CN115991993B - 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法 - Google Patents

一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115991993B
CN115991993B CN202211588709.9A CN202211588709A CN115991993B CN 115991993 B CN115991993 B CN 115991993B CN 202211588709 A CN202211588709 A CN 202211588709A CN 115991993 B CN115991993 B CN 115991993B
Authority
CN
China
Prior art keywords
counterfeiting
sodium
green light
lutetium
fluorescent powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211588709.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115991993A (zh
Inventor
李俊豪
周建邦
陈鹏允
林利添
张秋红
倪海勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences
Original Assignee
Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences filed Critical Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences
Priority to CN202211588709.9A priority Critical patent/CN115991993B/zh
Publication of CN115991993A publication Critical patent/CN115991993A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115991993B publication Critical patent/CN115991993B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉,该荧光粉化学组成表示式为:NaLu2‑2xGa3Ge2O12:xTb3+,x为掺杂的Tb3+离子浓度,其中:0<x≤0.25。本发明的绿光NaLu2Ga3Ge2O12:Tb3+荧光粉具有激发范围广、发射峰谱窄、发射峰特征明确,原材料易得、制造过程简便、合成时间短,所需能耗低、易于工业化等优点,其可被350~390nm近紫外光以及250~320nm紫外光高效激发,发射出最强峰位于540~545nm的窄带绿光,尤其是在250~320nm紫外光辐照结束后,仍能持续发光,视觉可见的余辉发光时间介于5~20s之间且变化可调,可用于光致发光防伪识别技术领域。

Description

一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法
技术领域
本发明属于无机荧光粉材料技术领域,具体涉及一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法。
背景技术
市场对利润的竞逐,使高端高价值的商品时刻面临着被仿制被假冒的风险。防伪技术存在的意义便是对高端高价值商品形成保护,让假冒伪劣商品无所遁形,维护商品市场的正常秩序。荧光防伪技术具有识别简单的特点,已渗透在人们日常生活的方方面面。比方说,世界各国的货币中,均使用了荧光防伪技术,在检验真伪时只需要用紫外验钞灯照射,便可呈现相应的荧光纹路。对于荧光防伪技术而言,其技术的核心与关键集中在实现光转化功能的荧光材料身上。
随着科学的进步与发展,防伪用荧光材料亦需进步与更迭,否则猖獗的假冒伪造活动将攻破并仿造出同样的荧光现象,使得原防伪技术失去功能和意义。这意味着,防伪用的荧光材料除了要满足识别简单的特点外,还需具备仿造困难的特性。多种荧光特性的组合,可以大幅度提高材料被破解与仿造的难度,因此,新型防伪用荧光材料需要集多种荧光特性于一体拥有多维度的防伪标识功能。
当下的防伪用荧光粉设计倾向于在不同激发条件下使材料呈现出不同的发光颜色。此类设计被破解的风险系数较大,比如说通过多种发光中心的共激发或者多种荧光粉的混合使用则可复刻出极为相似的荧光效果。若要增加被破解的难度,可考虑引入长余辉发光特性,因为余辉发光的时间是可以调节的,从而在余辉时间层面增加了一个可控的维度。长余辉现象的出现,余辉发光时间的长短,依赖于晶体结构中的陷阱的深度,无法简单地被复刻。Tb3+激活的绿光荧光粉常见,但是具备长余辉发光特性的Tb3+激活的绿光荧光粉却为数不多。市面上容易购买得到的绿光长余辉荧光材料主要基于铕、镝共掺铝酸锶体系,余辉发光是宽峰特征。因此,利用Tb3+的窄带长余辉发光作防伪具有巨大的优势。
现有技术中,关于Tb3+激活的石榴石基荧光粉报道有Gd3Al5O12:Tb3+,Ca3Ga2Ge3O12:Tb3+等,主要表现的不足在于不论用紫外还是近紫外光激发,辐照结束后均不具备余辉发光特性,荧光现象容易被其他Tb3+激活的荧光粉复刻,防伪特征效果单一。另外,材料成相温度普遍偏高,对合成设备要求较高,生产所需能耗较大。因此,新型防伪用特征明显且性能优越的石榴石基荧光粉的探寻依然任重而道远。
发明内容
基于背景技术所描述的种种,本发明的目的在于提供一种具备窄带长余辉发光特性的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
本发明的另一目的是是提供上述防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的制备方法。
为实现上述发明目的所采取的技术方案为:
一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉,该荧光粉化学组成表示式为:NaLu2- 2xTb2xGa3Ge2O12,x为掺杂的Tb3+离子浓度,其中:0<x≤0.25。
上述防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的制备方法,包括如下步骤:按化学组成分别称取含有钠、镥、镓、锗和铽各金属元素的原料,其中,金属元素物质的量之比为Na:Lu:Ga:Ge:Tb=1:2-2x:3:2:2x,其中:0<x≤0.25,再加入10%的Ga2O3用于补偿高温反应过程中Ga的流失,充分研磨使其混合均匀,之后在常压空气气氛中以3~7℃/min的速率升温至1150+1250℃,恒温4~6h进行高温烧结,后冷却至室温,将产物研磨即得所述的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
本发明提出的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉利用钠镥镓锗石榴石中适宜的陷阱深度,紫外光辐照结束后陷阱中的能量逐渐释放给发光中心Tb3+,进而获得Tb3+5D4-7FJ(J=3,4,5,6)跃迁发光。本发明提出的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉,利用钠、镓、锗构建的新型石榴石基质相较于传统的含铝、硅、碱土金属构建的石榴石同构体系而言,其固相合成的反应温度大幅度下降,合成过程无特定压强、气氛要求。其具体技术优势体现在:
1.本发明可在温度低至1150~1250℃区间仅经一步烧结成相,所得荧光粉结晶性完好,发光亮度高。
2.本发明获得的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉具有激发范围广、发射峰谱窄、发射峰特征明确,原材料易得、制造过程简便、合成时间短,所需能耗低、易于工业化等优点。
3.本发明获得的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉可被350~390nm近紫外光以及250~320nm紫外光高效激发,发射出最强峰位于540~545nm的窄带绿光。在350~390nm近紫外光辐照结束后,本发明提出的绿光NaLu2Ga3Ge2O12:Tb3+荧光粉的发光随即停止,但在250~320nm紫外光辐照结束后,本发明提出的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的发光仍能持续,视觉可见的余辉发光时间介于5~20s之间且变化可调,可用于光致发光防伪识别技术领域。
附图说明
图1是实施例1制备得到的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的X射线粉末衍射图谱;
图2是实施例1制备得到的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的荧光发射光谱;
图3是实施例1制备得到的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的荧光激发光谱;
图4是实施例1制备得到的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉被紫外光辐照后的时间分辨光谱。
图5是实施例1制备得到的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的色坐标图。
具体实施方式
以下实施例是对本发明的进一步说明,而不是对本发明的限制。除特别说明,本发明使用的设备和试剂为本技术领域常规市购产品。
实施例1
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.0265g,氧化镥(Lu2O3)0.1791g,氧化锗(GeO2)0.1046g,氧化铽(Tb4O7)0.0187g,氧化镓(Ga2O3)0.1546g将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以5℃/min的速率从室温升温至1200℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Tb3+掺杂NaLu2Ga3Ge2O12的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
实施例2
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.0265g,氧化镥(Lu2O3)0.1791g,氧化锗(GeO2)0.1046g,氧化铽(Tb4O7)0.0187g,氧化镓(Ga2O3)0.1546g,将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以3℃/min的速率从室温升温至1150℃后,恒温6h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Tb3+掺杂NaLu2Ga3Ge2O12的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
实施例3
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.0265g,氧化镥(Lu2O3)0.1791g,氧化锗(GeO2)0.1046g,氧化铽(Tb4O7)0.0187g,氧化镓(Ga2O3)0.1546g,将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以7℃/min的速率从室温升温至1250℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Tb3+掺杂NaLu2Ga3Ge2O12的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
实施例4
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.0265g,氧化镥(Lu2O3)0.1692g,氧化锗(GeO2)0.1046g,氧化铽(Tb4O7)0.0281g,氧化镓(Ga2O3)0.1546g将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以5℃/min的速率从室温升温至1200℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Tb3+掺杂NaLu2Ga3Ge2O12的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
实施例5
