JPS62195619A - 光アイソレ−タ - Google Patents
光アイソレ−タInfo
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- JPS62195619A JPS62195619A JP2848386A JP2848386A JPS62195619A JP S62195619 A JPS62195619 A JP S62195619A JP 2848386 A JP2848386 A JP 2848386A JP 2848386 A JP2848386 A JP 2848386A JP S62195619 A JPS62195619 A JP S62195619A
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- iron magnetic
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファラデー回転素子による光アイソレータ、
特に０．８μｍの波長帯（０，８μｍの波長帯とは０．
８μｍの波長を中心とする０、７５〜０．８５μ−程度
の波長範囲を一般に指称する）就中７８０〜８３０ｎｍ
の波長の光に対する光アイソレータに係わる。
特に０．８μｍの波長帯（０，８μｍの波長帯とは０．
８μｍの波長を中心とする０、７５〜０．８５μ−程度
の波長範囲を一般に指称する）就中７８０〜８３０ｎｍ
の波長の光に対する光アイソレータに係わる。
本発明は、Ｂｉ金含有希土類鉄磁性ガーネットによって
光アイソレータのファラデー回転素子を構成するもので
あるが、特に、その鉄の一部と置換させる非磁性元素の
添加量を特定することによって０．８μｍ帯の光の順方
向損失りの低減化を図る。
光アイソレータのファラデー回転素子を構成するもので
あるが、特に、その鉄の一部と置換させる非磁性元素の
添加量を特定することによって０．８μｍ帯の光の順方
向損失りの低減化を図る。
例えば光ディスク、光磁気ディスク等における情報の記
録或いは（及び）読み出しをはじめとして、各種用途に
半導体レーザーの利用が広まっている。
録或いは（及び）読み出しをはじめとして、各種用途に
半導体レーザーの利用が広まっている。
ところが、このように半導体レーザーを用いる場合、こ
れに戻り光があるとモードホッピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
れに戻り光があるとモードホッピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
この光アイソレータは、第５図にその一例の概略的構成
を示すように、ファラデー回転素子（１）を挾んで偏光
子（２）と検光子（３）とが配置されて成る。
を示すように、ファラデー回転素子（１）を挾んで偏光
子（２）と検光子（３）とが配置されて成る。
ファラデー回転素子（１１は、マグネット（４）によっ
て光軸方向に磁場が与えられて、光源（５）例えば半導
体レーザーから偏光子（２）を通じて入射する直線偏光
をその偏光面が４５°回転するようになされる。
て光軸方向に磁場が与えられて、光源（５）例えば半導
体レーザーから偏光子（２）を通じて入射する直線偏光
をその偏光面が４５°回転するようになされる。
検光子（３）はこのファラデー回転素子＋１１によって
４５°゛回転した偏光を通過することができるようにそ
の軸方向が選ばれていて、これを通過した光が被照射面
に照射するようになされている。そして、この場合被照
射面（６）からの反射光、すなわち戻り光がある場合、
この戻り光は、再び検光子（３）を通過してファラデー
回転素子（１）を通過し、この時再び４５°回転されて
偏光子（２）に向う。したがって、この偏光子（２）に
向う戻り光は順方向の入射光に対してその偏光面が９ｏ
゛回転していることになり、この偏光子（２）を通過す
ることができず、光源（４）に向うことができない、こ
のように光アイソレータによれば、一方向すなわち順方
向に関しては、光透過性を有するがこれとは逆の方向に
関しては遮断効果を奏することができる。
４５°゛回転した偏光を通過することができるようにそ
の軸方向が選ばれていて、これを通過した光が被照射面
に照射するようになされている。そして、この場合被照
射面（６）からの反射光、すなわち戻り光がある場合、
この戻り光は、再び検光子（３）を通過してファラデー
回転素子（１）を通過し、この時再び４５°回転されて
偏光子（２）に向う。したがって、この偏光子（２）に
向う戻り光は順方向の入射光に対してその偏光面が９ｏ
゛回転していることになり、この偏光子（２）を通過す
ることができず、光源（４）に向うことができない、こ
のように光アイソレータによれば、一方向すなわち順方
向に関しては、光透過性を有するがこれとは逆の方向に
関しては遮断効果を奏することができる。
このように光アイソレータは、逆方向の光を遮断する機
能を有するものであるが、順方向の光損失を小さくする
上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだけ大
きいことが望まれる。この光透過率を大きくするには、
ファラデー回転素子の厚さＬは、できるだけ小さいこと
が望まれるが、この厚さＬは、所要の回転角、上述の例
では４５゜の回転角を得るために、成る厚さを必要とす
る。
能を有するものであるが、順方向の光損失を小さくする
上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだけ大
きいことが望まれる。この光透過率を大きくするには、
ファラデー回転素子の厚さＬは、できるだけ小さいこと
が望まれるが、この厚さＬは、所要の回転角、上述の例
では４５゜の回転角を得るために、成る厚さを必要とす
る。
４５°回転する間の順方向損失Ｌ（ｄＢ）は、Ｌｏｃｍ
・・・（１１（但し、αは光吸収係
数、Ｆはファラデー回転能）で与えられるので、Ｌを小
さくするには、光吸収係数αが小さいものが必要となる
。
・・・（１１（但し、αは光吸収係
数、Ｆはファラデー回転能）で与えられるので、Ｌを小
さくするには、光吸収係数αが小さいものが必要となる
。
この光吸収係数αは、波長に依存するものであり、１．
３μ−波長帯で代表されるような長波長帯については、
ＹＩＧ（イツトリウム・鉄・ガーネット）によるファラ
デー回転素子によって可成り満足するものが得られてい
る。
３μ−波長帯で代表されるような長波長帯については、
ＹＩＧ（イツトリウム・鉄・ガーネット）によるファラ
デー回転素子によって可成り満足するものが得られてい
る。
ところが、上述したような光ディスク、或いは光磁気デ
ィスク等の光源としては、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ーのような０．８μｍ波長帯の半導体レーザーが用いら
れんとする方向にあり、この０．８μｍ波長帯について
のファラデー回転素子の開発が望まれている。
ィスク等の光源としては、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ーのような０．８μｍ波長帯の半導体レーザーが用いら
れんとする方向にあり、この０．８μｍ波長帯について
のファラデー回転素子の開発が望まれている。
一方、このようなファラデー回転素子に用いる磁性ガー
ネット、すなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液相エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわち原料融液中に例えばＧＧＧ （ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）基板を浸漬し、この基
板を引上げることによってこの基板上に磁性ガーネット
膜を育成するという方法が量産性にすぐれているもので
あるが、この場合、この液相エピタキシーの融液には、
フラックスが添加される。このフラックスとしては、通
常ＰｂＯが用いられる。ところが、このＰｂＯをフラッ
クスとして用いた場合、その育成された結晶膜中にＰｂ
２“の一部が混入することは避けられないものであり、
これによって光の吸収損失を低めることが難しくなる。
ネット、すなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液相エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわち原料融液中に例えばＧＧＧ （ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）基板を浸漬し、この基
板を引上げることによってこの基板上に磁性ガーネット
膜を育成するという方法が量産性にすぐれているもので
あるが、この場合、この液相エピタキシーの融液には、
フラックスが添加される。このフラックスとしては、通
常ＰｂＯが用いられる。ところが、このＰｂＯをフラッ
クスとして用いた場合、その育成された結晶膜中にＰｂ
