JPS60145990A - 液相エピタキシャル磁性ガーネット単結晶 - Google Patents
液相エピタキシャル磁性ガーネット単結晶Info
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- JPS60145990A JPS60145990A JP59001841A JP184184A JPS60145990A JP S60145990 A JPS60145990 A JP S60145990A JP 59001841 A JP59001841 A JP 59001841A JP 184184 A JP184184 A JP 184184A JP S60145990 A JPS60145990 A JP S60145990A
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- Japan
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- single crystal
- solid solution
- phase epitaxial
- substrate
- garnet
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はガーネット単結晶基板上に育成したビスマス（
Ｂｉ）を含有する磁性ガーネット液相エピタキシャル単
結晶に関するものである。
Ｂｉ）を含有する磁性ガーネット液相エピタキシャル単
結晶に関するものである。
光通信において、光源であるレーザダイオードに反射戻
り光が入ると伝送の品質を悪くすることが知られている
。この問題の解決のために。
り光が入ると伝送の品質を悪くすることが知られている
。この問題の解決のために。
電子通信学会誌［技術研究報告０１７８−１３３に関、
小林および植木らによって報告されているように、１．
３μｍ帯においてはイツトリウム−鉄−ガーイ、ットを
ファラデー回転子とした光アイソレータを用いることが
提案されている。
小林および植木らによって報告されているように、１．
３μｍ帯においてはイツトリウム−鉄−ガーイ、ットを
ファラデー回転子とした光アイソレータを用いることが
提案されている。
元アインレータ材料としては、従来のイツトリウム−鉄
−ガーネットよりも、使用する光波長においてさらに吸
収損失が小さく、シかもさらにファラデー回転能の太き
いものが要求される。このような条件を満たす材料とし
て、 Ｂｉを固溶したガーネットが知られている。この
Ｂ１固溶ガーイ・ソトの材料特性は１例えば性向らの論
文、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ）第１２巻（１９７
３） ４６５頁、およびウィツトコークらの論文、ニー
・アイ・ピー・コンファレンス−プロシーディンゲス（
ＡＩＰ ＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
） １０巻（１９７２） １４１８頁、 等によって
報告されている。
−ガーネットよりも、使用する光波長においてさらに吸
収損失が小さく、シかもさらにファラデー回転能の太き
いものが要求される。このような条件を満たす材料とし
て、 Ｂｉを固溶したガーネットが知られている。この
Ｂ１固溶ガーイ・ソトの材料特性は１例えば性向らの論
文、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フ
ィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ）第１２巻（１９７
３） ４６５頁、およびウィツトコークらの論文、ニー
・アイ・ピー・コンファレンス−プロシーディンゲス（
ＡＩＰ ＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
） １０巻（１９７２） １４１８頁、 等によって
報告されている。
ガーイ、ット結晶の示す磁気光学効果すなわち７アラデ
一回転能の大きさは結晶中に固溶したＢ】の量と共に増
大する。しがしながら、 Ｂｉを多量に固溶させようと
しても、その固溶量に限界があることが知られている。
一回転能の大きさは結晶中に固溶したＢ】の量と共に増