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.0265g,氧化镥(Lu2O3)0.1504g,氧化锗(GeO2)0.1046g,氧化铽(Tb4O7)0.0374g,氧化镓(Ga2O3)0.1546g将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以5℃/min的速率从室温升温至1200℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Tb3+掺杂NaLu2Ga3Ge2O12的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本发明的限制,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉,其特征在于,该荧光粉化学组成表示式为:NaLu2-2xTb2xGa3Ge2O12,2x为掺杂的Tb3+离子浓度,其中:0 < x ≤ 0.25。
2.一种如权利要求1所述防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:按化学组成分别称取含有钠、镥、镓、锗和铽各金属元素的原料,其中,金属元素物质的量之比为Na : Lu : Ga : Ge : Tb = 1 : 2-2x : 3 : 2 : 2x,其中:0 < x≤ 0.25,再加入10%的Ga2O3,充分研磨使其混合均匀,之后在常压空气气氛中进行高温烧结,后冷却至室温,将产物研磨即得所述的防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉。
3.如权利要求2所述防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述高温烧结参数为:以3~7℃/min的速率升温至1150 – 1250℃,恒温4~6h。
CN202211588709.9A 2022-12-09 2022-12-09 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法 Active CN115991993B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211588709.9A CN115991993B (zh) 2022-12-09 2022-12-09 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211588709.9A CN115991993B (zh) 2022-12-09 2022-12-09 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115991993A CN115991993A (zh) 2023-04-21
CN115991993B true CN115991993B (zh) 2024-01-26

Family

ID=85991502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211588709.9A Active CN115991993B (zh) 2022-12-09 2022-12-09 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115991993B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116814260A (zh) * 2023-06-19 2023-09-29 昆明学院 一种锗锆酸镁钙荧光粉及其制备方法
CN117143599B (zh) * 2023-08-11 2024-04-09 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基反常热猝灭红色荧光粉及其制备方法
CN117143600B (zh) * 2023-08-11 2024-02-20 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法
CN117327491B (zh) * 2023-09-27 2024-05-17 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钙钇镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4323618A (en) * 1976-06-16 1982-04-06 U.S. Philips Corporation Single crystal of calcium-gallium germanium garnet and substrate manufactured from such a single crystal and having an epitaxially grown bubble domain film
CN104560041A (zh) * 2014-12-18 2015-04-29 华南理工大学 具备近红外长余辉和下转换荧光双模式生物成像材料及制备方法
CN105199732A (zh) * 2015-08-27 2015-12-30 华南理工大学 具备生物成像和光热治疗双功能的近红外长余辉材料及制备方法
CN109868138A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 亿光电子工业股份有限公司 光电子器件
JP2019210361A (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 株式会社豊田中央研究所 発光材料
CN110591710A (zh) * 2018-06-13 2019-12-20 广州航海学院 一种基于激光照明应用的铽重掺杂的镓锗酸盐绿色荧光粉及其制备方法
CN110885682A (zh) * 2019-12-16 2020-03-17 武汉工程大学 镓酸盐长余辉荧光粉材料及其制备方法
CN115287068A (zh) * 2022-08-30 2022-11-04 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠钇镓锗石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法
CN115368893A (zh) * 2022-08-30 2022-11-22 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8877096B2 (en) * 2009-09-21 2014-11-04 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Near infrared doped phosphors having a zinc, germanium, gallate matrix