２“の一部が混入することは避けられないものであり、
これによって光の吸収損失を低めることが難しくなる。
尚、ＰｂＯフラックスによる場合においても、その結晶
膜の育成温度をコントロールすることによって光吸収を
下げることができるという報告もなされている（ジャー
ナル オブアプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ） Ｖｏｌ、
４５ Ｐ２８６７〜２８７３ Ｊｕｌｙ １９７４）
ところであるが、これについても、０．８μ潮波長帯で
は有効なものではない。
膜の育成温度をコントロールすることによって光吸収を
下げることができるという報告もなされている（ジャー
ナル オブアプライド フィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ ） Ｖｏｌ、
４５ Ｐ２８６７〜２８７３ Ｊｕｌｙ １９７４）
ところであるが、これについても、０．８μ潮波長帯で
は有効なものではない。
そこでＰｂハが混入することのないように、Ｂ ｉ２０
３のみをフラックスとする融液を用いて液相エピタキシ
ーによってＢｉ置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土
類の一部をＢｉで置換した磁性ガーネット膜を育成する
ことが考えられる（ジャーナル オブ エレクトロケミ
カル ソサイアテイ （Ｊｏｕｒｎａｌｏｒ Ｅ１ｅｃ
ｔｒｏｃｈｅａ＋１ｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ） Ｖｏ
ｌ、１２３ Ｐ １２４８〜１２４９１９７６ ） 。
３のみをフラックスとする融液を用いて液相エピタキシ
ーによってＢｉ置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土
類の一部をＢｉで置換した磁性ガーネット膜を育成する
ことが考えられる（ジャーナル オブ エレクトロケミ
カル ソサイアテイ （Ｊｏｕｒｎａｌｏｒ Ｅ１ｅｃ
ｔｒｏｃｈｅａ＋１ｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ） Ｖｏ
ｌ、１２３ Ｐ １２４８〜１２４９１９７６ ） 。
ところが、実際上、このような方法によってＢｉ置換の
磁性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得ら
れない、これは、本来Ｂｉ置換の磁性ガーネットの組成
は、例えば、 （７ｍ％”、３ Ｂ１３ｏ”、ｔ ） ＣＰｅ”：、
ｏ Ｇａ’、”、ｏ ）０１２ ・・・（２１である
べきものが、実際には、 Ｔａ＋’２”、３旧’ｏ”、 Ｔ Ｆｅ”Ｊ ＋６’
Ｆｅ’４”、 Ｏ−２５−どＧａ’１”、ｏ Ｐｔ’Ｊ
’ Ｏ’１−２−６・・・（３） で示されるようなｐ ｔ”及び酸素空席の発生によって
２価のＦｅイオンが発生してこれにより光吸収が生じる
ものと思われる。このｐｔの混入は、液相エピタキシー
に際して用いられるるつぼがｐｔであることにより、こ
のｐｔが融液中に拡散することによる。
磁性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得ら
れない、これは、本来Ｂｉ置換の磁性ガーネットの組成
は、例えば、 （７ｍ％”、３ Ｂ１３ｏ”、ｔ ） ＣＰｅ”：、
ｏ Ｇａ’、”、ｏ ）０１２ ・・・（２１である
べきものが、実際には、 Ｔａ＋’２”、３旧’ｏ”、 Ｔ Ｆｅ”Ｊ ＋６’
Ｆｅ’４”、 Ｏ−２５−どＧａ’１”、ｏ Ｐｔ’Ｊ
’ Ｏ’１−２−６・・・（３） で示されるようなｐ ｔ”及び酸素空席の発生によって
２価のＦｅイオンが発生してこれにより光吸収が生じる
ものと思われる。このｐｔの混入は、液相エピタキシー
に際して用いられるるつぼがｐｔであることにより、こ
のｐｔが融液中に拡散することによる。
尚、液相エピタキシー（以下ＬＰＥという）によって磁
気異方性を有するガーネット膜を得る方法として、フラ
ックスにＣａＣＯ３を添加したものの報告（マティリア
ル リサーチ プルテン（ＭａｔｅｒｉａｌＲｅｓｅａ
ｒｃｈ Ｂｕｌｌｔｅｉｎ） Ｖｏｌ、１１＋ ＰＰ
３３７〜２４６．１９７６ ）があるが、この場合、そ
のフラックスはＢｉ２Ｏ３単独のも＋７）テはなく、Ｂ
１２（ｈと共に、ＣｅＯ２／ Ｋ２Ｏ＊或いはＳ ｉ０
２／ Ｎａ２Ｏ等が添加されるものであり、しかも光吸
収についての究明はなされていない。
気異方性を有するガーネット膜を得る方法として、フラ
ックスにＣａＣＯ３を添加したものの報告（マティリア
ル リサーチ プルテン（ＭａｔｅｒｉａｌＲｅｓｅａ
ｒｃｈ Ｂｕｌｌｔｅｉｎ） Ｖｏｌ、１１＋ ＰＰ
３３７〜２４６．１９７６ ）があるが、この場合、そ
のフラックスはＢｉ２Ｏ３単独のも＋７）テはなく、Ｂ
１２（ｈと共に、ＣｅＯ２／ Ｋ２Ｏ＊或いはＳ ｉ０
２／ Ｎａ２Ｏ等が添加されるものであり、しかも光吸
収についての究明はなされていない。
前述したように従来方法によって得られるＢｉ置換磁性
ガーネットによっても、０．８μｍ波長帯に関して光吸
収が充分小さいものが得られていないことに問題がある
。
ガーネットによっても、０．８μｍ波長帯に関して光吸
収が充分小さいものが得られていないことに問題がある
。
そして、このような問題点の改善をはかるようにしたＢ
ｉ含有希土類鉄磁性ガーネットは、本出願人によっても
、例えば特願昭６０−１０８０１２号出願等において提
案したところである。これらのＢｉ含有希土類鉄磁性ガ
ーネットは、２価のイオンＣａ” 。
ｉ含有希土類鉄磁性ガーネットは、本出願人によっても
、例えば特願昭６０−１０８０１２号出願等において提
案したところである。これらのＢｉ含有希土類鉄磁性ガ
ーネットは、２価のイオンＣａ” 。
Ｍ ｇ２＋等を添加して電荷補償をとることにより、光
吸収の原因となる２価の鉄イオンＦｅ”の発生を抑制す
るものである。しかしながらこのようにＦｅ２゜の発生
を抑制するようにしたＢｉ金含有希土類鉄磁性ガーネッ
トにおいても、Ｆｅ釦による光吸収が残る。これについ
ては、鉄ＰａをＧａ、 Ａｎ！等の非磁性元素で置換
することによって抑制できる。しかしながら、同時にこ
の非磁性元素の添加によってファラデー回転能Ｆの低下
をも来し、前述の（１）式からその示性数たる順方向損
失しはさほど改善できないと考えられる。しかるに、本
発明においては、非磁性元素の置換量を特定するとき、
ファラデー回転角の低下を補償して余りある光吸収の低
下を実現できることの究明に基いて回転素子の順方向損
失しの改善をはかるものである。
吸収の原因となる２価の鉄イオンＦｅ”の発生を抑制す
るものである。しかしながらこのようにＦｅ２゜の発生
を抑制するようにしたＢｉ金含有希土類鉄磁性ガーネッ
トにおいても、Ｆｅ釦による光吸収が残る。これについ
ては、鉄ＰａをＧａ、 Ａｎ！等の非磁性元素で置換
することによって抑制できる。しかしながら、同時にこ
の非磁性元素の添加によってファラデー回転能Ｆの低下
をも来し、前述の（１）式からその示性数たる順方向損
失しはさほど改善できないと考えられる。しかるに、本
発明においては、非磁性元素の置換量を特定するとき、
ファラデー回転角の低下を補償して余りある光吸収の低
下を実現できることの究明に基いて回転素子の順方向損
失しの改善をはかるものである。
本発明は、透明基板、例えば（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇ
Ｚｒ）ｓＱ。
Ｚｒ）ｓＱ。
より成るＳＧＧ （サブストレイテッド・ガリウム・
ガーネット）上に、Ｂｉ金含有希土類鉄磁性ガーネット
をＬＰＩＩ！ してファラデー回転素子を構成するもの
であるが、特にそのＢｉ含有鉄磁性ガーネットのＦｅに
置換して、すなわち、そのＦｑサイトにＧａ、 Ａｊ
（ＩＩＩＡ族）等の非磁性元素の１種以上をドープする
ものであるが、特にこれら非磁性元素の置換量を、Ｆｅ
の０．７〜１．２／ｆ、ｕ （ｆ、ｕ ：フォーミュ
ラユニット）に選定する。
ガーネット）上に、Ｂｉ金含有希土類鉄磁性ガーネット
をＬＰＩＩ！ してファラデー回転素子を構成するもの
であるが、特にそのＢｉ含有鉄磁性ガーネットのＦｅに
置換して、すなわち、そのＦｑサイトにＧａ、 Ａｊ
（ＩＩＩＡ族）等の非磁性元素の１種以上をドープする
ものであるが、特にこれら非磁性元素の置換量を、Ｆｅ
の０．７〜１．２／ｆ、ｕ （ｆ、ｕ ：フォーミュ
ラユニット）に選定する。
本発明においては、ファラデー回転素子を構成する希土
類鉄磁性ガーネットのＰａを非磁性元素で置換するもの
であり、これによってＦｅ３°の発生を抑制でき、これ
によって０．８μ−帯の光吸収率が低下するが、この非
磁性元素の添加によるファラデー回転能の減少は、非磁
性元素の添加量を上述した範囲内に選定することによっ
て光吸収率の低下への寄与に比して小に抑えることがで
き、結果的に、光アイソレータとしての順方向光損失り
を格段に向上できることになる。
類鉄磁性ガーネットのＰａを非磁性元素で置換するもの
であり、これによってＦｅ３°の発生を抑制でき、これ
によって０．８μ−帯の光吸収率が低下するが、この非
磁性元素の添加によるファラデー回転能の減少は、非磁
性元素の添加量を上述した範囲内に選定することによっ
て光吸収率の低下への寄与に比して小に抑えることがで
き、結果的に、光アイソレータとしての順方向光損失り
を格段に向上できることになる。
実施例１
（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）ｓ ＯＬ２ガーネット
によるＳＧＧ基板上に、ＢｉｚＯ３＋ Ｔｍ２０ｉ ＋
Ｙ２０ｘ ＋ Ｇｄ２Ｏ３＋ Ｆｅ２０ｉ １Ｇａ
２０３より成る融液によって三元素の希土１ｉＴ＋ａ。
によるＳＧＧ基板上に、ＢｉｚＯ３＋ Ｔｍ２０ｉ ＋
Ｙ２０ｘ ＋ Ｇｄ２Ｏ３＋ Ｆｅ２０ｉ １Ｇａ
２０３より成る融液によって三元素の希土１ｉＴ＋ａ。
Ｙ、 Ｇｄとを有し、Ｆｅの一部をＧａで置換した磁性
ガーネット膜であり、Ｉ！ＰＭＡ分析の結果、はぼＢ
ｉｔ、３゜Ｔａ＋ｏ、ｓｏ Ｙｏ、ｓｓ Ｇｄｏ、ｔ
ｓ Ｐｅ＋、ｏｏ Ｇａｏ、ｓｓ ｏ、で表わし得るＢ
ｉ含有希土類鉄磁性ガーネット膜をＬＰＥによって育成
してファラデー回転素子を作製した。そしてこれを試料
ｌとした。
ガーネット膜であり、Ｉ！ＰＭＡ分析の結果、はぼＢ
ｉｔ、３゜Ｔａ＋ｏ、ｓｏ Ｙｏ、ｓｓ Ｇｄｏ、ｔ
ｓ Ｐｅ＋、ｏｏ Ｇａｏ、ｓｓ ｏ、で表わし得るＢ
ｉ含有希土類鉄磁性ガーネット膜をＬＰＥによって育成
してファラデー回転素子を作製した。そしてこれを試料
ｌとした。
比較例１
実施例１と同様の方法によって、Ｂ ｉｘ、２３ Ｔｍ
ｏ、ｓ ２Ｙｏ、ｓｖ Ｇｄｏ、＠ｔ Ｆｅ４．５ｉＧ
ａｏ、３ｓ ０．２で表わし得る磁性ガ−ネット膜によ
るファラデー回転素子を作製した。
ｏ、ｓ ２Ｙｏ、ｓｖ Ｇｄｏ、＠ｔ Ｆｅ４．５ｉＧ
ａｏ、３ｓ ０．２で表わし得る磁性ガ−ネット膜によ
るファラデー回転素子を作製した。
そしてこれを試料２とした。
比較例２
実施例１と同様の方法によってＢ ｉｒ、３４ Ｔｍｏ
、ｓ 。
、ｓ 。
Ｙｏ、５５Ｇｄｏ、７ｓ Ｆｅ４．２６Ｇａｏ、ｓｓ
０１２で表わし得る磁性ガーネット膜によるファラデー
回転素子を作製した。
０１２で表わし得る磁性ガーネット膜によるファラデー
回転素子を作製した。
そして、これを試料３とした。
これら各試料１〜３について、波長が７８０〜８３０ｎ
ｍの間にある光に関しての光吸収を測定した。第１図は
、この波長範囲の光についての光吸収の極小値αｍ１を
Ｇａ置換量との関係で示したもので、各黒丸１１ｈｌ〜
Ｎ１３は夫々試料１〜３の夫々の測定結果をプロットし
た点を示す。α１ｌｌｆｌはＧａ置換量が増すにつれ単
調に減少している。そして、このα藺とＧａ置換量との
関係は、理論的に次式で示される。
ｍの間にある光に関しての光吸収を測定した。第１図は
、この波長範囲の光についての光吸収の極小値αｍ１を
Ｇａ置換量との関係で示したもので、各黒丸１１ｈｌ〜
Ｎ１３は夫々試料１〜３の夫々の測定結果をプロットし
た点を示す。α１ｌｌｆｌはＧａ置換量が増すにつれ単
調に減少している。そして、このα藺とＧａ置換量との
関係は、理論的に次式で示される。
・・・（２）
（ハンセンとライツタ−によるフィジカル・レビ、 −
Ｂ２７１４９８ （１９８３参照）。ここで、ＵはＧａ
の置換量であり、ＣはＧａ置換量が零のときのαＭの値
であり、Ｇａはその９０％が４面体Ｆｅ位置に、１０％
が８面体Ｆｅ位置に置換したとしたものである。ここで
、試料１〜３において、Ｇａ及びＦｅ以外の構成元素に
ついては、互いに殆んどその組成が変らないので、各試
料１〜３について、（２）式のＣの値は殆んど変らない
と考えられる。ところが、このＣ値について、測定され
たαＫｎの値と、前述した分析法Ｕを使って（２）式か
ら計算したところ、そのＧａ置換量とＣとの関係は、第
２図に各試料階１〜３に・ついての計算結果を点磁１〜
磁３として示すように、本発明による実施例１のそれは
、比較例１及び２のそれに比し、格段に減少している。
Ｂ２７１４９８ （１９８３参照）。ここで、ＵはＧａ
の置換量であり、ＣはＧａ置換量が零のときのαＭの値
であり、Ｇａはその９０％が４面体Ｆｅ位置に、１０％
が８面体Ｆｅ位置に置換したとしたものである。ここで
、試料１〜３において、Ｇａ及びＦｅ以外の構成元素に
ついては、互いに殆んどその組成が変らないので、各試
料１〜３について、（２）式のＣの値は殆んど変らない
と考えられる。ところが、このＣ値について、測定され
たαＫｎの値と、前述した分析法Ｕを使って（２）式か
ら計算したところ、そのＧａ置換量とＣとの関係は、第
２図に各試料階１〜３に・ついての計算結果を点磁１〜
磁３として示すように、本発明による実施例１のそれは
、比較例１及び２のそれに比し、格段に減少している。
このことは、本発明の実施例１によるものは、本来の（
２）式から予測されるα藺よりも格段に小さなα慣４に
なったことを示している。つまり、比較例１及び２によ
る試料２及び３のＧａ置換量が０．３５〜０．５８／
ｆ 、ｕ。
２）式から予測されるα藺よりも格段に小さなα慣４に
なったことを示している。つまり、比較例１及び２によ
る試料２及び３のＧａ置換量が０．３５〜０．５８／
ｆ 、ｕ。
に比し、本発明による０、８９／ｆ、ｕ、の方が大幅に
０．８μ−帯の光吸収を低減化できたことを示している
。
０．８μ−帯の光吸収を低減化できたことを示している
。
一方、試料１〜３について、波長７８０ｎ−でのファラ
デー回転能θＰ７８０についての測定を行った結果をＧ
ａ置換量に対するθＦ７８０として第３図に夫々点ＮＱ
１〜３をもって示した。そして、ここに、試料１〜３に
おいて、上述したようにＧａ、 Ｆｅ以外の組成につい
ては、殆ど同じであることから、θ、７ｅ。
デー回転能θＰ７８０についての測定を行った結果をＧ
ａ置換量に対するθＦ７８０として第３図に夫々点ＮＱ
１〜３をもって示した。そして、ここに、試料１〜３に
おいて、上述したようにＧａ、 Ｆｅ以外の組成につい
ては、殆ど同じであることから、θ、７ｅ。
とＧａ置換ｌｕとの関係も、（２）式と同様に下記（３
）式で表わせる。
）式で表わせる。
・・・（３）
（ハンセンほかによるジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックス匝、 １０５２ （１９８４）参照）ここ
でＣ′はＧａ置換量零のときのθ、７８０である。
フィジックス匝、 １０５２ （１９８４）参照）ここ
でＣ′はＧａ置換量零のときのθ、７８０である。
そして、同様にこのθＦ７８０についても各試料１〜３
について測定されたθ、７８０ と、分析値Ｕによって
（３）式に基いてＣ′を計算し、このＣ′をＧａ置換１
ｉｕとの関係をもって、第４図に各試料１〜３を各点Ｎ
１１〜３によって示すと、第２図のαｍｉｎの場合とは
異る性状を示し、Ｃ′については殆んど一定値を示して
いる。つまり、光アイソレータの示性数となる前記＋１
１式に相当するように順方向光吸収損失（ｄＢ）は、α
蘭／θ、７１１０に比例し、Ｃ／Ｃ’に比例するので、
Ｇａ置換量ｕ （ｆ、ｕ、γ１が、成る程度以上高めら
れると、試料１で分ったように光吸収損失の低減化、つ
まり光アイソレータの特性の向上がはかられる。そして
、実際にはＧａ置換量ｕが０．１〜１．２／ ｆ、ｕ、
において、上記Ｃ′の値の一定化がはかられ、しかもＣ
の値が減少すること、つまり、上記示性数の改善がはか
られる。
について測定されたθ、７８０ と、分析値Ｕによって
（３）式に基いてＣ′を計算し、このＣ′をＧａ置換１
ｉｕとの関係をもって、第４図に各試料１〜３を各点Ｎ
１１〜３によって示すと、第２図のαｍｉｎの場合とは
異る性状を示し、Ｃ′については殆んど一定値を示して
いる。つまり、光アイソレータの示性数となる前記＋１
１式に相当するように順方向光吸収損失（ｄＢ）は、α
蘭／θ、７１１０に比例し、Ｃ／Ｃ’に比例するので、
Ｇａ置換量ｕ （ｆ、ｕ、γ１が、成る程度以上高めら
れると、試料１で分ったように光吸収損失の低減化、つ
まり光アイソレータの特性の向上がはかられる。そして
、実際にはＧａ置換量ｕが０．１〜１．２／ ｆ、ｕ、
において、上記Ｃ′の値の一定化がはかられ、しかもＣ
の値が減少すること、つまり、上記示性数の改善がはか
られる。
上述したところから明らかなように本発明によれば、順
方向光吸収損失の小さい光アイソレータを構成し得るの
で、光ディスク、光磁気ディスクの情報の記録及び読み
出しの光学系に用いて、Ｓ／ＨないしはＳ／Ｃの高い記
録・読み出しが実現でき、実用に供してその利益は極め
て大きい。
方向光吸収損失の小さい光アイソレータを構成し得るの
で、光ディスク、光磁気ディスクの情報の記録及び読み
出しの光学系に用いて、Ｓ／ＨないしはＳ／Ｃの高い記
録・読み出しが実現でき、実用に供してその利益は極め
て大きい。
第１図〜第４図は夫々本発明による実施例及び比較例に
基く、αａｎ Ｇａ置換量関係、Ｃ−Ｇａ置換量関係
、θ、７１０−にａ置換量関係、Ｃ’ −Ｇａ置換量関
係の夫々を示す図、第５図は本発明装置を適用する光ア
イソレータの一例を示す構成図である。 （１１はファラデー回転素子、（５）は光源、（６）は
被照射面である。
基く、αａｎ Ｇａ置換量関係、Ｃ−Ｇａ置換量関係
、θ、７１０−にａ置換量関係、Ｃ’ −Ｇａ置換量関
係の夫々を示す図、第５図は本発明装置を適用する光ア
イソレータの一例を示す構成図である。 （１１はファラデー回転素子、（５）は光源、（６）は
被照射面である。
Claims (1)
- ファラデー回転素子がＢｉ含有の希土類鉄磁性ガーネッ
トより成り、その鉄の０．７〜１．２／ｆ．ｕ．がＧａ
、Ａｌ等の非磁性元素の少くとも１種類以上で置換され
て成ることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2848386A JPS62195619A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 光アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2848386A JPS62195619A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 光アイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195619A true JPS62195619A (ja) | 1987-08-28 |
Family
ID=12249905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2848386A Pending JPS62195619A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131216A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749917A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Nec Corp | Epitaxial-film faraday rotator |
| JPS5882225A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-05-17 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 磁気−光学モジユレ−タ−およびその製造方法 |
| JPS58190786A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光フアイバ形磁界センサ |
| JPS5977409A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-02 | Hitachi Ltd | 光アイソレ−タ |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP2848386A patent/JPS62195619A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749917A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Nec Corp | Epitaxial-film faraday rotator |
| JPS5882225A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-05-17 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 磁気−光学モジユレ−タ−およびその製造方法 |
| JPS58190786A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光フアイバ形磁界センサ |
| JPS5977409A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-02 | Hitachi Ltd | 光アイソレ−タ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131216A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-21 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料 |
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