NL7606482A - Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm. - Google Patents

Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.

Info

Publication number
NL7606482A
NL7606482A NL7606482A NL7606482A NL7606482A NL 7606482 A NL7606482 A NL 7606482A NL 7606482 A NL7606482 A NL 7606482A NL 7606482 A NL7606482 A NL 7606482A NL 7606482 A NL7606482 A NL 7606482A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
eenkristzl
meinfilm
grainate
beldo
germanium
Prior art date
Application number
NL7606482A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7606482A priority Critical patent/NL7606482A/nl
Priority to CH725477A priority patent/CH630963A5/de
Priority to GB24520/77A priority patent/GB1580848A/en
Priority to DE2726744A priority patent/DE2726744C3/de
Priority to FR7718346A priority patent/FR2354809A1/fr
Priority to JP52070045A priority patent/JPS5919912B2/ja
Publication of NL7606482A publication Critical patent/NL7606482A/nl
Priority to US05/877,165 priority patent/US4323618A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/28Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/28Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/32Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90Magnetic feature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
NL7606482A 1976-06-16 1976-06-16 Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm. NL7606482A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7606482A NL7606482A (nl) 1976-06-16 1976-06-16 Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.
CH725477A CH630963A5 (de) 1976-06-16 1977-06-13 Einkristall aus nicht-magnetischem synthetischen granatmaterial, sowie dessen verwendung als substrat zur zuechtung einer blasendomaenenschicht.
GB24520/77A GB1580848A (en) 1976-06-16 1977-06-13 Calcium-gallium-germanium garnet single crystal
DE2726744A DE2726744C3 (de) 1976-06-16 1977-06-14 Einkristallines Substrat aus Calcium-Gallium-Granat sowie mit diesem hergestellte magnetische Blasendomänenanordnung
FR7718346A FR2354809A1 (fr) 1976-06-16 1977-06-15 Monocristal de grenat de calcium-gallium-germanium, ainsi que substrat forme par un tel monocristal et muni d'une couche a bulles magnetiques formee par voie d'epitaxie
JP52070045A JPS5919912B2 (ja) 1976-06-16 1977-06-15 カルシウム−ガリウム−ゲルマニウム系ガ−ネット単結晶,ガ−ネット単結晶基体及び泡磁区装置
US05/877,165 US4323618A (en) 1976-06-16 1978-02-13 Single crystal of calcium-gallium germanium garnet and substrate manufactured from such a single crystal and having an epitaxially grown bubble domain film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7606482A NL7606482A (nl) 1976-06-16 1976-06-16 Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7606482A true NL7606482A (nl) 1977-12-20

Family

ID=19826374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7606482A NL7606482A (nl) 1976-06-16 1976-06-16 Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4323618A (nl)
JP (1) JPS5919912B2 (nl)
CH (1) CH630963A5 (nl)
DE (1) DE2726744C3 (nl)
FR (1) FR2354809A1 (nl)
GB (1) GB1580848A (nl)
NL (1) NL7606482A (nl)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7607959A (nl) * 1976-07-19 1978-01-23 Philips Nv Magnetisch beldomein materiaal.
NL7902293A (nl) * 1979-03-23 1980-09-25 Philips Nv Magnetische beldomein structuur en magnetische beldomeininrichting.
US4355072A (en) 1980-02-12 1982-10-19 U.S. Philips Corporation Magnetic hexagonal ferrite layer on a nonmagnetic hexagonal mixed crystal substrate
NL8800155A (nl) * 1988-01-25 1989-08-16 Philips Nv Granaat en werkwijzen voor het bereiden van een granaat.
JPH0354198A (ja) * 1989-07-20 1991-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 酸化物ガーネット単結晶
TWI518742B (zh) * 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN115991993B (zh) * 2022-12-09 2024-01-26 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3429740A (en) * 1965-09-24 1969-02-25 North American Rockwell Growing garnet on non-garnet single crystal
US3788896A (en) * 1970-12-28 1974-01-29 North American Rockwell Method for producing bubble domains in magnetic film-substrate structures
US3736158A (en) * 1971-03-19 1973-05-29 G Cullen Czochralski-grown spinel for use as epitaxial silicon substrate
US3723599A (en) * 1971-08-18 1973-03-27 Bell Telephone Labor Inc Technique for growth of single crystal gallium garnet
DE2349348C2 (de) * 1972-10-07 1983-02-10 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum Züchten einer einkristallinen, wismutdotierten Yttrium- oder Seltenerdmetall-Eisen-Granatschicht
CA1061902A (en) 1974-04-15 1979-09-04 Paul J. Besser Orientation-derived hard bubble suppression
US3946372A (en) * 1974-04-15 1976-03-23 Rockwell International Corporation Characteristic temperature-derived hard bubble suppression

Also Published As

Publication number Publication date
JPS531200A (en) 1978-01-07
FR2354809B1 (nl) 1983-12-09
JPS5919912B2 (ja) 1984-05-09
CH630963A5 (de) 1982-07-15
DE2726744A1 (de) 1977-12-29
DE2726744C3 (de) 1982-02-18
DE2726744B2 (de) 1981-04-23
US4323618A (en) 1982-04-06
GB1580848A (en) 1980-12-03
FR2354809A1 (fr) 1978-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7707919A (nl) Halfgeleider alsmede werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL7706540A (nl) Vormen van kunststoffen.
IT1084379B (it) Procedimento di piroscissione.
NL7714321A (nl) Statistisch copolymeer van propeen en buteen-1, alsmede werkwijze om het te bereiden.
NL7709638A (nl) Polyetherpolyolen en daaruit bereide polyurethan- schuimen.
NL7702269A (nl) Werkwijze ter bereiding van preparaten met pesticide-eigenschappen.
NL7700016A (nl) Drager.
NL7608901A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door middel van een dergelijke werkwijze.
NL7711717A (nl) Maaidorser.
NL183269C (nl) Ritssluitingdrager.
NO148001C (no) Fangkileanordning.
NL176813C (nl) Weergeefstelsel voorzien van lichtemitterende halfgeleiderdioden.
NL7704093A (nl) Bepaling van methadon.
NL7704505A (nl) Drager.
NL7702010A (nl) Transportvoertuig.
NL7606482A (nl) Eenkristzl van calcium-gallium-germanium granaat, alsmede substraat vervaardigd van een dergelijk eenkristzl met een epitaxiaal opgegroeide beldo- meinfilm.
NL7708613A (nl) Werkwijze ter bereiding van wrongel.
NL7706817A (nl) Telefonieschakeling op basis van tijd- en ruimte-verdeling, alsmede clntrale met een dergelijke schakeling.
NL7707912A (nl) Chemiluminescerende systemen.
ES226015Y (es) Grapa para cable.
NL7708334A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een elek- trische isolatie, alsmede de toepassing daarvan.
NL7709475A (nl) Gas-monitoren.
NL7709139A (nl) Driepunts-veiligheidsgordel met dubbele schouder- gordel.
NL7704148A (nl) Ondergrond voor getuft tapijt en tapijt met een dergelijke ondergrond.
NL7711303A (nl) Transportinrichting of dergelijke.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed