ファセ、ト面そのものを用いた成長よりも成長過度が充
分大きく取れ、厚膜育成に要する時間が（１１０３ある
いは（２１１）よりも格段に少なくて済むことを実験的
に見出した。
また、本発明者らの更に詳細な実験にＬれば１１０）あ
るいは（２１１）から傾いた面を表両とする基板上に育
成されたガーネット膜をアイソレージのファラデー回転
子として用いる場合、膜内内の特定の方位から光を入射
させた場合のみ優れたアイソレージ、ンの値を有するこ
とが明らかになり九、すなわち、基板ｑｄｍａｍｓ０１
ｍ単結晶の引上げ方向と平行に光を入射させることであ
る。
るいは（２１１）から傾いた面を表両とする基板上に育
成されたガーネット膜をアイソレージのファラデー回転
子として用いる場合、膜内内の特定の方位から光を入射
させた場合のみ優れたアイソレージ、ンの値を有するこ
とが明らかになり九、すなわち、基板ｑｄｍａｍｓ０１
ｍ単結晶の引上げ方向と平行に光を入射させることであ
る。
（１１０）あるいは（２１１）から傾いた面をｔｌｍと
する基板上に育成されたガーネット族で、しかも基板結
晶の成員方向に光を入射させる場合には、いくつかの可
能な基板ｔｉ最成長方位がある。基板面が口ｉｏ）から
数度傾いた基板の場合には基板結晶引き上げ方位として
は（１００＞ 、 ＜１１０） 。
する基板上に育成されたガーネット族で、しかも基板結
晶の成員方向に光を入射させる場合には、いくつかの可
能な基板ｔｉ最成長方位がある。基板面が口ｉｏ）から
数度傾いた基板の場合には基板結晶引き上げ方位として
は（１００＞ 、 ＜１１０） 。
＜２１１） 、 （３１１＞などがある。一方、（２１
１） から傾いた基板の場合には、 （１１０）、（
３１１＞ などがある、しかしながら、これらのいず
れの方位の場合も、光の入射方向は磁性ガーネットの結
晶磁気異方性による磁化容易軸とは一蚊しない。また、
これらの方位の結晶は工業的に量産されていない。とく
に（１１０）および（２１１）引き上げは（１１０）お
よび（２１１）がそれぞれガーネットのファセ、ト面で
あるため成長中にファ七、トが生成しやすく、単結晶の
品質を均一にすることが雌かしい。
１） から傾いた基板の場合には、 （１１０）、（
３１１＞ などがある、しかしながら、これらのいず
れの方位の場合も、光の入射方向は磁性ガーネットの結
晶磁気異方性による磁化容易軸とは一蚊しない。また、
これらの方位の結晶は工業的に量産されていない。とく
に（１１０）および（２１１）引き上げは（１１０）お
よび（２１１）がそれぞれガーネットのファセ、ト面で
あるため成長中にファ七、トが生成しやすく、単結晶の
品質を均一にすることが雌かしい。
４：発明の目的は、アイソレータとして用いる場合には
アイソレージ、ンが少くとも３５ｄＢ以上となり、ファ
ラデー回転子を磁気的に飽和させるための磁場が（１１
１） ｉｌｌより小さくて済み、かつ均質な基板の入手
が容易である磁気光学素子を提供することである。
アイソレージ、ンが少くとも３５ｄＢ以上となり、ファ
ラデー回転子を磁気的に飽和させるための磁場が（１１
１） ｉｌｌより小さくて済み、かつ均質な基板の入手
が容易である磁気光学素子を提供することである。
すなわち、（１１１）を引き上げ方向とする非磁性ガー
ネット単結晶棒より切り出されその面内に該（１１１）
を含む（１１０）もしくぜよ（２１１）もしくは該＜１
１１）ｔｌｌａ１転の中心軸として該（１１０）もしく
、よ（２１１） より傾けた基板上ｖＣエピタキシャ
ル成梃させたガーネット一のＡｌ１１１−内に光を入射
させ該ガーネットａｔ−ファラデーＩｇｌ＠子として用
いる磁気光学素子において、光の入射方位を該ガーネ、
ト宸園内の（１１１）と平行とすることを特做とする磁
気光学素子である。
ネット単結晶棒より切り出されその面内に該（１１１）
を含む（１１０）もしくぜよ（２１１）もしくは該＜１
１１）ｔｌｌａ１転の中心軸として該（１１０）もしく
、よ（２１１） より傾けた基板上ｖＣエピタキシャ
ル成梃させたガーネット一のＡｌ１１１−内に光を入射
させ該ガーネットａｔ−ファラデーＩｇｌ＠子として用
いる磁気光学素子において、光の入射方位を該ガーネ、
ト宸園内の（１１１）と平行とすることを特做とする磁
気光学素子である。
以下に実施例を用いて本発明を＊＜詳細に説明する。
実施例１
（ＩＩＩＪ を引き上げ方向として非磁性（ｉｄ Ｂ
Ｇａ ＠ ０１ ！単結晶棒をチョクラルスキー法によ
り育成した。
Ｇａ ＠ ０１ ！単結晶棒をチョクラルスキー法によ
り育成した。
第１図に示すように、この単結晶棒ｌより（１１１）と
垂直な（０１１３を軸とする結晶棒２金切り出し、第２
図に示すように、この棒２より基板面法線方向が（０１
１］から（ｏｔｔ）＋１１ｉ内の［２１１］方向に１＠
だげ傾いた基板を切り出した。この基板上に、基板との
格子定数が０．０００４人 の磁気光学材料である（ｊ
ｄ、、Ｙシ・’ｅｓｏｔ＊ガーネ、ト捩を液相エピタキ
シャル法により１８０μｍの厚さに成長させた。このウ
ェルよりい１１） と面内に投影した（２１１）とで
囲まれた２、 ４ ｗｓ角のチップを切り出し、基板（
ｊ ｄ Ｂ Ｇ ａ Ｈ（Ｊ 凰１単結晶の引き上げ方
向と平行な（１１１）もしくは（１１１）に光を入射さ
せ、偏光面を４５回転させる元アイソレータの７アラデ
一回転子として用いた。このｉフイソレータのフイソレ
ーシ、ンは３９ｄＢであった。一方、 （２１１）もし
くは（２１１）方向に光を入射させた場合にはアイソレ
ージ、ンは１６ｄＢであった。また、いずれも（１１１
） Ｉｌｉ内に投影された［００１］と（０１１）とで
囲まれるチップを切り出して７７ラデ一回転子として用
いた場合にはアイソレージ、ンは２４ｄＢであった。
垂直な（０１１３を軸とする結晶棒２金切り出し、第２
図に示すように、この棒２より基板面法線方向が（０１
１］から（ｏｔｔ）＋１１ｉ内の［２１１］方向に１＠
だげ傾いた基板を切り出した。この基板上に、基板との
格子定数が０．０００４人 の磁気光学材料である（ｊ
ｄ、、Ｙシ・’ｅｓｏｔ＊ガーネ、ト捩を液相エピタキ
シャル法により１８０μｍの厚さに成長させた。このウ
ェルよりい１１） と面内に投影した（２１１）とで
囲まれた２、 ４ ｗｓ角のチップを切り出し、基板（
ｊ ｄ Ｂ Ｇ ａ Ｈ（Ｊ 凰１単結晶の引き上げ方
向と平行な（１１１）もしくは（１１１）に光を入射さ
せ、偏光面を４５回転させる元アイソレータの７アラデ
一回転子として用いた。このｉフイソレータのフイソレ
ーシ、ンは３９ｄＢであった。一方、 （２１１）もし
くは（２１１）方向に光を入射させた場合にはアイソレ
ージ、ンは１６ｄＢであった。また、いずれも（１１１
） Ｉｌｉ内に投影された［００１］と（０１１）とで
囲まれるチップを切り出して７７ラデ一回転子として用
いた場合にはアイソレージ、ンは２４ｄＢであった。
ガー半２ト−倉光の進行方向に磁気的に一相させるのに
必要な磁場の大きさは、（１１１）が良面内にない（１
１１）成員の鋏における２００（Ｊａが１５０ （）ｅ
と小さくなった。
必要な磁場の大きさは、（１１１）が良面内にない（１
１１）成員の鋏における２００（Ｊａが１５０ （）ｅ
と小さくなった。
（１００＞成長Ｏｄ畠ａａｓｏｔ意単請晶４から、その
表面が１０だけ（１１Ｇ） より傾い九基板を切り出し
で用いる場合と比べ、（１１１）引き上げ単結晶Ｊ４を
用いる場合には、（１１１）引き上げ単結晶が専らバブ
ル磁区素子用基板として用いられているために、短納期
でしかも安価に人手でき友。しかしながら（１００）、
（ＩＩＬＩ）あるいは（２１１）引き上げの一合には檜
別に引き上げられるために納期が長く、また価格も（１
１１）引き上げ単結晶と比べ畝倍＾かうた。
表面が１０だけ（１１Ｇ） より傾い九基板を切り出し
で用いる場合と比べ、（１１１）引き上げ単結晶Ｊ４を
用いる場合には、（１１１）引き上げ単結晶が専らバブ
ル磁区素子用基板として用いられているために、短納期
でしかも安価に人手でき友。しかしながら（１００）、
（ＩＩＬＩ）あるいは（２１１）引き上げの一合には檜
別に引き上げられるために納期が長く、また価格も（１
１１）引き上げ単結晶と比べ畝倍＾かうた。
実施例２
（１１１）ｉ成長方向としてＮｄ、 Ｇ幻ｏｔｔ単結１
欅をチョクラルスキー法により引き上げた。この単結晶
棒より（１１１Ｊと垂直な（０１１）を軸とする棒を切
り出し、この欅より基板面法線方向が（ｕｎ）から（０
１’ｌ ）面内の（ｉｔ ｓ ３方向に８＠だげ傾いた
基板を切り出した。この基板上に、基板よりも格子定数
差がｏ、ｏｏｓＸだけ大きいＧｄ２Ｂ１ Ｐ＠４．＠０
１０．４０１含ガーネ、ト液相エピタキシャル膜ｔ３．
６μｍの厚さに育成し、躾面内の（１１１）を光の進行
方向とさせる磁気光学↓６用元集積回路を作成した。こ
の素子にＳける各スイッチにおける消光比は３５ｄＢ以
上であった。
欅をチョクラルスキー法により引き上げた。この単結晶
棒より（１１１Ｊと垂直な（０１１）を軸とする棒を切
り出し、この欅より基板面法線方向が（ｕｎ）から（０
１’ｌ ）面内の（ｉｔ ｓ ３方向に８＠だげ傾いた
基板を切り出した。この基板上に、基板よりも格子定数
差がｏ、ｏｏｓＸだけ大きいＧｄ２Ｂ１ Ｐ＠４．＠０
１０．４０１含ガーネ、ト液相エピタキシャル膜ｔ３．
６μｍの厚さに育成し、躾面内の（１１１）を光の進行
方向とさせる磁気光学↓６用元集積回路を作成した。こ
の素子にＳける各スイッチにおける消光比は３５ｄＢ以
上であった。
実施例３
晶棒より（１１１）と垂直な（０１１）を軸とする欅ｔ
−切り出し、この欅より基板面法線方向がＬｕ１ｌ）か
ら（０１１）面内Ｊ）Ｌ２１１Ｊ方向に８″だけ傾いた
基板を切り出した。この基板上に、゛基板との格子定ａ
差が０．０００３λでの磁気光学材料ｙｓ、ｔｅａｔ−
ｙｓｌ’ｅｓｏ＋ｔガーネ、ト躾ｔｔ相エピタキシャル
法により１６０μｍの厚さに成長させた。このウェハよ
Ｑ（１１１）と面内に投影した〔２１１」 とで圃まれ
た０、６Ｍ角のチップを切り出し、基板’ｍ５ＧａｌＯ
□単結晶の引き上げ方向と平行な（１１１３もしくは（
１１１）に光を入射させて偏光１ｆｔ４５回転させる光
ファラデー回転子として用いたうこの元アイソレージＷ
／は３９ｄＢであった。
−切り出し、この欅より基板面法線方向がＬｕ１ｌ）か
ら（０１１）面内Ｊ）Ｌ２１１Ｊ方向に８″だけ傾いた
基板を切り出した。この基板上に、゛基板との格子定ａ
差が０．０００３λでの磁気光学材料ｙｓ、ｔｅａｔ−
ｙｓｌ’ｅｓｏ＋ｔガーネ、ト躾ｔｔ相エピタキシャル
法により１６０μｍの厚さに成長させた。このウェハよ
Ｑ（１１１）と面内に投影した〔２１１」 とで圃まれ
た０、６Ｍ角のチップを切り出し、基板’ｍ５ＧａｌＯ
□単結晶の引き上げ方向と平行な（１１１３もしくは（
１１１）に光を入射させて偏光１ｆｔ４５回転させる光
ファラデー回転子として用いたうこの元アイソレージＷ
／は３９ｄＢであった。
以上、本実＃４を用いることにより、フイソレーシ、ン
が少なくとも３５ｄＢ以上となり、７アラデ一回転子を
磁気的＜飽和させるだめの憾場が（１１１）臘より小さ
くて済み、かつ均質な１板が短納期かつ低価柚で可能で
ある磁気光学素子が実現でき、本発明の工業的；を義は
大きい。
が少なくとも３５ｄＢ以上となり、７アラデ一回転子を
磁気的＜飽和させるだめの憾場が（１１１）臘より小さ
くて済み、かつ均質な１板が短納期かつ低価柚で可能で
ある磁気光学素子が実現でき、本発明の工業的；を義は
大きい。
第１図はｊｌｌｌｌ ｋ引き上げ方向として育成した（
ｉｄ、Ｇａ１Ｏｕ単結晶棒ｌと、この単結蟲欅より（１
１１）と垂直な［０１１Ｊを袖として切り出され九ＣＱ
ＴＩ）より（２１１３Ｋ向（すてθ≧００の角度だけ傾
いた基板を示す。 〔Ｉｌｆ〕 第 １ 図 １＋ −Ｊ
ｉｄ、Ｇａ１Ｏｕ単結晶棒ｌと、この単結蟲欅より（１
１１）と垂直な［０１１Ｊを袖として切り出され九ＣＱ
ＴＩ）より（２１１３Ｋ向（すてθ≧００の角度だけ傾
いた基板を示す。 〔Ｉｌｆ〕 第 １ 図 １＋ −Ｊ
Claims (1)
- （１１１）’ｉ引き上げ方向とする非磁性ガーネット単
−晶棒より切り出されその園内ＷＣ該（１１１）を含む
口ｔｏ）もしくは（２１１）もしくは該（１１１＞を回
転の中心軸として該（１１０）もしく「よ（２１１）よ
り傾けた基板上にエピタキシャル成員させたガーネット
娘の一面内に光を入射させ該ガーネ、）ｓｒファラデー
回転子として用いる磁気光学菓子において、光の入射方
恒を級ガーネ、）−面内の（１１１）と平行とすること
を特徴とする磁気光学菓子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325581A JPS5854314A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 磁気光学素子 |
| US06/360,230 US4522473A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-22 | Faraday rotator for an optical device |
| CA000399494A CA1180210A (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Faraday rotator for an optical device |
| DE8282102567T DE3279311D1 (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Faraday rotator for an optical device |
| EP82102567A EP0061743B1 (en) | 1981-03-27 | 1982-03-26 | Faraday rotator for an optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15325581A JPS5854314A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 磁気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854314A true JPS5854314A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15558453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15325581A Pending JPS5854314A (ja) | 1981-03-27 | 1981-09-28 | 磁気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854314A (ja) |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15325581A patent/JPS5854314A/ja active Pending
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