大する。しがしながら、 Ｂｉを多量に固溶させようと
しても、その固溶量に限界があることが知られている。
これらの状況は以下の論文によって詳しく述べられてい
る。
る。
例えば２品川らによるジャパニーズ・ジャーナル・オブ
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
第１３巻（１９７４） １６６３頁における多結晶体（
セラミックス）に関する報告が第一の例で以下に説明す
る。
・アプライド・フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
第１３巻（１９７４） １６６３頁における多結晶体（
セラミックス）に関する報告が第一の例で以下に説明す
る。
磁性ガーネット結晶Ｒｅ３ Ｆｅ５Ｏ１２（ＲｅはＳｍ
、 Ｅｕ。
、 Ｅｕ。
Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、 Ｙ、 Ｅｒ、 Ｔｍのうちの
１つ）の中にＢｉを固溶させる場合、上記元素Ｒｅに置
きがゎってＢｉが入り、 Ｒｅ３−ｘＢｔＸＦｅ５０１
２の組成の結晶が生成される。Ｂｉの固溶量の限界は上
記元素Ｒｅの種類によって異なり、最も多（Ｂｉを固溶
できるのは、 Ｒｅがガドリニウム（Ｇｄ）の場合。
１つ）の中にＢｉを固溶させる場合、上記元素Ｒｅに置
きがゎってＢｉが入り、 Ｒｅ３−ｘＢｔＸＦｅ５０１
２の組成の結晶が生成される。Ｂｉの固溶量の限界は上
記元素Ｒｅの種類によって異なり、最も多（Ｂｉを固溶
できるのは、 Ｒｅがガドリニウム（Ｇｄ）の場合。
すなわちＧｄｙ、−ｘＢｉｘＦｅ５０，２の場合ｆ 、
ｘ （７）上限は約１．４である。 これ以上にＢｉ
量を増加させようとするとガーネット以外の相（ガーネ
ットでない組成と結晶構造の物質）が生成されてしまう
。生成されたガーネット結晶の格子定数を調べた結果で
は、格子定数はＢｉの固溶量と共に増大し、ｘ＝１．４
では格子定数は１２．５４Ａである。
ｘ （７）上限は約１．４である。 これ以上にＢｉ
量を増加させようとするとガーネット以外の相（ガーネ
ットでない組成と結晶構造の物質）が生成されてしまう
。生成されたガーネット結晶の格子定数を調べた結果で
は、格子定数はＢｉの固溶量と共に増大し、ｘ＝１．４
では格子定数は１２．５４Ａである。
ついでフラックス法によってＧ ｄ ３−ｘ Ｂ ｉｘ
Ｆ ｅ ５０＋□単結晶を成長させた場合についての
報告である玉城、対島による第７回応用磁気学会講演概
要集（１９８３） ＩＳ３〜１６４頁の例では、 Ｂｉ
の固溶限界は多結晶の場合よりも小さくｘ＝１．１５程
度で。
Ｆ ｅ ５０＋□単結晶を成長させた場合についての
報告である玉城、対島による第７回応用磁気学会講演概
要集（１９８３） ＩＳ３〜１６４頁の例では、 Ｂｉ
の固溶限界は多結晶の場合よりも小さくｘ＝１．１５程
度で。
この場合の格子定数の推算値はｆ２．５３Ａである。
本発明の目的は、これまでに知られているＢ】固溶ガー
ネット結晶よりもＢｉ固溶量を増加させた。従来のイツ
トリウム−鉄−ガーネットや。
ネット結晶よりもＢｉ固溶量を増加させた。従来のイツ
トリウム−鉄−ガーネットや。
これまで知られているＢｉ固溶ガーネット結晶よりも、
更にすぐれた磁気光学効果を有するＢ１固溶ガーネット
単結晶を提供することにある。
更にすぐれた磁気光学効果を有するＢ１固溶ガーネット
単結晶を提供することにある。
基板として該基板上に液相エピタキシャル成長させた１
組成式がＧｄ５−ＸＢ＋ｘＦｌ！６０１２ （１，７２
≦Ｘ≦３）である液相エピタキンヤル磁性ガーイ・ット
単結晶が得られる。
組成式がＧｄ５−ＸＢ＋ｘＦｌ！６０１２ （１，７２
≦Ｘ≦３）である液相エピタキンヤル磁性ガーイ・ット
単結晶が得られる。
本発明の原理は２本発明者らの実験によって見出された
ものである。すなわち、 Ｂｉ２Ｏ３を多量に含む融液
を用いて格子定数が１２．５６８ＡのＧ ｄ ３ 、、
、ｘ Ｂ ｉｘ Ｆｅ ５０１２ （ｘ≧１．７２）液
相エヒリキシャル磁性単結晶を育成させる場合に、格子
定数が１２．３８３ＡのＧｄ、Ｇａ、０．２単結晶を基
板として用いて上記エピタキシャル単結晶の育成を試み
たところ、液相温度以下の融液に基板を浸漬してもガー
ネット単結晶膜の成長は見られなかったが、基板として
格子定数が１２．５６７又のＧｄ５Ｓ ｃ２Ｇａ、Ｏ，
、を用いたところガーネット単結晶膜が得られたことに
よる。すなわち、 Ｂｉを多量に固溶した格子定数の大
きい液相エピタキ７ヤル磁性ガーイ・ソト単結晶膜を得
るには、基板の格子定数もこれに対応したものでなけれ
ばならず。
ものである。すなわち、 Ｂｉ２Ｏ３を多量に含む融液
を用いて格子定数が１２．５６８ＡのＧ ｄ ３ 、、
、ｘ Ｂ ｉｘ Ｆｅ ５０１２ （ｘ≧１．７２）液
相エヒリキシャル磁性単結晶を育成させる場合に、格子
定数が１２．３８３ＡのＧｄ、Ｇａ、０．２単結晶を基
板として用いて上記エピタキシャル単結晶の育成を試み
たところ、液相温度以下の融液に基板を浸漬してもガー
ネット単結晶膜の成長は見られなかったが、基板として
格子定数が１２．５６７又のＧｄ５Ｓ ｃ２Ｇａ、Ｏ，
、を用いたところガーネット単結晶膜が得られたことに
よる。すなわち、 Ｂｉを多量に固溶した格子定数の大
きい液相エピタキ７ヤル磁性ガーイ・ソト単結晶膜を得
るには、基板の格子定数もこれに対応したものでなけれ
ばならず。
格子定数の不整合が大きい場合には、基板上にガーネツ
ト膜を成長させることができない。
ト膜を成長させることができない。
〔実施例〕
以下１本発明の実施例について詳細に説明する。
（実施例１）
基板結晶としてはＧ ｄ ３ Ｓ ｃ ２ Ｇ ａ ３
０１２非磁性単結晶ウェファ−を用いた。このウェファ
−は、同じ組成をもつ融液よシ回転引上法によって＜１
１１＞方向に引上育成した原石より作製したもので。
０１２非磁性単結晶ウェファ−を用いた。このウェファ
−は、同じ組成をもつ融液よシ回転引上法によって＜１
１１＞方向に引上育成した原石より作製したもので。
このウニ７アーの格子定数は１２．５６７Ａ、このウェ
ファ−の面方位は（ｏｏｉ）面、このウェファ−の直径
は２５ｍである。このウェファ−に対して、酸化ガドリ
ニウム（Ｇｄ２０３） ０．４０２９モルチ、酸化鉄（
Ｆｅ２０３） ７．５９７１モルチ、酸化鉛（ＰｂＯ）
６５．７１４３モル％、酸化ビスマス（Ｂ１２ｏ１）
２６．２８５７モルチの組成の融液を用いて、深さ内径
ともに５０閣の白金るつぼ中で６８０”Ｃにおいて過冷
却温度３０°Ｃで液相エピタキシャル成長を３５分行な
った。この結果、ウェファ−上に厚さ４０μｍのＢ１を
固溶した均質な磁性ガーネット単結晶膜（Ｇｄ３−ｘ
Ｂｉ ｘ Ｆ ｅ ｓ Ｑ １２ ）が得られた。
ファ−の面方位は（ｏｏｉ）面、このウェファ−の直径
は２５ｍである。このウェファ−に対して、酸化ガドリ
ニウム（Ｇｄ２０３） ０．４０２９モルチ、酸化鉄（
Ｆｅ２０３） ７．５９７１モルチ、酸化鉛（ＰｂＯ）
６５．７１４３モル％、酸化ビスマス（Ｂ１２ｏ１）
２６．２８５７モルチの組成の融液を用いて、深さ内径
ともに５０閣の白金るつぼ中で６８０”Ｃにおいて過冷
却温度３０°Ｃで液相エピタキシャル成長を３５分行な
った。この結果、ウェファ−上に厚さ４０μｍのＢ１を
固溶した均質な磁性ガーネット単結晶膜（Ｇｄ３−ｘ
Ｂｉ ｘ Ｆ ｅ ｓ Ｑ １２ ）が得られた。
このガーネット膜中の格子定数の測定をＸ線回折ボンド
法により行った。この結果では格子定数１２．５６８’
Ａであった。Ｂ１固溶量Ｘをエックス線マイクロアナラ
イザーにより分析したところｘ＝１．７２であった。
法により行った。この結果では格子定数１２．５６８’
Ａであった。Ｂ１固溶量Ｘをエックス線マイクロアナラ
イザーにより分析したところｘ＝１．７２であった。
（実施例２）
基板結晶としてはＮｄ３Ｇａ４Ｍｇｏ５ｚｒｏ５ｏ１２
非磁性単結晶ウェファ−を用いた。このウェファ−は。
非磁性単結晶ウェファ−を用いた。このウェファ−は。
組成としてＮｄ３Ｇａ４Ｍｇｏ６ｚｒｏ４０１２をもつ
融液がら引上法により＜１１１＞方向に引上育成し、そ
の一部よシ切出して作製したものである。ウェファ−の
格子定数は１２．６０３Ｘ７面方位は（１１０）面直径
２３咽である。このウェファ−を用い２組成としてＧｄ
２Ｏ，０，３５２５モル％ 、 Ｆ ｅ ２０３６．６
４７５モル％、 Ｐｂ０６６．４２Ｂ６モル％、 Ｂｉ
２Ｏ３２６，５７１４モルチモル係を用い、深さ内径と
もに５０調の白金るつぼ中で６４０℃において過冷却温
度８０℃で液相エピタキシャル成長を行った。成長時間
２０分で基板ウェファ−上に３０μｍの厚さのＢ１を固
溶した均質な磁性ガーイ・ソト単結晶膜が得られた。こ
の結晶膜について格子定数を測定した結果１２．６０２
Ａであｐ、Ｂｉ固溶量を分析した結果ｘ＝２．５すなわ
ち組成式にしてＧｄｏ５Ｂ１２．５Ｆｅ、０１□であっ
た。
融液がら引上法により＜１１１＞方向に引上育成し、そ
の一部よシ切出して作製したものである。ウェファ−の
格子定数は１２．６０３Ｘ７面方位は（１１０）面直径
２３咽である。このウェファ−を用い２組成としてＧｄ
２Ｏ，０，３５２５モル％ 、 Ｆ ｅ ２０３６．６
４７５モル％、 Ｐｂ０６６．４２Ｂ６モル％、 Ｂｉ
２Ｏ３２６，５７１４モルチモル係を用い、深さ内径と
もに５０調の白金るつぼ中で６４０℃において過冷却温
度８０℃で液相エピタキシャル成長を行った。成長時間
２０分で基板ウェファ−上に３０μｍの厚さのＢ１を固
溶した均質な磁性ガーイ・ソト単結晶膜が得られた。こ
の結晶膜について格子定数を測定した結果１２．６０２
Ａであｐ、Ｂｉ固溶量を分析した結果ｘ＝２．５すなわ
ち組成式にしてＧｄｏ５Ｂ１２．５Ｆｅ、０１□であっ
た。
（実施例５）
基板結晶としては格子定数が１２．６４ＡのＳｍ３Ｓｃ
２Ｇａ３０Ｉ２非磁性ガーネツト単結晶ウェファ−で（
１１１）面に平行なものを用いた。直径は２３順である
。この基板上にＧｄ２０３０．０１４７モル係。
２Ｇａ３０Ｉ２非磁性ガーネツト単結晶ウェファ−で（
１１１）面に平行なものを用いた。直径は２３順である
。この基板上にＧｄ２０３０．０１４７モル係。
Ｆｅ２Ｏ３５，４３８６モル％ 、 ＰｂＯ５９，５２
９４モルチモル係、、０３３５．０１７３モル係の融液
を用い、深さ内杆ともに５０ｍｍの白金るつぼ中で６１
０℃において過冷却温度１６０℃で液相エピタキシャル
成長を行った。成長時間か分で基板ウェファ−上に７０
μｍの厚さの旧を固溶した均質な磁性ガーネット単結晶
膜が得られた。この結晶膜の格子定数は１２．６３５Ａ
、 Ｂｉ（７）固溶量はｘ＝３．０すなわち組成式とし
てＢ１３Ｆｅ、０．２が得られた。
９４モルチモル係、、０３３５．０１７３モル係の融液
を用い、深さ内杆ともに５０ｍｍの白金るつぼ中で６１
０℃において過冷却温度１６０℃で液相エピタキシャル
成長を行った。成長時間か分で基板ウェファ−上に７０
μｍの厚さの旧を固溶した均質な磁性ガーネット単結晶
膜が得られた。この結晶膜の格子定数は１２．６３５Ａ
、 Ｂｉ（７）固溶量はｘ＝３．０すなわち組成式とし
てＢ１３Ｆｅ、０．２が得られた。
（実施例４）
基板結晶としては、格子定数が１２．５３０ＸのＧｄｏ
５．Ｔｂ２．６１Ｓｃ２Ｇａ３ｏ、２非磁性ガーネント
単結晶ウェファ−で（１１０１面に平行なものを用いた
。
５．Ｔｂ２．６１Ｓｃ２Ｇａ３ｏ、２非磁性ガーネント
単結晶ウェファ−で（１１０１面に平行なものを用いた
。
直径は２３ｍである。コ（７）基板上にＧｄ２０３０．
３８２８モル％、 Ｆｅ、、ｏ３７，２１７２モル％
、 ｐｂｏ ６２．４２８６モル％、Ｂｉ２０３２４．
９７１４モ＃％、 Ｂ２Ｏ３３，００００−Ｅ−ル％の
融液を用い深さ内径ともに５０ｍ＋ｎの白金るつぼ中で
７２０℃において過冷却温度６０ ℃で液相エピタキシ
ャル成長を行った。成長時間１５分、基板ウェファ−上
に４０μｍの厚さのＢｉを固溶した均質な磁性ガーネッ
ト単結晶膜が得られた。この結晶膜の格子定数は、１２
．５６８Ｘであり、 Ｂｉ固溶量はＸ＝１．７２であっ
た。
３８２８モル％、 Ｆｅ、、ｏ３７，２１７２モル％
、 ｐｂｏ ６２．４２８６モル％、Ｂｉ２０３２４．
９７１４モ＃％、 Ｂ２Ｏ３３，００００−Ｅ−ル％の
融液を用い深さ内径ともに５０ｍ＋ｎの白金るつぼ中で
７２０℃において過冷却温度６０ ℃で液相エピタキシ
ャル成長を行った。成長時間１５分、基板ウェファ−上
に４０μｍの厚さのＢｉを固溶した均質な磁性ガーネッ
ト単結晶膜が得られた。この結晶膜の格子定数は、１２
．５６８Ｘであり、 Ｂｉ固溶量はＸ＝１．７２であっ
た。
以上の実施例では、夫々得られたＢ１を固溶したガーネ
ット単結晶膜中のＢｉ固溶量はいずれも、従来得られた
ガーイ・ノド単結晶中のＢｉ固溶量よシ大きく、その量
は基板結晶の格子定数の大きさに対応している。なお、
上記実施例においては４種類の基板結晶について説明し
たが、１２．５３Ａ以上１２．／） ４ Ｘ以下の格子
定数値を有するガーイ・ノド単結晶であれば、他の組成
のガーネット単結晶であっても基板として使って。
ット単結晶膜中のＢｉ固溶量はいずれも、従来得られた
ガーイ・ノド単結晶中のＢｉ固溶量よシ大きく、その量
は基板結晶の格子定数の大きさに対応している。なお、
上記実施例においては４種類の基板結晶について説明し
たが、１２．５３Ａ以上１２．／） ４ Ｘ以下の格子
定数値を有するガーイ・ノド単結晶であれば、他の組成
のガーネット単結晶であっても基板として使って。
組成式がＧ ｄ ３．−ｘ Ｂ ｒ ｘ 、Ｆ ｅ５０
１２ （１−７２≦Ｘ≦６）である液相エピタキシャル
磁性ガーネット単結晶を得ることができる。
１２ （１−７２≦Ｘ≦６）である液相エピタキシャル
磁性ガーネット単結晶を得ることができる。
以上説明したように本発明によれば、これ寸で知られて
いるＢｉ固溶ガーネット結晶よりもＢｉ固溶量を増すこ
とが可能とな９．従来のイツトリウム−鉄−ガーネット
やこれまで知られているＢｉ固溶ガーネット結晶よシも
、更にすぐれた磁気光学効果を有するＢｉ固溶ガーネッ
ト単結晶を得ることができる。
いるＢｉ固溶ガーネット結晶よりもＢｉ固溶量を増すこ
とが可能とな９．従来のイツトリウム−鉄−ガーネット
やこれまで知られているＢｉ固溶ガーネット結晶よシも
、更にすぐれた磁気光学効果を有するＢｉ固溶ガーネッ
ト単結晶を得ることができる。
Claims (1)
- １、格子定数が１２．５３Ａ以上１２．６４Ａ以下の値
を有するガーネット単結晶を基板として該基板上に液相
エピタキシャル成長させた１組成式がＧｄ５−ｘＢｉ
Ｆｅ５Ｏ１２（１，７２≦Ｘ≦６）である液相エピタキ
シャル磁性ガーネット単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001841A JPS60145990A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 液相エピタキシャル磁性ガーネット単結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001841A JPS60145990A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 液相エピタキシャル磁性ガーネット単結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145990A true JPS60145990A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0459280B2 JPH0459280B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=11512772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001841A Granted JPS60145990A (ja) | 1984-01-11 | 1984-01-11 | 液相エピタキシャル磁性ガーネット単結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2541095B (en) * | 2015-06-15 | 2022-07-27 | Skyworks Solutions Inc | Ultra-high dielectric constant garnet |
-
1984
- 1984-01-11 JP JP59001841A patent/JPS60145990A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2541095B (en) * | 2015-06-15 | 2022-07-27 | Skyworks Solutions Inc | Ultra-high dielectric constant garnet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459280B2 (ja) | 1992-09-21 |
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