CN115368893A - 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法 - Google Patents

一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115368893A
CN115368893A CN202211048812.4A CN202211048812A CN115368893A CN 115368893 A CN115368893 A CN 115368893A CN 202211048812 A CN202211048812 A CN 202211048812A CN 115368893 A CN115368893 A CN 115368893A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluorescent powder
based green
garnet
nagdga
gadolinium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211048812.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115368893B (zh
Inventor
李俊豪
匡猛
姜伟
张秋红
倪海勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences
Original Assignee
Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences filed Critical Institute of Resource Utilization and Rare Earth Development of Guangdong Academy of Sciences
Priority to CN202211048812.4A priority Critical patent/CN115368893B/zh
Publication of CN115368893A publication Critical patent/CN115368893A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115368893B publication Critical patent/CN115368893B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7707Germanates
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K11/00Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
    • G01K11/20Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using thermoluminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉,该荧光粉为Bi3+掺杂的青光NaGd2Ga3Ge2O12荧光材料,化学组成为NaGd2(1‑x)Ga3Ge2O12:xBi3+,其中,x为掺杂的Bi3+离子浓度,0<x≤0.20,可被260‑380nm紫外光激发,发射出主峰在480nm,光谱涵盖390‑710nm的超宽谱带发光。因其发射光谱在青光波段充分覆盖,可以应用在LED器件当中,适用于全光谱健康照明、人脸识别、温度探测等众多领域。

Description

一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法
技术领域:
本发明涉及发光材料技术领域,具体涉及一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法。
背景技术:
目前市面上普通的白光LED照明技术主要基于GaN半导体芯片蓝光与YAG荧光粉黄光的简单复合。蓝光与黄光复合而得到白光,其显色指数偏低(Ra<80)且色温偏高(CCT>6500K),均不利于高端场所的应用。更为严重的问题是,芯片蓝光的光谱覆盖区域不足,在此情况下要想得到视觉可接受的白光,蓝光在整个光谱中的比重往往过大,从而衍生出蓝光危害问题。让白光光谱尽可能连续,比如说引入青光从而稀释蓝光在整个光谱中的比重,是解决此问题的有效办法。因此,研制新型青光荧光粉尤为重要。
现有的研究成果表明,在合适的基质中,Ce3+,Eu2+,Bi3+离子的掺杂均能实现青光发射。但它们的原料,即它们常见的氧化物中,铈与铕的价态分别是正四价和正三价,均不是能直接实现获得青光发光的价态,铈与铕的离子掺杂必须要被还原。换言之,较铈与铕而言,Bi3+离子的掺杂所具备的优势是无需使用还原性气氛。因此,Bi3+离子激活的青光荧光粉一直备受青睐。
现有技术中,关于Bi3+离子激活的青光荧光粉的报道有硫氧化物CaZnOS:Bi3+荧光粉,镓酸盐Ba2LaGaO5:Bi3+荧光粉等,但是它们的化学稳定性不如石榴石基荧光粉。此外,还存在光谱覆盖度不够,成相温度偏高,生产能耗较大等问题。因此,新型化学稳定且光谱性能优异的石榴石基青光荧光粉的探寻依然任重而道远。
发明内容:
本发明的目的是提供一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法,该荧光粉为Bi3+掺杂的青光NaGd2Ga3Ge2O12荧光材料,化学组成为NaGd2(1-x)Ga3Ge2O12:xBi3+,可被260-380nm紫外光激发,发射出主峰在480nm,光谱涵盖390-710nm的超宽谱带发光,且固相合成温度大幅下降,制造过程简便、无特定压强、气氛要求,合成时间短,解决了现有技术光谱覆盖度不够,成相温度偏高,生产能耗较大的问题。
本发明是通过以下技术方案予以实现的:
一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉,该荧光粉为Bi3+掺杂的青光NaGd2Ga3Ge2O12荧光材料,化学组成为NaGd2(1-x)Ga3Ge2O12:xBi3+,其中,x为掺杂的Bi3+离子浓度,0<x≤0.20。
所述钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,包括以下步骤:按化学组成分别称取含有钠、钆、镓、锗和铋金属元素的原料,其中,金属元素物质的量之比为Na:Gd:Ga:Ge:Bi=1:2-2x:3:2:2x,0<x≤0.20,再根据实验温度的高低,额外加入一定量的Ga2O3用于补偿高温反应过程中Ga的流失,充分研磨使其混合均匀,并放入反应容器中,在常压空气气氛中进行烧结,后冷却至室温,研磨即得目标荧光粉;所述的烧结程序步骤为:以3-7℃/min的速率从室温升温至1150-1250℃,然后恒温4h。
优选地,所述的含有钠元素的原料选自碳酸钠、碳酸氢钠和草酸钠中的一种以上。
优选地,所述的含有钆元素的原料选自氧化钆、草酸钆、碳酸钆和硝酸钆中的一种以上。
优选地,所述的含有镓元素的原料选自氧化镓。
优选地,所述的含有锗元素的原料选自氧化锗。
优选地,所述的含有铋元素的原料选自氧化铋和硝酸铋中的一种以上。
优选地,所述额外加入一定量的Ga2O3为额外添加超化学计量比10%的Ga2O3
本发明的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉,利用钠、钆、镓、锗构建的新型石榴石基质相较于传统的含铝、硅、碱土金属构建的石榴石同构体系而言,其固相合成的反应温度大幅度下降,合成过程无特定压强、气氛要求。本发明的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉利用Bi3+在钠钆镓锗石榴石中的格位环境,适宜的晶体场强度使得掺杂在Gd3+格位上的Bi3+离子表现超宽谱带青光。
本发明还保护上述钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉在发光器件中的应用。本发明提出的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉为近红外光荧光粉,可被260-380nm紫外光激发,发射出主峰在480nm,光谱涵盖390-710nm的超宽谱带发光,有效激发范围宽、发射覆盖范围宽,可以应用在LED器件当中,适用于全光谱健康照明、人脸识别、温度探测等众多领域。
本发明得到的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉结晶性完好,发光亮度高,荧光寿命短,可用作紫外LED芯片激发的青光转换材料。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)本发明钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉在温度低至1150-1250℃条件下经一步烧结,仅需反应4h成相,相较于传统的含铝、硅、碱土金属构建的石榴石同构体系而言,其固相合成的反应温度大幅度下降,合成时间短,且合成过程无特定压强、气氛要求,原材料易得、制造过程简便、所需能耗低、易于工业化等优点。
(2)本发明得到的产品结晶性完好,发光亮度高,荧光寿命短,可用作紫外LED芯片激发的青光转换材料。
(3)本发明钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉具有激发范围广、发射峰可调,发射峰谱宽的优点。本发明得到的荧光粉可被260-380nm紫外光激发,发射出主峰在480nm,光谱涵盖390-710nm的超宽谱带发光。因其发射光谱在青光波段充分覆盖,可以应用在LED器件当中,适用于全光谱健康照明、人脸识别、温度探测等众多领域。
附图说明:
图1是实施例1制备得到的Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉的X射线粉末衍射图谱;
图2是实施例1制备得到的Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉的荧光发射光谱;
图3是实施例1制备得到的Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉的荧光激发光谱;
图4是实施例1制备得到的Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉的色坐标图。
具体实施方式:
以下是对本发明的进一步说明,而不是对本发明的限制。
实施例1:
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.2398g,氧化钆(Gd2O3)1.4927g,氧化锗(GeO2)0.9470g,氧化铋(Bi2O3)0.1897g,氧化镓(Ga2O3)1.5267g将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以5℃/min的速率从室温升温至1200℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉。
实施例2:
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.2398g,氧化钆(Gd2O3)1.5583g,氧化锗(GeO2)0.9470g,氧化铋(Bi2O3)0.1054g,氧化镓(Ga2O3)1.5267g将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以5℃/min的速率从室温升温至1200℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉。
实施例3:
分别称取碳酸钠(Na2CO3)0.2398g,氧化钆(Gd2O3)1.6239g,氧化锗(GeO2)0.9470g,氧化铋(Bi2O3)0.0210g,氧化镓(Ga2O3)1.5267g将上述原料在玛瑙研钵中研磨,研磨均匀后进行固相反应,在常压空气气氛环境以5℃/min的速率从室温升温至1200℃后,恒温4h,结束后待其自然冷却,研磨均匀即可获得Bi3+掺杂NaGd2Ga3Ge2O12青光荧光粉。
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出的是,上述优选实施方式不应视为对本发明的限制,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉,其特征在于,该荧光粉为Bi3+掺杂的青光NaGd2Ga3Ge2O12荧光材料,化学组成为NaGd2(1-x)Ga3Ge2O12:xBi3+,其中,x为掺杂的Bi3+离子浓度,0<x≤0.20。
2.一种权利要求1所述钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:按化学组成分别称取含有钠、钆、镓、锗和铋金属元素的原料,其中,金属元素物质的量之比为Na:Gd:Ga:Ge:Bi=1:2-2x:3:2:2x,0<x≤0.20,再根据实验温度的高低,额外加入一定量的Ga2O3用于补偿高温反应过程中Ga的流失,充分研磨使其混合均匀,并放入反应容器中,在常压空气气氛中进行烧结,后冷却至室温,研磨即得目标荧光粉;所述的烧结程序步骤为:以3-7℃/min的速率从室温升温至1150-1250℃,然后恒温4h。
3.根据权利要求2所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的含有钠元素的原料选自碳酸钠、碳酸氢钠和草酸钠中的一种以上。
4.根据权利要求2所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的含有钆元素的原料选自氧化钆、草酸钆、碳酸钆和硝酸钆中的一种以上。
5.根据权利要求2所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的含有镓元素的原料选自氧化镓。
6.根据权利要求2所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的含有锗元素的原料选自氧化锗。
7.根据权利要求2所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述的含有铋元素的原料选自氧化铋和硝酸铋中的一种以上。
8.根据权利要求2所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉的制备方法,其特征在于,所述额外加入一定量的Ga2O3为额外添加超化学计量比10%的Ga2O3
9.权利要求1所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉在发光器件中的应用,其特征在于,应用在LED器件当中。
10.根据权利要求9所述的钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉在发光器件中的应用,其特征在于,适用于全光谱健康照明、人脸识别、温度探测。
CN202211048812.4A 2022-08-30 2022-08-30 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法 Active CN115368893B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211048812.4A CN115368893B (zh) 2022-08-30 2022-08-30 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211048812.4A CN115368893B (zh) 2022-08-30 2022-08-30 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115368893A true CN115368893A (zh) 2022-11-22
CN115368893B CN115368893B (zh) 2023-06-02

Family

ID=84068785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211048812.4A Active CN115368893B (zh) 2022-08-30 2022-08-30 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115368893B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115991993A (zh) * 2022-12-09 2023-04-21 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法
CN117143599A (zh) * 2023-08-11 2023-12-01 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基反常热猝灭红色荧光粉及其制备方法
CN117327491A (zh) * 2023-09-27 2024-01-02 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钙钇镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法
CN117143600B (zh) * 2023-08-11 2024-02-20 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104403668A (zh) * 2014-12-10 2015-03-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种硅酸盐绿色荧光粉及其制备方法
CN110204324A (zh) * 2019-05-15 2019-09-06 浙江大学 一种绿色荧光透明陶瓷的制备方法和应用
JP2019210361A (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 株式会社豊田中央研究所 発光材料
CN112745845A (zh) * 2019-10-30 2021-05-04 通用电气公司 用于正电子发射断层摄影(pet)的基于立方石榴石组合物的陶瓷闪烁体
CN113845807A (zh) * 2020-06-26 2021-12-28 赢创运营有限公司 用于产生具有抗微生物性能的涂层的组合物
CN114555758A (zh) * 2019-10-14 2022-05-27 赢创运营有限公司 包含镧系离子诸如Pr3+活化的石榴石的蓝光至UV上转换器及其用于表面消毒目的的用途

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104403668A (zh) * 2014-12-10 2015-03-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种硅酸盐绿色荧光粉及其制备方法
JP2019210361A (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 株式会社豊田中央研究所 発光材料
CN110204324A (zh) * 2019-05-15 2019-09-06 浙江大学 一种绿色荧光透明陶瓷的制备方法和应用
CN114555758A (zh) * 2019-10-14 2022-05-27 赢创运营有限公司 包含镧系离子诸如Pr3+活化的石榴石的蓝光至UV上转换器及其用于表面消毒目的的用途
CN112745845A (zh) * 2019-10-30 2021-05-04 通用电气公司 用于正电子发射断层摄影(pet)的基于立方石榴石组合物的陶瓷闪烁体
CN113845807A (zh) * 2020-06-26 2021-12-28 赢创运营有限公司 用于产生具有抗微生物性能的涂层的组合物

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. KRASNIKOV ET AL.: "Photoluminescence of the undoped and Bi3+-Doped Ca3Ga2Ge3O12 garnets", 《JOURNAL OF LUMINESCENCE》 *
YONGWANG LI ET AL.: "Bismuth-activated, narrow-band, cyan garnet phosphor Ca3Y2Ge3O12:Bi3+ for near-ultraviolet-pumped white LED application", 《J AM CERAM SOC.》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115991993A (zh) * 2022-12-09 2023-04-21 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法
CN115991993B (zh) * 2022-12-09 2024-01-26 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种防伪用钠镥镓锗石榴石基绿光荧光粉及其制备方法
CN117143599A (zh) * 2023-08-11 2023-12-01 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基反常热猝灭红色荧光粉及其制备方法
CN117143600B (zh) * 2023-08-11 2024-02-20 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法
CN117143599B (zh) * 2023-08-11 2024-04-09 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钠铟石榴石基反常热猝灭红色荧光粉及其制备方法
CN117327491A (zh) * 2023-09-27 2024-01-02 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钙钇镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法
CN117327491B (zh) * 2023-09-27 2024-05-17 广东省科学院资源利用与稀土开发研究所 一种钙钇镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115368893B (zh) 2023-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115368893B (zh) 一种钠钆镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法
KR101215300B1 (ko) 산질화물계 형광체
CN110257057B (zh) 一种黄色长余辉发光材料及其制备方法
CN111234814B (zh) 一种Mn4+掺杂的氮氧化物红色荧光粉及制备方法
CN113717722B (zh) 一种铋离子掺杂的硼酸盐窄带蓝色荧光粉及其制备方法与发光器件
CN111196925A (zh) Mn4+掺杂的红色荧光材料及其制备方法
CN113249125B (zh) Ce3+掺杂的硅酸盐基绿色荧光粉及其制备方法和应用
CN109652074A (zh) 铕掺杂的镓酸盐基红色荧光粉及其制备方法
CN113088283A (zh) 能在太阳光下促进植物生长的新型荧光粉及其制备方法
CN113481001B (zh) 一种铜离子掺杂的镓酸盐基红色长余辉材料及其制备方法
CN111892924B (zh) 一种Cu离子掺杂镓酸盐基橙红色发光材料及其制备方法
CN112940723A (zh) 一种Bi3+、Eu3+离子共激活的镥酸盐荧光粉及制备方法
CN112625683A (zh) 一种锗酸盐型红色荧光粉及制备方法
CN102373062B (zh) 一种适于白光led应用的氟硅酸盐红色荧光粉及其制备方法
CN111607397A (zh) 一种Eu2+-Eu3+共掺杂硅酸盐荧光粉及其制备方法和应用
CN108276998B (zh) 三价钐离子掺杂钛酸钆钡红色荧光粉及其制备方法
CN110591711A (zh) 一种用于白光led的镓酸盐红色荧光粉及其制备方法
CN112480918B (zh) 一种掺锰的深红光荧光粉材料及其制备方法
CN108774522A (zh) 一种白光led用白钨矿型钼酸盐红色荧光粉及其制备方法
CN105419798B (zh) 一种橙红色锑酸盐荧光材料的制备方法及应用
CN112980442A (zh) 一种Dy3+离子激活的镥酸盐白色荧光粉及制备方法
CN113136204A (zh) 一种Eu2+-Mn2+共掺杂荧光粉及其制备方法和应用
CN117327491B (zh) 一种钙钇镓锗石榴石基青光荧光粉及其制备方法
CN117363356B (zh) 一种虹膜识别用钙钆镓锗石榴石基近红外光荧光粉及其制备方法
CN115594214B (zh) 一种Cu离子掺杂的镓酸盐基绿色长余辉材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant