DE2726744A1 - Einkristall aus calcium-gallium- granat sowie substrat hergestellt aus einem derartigen einkristall mit einer epitaxial gezuechteten blasendomaenenschicht - Google Patents
Einkristall aus calcium-gallium- granat sowie substrat hergestellt aus einem derartigen einkristall mit einer epitaxial gezuechteten blasendomaenenschichtInfo
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Description
PHN. 8/430.
? 7 7 R 7 U L
»γ-►■■..,.,..,,,.,....._ .. ,^ LILOIHH DEEN/EVH.
ίί.6.77.
"Einkristall aus Calcium-Gallium-Germanium-Granat sowie Substrat, hergestellt aus einem derartigen Einkristall
mit einer epitaxial gezüchteten Blasendomänenschicht"
Die Erfindung betrifft einen Einkristall eines nicht magnetischen synthetischen Granats.
Die Verwendung von Einkristallen aus nicht magnetischem synthetischem Granat, insbesondere aus
Gadolinium-Granat (Gd„Ga O.„) als Substratmaterial für
dünne, uniaxiale Schichten aus Seltene-Erden-Eisen-Granat,
709852/0897
PHN.
* - 272674A 4.6.77
die sich zum Tragen inagnetischer Blasendomänen eignen,
ist allgemein bekannt. Siehe beispielsweise "Journal of Crystal Growth 12 (1972), S. 3.... 8, wo das Züchten
einer Anzahl von Granatmaterialien mit unterschiedlicher Zusammensetzung beschrieben wird.
Mit der Entdeckung einer uniaxialen Anisotropie in Seltene-Erden-Eisen-Granaten von Bubeck c.s. (Appl.Phys.
Letters 17(3)f 1970, S. 13 Ί) wurde es notwendig, Dünnschichten
(1 bis 10 /um) dieser Werkstoffe herzustellen, , wobei die Epitaxie aus der flüssigen Phase oder aus der
Dampfphase die geeignetsten Techniken erschienen. Um gute Filme zu erhalten, muss die Gitterkonstante des
Substrats der der Schicht angepasst sein. Betrachtet man das Gebiet von Gitter-Konstanten der Seltene-Erden-Eisen-Granate,
die für Blasendomänenanordnungen wie Speicher- und Schieberegister bisher benutzt werden,
so zeigt es sich, dass die Gitterkonstanten der Seltene-Erden-Gallium-Granate ungefähr das gleiche Gebiet erfassen;
sie bilden also geeignete Substratwerkstoffe. Ausserdem
sind Seltene-Erden-Gallium-Granate geeignete Werkstoffe, um mit Hilfe der bekannten Kristallzüchtungstechnik
nach Czochralski hergestellt zu werden. Wie oben bereits erwähnt wurde, ist Gadolinium-Gallium-Granat (GGG) einer
der bisher am meisten angewandten Substratwerkstoffe.
Neben ihrer physikalischen Eignung besitzen
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PHN. 8'»30.
- 2r -
Seltene Erden-Galliuni-Graiiate wirtschaftlich gesehen
doch bestimmte Nachteile. Da ihre Schmelzpunkte hoch
liegen (beispielsweise Gadolinium-Gallium-Granat 17'*0eC)
muss beim Züchten von Einkristallen mit Hilfe des Verfahrens nach Czochralski Iridium als Tiegelmaterial
verwendet werden. Diese Tiegel sind nicht nur teuer, sondern sie haben auch eine beschränkte Lebensdauer,
weil sie durch die Ausdehnung des Granatmaterials beim
Schmelzen bei der erforderlichen hohen Temperatur beschädigt
werden. Ausserdem hat die sauerstoffhaltige Gasatmosphäre, in welcher die Züchtung im allgemeinen
erfolgt, einen nachteiligen Einfluss auf den benutzten Tiegel dadurch, dass sich flüssiges Iridiuinoxid bildet.
Unter diesen Umständen kann ein Iridium tiegel im Mittel nur zwanzigmal benutzt werden. Auch ist durch die
hohen Schmelzpunkte die erforderliche elektrische Leistung hoch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein
wirtschaftlich vorteilhaftes Granatsubstratmaterial
zu schaffen, das einen niedrigeren Schmelzpunkt besitzt als die Seltene-Erden-Gallium-Granate.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die
Erfindung einen Einkristall aus Granatmaterial schafft, das eine Zusammensetzung im Calcium-Gallium-Germanium-Granat-System
hat, die im Existenzgebiet von Ca„GapGe„0^„
liegt.
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PHN. 8Ί30
Dieses Granatinaterial zeigt einen bedeutend niedrigeren Schmelzpunkt als die bekannten Seltene-Erden-Gallium-Granate.
Da der Schmelzpunkt nur etwa 138O0C beträgt, kann beim Züchten von Einkristallen mit Hilfe
des Czochralski-Verfahrens Platin als Tiegelmaterial
benutzt werden. Der Preis eines Platintiegels beträgt etwa 1/3 von dem eines Iridiurntiegels. Ausserdem ist die
Lebensdauer ungefähr das 2^-fache, weil beim Schmelzen
des neuen Granatmaterials eine Beschädigung des Tiegels weniger schnell auftritt. Durch die niedrigere Schmelztemperatur
des erfindungsgemässen Granatniaterials ist
beim Züchtungsverfahren etwa eine um die Hälfte geringere elektrische Leistung erforderlich. Ein zusätzlicher
Vorteil besteht weiter darin, dass die Ausgangsstoffe
für das erfindungsgemässe Material in grösseren Mengen
zur Verfügung stehen, während der Preis etwa 2/3 von dem der Ausgangsstoffe für beispielsweise Gadolinium-Gallium-Granat
ist. . / Die spezifische Formel für den wichtigen Granat ist Ca„Ga2Ge„0]2, wodurch ein Verhältnis von 8 Metallatomen
in 12 Sauerstoffatomen angegeben wird, wobei 25$ der Anzahl von Metallatomen von Ga, 37t5$ von c&
und 3715$ von Ge eingenommen wird. Dieses Verhältnis
ergibt einen Einkristall mit Granatstruktur. Innerhalb
gewisser Grenzen können jedoch Variationen in diesem Verhältnis angebracht werden, ohne aus dem einphasigen
709852/0897
PHN.
Existenzbereich herauszutreten. Ueberschreitet man
jedoch diese Grenzen, so führt dies zur Bildung unerwünschter fremdphasiger Einschlüsse ui.d zu Kleinwinkel-Kristallgrenzen
(low angle crystal boundaris), wodurch der gewonnene Kristall für den gewünschten Zweck
unbrauchbar ist.
Es zeigt sich, dass der einphasige Existenzbereich im Bereich von Zusammenseztungen liegt, für die
gilt, dass 22 ... 26$ der Anzahl von Metallatomen von
Ga, 37 ··· 39$ von Ca und 37 ··· 39$ von Ge eingenommen wird,
Wie oben erwähnt, sind die erfindungsgemässen
Granateinkristalle insbesondere als Substrate für Seltene-Erden-Eisen-Granatschichten geeignet, die magnetische
Blasendomänen tragen können, obgleich sie auch für andere Anwendungen, z.B. als isolierendes Substratmaterial
in der Halbleitertechnik, brauchbar sind. Die Erfindung betrifft ebenfalls ein einkristallines
Substrat aus nicht magnetischem synthetischem Granatmaterial, das eine Oberfläche schafft, auf der
eine Blasendomänenschicht gezüchtet werden kann, wobei das Substrat dadurch gekennzeichnet ist, dass das
Granatfhaterial Calcium-Gallium-Germanium-Granat ist,
mit einer Zusammensetzung im oben beschriebenen Existenzbereich.
Blasendomänenschichten können mittels durch
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PUN. 8V3O.
Q ί|.6.77.
2776744
Kalliodeii/ui'stüubung, ein "Spinn i ng''-Verfahren , durcli
Epitaxie aus der flüssigen Phase oder aus der Dampfphase hergestellt werden. Bekanntlich muss ein gewisses Mass
der Anpassung zwischen den Gitterkonstanten der Blasendomänenschicht
und des Subs tratina terial s bestehen: der Unterschied zwischen den Gitterkonstanten (der "misfit")
muss kleiner als 0,002 mn sein. Das neue Substratmaterial
nach der Erfindung hat eine Gitterkonstante von ungefähr
1,225 nm.
Die Erfindung bezieht sich weiter auf eine Blasendomänenanordnung mit einem epitaxial auf einer
kristallographisehen Oberfläche eines einkristallinen
synthetischen Granatsubstrats gezüchteten Blasendomänenschicht,
wobei die Anordnung dadurch gekennzeichnet ist, dass das Substratmaterial Calcium-Gallium-Germanium-Granat
ist mit einer Zusammensetzung, die im bereits beschriebenen Existenzbereich liegt.
Eine Ausführungsform der Blasendomänenanordnung
nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass das Calcium-Gallium-Germanium-Granat-Substratmaterial
eine Gitterkonstante von ungefähr 1,225 nm hat und die Blasendomänenschicht eine Gitterkonstante besitzt,
die davon um höchstens 0,002 nm abweicht.
Blasendomänenschichten mit einer Zusammensetzung auf der Basis von Lu,Fe_012 haben eine Gitterkonstante,
709852/0897
pun. Η·Ί')υ.
g Ί . 6 . 7 7 .
die sich dem Wert von 1,223 nni dicht nähert. Üt-r gewünschte
Wert der Gitterkonstante kann äusserst genau durch
Substituierung eines kleinen Ions (z.B. Al oder Ga) an
einer Fe- Stelle eingestellt werden (die Gitterkonstan te
wird dabei k Leiner) oder durch Substituierung eines
grossen Ions(z.B. Eu und oder Y) an einer Lu-S te I1e(wobei
die Gitterkonstan te grosser wird).
Die Erfindung bezieht sich daher £iuch auf eine
Blasendomänenanordnung nach obiger Beschreibung, bei der die Blasendoiiiäneiischicht eine Zusammensetzung auf
der Basis von Lu Fe.O. hat.
Vorzugsweise entspricht die Zusammensetzung des
der Blasendomänenschicht der Formel (LuA)„(FeB)_0-„,
wobei A=Y und/oder Eu und B = Al oder Ga
2+ k +
oder A = Ca, Sr, Mg oder Si und B = Ge, Si sind.
Die Beispiele der Erfindung werden an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein einkristallines
Calciuin-Gallium-Germaniura-Granat-Substrat 1 mit einer
darauf gezüchteten Blasendomänenschicht 2,
Fig. 2 einen Teil eines ternären Zusammensetzungsdiagramms,
in dem der schraffierte Bereich den Einphasenbereich von Calciuin-Gallium-Germanium-Granat einschliesst,
Fig. 3 eine graphische Darstellung, die den Durchmesser D einer in der Schicht 2 nach Fig. 1 erzeugten
Blasendomäne als Funktion der Temperatur darstellt,
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PUN. 8VjO.
Fig. 'f eine graphische DaräLel lung, die das
Vern iclitungsfeld H einer in der Schicht 2 nach
Fig. 1 erzeugten Blasendoniäiie als Fun) tion der Temperatur
darsteilt.
Nachstehend wird beschrieben, wie zunächst
CaI c ium—Gal L ium—German ium—Granat—Eiiikria t al le einer
geeigneten Zusammensetzung gezüchtet werden, die als
Substrat 1 für eine I)I aseiidomänenschich t 2 (Fig. l)
dienen können und auf welche Weise derartige Dlasendoinänenschich
ten epitaxial gezüchtet werden.
Mit differentieller thermischer Analyse wurde
dazu zunächst untersucht, bei welcher Zusammensetzung
Calcium-Gallium-Germanium-Granat sich als eine einzige
Phase verhält.
Bei diesem Aiialyseverfahren werden zwei Platintiegel
benutzt, die je einen Durchmesser von h mm und eine Höhe von 10 mm haben. Jeder Tiegel wird auf ein
Platin-Platin - (90) - Rhodium - (10) - Thermoelement
gestellt. Ein Tiegel wird mit etwa 100 mg eines Normalstoffes gefüllt, in diesem Falle gepulvertes Aluminiumoxid
Der an^fere Tiegel wird mit etwa 100 mg des zu untersuchenden
Stoffes gefüllt. Der Abstand zwischen den Tiegeln ist 10 mm. Unterstützt durch einen Aluminiumoxidhalter
werden sie in einen vertikalen Röhrenofen mit einem Innendurchmesser von 38 mm abgestellt. Die Gas-
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PHN. 8-Ί 30.
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atmosphäre ist Sauerstoff (1 hur). Der Ofen wird mit
einer Geschwindigkeit von 7('O0C pro Stunde aufgeheizt.
Die Thermospannuiiß des Elementes unter dem zu untersuchenden
Stoff wird auf einem Zwoi1inienschreiber aufgezeichnet.
Dieser Schreiber {jikt ebenfalls den Unterschied
in der Thermospannung zwischen den beiden Thermoelementen. Venn beim Aufheizen ein exothermer oder endothermer Effekt
im System auftritt, weicht das Differenzsignal vom
Nullwert ab. Auf diese Weise können Schmelztemperaturen, Gerinnungstemperaturen, Phasenänderungen und gleichartige
% Effekte gemessen werden.
Die Ergebnisse der auf oben beschriebene Weise in einer Anzahl von Calcium-Galliuin-Germanium-Granat-Proben
mit verschiedenen Zusammensetzungen durchgeführten
Untersuchung werden an Hand der Fig. 2 erläutert.
Fig. 2 zeigt einen Teil eines ternären Diagramms, in dem verschiedene Granatzusammensetzungen als der
Prozentsatz an Metallatomen (Ca, Ga, bzw. Ge) in bezug auf die Gesamtanzalil von Metallatomen wiedergegeben sind.
Es zeigt sich, dass die Zusammensetzungen, die in diesem Diagramm mit geschlossenen Kreisen angegeben sind,
beim Schmelzen eine exotherme Spitze bei 138O0C aufweisen.
Die Zusammensetzungen, die mit offenen Kreisen angegeben sind, zeigen mindestens eine zusätzliche exotherme Spitze.
(Die Fremdphasen die hier auftreten, sind nicht weiter
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PHN. 8*00.
k.e.n.
- ve· -
untersucht worden). Aus Fig. 2 kann gefolgert werden, dass das einphasige Existenzgebiet im Bereich liegt,
der von den Linien 37 Ca und 39 Ca und von den Linien
und 39 Ge begrenzt wird, wobei die äussersten Eckpunkte
von den Linien 22 Ga und 26 Ga bestimmt werden. Mit anderen Worten das Existenzgebiet liegt im Bereich von
Zusammensetzungen, für die gilt, dass 22 ... 26$ der
Anzahl von Metallatomen von Ga 37 ·· 39$ von Ca und 37 ··· 39$ von Ge eingenommen wird.
Den interessanten Zusammensetzungsbereich kann man auch mit Hilfe einer Formel angenähert beschreiben,
wobei gilt, dass die Zusammensetzung des Calcium-Gallium-Germanium-Granats nachstehender Formel entsprechen muss
Ca(3+x_2y)Ga(2-2x)Ge(3+x+y)°i2· wobei
-0,032 ^ χ ^ 0,112
-0,032 £ y ^ 0,032,
in dem Sinne, dassj wenn χ einen äussersten Wert annimmt,
y Null ist und umgekehrt.
Aus der Figur ist ersichtlich, dass der Bereich ziemlich schmal ist und sich von der Zusammensetzung
Ca3Ga2Ge3O12 (25$ Ga, 37,5$ Ca, 37,5$ Ge) vorwiegend
in der Ga-armen Richtung erstreckt. Letzteres weist dahin, dass 2 χ Ga-Ionen durch χ Ca-Ionen und χ Ge-Ionen
ersetzt werden können. Also 11$ der Oktaederstellen können von einer gleichen Anzahl von Ca- und Ge-Ionen
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PHN.
4> 4.6.77.
4> 4.6.77.
besetzt werden. Andererseits kann gleichzeitig 1^ der
Dodekaederstellen und 1$ der Tetraederstellen von
Ga-Ionen besetzt werden. Die Breite des Bereiches erlaubt, dass die Anzahl von Ca- oder Ge-Ionen um einige Prozent vergrössert werden kann, und dass diese zusätzlichen Ionen an freigemachte ■ Ga-Stellen gebracht werden können.
Ga-Ionen besetzt werden. Die Breite des Bereiches erlaubt, dass die Anzahl von Ca- oder Ge-Ionen um einige Prozent vergrössert werden kann, und dass diese zusätzlichen Ionen an freigemachte ■ Ga-Stellen gebracht werden können.
Anschliessend wird mit Hilfe des Czochralski-Verfahrens eine Anzahl von Einkristallen gezüchtet.
Zum Erhalten eines Ca„Ga Ge„O „-Einkristalls
wurden 97» 95 Gramm Calciumcarbonat ("Suprapur"; Merck),
6O,92 Gramm Galliumoxid (99f99$ rein; Alusuisse), und
101,98 Gramm Germaniumoxid (99,9999$ rein; Vieille Montagne)
trocken gemischt und in einer Perspexmatrize zu Tabletten gepresst. Die Tabletten wurden in einem Platintiegel
gewogen und auf eine Temperatur von ungefähr 138O0C
den Schmelzpunkt der Mischung, erhitzt. Die Erhitzung wurde durch Kopplung des Tiegels mit einer Hochfrequenzinduktionserhitzungsanordnung mit einer Leistung von
6 kW durchgeführt. Den Tiegel und seinen Inhalt liess man danach eine Temperatur erreichen, bei der der Inhalt vollständig flüssig war. Die Gasatmosphäre war Sauerstoff ( 1 bar). Gegebenenfalls kann auch in einer
gewogen und auf eine Temperatur von ungefähr 138O0C
den Schmelzpunkt der Mischung, erhitzt. Die Erhitzung wurde durch Kopplung des Tiegels mit einer Hochfrequenzinduktionserhitzungsanordnung mit einer Leistung von
6 kW durchgeführt. Den Tiegel und seinen Inhalt liess man danach eine Temperatur erreichen, bei der der Inhalt vollständig flüssig war. Die Gasatmosphäre war Sauerstoff ( 1 bar). Gegebenenfalls kann auch in einer
sauerstoffhaltigen Atmosphäre gezüchtet werden, beispielsweise
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PHN. 8*430.
/ftf
4.6.77.
-VZ-
27267U
in einer Luft-Sauerstoff-Mischung. Als der Inhalt des
Tiegels gerade geschmolzen war, wurde ein Keimzüchtkristall, der an einem Aluminiumoxidst_ib befestigt war,
in die Schmelze gesteckt und die Czochralski-Züchtungstechnik zum Aufwchsen eines Einkristalls aus Calcium-Gallium-Germanium—Granat
zu einer Höhe von 4o mm mit einer Wachstumsgeschwindigkeit von 6 mm pro Stunde
und einer Drehgeschwindigkeit von 25 Umdrehungen in der
Minute angewandt.
Obgleich Calcium-Gallium-Germanium-Granat sich zum Züchten von Einkristallen mit Hilfe des Czochralski-Verfahrens
eignet, können auch andere Züchtungstechniken, wie hydrothermales Züchten, Zonenschmelzen oder die
Bridgeman-Technik benutzt werden.
Zum Erhalten eines Ca0 Q0Ga1 Q».Ge„ 0 _-
Einkristalls (wobei also in der Formel 37>35$ der Anzahl von Metallatomen Ca-Atome, 24,35$ Ga-Atome und
28,30$ Ge-Atome sind würden 97»20 Gramm Calciumkarbonat,
59|3** Gramm Galliumoxid und 104,15 Gramm Germaniumoxid
trocken gemischt. Auf gleiche Weise wie unter Beispiel 1 wurde aus dieser Mischung nach dem Schmelzen ein
Granateinkristall gezüchtet.
Beispiel 3
Beispiel 3
Zum Erhalten eines Ca„ qfiGa. Ge„ „O1„-Einkristalls
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PHN. 8430. /ff A. 6. 77-
(wobei also in der Formel 37,'*O$ der Anzahl von Metallatomen
Ca-Atome, 24,60$ Ga-Atome und 38,00$ Ge-Atome sind wurden 97,33 Gramm Calciumkarbonat, 59,9^ Gramm
Galliumoxid und 103,33 Gramm Germaniumoxid trocken gemischt. Wie beim Beispiel 1 wurde aus dieser Mischung
nach dem Schmelzen ein Granatkristall gezüchtet. Beispiel 4
Zum Erhalten eines Ca„ o4Ga1 Q2Gel o4°12~ Ein~
kristalle (wobei also in der Formel 38,00$ der Anzahl der Metallatome Ca-Atome, 24,00$ Ga-Atome und 38,00$ Ge-Atome
, sind wurden 98,89 Gramm CaCO„, 58,48 Gramm Ga2O und
103.33 Gramm Ge„0 trocken gemischt. Wie beim Beispiel 1
Wurde aus dieser Mischung nach dem Schmelzen ein Granateinkristall gezüchtet.
Beispiel 5
Beispiel 5
Zum Erhalten eines Ca„ „„Ga _Ge„ ,0 -Einkristalls
(wobei also in der Formel 37, Ό$ der Anzahl der Metallatome Ca-Atome, 24,45$ Ga-Atome und 38,10$
Ge-Atome sind)wurden 100,00 Gramm CaC0„, 61,16 Gramm 2t) Ga2O- und 106,31 Gramm Ge20„ trocken gemischt. Wie
beim Beispiel 1 wurde aus dieser Mischung nach dem Schmelzen ein Granateinkristall gezüchtet.
Die Gitterkonstante der auf die oben beschriebene Weise gezüchteten Calcium-Gallium-Germanium-Granat-Einkristalle
ist 1,225 nm. Es wurden Scheiben daraus
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PHN. 8*430.
40
Ur-
mit einem Durchmesser von 20 mm und einer Dicke von 600 Aim
gesägt, die zunächst mit Diainantpulver und anschliessend
mit einem bekannten Poliermittel zu einer Dicke von ^iOO -um
poliert wurden. Durch die gröseere Weichheit erfolgt
das Sägen und Polieren leichter als bei Seltene-Erden-Gallium-Granaten.
Auf einer bestimmten kristallographischen Oberfläche
der auf oben beschriebene Weise erhaltenen Scheiben wurden mit Hilfe von Epitaxie aus der flüssigen Phase
Blasendomänenschichten mit der Zusammensetzung (Lu Eu)„Fe„ 0Al1 „010 gezüchtet. Die Basiszusammensetzung
der Schmelze, aus der die Schichten gezüchtet wurden, war:
PbO 3h3,95 S
B2O3 8,60 g
Lu2O3 3,7^g
Fe2O3 27,81 g
Al2O3 1,i»0-ß
Eu2O3 ρ g / In der nachstehenden Tabelle werden einige
Wachstumsparameter von aus der erwähnten Basisschmelze auf darin vertikal eingetauchten Substratscheiben
gezüchteten Schichten erwähnt. Die Menge Eu„0_ in der
Schmelze wurde variiert:
709852/0897
PHN. 8430.
ή. 6.77.
2776744
<ρ 6) | Eintauch— zei t (Minuten) |
Eintauch- temperatur (0C) |
"misfit" (nm) |
Dicke (/um) |
Ku 3 (JK- cirT^) |
( G aii s 5 |
1 , 10 | 2O | 915 | +0,003 | 5,68 | 1,2χ10~Ί Ί | 136 |
1,21 | 20 | 915 | 0,000 | 6,03 | 0,8x10~11 | 150 |
1,30 | 20 | 916 | 0,0013 | 8,7^ | 1,i»x10~11 | 170 |
1,39 | 20 | 928 | 0,0016 | 6,78 | 1,4x10~11 | 150 |
*■ Joule.
Bei den Schichtzüchtungsversuchen zeigt sich, dass Calcium-Gallium-Germanium-Granat sich ausgezeichnet
eignet, um Blasendomänenschichten daraus zu züchten. Es löst sich in der Schmelze, es bietet eine gute Schnittstelle,
das Koerzitivfeld der gezüchteten Schichten ist
klein (unter ^O A/m).
Die Schichten selbst hatten zufriedenstellende
Blasendomänenqualitäten, die z.B. denen von (Y La)„ (Fe Ga) O^„-Schichten vergleichbar sind.
Ein zweiter Satz von Schichtzüchtungsversuchen wurde mit Schichten der Zusammenstezung(Lu Ca)„(Fe Si) O12
durchgeführt. Auf einer Anzahl auf die früher beschriebene
Weise erhaltener Scheiben wurden auf einer bestimmten kristallographischen Oberfläche (im vorliegenden Fall die
111-Fläche) mit Hilfe von Epitaxie aus der flüssigen
Phase Blasendomänenschichten aus einer Basisschmelze
709852/0897
PHN. 8^30.
- tf> -
mit folgender Zusammensetzung gezüchtet: PbO itOO.O g
B2O3 10,0 g Fe2O3 33,36g
Lu2°3 ^.35g
CaCO3 3,25g SiO2 3,52g
GeO2 0,20g
In einem entsprechenden Fall betrug die Eintauchzeit 20 Minuten und es war die Eintauchtemperatur 828°C.
Die unter diesen Bedingungen gezüchtete Schicht hatte eine Dicke von ungefähr 5/um und einen "misfit" von 0,0009 nra,
Die magnetischen Eigenschaften wurden durch einen Wert
— 1 1 —3 der Anisotropie K von 2,6 χ 10 J cm und einen
Wert der Sättigungsmagnetisierung k'ti M von 119 Gauss
gekennzeichnet. Das Züchten selbst ging genau so leicht wie das Züchten der Schichten von dem in Beispiel 6
beschriebenen Typ vor sich.
Die magnetischen Eigenschaften eines Films vom Typ nach Beispiel 7 werden in den Fig. 3 und k dargestellt.
Aus der Fig. 3 ist deutlich ersichtlich, dass der Durchmesser D einer in einem derartigen Film erzeugten
Blasendomäne nahezu unabhängig ist von der Temperatur. Aus der Fig. k ist ersichtlich, dass das
Vernichtungsfeld H . zwar einigermassen aber nicht
C OX X
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PHN.
zu stark von der Temperatur abhängig ist. Aus weiteren Versuchen zeigte es sich, dass die Blnsendomänen bis
zu etwa 1100C stabil sind. Schichten vom Typ nach Beispiel 7 eignen sich daher sehr gut für die Verwendung
in Operationellen Blasendomänenanordnungen.
Zur Gruppe der Schichten vom Typ nach Beispiel 7 gehören diejenigen Granatschichten, in denen eine
doppelte Substitution zweiwertiger und vierwertiger Ionen stattgefunden hat, dies im Gegensatz zur einfachen
Substitution von Al oder Ga in Granatschichten vom Typ
nach Beispiel 6. (in diesem Fall wird übrigens Al bevorzugt,
weil es den kleinsten Ionenradius hat). In Betracht
2+ A+ 2+ ^t +
kommende Substitutionen sind Ca Ge ; Ca Si ;
Sr2+ Si; Mg2+ Ge ; Mg2+ Si . Im Beispiel 7 ist die
2+ U +
Substitution von Ca Si beschrieben, die zu einer dem Substrat gut angepassten Schicht (misfit 0,0009 nm) und zu einem Wert der Sättigungsmagnetisierung führt, die das Erzeugen von Blasendomänen mit einem Durchmesser zwischen 1 und 6 /um ermöglicht.
Substitution von Ca Si beschrieben, die zu einer dem Substrat gut angepassten Schicht (misfit 0,0009 nm) und zu einem Wert der Sättigungsmagnetisierung führt, die das Erzeugen von Blasendomänen mit einem Durchmesser zwischen 1 und 6 /um ermöglicht.
* * Es sei noch bemerkt, dass in obigen Beispielen
die Zusammensetzung der Blasendomänenschichten derart
gewählt ist, dass ihre Gitterkonstanten innerhalb gewisser Grenzen denen der verfügbaren Substrate angepasst
sind, die 1,225 nm beträgt. Es ist jedoch auch möglich, mit Hilfe bestimmter Substitutionen die Gitterkonstante
7 0 9852/0897
PHN. 8430.
20" 4.6.77.
des Calcium-Gallium-Germanium-Granats zu ändern. So vergrössert
die Substitution von Strontium an der Stelle von Calcium die Gitterkonstante, und die Substitution
von Silicium an der Stelle von Germanium verkleinert die Gitterkonstante.
709852/0897
Leerseite
Claims (9)
- PHN. 8^30. 4.6.77.PATENTANSPRÜCHE:1 . .' Einkristall aus nicht magnetischem synthetischem Granatmaterial, dadurch gekennzeichnet, dass das Granatmaterial eine Zusammensetzung im Calcium-Gallium-Germanium-Granatsystem hat, die im Existenzgebiet von Ca„Ga^Ge O liegt.
- 2. Einkristall nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen 22 und 26$ der Gesamtanzahl von Metallatomen im Granat Ga-Atome, zwischen 37 und 39$ Ca-Atome und zwischen 37 und 39$ Ge-Atome sind.
- 3. Einkristallines Substrat aus nicht magnetischem synthetischem Granatmaterial, das eine Oberfläche schafft, auf dem eine Blasendomänenschicht gezüchtet werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass das Granatmaterial Calcium-Gallium-Germanium-Granat nach Anspruch \ ist.
- h. Substrat nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass das Granatmaterial einkristallines Calcium-Gallium-Germanium-Granat nach Anspruch 2 ist.
- 5. Blasendomänenanordnung mit einer epitaxial auf einer kristallographischen Oberfläche eines einkristallinen Granatsubstrats gezüchteten Blasendomänenschicht, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratmaterial Calcium-Gallium-Germanium-Granat nach Anspruch 1 ist.
- 6. Blasendomänenanordnung nach Anspruch 5« dadurch gekennzeichnet, dass das Substratmaterial einkristallines Calcium-Gallium-Germanium-Granat nach Anspruch 2 ist.709852/0897 ORIGINAL INSPECTEDPHN. >4 ί».6.77.
- 7. Blasendomänenanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Calcium-Gallium-Germanium-Granatmaterial eine Gitterkonstante von ungefähr 1,225 nm besitzt, während die Blasendomänenschicht eine Gitterkonstante hat, die davon um höchstens 0,002 nm abweicht.
- 8. Blasendomänenanordnung nach Anspruch 7> dadurch gekennzeichnet, dass die Blasendomänenschicht eine Zusammensetzung auf Basis von Lu_Fe„0..„ hat.
- 9. Blasendomänenanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung der Blasendomänenschicht der Formel (Lu A)„ (Fe B)_O1? entspricht, wobeiA=Y und/oder Eu und B = Al oder Ga, oder2+ h +A = Ca, Sr, Mg oder Si und B = Ge oder Si sind.709852/0897
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2730498A1 (de) * | 1976-07-19 | 1978-01-26 | Philips Nv | Magnetische struktur |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7902293A (nl) * | 1979-03-23 | 1980-09-25 | Philips Nv | Magnetische beldomein structuur en magnetische beldomeininrichting. |
US4355072A (en) | 1980-02-12 | 1982-10-19 | U.S. Philips Corporation | Magnetic hexagonal ferrite layer on a nonmagnetic hexagonal mixed crystal substrate |
NL8800155A (nl) * | 1988-01-25 | 1989-08-16 | Philips Nv | Granaat en werkwijzen voor het bereiden van een granaat. |
JPH0354198A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物ガーネット単結晶 |
TW201806001A (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
US3429740A (en) * | 1965-09-24 | 1969-02-25 | North American Rockwell | Growing garnet on non-garnet single crystal |
US3788896A (en) * | 1970-12-28 | 1974-01-29 | North American Rockwell | Method for producing bubble domains in magnetic film-substrate structures |
US3736158A (en) * | 1971-03-19 | 1973-05-29 | G Cullen | Czochralski-grown spinel for use as epitaxial silicon substrate |
US3723599A (en) * | 1971-08-18 | 1973-03-27 | Bell Telephone Labor Inc | Technique for growth of single crystal gallium garnet |
DE2349348C2 (de) * | 1972-10-07 | 1983-02-10 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven | Verfahren zum Züchten einer einkristallinen, wismutdotierten Yttrium- oder Seltenerdmetall-Eisen-Granatschicht |
US3946372A (en) * | 1974-04-15 | 1976-03-23 | Rockwell International Corporation | Characteristic temperature-derived hard bubble suppression |
CA1061902A (en) | 1974-04-15 | 1979-09-04 | Paul J. Besser | Orientation-derived hard bubble suppression |
-
1976
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-
1977
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- 1977-06-13 GB GB24520/77A patent/GB1580848A/en not_active Expired
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- 1977-06-15 FR FR7718346A patent/FR2354809A1/fr active Granted
-
1978
- 1978-02-13 US US05/877,165 patent/US4323618A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Bobeck, A.H. - Della Torre, E.: Magnetic Bubbles, North-Holland Publ. Comp., 1975, S. 124-127 * |
IBM-Techn.Discl.Bull.,Vol. 15, Nr. 11, S. 3315 dto. S. 3335 * |
J.Crystal Growth, Vol. 12, 1972, S. 3-8 * |
Japan J Appl. Phys., Vol. 15, 1976, Nr. 5 S. 935-936 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2730498A1 (de) * | 1976-07-19 | 1978-01-26 | Philips Nv | Magnetische struktur |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS531200A (en) | 1978-01-07 |
JPS5919912B2 (ja) | 1984-05-09 |
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DE2726744B2 (de) | 1981-04-23 |
FR2354809A1 (fr) | 1978-01-13 |
US4323618A (en) | 1982-04-06 |
FR2354809B1 (de) | 1983-12-09 |
DE2726744C3 (de) | 1982-02-18 |
NL7606482A (nl) | 1977-12-20 |
GB1580848A (en) | 1980-12-03 |
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