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4323618A (en) * 1976-06-16 1982-04-06 U.S. Philips Corporation Single crystal of calcium-gallium germanium garnet and substrate manufactured from such a single crystal and having an epitaxially grown bubble domain film
CN104560041A (zh) * 2014-12-18 2015-04-29 华南理工大学 具备近红外长余辉和下转换荧光双模式生物成像材料及制备方法
CN105199732A (zh) * 2015-08-27 2015-12-30 华南理工大学 具备生物成像和光热治疗双功能的近红外长余辉材料及制备方法
CN109868138A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 亿光电子工业股份有限公司 光电子器件
JP2019210361A (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 株式会社豊田中央研究所 発光材料
CN110591710A (zh) * 2018-06-13 2019-12-20 广州航海学院 一种基于激光照明应用的铽重掺杂的镓锗酸盐绿色荧光粉及其制备方法
CN110885682A (zh) * 2019-12-16 2020-03-17 武汉工程大学 镓酸盐长余辉荧光粉材料及其制备方法
CN115287068A (zh) * 2022-08-30 2022-11-04 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠钇镓锗石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法
CN115368893A (zh) * 2022-08-30 2022-11-22 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Synthesis and properties of Ca3Ga2Ge3O12:Tb3+ garnet phosphor;Kenji Sawada等;《Ceramics International》;第43卷;第14225-14232页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN115991993A (zh) 2023-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115991993B (zh) 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法
KR100548805B1 (ko) 희토류 원소에 의해 활성화된 알칼리 토금속 알루민산염-규산염 광발광 안료 및 그 제조 방법
CN107974250B (zh) 一种蓝绿色硅酸盐超长余辉发光材料及其制备方法
WO2011014091A1 (ru) Неорганический люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света
CN103160278A (zh) 一种红色长余辉发光材料及其制备方法
Khattab et al. Preparation of strontium aluminate: Eu2+ and Dy3+ persistent luminescent materials based on recycling alum sludge
Singh et al. Green emitting Tb doped LiBaB9O15 phosphors
US20090014684A1 (en) Long afterglow luminescent material with compounded substrates and its preparation method
Khan et al. Deep reddish-orange emitting Sr3Gd (PO4) 3: Sm3+ phosphors via modified citrate-gel combustion method
CN101974324B (zh) 一种超长余辉硅酸盐长余辉发光材料及其制备方法
Kim et al. The luminescence properties of M2MgSi2O7: Eu2+ (M= Sr, Ba) nano phosphor in ultraviolet light emitting diodes
CN108929681B (zh) 一种双价态铕离子掺杂的铝酸锶发光材料的制备方法
CN100575452C (zh) 橙黄色长余辉荧光粉及其制备方法
JPH10231480A (ja) 長残光性発光材料及びその製造方法
CN114058371B (zh) 一种黄光长余辉发光材料及其制备方法和应用
CN114958375A (zh) 一种x光激发的多色动态防伪技术
CN114106829A (zh) 一种Mn2+掺杂红光长余辉发光材料及其制备方法
CN102154011A (zh) 球形焦磷酸锶光致发光材料及其制备方法
WO1999028410A1 (fr) Phosphore photoluminescent, son procede de preparation et son utilisation
Son et al. Luminescence properties and energy transfer processes in Ce3+-Sm3+ co-doped calcium aluminosilicate materials
WO2018211829A1 (ja) 残光性酸硫化物蛍光体および真贋判定用発光組成物
KR100387659B1 (ko) 졸겔법을 이용한 스트론튬알루미네이트 형광체의 제조방법
CN113845913B (zh) 一种蓝光激发的石榴石基多模荧光防伪材料及其制备方法
CN116574509B (zh) 一种多模态防伪荧光粉及其制备方法
CN113999672B (zh) 一种具有橙黄色余辉的应力发光材料及其制备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant