DE2447509A1 - Magnetischer blasenspeicher und granatschichten fuer blasenspeicher - Google Patents

Magnetischer blasenspeicher und granatschichten fuer blasenspeicher

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DE2447509A1 DE19742447509 DE2447509A DE2447509A1 DE 2447509 A1 DE2447509 A1 DE 2447509A1 DE 19742447509 DE19742447509 DE 19742447509 DE 2447509 A DE2447509 A DE 2447509A DE 2447509 A1 DE2447509 A1 DE 2447509A1
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Aline Akselrad
Richard Edwin Novak
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RCA Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description

7737-7^ Dr.G/kr
RCA 67,384
Filing date:
October 4, 1973
RCA Corporation, New York, N.Y., V.St.A.
Magnetischer Blasenspeicher und Granatschichten für Blasenspeicher .
Die Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Blasenspeicher, der eine Schicht aus magnetischem Material mit
einer bei der Kristallzüchtung erhaltenen einachsigen Anisotropie, eine Einrichtung zur Erzeugung der Blasenbereiche mit gegenüber der Schicht entgegengesetzter magnetischer
Polarisation in der Schicht, eine Einrichtung zum Verschieben der Blasenbereiche entlang eines vorgegebenen Weges an eine andere Stelle der Schicht und eine Einrichtung zum
Nachweisen vorhandener Blasenbereiche aufweist. Die Erfindung betrifft darüber hinaus neue magnetische Granatschichten, sowie Einrichtungen, die derartige Schichten aufweisen. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf neue magnetische Granatschichten, auf ein Herstellungsverfahren für diese Schichten und auf Blasenspeicher, die derartige Granatschichten aufweisen, und die verbesserte magnetooptische Eigenschaften zeigen.
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Magnetische Einrichtungen, die üblicherweise als Blasenspeicher oder als Dünnschichtspeicher bezeichnet werden ( im nachfolgenden wird nur noch der Begriff Blasenspeicher verwendet ), beruhen auf der Verwendung von Materialien, in denen bei Vorhandensein entsprechender Magnetfelder kleine zylindrische Bereiche , Flecken oder Blasen entgegengesetzter Magnetisierung aufrecht erhalten und fortbewegt werden können. Diese Materialien liegen üblicherweise in Form dünner Einkristalle vor, die sich auf einer nicht-magnetischen , verträglichen Trägerschicht mit passender Gitterkonstante befinden. Die Einrichtungen weisen eine Schicht aus dem magnetischen Blasenmaterial, Einrichtungen zur Erzeugung lokaler, magnetisch entgegengesetzt polaris-ierter Bereiche , Einrichtungen zum Fortbewegen der Bereiche entlang eines vorgegebenen Weges, beispielsweise eines Leiterkreises, an eine andere Stelle der Schicht, sowie Einrichtungen auf, um vorhandene Blasen nachzuweisen. Der Nachweis der Blasen wird normalerweise mittels magnetoresistiver Verfahren durchgeführt , durch die das Vorhandensein einer Blase als Informationsbit nachgewiesen wird. Eine hohe Bitdichte, oder eine kleine Blasengröße ist normalerweise für eine gegebene Schicht innerhalb der Möglichkeiten üblicher photolithographischer Herstellungsverfahren , die zur Herstellung der Fortbewegungskreise verwendet werden, anzustreben. Die bis jetzt vorgenommenen Materialuntersuchungen führten zu Granat-Materialien, die Blasen mit einem Durchmesser von weniger als 2,5^ · 1O~ mm ( 1 mil ), vorzugsweise Blasen mit einem Durchmesser von etwa 6,35 - 8j5 · 1O~ mm ( l/k -1/3 mil ) bilden können, so daß eine Bitdichte des Films von 1,5 . 10 bis 1,5 . 105 Bits pro cm2 ( 105 - 10 Bits pro Quadratinch ) erreicht wird. Die Blasen müssen jedoch
um wesentlich vergrößert werden, beispielsweise/das Hundert- bis
Dre!hundertfache, um sie mittels der magnetoresistiven Tech-
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nikeii nachzuweisen, und das führt dazu, daß der effektive, zu verwendende Bereich einer bestimmten Schicht, auf der Information gespeichert werden kann, beträchtlich verringert wird.
Es wurde auch versucht, Blasen mittels magnetooptischer Verfahren abzugreifen, aber bei den in der Vergangenheit zur Verfügung gestandenen magnetischen Blasenschichtmaterialien waren die optischen Eigenschaften, insbesondere die Faraday-Drehung gering,und es wurden Laser mit hoher Leistung oder sehr empfindliche Lichtdetektoren erforderlich, um optisch nachzuweisen, ob Blasen vorlagen oder nicht.
Die magnetischen Materialien, die als Blasenschichtmaterialien verwendet werden können, müssen die nachfolgenden grundsätzlichen Erfordernisse erfüllen: sie müssen eine einachsige magnetische Anisotropie ( K Ac) aufweisen, wobei die Easy-Achse der Magnetisierung senkrecht zur Schichtfläche steht, und sie müssen eine Sättigungsmagnetisierung ( kiCMs ) besitzen, so daß
Kw > 2 1IT Ms2 .
Einfache Granate, w?e beispielsweise YlG ( Yttrium-Eisengranat ) sind aufgrund ihrer kubischen magnetischen Anisotropie für die Anwendung bei Blasenspeichern nicht geeignet. Flüssigphasige epitaxiale Schichten dotierter Granate können als Folge einer Ionen-Entmischung, die während der Kristallzüchtung auftritt, eine einachsige Anisotropie erhalten. Um die zuvor beschriebenen Erfordernisse zu erfüllen, wird die Sättigungsmagnetisierung der dotierten Granate dadurch verringert, daß einige der Tetraeder - Eisenionen
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durch Gallium oder Aluminium ersetzt wird. Die bekannten Granate sind temperaturempfindlich, so· daß eine genaue Temperaturkontrolle und - Regelung während derBenutzung der Speichereinrichtungen , die diese Granate enthalten, erforderlich ist.
Zusätzlich zu den magnetischen und optischen Eigenschaften, die erforderlich oder für gute Blasenschicht-Materialien wünschenswert sind, welche in Zusammenhang mit dem magnetooptischen Blasennachweis verwendet worden, sollte die Schicht auch als dünne, fehlerfreie Einkristallschicht auf einer tragenden, kompatiblen Trägerschicht gezüchtet werden können. Vorzugsweise werden die Einkristallschichten mittels Flüssigphasen-Epitaxialverfahren aus einer geeigneten Schmelze bzw. aus einem geeignten Flußmittel
xnnerhalb gezogen. Eine Gitterkonstante11.-Anpassung / etwa o,oo2 Angström ist zwischen der Schicht und der käuflich erhältlichen Trägerschicht, beispielsweise Gadolinium - Gallium Granat erforderlich.
Durch die Erfindung werden bestimmte Wismut dotierte magnetische Granatzusammensetzungen geschaffen, die eine hohe Faraday-Drehung im sichtbaren und infraroten Wellenlängenbereich ausreisen und darüberhinaus die für Blasenschichtmaterialien erforderlichen magnetischen Eigenschaften, beispielsweise die bei der Kristallzüchtung auftretende einachsige Anisotropie zeigen. Diese Materialien können bei Blasenspeichern verwendet werden, bei denen die Blasei>6ptisch nachgewiesen werden können. Diese Zusammensetzungen können von einem geeigneten Flußmittel mittels bekannter Epitaxial -Verfahren in Form spannungsfreier Einkristallschichtem unmittelbar auf einer nicht magB-tischen Granat-Trägerschicht gezüchtet werden.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen bei-
spielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine Einkristall-Granatschicht auf einer Trägerschicht, die in Zusammenhang mix einem Blasenspeicher verwendet werden kann;
Figur 2 eine schematische Darstellung eines magnetischen Blasenspeichers, bei dem eine Einkristall-Granatschicht gemäß der vorliegenden Erfindung und ein magneto-optischer Nachweis verwendet wird und
Figur 3 eine Darstellung des magneto-optischen Nachweissystems in auseinandergezogener Anordnung.
Das neue mit Wismut dotierte magnetische Granat hat die
Formel \ ΒχχΑ3_χ } CFeJ (Fe3-y*V °12 ' wobei M Gallium oder Aluminium , oder sowohl Gallium als auch Aluminium ist, y im Bereich von etwa o,6 bis etwa 1,2 liegen kann, x ( 3 - y ) gleich oder größer als 1,2 und A Y und/oder ein oder mehrere dreiwertige Ionen der seltenen Erden ist. Die Metalle der seltenen Erden bestehen aus Elementen mit den den Ordnungszahlen 57 bis 72. Es ist bereits bekannt, in Granatschichten geeignete Ionen der seltenen Erden zu verwenden. Das gewünschte magnetische Moment von 30 Gauss wird, wie bereits bekannt,, durch eine geeignete Wahl von y erhalten. Wenn die Granatschicht auf einer Gadolinium-Gallium-Granatträgerschicht gezogen werden soll, und wenn M Gallium ist, ist A vorzugsweise ein Ion oder mehrere Ionen, die aus den Elementen Thulium, Ytterbium, Yttrium und Lutetium ausgewählt wurden; wenn M Aluminium ist, so
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ist A vorzugseise ein Ion oder mehrere Ionen aus den Elementen Thulium, Ytterbium, Yttrium, Lutetiun , Erbium und Europium. Die Auswahl, die unter diesen Innen getroffen wird, hängt von der gewünschten Größe der Blasenbereiche, der gewünschten Geschwindigkeit oder Beweglichkeit der Blasen und der oberen Temperaturempfindlichkeit ab, die noch toleriert werden kann. Beispielsweise erhält man sehr kleine Blasen mit hoher Beweglichkeit, wenn A Lutetium und M Gallium ist. Relativ tem-peraturbeständige Zusammensetzungen, die Blasen mit einem Durchmesser von etwa 6 Mikron ergeben, enthalten Wismut, Thulium und Gallium. Ein geringer Zusatz von Vanadium , Silicium oder Kalzium kann die Stöchiometrie verbessern und die optische Absorbtion der zuvor beschriebenen Granatschichten reduzieren.
Die zuvor beschriebenen magnetischen Granatzusammensetzun» gen können auf einer geeigneten Substrat-Trägerschicht durch die üblichen Flüssigphasen-Epitaxialverfahren gezogen werden, in dem eine entsprechende Flußmittel-Zusammensetzung verwendet wird. Die Flußmittel-Zusammensetzung kann aus dem Bleioxid-Wismut-Oxid - Eisen-Oxid-Dreiphasendiagramm ausgewählt und zum Lösen der verbleibenden Graiatbestandteile verwendet werden. Es sei darauf hingewiesen, daß das Vorhandensein von Bortrioxid , das normalerweise in den Bleioxid-Flußmitteln enthalten ist, hierbei nicht wünschenswert ist, da Bortrioxid die Viskosität und die Temperatur erhöht, die beim Ziehen des Kristalles, erforderlich ist. Die erhöhte Viskosität schließt das Ziehen von hochwertigen Schichten bei niederen Temperaturen aus, und die erforderliche höhere Temperatur würde den Anteil von Wismut verringern, der der Granatzusammensetzung zugesetzt werden kann. Die Flußmittel-Zusammensetzungen mit einem niederen Schmelzpunkt-Bereich enthalten
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Molprozent etwa 75 Molpr-ozent Bleioxid,etwa 15/ Wismutoxid und etwa 10 Molprozent Eisenoxid. Bei Verwendung eines solchen Flußmittels und bei Zufügen zusätzlicher gewünschter Granatbestandteile kann das Ziehen unter isothermen Bedingungen bei Temperaturen von 7ko bis 7$o C vor sich gehen. Die niedere Temperatur erhöht den Anteil des Wismuts, das in der gezogenen magnetischen Granatschicht enthalten sein kann, so daß die Faraday-Drehung dadurch erhöht wird.
Die Kristalle werden dadurch gezogen, daß das Flußmittel und die Granatbestandteile geschmolzen und die Schmelze auf die gewünschte Temperatur gebracht wird. Die Trägerschicht wird dann in die Schmelzlösung abgesenkt und auf der Trägerschicht wächst die gewünschte Granat-Zusammensetzung. Das Ziehen der Einkristall-Schicht wird fortgeführt, bis die gewünschte Dicke, üblicherweise etwa 3 bis 20 Mikron , je nachdem, wie groß die gewünschten Blasen sein sollen, erreicht ist. Wenn der Durchmesser der Blasen beispielsweise 6,3 Mikron ( l/k mil ) betragen soll, können die Schichten eine Dicke von etwa 3 bis 12 Mikron aufweisen.
Die zuvor beschriebenen magnetischen Granatzusammensetzungen sind ausgezeichnete Medien für die Fortbewegung der Blasen. Die Blasen können optisch abgegriffen werden, wodurch sich derRaum des Filmes erhöht, der für die Informationsspeicherung verwendet werden kann. Die zuvor beschriebenen Einkristall-Granatschichten können auch bei Seiten-Setzmaschinen ( page composer ) oder anderen Datenverarbeitungseinrichtungen verwendet werden. Die Granatschichten können
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in einem Blasenspeicher mit einem Schieberegister und magneto-optischer Auslesung verwendet -werden, wobei ein Laser geringer Leistung oder eine lichtemittierende Halbleiterdiode als Lichtquelle und ein üblicher Silicium-Fotodetektor verwendet wird.
In Fig. 1 ist eine Einkristall-Granatschicht 10 dargestellt, die, wie zuvor beschrieben, auf einen Trägerplättchen 12 aus Gadolinium-Gallium-Granat epitaxial gezüchtet wurde.
Fig. 2 zeigt in schematischer Darstellung einen Blasenspeicher mit einer in Fig. 1 dargestellten Einkristall-Granatschicht 10, auf der ein Y - Streifen - Nickeleisen-Speicherregister lh. angeordnet ist, wobei die Blasen von einem Abschnitt der Schicht in einen anderen weiterbewegt werden können. Die Streifenweite und die Abstände werden so gewählt, daß sie der Größe der sich vorwärts bewegenden Blasen entsprechen. Die Einrichtung weist weiterhin einen Nickeleisen-Blasengenerator l6 mit einer Gold-Schnittschleife l8 , eine Blasen-Steuerschleife 20, eine Ausweichleitung oder Nebenschlußleitung 22 zur Zurückführung der Blasen , einen Blasenbeseitiger 2k und einen optischen Detektor 26 auf.
In Fig. 3 ist eine schematische, in Einzelheiten aufgelöste Darstellung des optischen Blasendetektors 26 wiedergegeben. Der Detektor 26 enthält eine lichtemittierende Diode 28 mit Kantenemmission, einen Polarisator 30, die Einkristall-Schicht 10 auf dem Trägerplättchen 12, einen Analysator 32 und eine Silizium-PIN- Photodiode 3^ · Zwischen die lichtemittierende Diode 28 mit Kantenemission und den Polarisator 30 ist gegebenenfalls eine Blende 36 vorgesehen, um den
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Nachweis der Blasen zu verbessern.
Die Erfindung soll durch die nachfolgenden Beispiele beschrieben werden, ohne daß sie dadurch auf die beschriebenen Einzelheiten beschränkt ist.
Beispiel
Eine Wismut-dotierte magnetische Granatschicht auf einer Gadolinium-Gallium-Granat-Trägerschicht wurde wie folgt gezüchtet: ein Platintiegel mit 44,5 mni Durchmesser und 51 mm Höhe , der 15 Molprozent Wismutoxid, 0,48 Molprozent Thuliumoxid, 8,40 Molprozent Eisenoxid, 1,12 Molprozent Galliumoxid und 75>0 Molprozent Bleioxid enthielt, wurde in einen widerstandsgeheizten Zweizonenofen mit einer isothermen Ziehzone von 6 cm eingegeben. Der Tiegel wurde auf I08O C erhitzt, um die Bestandteile zu lösen. Danach wurde er auf einer Temperatur von 78O C + 1/2 C gehalten. Ein epitaxial poliertes ( 111 ) Gadolinium-Gallium-Granatplättchen , das an einer Platinbefestigung hing, die ihrerseits an einem Tonerde-Stab befestigt und von einem Motor mit veränderlicher Drehzahl gedreht wurde, wurde in den Tiegel eingetaucht. Der Stab wurde mit 100 Umdrehungen pro Minute gedreht und es wurden Züchtungsgeschwindigkeiten von 1 - 1,5 Mikron pro Minute beobachtet. Nach Ende des Züchtungsvorgangs wurde das überschüssige Flußmittel mit 5OO Umdrehungen pro Minute abgeschleudert.
Die auf diese Weise erhaltene, transparente hellbraune Granatschicht hatte die Zusammensetzung Bin __.Tmo fiPe; Ga ofi0 und eine gleichförmige Dicke von 6,8 + o,12 Mikron.
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Als Verunreinigung enthielt diese Schicht einen kleinen Blei-Zusatz von o,33 Molprozent.
Die Gitterkonstante , die mittels Rönt'genstrahl-Beugung ( es wurde dabei Mo lybden-Strahlung verwendet ) gemessen wurde, betrug 12,381 + o,oo4 Angström· Dies passte zu der verwendeten Gadolinium-Gallium-Granat-Trägerschicht.
Die magnetische Schicht wies die folgenden magnetischen Eigenschaften bei Zimmertemperatur auf: Wandenergie o,22 erg/cm ; Sättigungsmagnetisierung 25o Gauss; Transla tions-Wand - Koerzitivkraft ο,2 Oersted; und Hochfeld-Wandbeweglichkeit 37° cm/sec Oersted. Die erhaltene Wandenergie bedeutet, daß Schichten mit einer Sättigungsmagnetisierung von 15o Gauss Blasen bis zu etwa 6 Mikron Durchmesser liefern. Der Betriebs-Blasendurchmesser ist in eine
stabil.
in einem Temperaturbereich von etwa 0 bis 100 C relativ
Die Faraday-Drehung bei 6328 Angström war 0,67 //U-( im Vergleich zu 0,058 /A** für ein gewöhnliches (YEu)3 (FeGa)5 0±2 - Granat ).
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Claims (1)

  1. 2U7509
    Patentansprüche
    1.j Magnetischer Blasenspeicher, der eine Schicht aus magnetischem Material mit einer bei der Kristallzüchtung erhaltenen einachsigen Anisotropie, eine Einrichtung zur Erzeugung der Blasenbereiche mit gegenüber der Schicht entgegengesetzter magnetischer Polarisation in der Schicht, eine Einrichtung zum Verschieben der Blasenbereiche entlang eines vorgegebenen Weges an eine andere Stelle der Schicht und eine Einrichtung zum Nachweisen
    aufweist
    vorhandener Blasenbereiche/, dadurch ge kennzeichnet, daß als Schicht ein Einkristall eines Granats mit der Formel (Bi A ) (Fe ) (Fe M )
    0 verwendet wird, wobei M Gallium und/oder AIu-1 Ct
    minium ist, A aus einer oder mehreren der Gruppen ausgewählt wird, die aus Yttrium und dreiwertigen Ionen der seltenen Erden bestehen, y zwischen etwa o,6 und etwa 1,2 liegt und χ (3-y) wenigstens 1,2 beträgt.
    2. Blasenspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß M Gallium und A ein oder mehrere Ionen ist, die aus der Elementengruppe Thulium, Ytterbium, Yttrium und Lutetium ausgewählt wird.
    3· Blasenspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß M Aluminium und A ein oder mehrere Ionen ist, die aus der Elementengruppe Thulium, Ytterbium, Yttrium, Lutetium9 Erbium und Europium ausgewählt wird.
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    k. Blasenspeicher nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß M Gallium und A Thulium ist.
    5· Blasenspeicher nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß y etwa 1,0 und χ etwa 0,6 ist.
    6. Einkristall-Schidrt eines Granates mit der Formel
    ( Bi A ) (Fe ) (Fe M) 0.o , dadurch gekennzeichnet , daß M Gallium und/oder Aluminium ist, A aus
    einer oder mehreren der Gruppen ausgewählt wird, die aus Yttrium und dreiwertigen Ionen der seltenen Erden bestehen, y zwischen etwa 0,6 und etwa 1,2 liegt und x ( 3 - y ) wenigstens 1,2 ist, und daß sich diese
    Einkristall-Schicht auf einer entsprechenden Trägerschicht befindet.
    7. Einkristall-Schicht nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß M Gallium und A ein oder mehrere Ionen ist, die aus der Elementengruppe Thulium, Ytterbium, Yttrium und Lutetium ausgewählt wird.
    8. Einkristall-Schicht nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß M Aluminium und A ein oder mehrere Ionen ist, die aus der Elementengruppe Thulium, Ytterbium, Yttrium, Lutetium, Erbium und Europium ausgewählt
    wird.
    9. Einkristall-Schicht nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerschicht Gadolinium - Gallium Granat ist.
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    2U7Ü09
    10. Einkristall-Schicht nach Anspruch 91 dadurch gekennzeichnet, daß M Gallium und A Thulium ist.
    11. Einkristall-Schicht nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß y etwa 1,0 und χ etwa 0,6 ist.
    509816/0818
    ORIGINAL INSPECTED-
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GB (1) GB1441353A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2845604A1 (de) * 1977-10-20 1979-05-03 Sony Corp Abnehmervorrichtung fuer magnetisch aufgezeichnete information sowie verfahren und system zu dessen verwendung
FR2550779A1 (fr) * 1983-08-15 1985-02-22 Allied Corp Compositions de matieres a bulles magnetiques

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2600959C2 (de) * 1976-01-13 1984-06-28 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Ferrimagnetische Granatschicht für magnetooptische Speicher und deren Herstellung
JPS56155515A (en) * 1980-05-01 1981-12-01 Olympus Optical Co Ltd Magnetic garnet film and manufacture
DE3174704D1 (en) * 1980-07-11 1986-07-03 Philips Nv Device for propagating magnetic domains
US4433034A (en) * 1982-04-12 1984-02-21 Allied Corporation Magnetic bubble layer of thulium-containing garnet
JPS5981570A (ja) * 1982-11-01 1984-05-11 Hitachi Ltd 光方式磁界測定装置
FR2572844B1 (fr) * 1984-11-02 1986-12-26 Commissariat Energie Atomique Materiau magnetique du type grenat, film magnetique a forte rotation faraday comportant un tel materiau et son procede de fabrication
JP2001348297A (ja) 2000-06-06 2001-12-18 Tokin Corp ビスマス置換型ガーネット厚膜材料及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020300A (de) * 1973-06-27 1975-03-04

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2845604A1 (de) * 1977-10-20 1979-05-03 Sony Corp Abnehmervorrichtung fuer magnetisch aufgezeichnete information sowie verfahren und system zu dessen verwendung
FR2550779A1 (fr) * 1983-08-15 1985-02-22 Allied Corp Compositions de matieres a bulles magnetiques

Also Published As

Publication number Publication date
CA1050862A (en) 1979-03-20
GB1441353A (en) 1976-06-30
FR2246937A1 (de) 1975-05-02
JPS5427958B2 (de) 1979-09-13
JPS5064797A (de) 1975-06-02

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