JPS5981570A - 光方式磁界測定装置 - Google Patents
光方式磁界測定装置Info
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- JPS5981570A JPS5981570A JP57190816A JP19081682A JPS5981570A JP S5981570 A JPS5981570 A JP S5981570A JP 57190816 A JP57190816 A JP 57190816A JP 19081682 A JP19081682 A JP 19081682A JP S5981570 A JPS5981570 A JP S5981570A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁界測定装置、特に、光ファイバと光の偏波
面の回転能を利用した光方式磁界測定装置に係り、特に
温度変化に対しても安定な磁界測定を可能にする光方式
磁界測定装置に関する。
面の回転能を利用した光方式磁界測定装置に係り、特に
温度変化に対しても安定な磁界測定を可能にする光方式
磁界測定装置に関する。
高電圧が発生する変圧機や遮断機のような内部構造が目
に見えない所の事故予防や、特に絶縁性が強く要求され
る冒電圧器機の予防保全のためには、それらの電界や磁
界の平常時からの乱れ変化全監視することが有効である
。
に見えない所の事故予防や、特に絶縁性が強く要求され
る冒電圧器機の予防保全のためには、それらの電界や磁
界の平常時からの乱れ変化全監視することが有効である
。
従来高電圧器機の磁界の測定には金属線をコイル状に形
成した検出コイルを使用し、電流・電圧に変換して磁界
を検出する装置が使用されている。
成した検出コイルを使用し、電流・電圧に変換して磁界
を検出する装置が使用されている。
しかしながら、上記金属コイルを測定部に配置すること
は、測定部が非常に空間的に広く、又コイルを挿入して
も絶縁性が光分保ている所は良いが、空間的に非常に狭
い所、電圧が非常に高く絶縁性が問題となる部分では危
険で使用に酊え々い。特に10万■、50万Vを使用す
る変電所の変圧機等には使用できない。
は、測定部が非常に空間的に広く、又コイルを挿入して
も絶縁性が光分保ている所は良いが、空間的に非常に狭
い所、電圧が非常に高く絶縁性が問題となる部分では危
険で使用に酊え々い。特に10万■、50万Vを使用す
る変電所の変圧機等には使用できない。
このような場合、光ファイバの如き高絶縁性の媒質の利
用が考えられるが従来知られている光を利用して磁界を
測定する装置では、空間的に狭い部分の磁界を測定する
ことは困難である。
用が考えられるが従来知られている光を利用して磁界を
測定する装置では、空間的に狭い部分の磁界を測定する
ことは困難である。
最近、このような従来技術の難点全克服する磁界測定装
置として、光ファイバと磁性ガーネットを用いてファラ
デー回転を利用した磁界測定装置が発表されている(実
用新案登録出願実願昭55−21207号明細書)。ま
た、このような磁界測定装置全改良して感度と精度を高
めたものが発明され特許出願されている(特許出願、特
願昭55−112742号)。
置として、光ファイバと磁性ガーネットを用いてファラ
デー回転を利用した磁界測定装置が発表されている(実
用新案登録出願実願昭55−21207号明細書)。ま
た、このような磁界測定装置全改良して感度と精度を高
めたものが発明され特許出願されている(特許出願、特
願昭55−112742号)。
しかしながら、上記のいずれの磁界測定装置においても
温度変化により測定値も変動するという難点が解消され
ていない。これは通常、高絶縁性の媒質であるガラスや
結晶などでは、温度によって測定磁界が変動するからで
、Y都度が変わることによって媒質の屈折率が変化した
り、複屈折が変動するなどに起因している。
温度変化により測定値も変動するという難点が解消され
ていない。これは通常、高絶縁性の媒質であるガラスや
結晶などでは、温度によって測定磁界が変動するからで
、Y都度が変わることによって媒質の屈折率が変化した
り、複屈折が変動するなどに起因している。
本発明の目的は空間的に狭い部分の磁界を、安全かつ容
易に測定でき、特に温度変化に対して安定な装置を実現
することである。
易に測定でき、特に温度変化に対して安定な装置を実現
することである。
上記目的ヲ遅成するため、本発明の光方式磁界測定装置
は光源部、ファラデー回転能を有する媒質を具備した磁
性体全含む磁界検出部、該検出部からの光を計測する削
測部、ならびに該光源部と該検出部および該計測部を光
学的に結合する光伝送路からなり、該磁性体は、該ファ
ラデー回転能に’ljする媒質として、一般式R3(F
ea−xMx )012で表わされる組成(但し、R
はY、La、Sm。
は光源部、ファラデー回転能を有する媒質を具備した磁
性体全含む磁界検出部、該検出部からの光を計測する削
測部、ならびに該光源部と該検出部および該計測部を光
学的に結合する光伝送路からなり、該磁性体は、該ファ
ラデー回転能に’ljする媒質として、一般式R3(F
ea−xMx )012で表わされる組成(但し、R
はY、La、Sm。
LuyCaおよびB1からなる群より選択した少なくと
も一元素、MはQ a 、 G e+ A Z I S
’ *Sc 、 I nおよびCrからなる群より選
択した少なくとも一元素であり、Xの値は0≦X≦1.
5とする)を有し且つ光の伝送方向に磁化されてなる少
なくとも1枚の磁性ガーネット薄膜を有し、該薄膜のフ
ァラデー回転能(ベルデ定数)の温度特性が良好なもの
である。
も一元素、MはQ a 、 G e+ A Z I S
’ *Sc 、 I nおよびCrからなる群より選
択した少なくとも一元素であり、Xの値は0≦X≦1.
5とする)を有し且つ光の伝送方向に磁化されてなる少
なくとも1枚の磁性ガーネット薄膜を有し、該薄膜のフ
ァラデー回転能(ベルデ定数)の温度特性が良好なもの
である。
一般に、磁性カーネット薄膜を利用する磁界測定装置の
温度安定性は、該薄膜のファラデー回転能(ベルデ定数
)の温度特性の良否に依存する。
温度安定性は、該薄膜のファラデー回転能(ベルデ定数
)の温度特性の良否に依存する。
特に、複合偏光プリズムを使用したり、搬送光波と信号
光波をその周波数差によシ分離したシして、光源の光量
変動を補償する方式の測定装置でに、その傾向が顕著で
ある。
光波をその周波数差によシ分離したシして、光源の光量
変動を補償する方式の測定装置でに、その傾向が顕著で
ある。
発明者らは、前記磁性カーネット薄膜のファラデー回転
能の温度特性と、該薄膜の飽和磁束密度4πMg とス
トリップ磁区の消減磁界H6との比(4πM a /
Ho )の温度特性の関係金、実験的に検討した結果、
両者が強い相関性を有することを見出した。
能の温度特性と、該薄膜の飽和磁束密度4πMg とス
トリップ磁区の消減磁界H6との比(4πM a /
Ho )の温度特性の関係金、実験的に検討した結果、
両者が強い相関性を有することを見出した。
すなわち、温度特性が良好な光方式磁界測定装置を実現
するためには、磁性膜の(4πMs/Ho)に着目し、
その温度特性が、総合的に見て良好であるような磁性膜
を使用することが是非必要であることが明らかとなった
。
するためには、磁性膜の(4πMs/Ho)に着目し、
その温度特性が、総合的に見て良好であるような磁性膜
を使用することが是非必要であることが明らかとなった
。
そこで、(4πM s / Ho )の温度特性が良好
な磁性膜を多数枚重ねて用いたり、(4πMll/HO
)の用いたシすることにより、温度安定性の良い光方式
磁界測定装置を実現した。たとえば室温(20C)の近
傍±30′cを使用範囲とし、3段計測器の最低温度安
定条件(±3%)をみたすためには、(4πMs/Ho
)の温度安定性は±0.1%以内であることが要求され
る。
な磁性膜を多数枚重ねて用いたり、(4πMll/HO
)の用いたシすることにより、温度安定性の良い光方式
磁界測定装置を実現した。たとえば室温(20C)の近
傍±30′cを使用範囲とし、3段計測器の最低温度安
定条件(±3%)をみたすためには、(4πMs/Ho
)の温度安定性は±0.1%以内であることが要求され
る。
本発明の光方式磁界測定装置は、4πM s / HO
のγ黒度特性が良好な磁性ガーネット薄膜を用いている
。すなわち、少なくとも1枚の磁性ガーネット薄膜の4
πMs/Hoの温度特性が±0.1%/C以内でちるか
、あるいは少なくとも1枚の磁性ガーネット薄膜の4π
M s/ Hoの温度特性が正で、他の少なくとも1枚
の該薄膜の4πM s / Hoの温度特性が負であり
、且つその両者を綜合した温度特性が±01%/C以内
であるように構成され、好ましくは、その全磁性ガーネ
ット薄膜の綜合した4πM8/HOの値の温度特性が±
0.1%/C以内にあるものとする。
のγ黒度特性が良好な磁性ガーネット薄膜を用いている
。すなわち、少なくとも1枚の磁性ガーネット薄膜の4
πMs/Hoの温度特性が±0.1%/C以内でちるか
、あるいは少なくとも1枚の磁性ガーネット薄膜の4π
M s/ Hoの温度特性が正で、他の少なくとも1枚
の該薄膜の4πM s / Hoの温度特性が負であり
、且つその両者を綜合した温度特性が±01%/C以内
であるように構成され、好ましくは、その全磁性ガーネ
ット薄膜の綜合した4πM8/HOの値の温度特性が±
0.1%/C以内にあるものとする。
磁性カーネット薄膜の4πIlv!s/Haの温度特性
を所望のものならしめるには、前記組成範囲のなかから
所望とする温度特性のものを選択すればよく、簡単な実
験により組成を決定できる。 □その他の構成は従来
のものを踏襲して差支えない。
を所望のものならしめるには、前記組成範囲のなかから
所望とする温度特性のものを選択すればよく、簡単な実
験により組成を決定できる。 □その他の構成は従来
のものを踏襲して差支えない。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1
祉ず、磁性ガーネット薄膜の評価方法2選定方法につい
て述べる。
て述べる。
磁性ガー坏ット薄膜は、定温液相エピタキシャル成長法
で、Gd、Ga50.2単結晶の(111)面上に形成
され、面に垂直に磁化された片面1〜20μmの厚さの
ものである。組成け(y ls m HL’LI、Ca
)3(Fe、()e)*O+を系、3よび(Y、Sm)
3 (Fe、Ga)5012系である。各種組成比によ
り作製された薄膜のストIJツブ磁区の磁区幅Wの温度
変化を磁区観測により測定した後、百十饅−により(例
えば、FoWlis、 D、 C,et a4AIP
、 Conf、 Pro、 on MMM、、 p2
4.0 (1971)を参照)、(4πへ4s/Ha)
の温度特性を算出した。一方、J−1e−Neレーザを
用いて、消光位を測定することによりファラデー回転能
(ベルデ定数)の温度特性を測定した。
で、Gd、Ga50.2単結晶の(111)面上に形成
され、面に垂直に磁化された片面1〜20μmの厚さの
ものである。組成け(y ls m HL’LI、Ca
)3(Fe、()e)*O+を系、3よび(Y、Sm)
3 (Fe、Ga)5012系である。各種組成比によ
り作製された薄膜のストIJツブ磁区の磁区幅Wの温度
変化を磁区観測により測定した後、百十饅−により(例
えば、FoWlis、 D、 C,et a4AIP
、 Conf、 Pro、 on MMM、、 p2
4.0 (1971)を参照)、(4πへ4s/Ha)
の温度特性を算出した。一方、J−1e−Neレーザを
用いて、消光位を測定することによりファラデー回転能
(ベルデ定数)の温度特性を測定した。
第1図に、各柚磁性膜に対する(4πM s / Ho
)の温度特性(横@)とファラデー回転能の温度特性(
縦軸)の相関を示す。
)の温度特性(横@)とファラデー回転能の温度特性(
縦軸)の相関を示す。
第1図によれは、両温度係数は、はぼ対応しており、両
者は、はとんど同一であるとみなして大過ない。そこで
、(4πMs/Ho)の温度特性が室温近傍で約−00
4%/′c″′cある磁性膜(組成;LuO,6 Y+、、Sm0.6 Cab、、 Fe4.、 Ge0
,70.、 、膜厚;へ 片側10μm)を3枚用い、光方式磁界測定装置を作製
した。第2図はその構成を示すブロック図である。同図
において、磁界測定装置は光源部A。
者は、はとんど同一であるとみなして大過ない。そこで
、(4πMs/Ho)の温度特性が室温近傍で約−00
4%/′c″′cある磁性膜(組成;LuO,6 Y+、、Sm0.6 Cab、、 Fe4.、 Ge0
,70.、 、膜厚;へ 片側10μm)を3枚用い、光方式磁界測定装置を作製
した。第2図はその構成を示すブロック図である。同図
において、磁界測定装置は光源部A。
磁界検出部B、計測部C9光伝送部りからなる。
−fullには発光ダイオード1(波長0.83μm)
を用いた。磁界検出部は、ロッドレンズ2−1..2−
2、偏光子3、磁性膜(3枚)4、検光子5より構成し
た。計測部では、フォトダイオード6で受光後直流分と
交流会(信号分)が各検出回路で検出され、演算器出力
回路9で両者の比に応じた出力が表示される。光伝送部
は、コア径400μmのプラスチッククラッド石英の多
モードファイノ(より成っている。
を用いた。磁界検出部は、ロッドレンズ2−1..2−
2、偏光子3、磁性膜(3枚)4、検光子5より構成し
た。計測部では、フォトダイオード6で受光後直流分と
交流会(信号分)が各検出回路で検出され、演算器出力
回路9で両者の比に応じた出力が表示される。光伝送部
は、コア径400μmのプラスチッククラッド石英の多
モードファイノ(より成っている。
第3図に、磁性膜の(4πM s / Ho )の温度
特性の測定結果を、第4図に、第2図の構成による磁界
測定装置の出力の温度特性を示す。第4図により明らか
などと(、−10〜50tZ’の温度範囲で、出力の温
度変動が±1.5%以内と良好で汎用性の高い光方式磁
界測定装置が実現で@た。
特性の測定結果を、第4図に、第2図の構成による磁界
測定装置の出力の温度特性を示す。第4図により明らか
などと(、−10〜50tZ’の温度範囲で、出力の温
度変動が±1.5%以内と良好で汎用性の高い光方式磁
界測定装置が実現で@た。
ツキ゛ニ、磁性膜として、組成i Yo、o Smo、
sCa、、 Fe3.、 oe、、、0,2.膜厚;片
面i3μmの試料、4枚を上述の試料に代えて、測定装
置に採用し、同様の性能テストヲ行った。その結果、磁
性膜の(4πMe/Ho )の温度特性が十〇。03%
/C″??あり、これに対応し、磁界測定装置の出力の
温度安定度も一10〜50tZ’の温度範囲内で、±1
%以内と良好であった。
sCa、、 Fe3.、 oe、、、0,2.膜厚;片
面i3μmの試料、4枚を上述の試料に代えて、測定装
置に採用し、同様の性能テストヲ行った。その結果、磁
性膜の(4πMe/Ho )の温度特性が十〇。03%
/C″??あり、これに対応し、磁界測定装置の出力の
温度安定度も一10〜50tZ’の温度範囲内で、±1
%以内と良好であった。
さらに、磁性膜として、組成i Y2.ll S”0.
5]”e4.、 G ao、30.、 、膜厚;片面1
0μmの試料。
5]”e4.、 G ao、30.、 、膜厚;片面1
0μmの試料。
4枚を上述の測定装置に採用し、同様のテストヲ行った
。その結果、磁性膜の(4πM s/ Ha )の温度
特性−0,08%/Cに対し、磁界測定装置の出力部I
W安定性は、−10〜50tZ’の温度範囲で約±2.
5%であった。
。その結果、磁性膜の(4πM s/ Ha )の温度
特性−0,08%/Cに対し、磁界測定装置の出力部I
W安定性は、−10〜50tZ’の温度範囲で約±2.
5%であった。
実施例2
実施例1の磁界検出部の検光子の代9に、偏光ビームス
プソッタを使用して、2つの直交する偏光信号に分離し
、出力側光伝送用ファイバおよびフォトダイオードをそ
れに応じて2組としてそれぞれの出力の大きさP r
+ P 2 k’険知した。磁界の大きさは、演算出力
回路でP=(Pl−P2)/(、p 1+ P 2 )
なる演算を行いP、と、磁界の大きさの比例関係から求
めた。
プソッタを使用して、2つの直交する偏光信号に分離し
、出力側光伝送用ファイバおよびフォトダイオードをそ
れに応じて2組としてそれぞれの出力の大きさP r
+ P 2 k’険知した。磁界の大きさは、演算出力
回路でP=(Pl−P2)/(、p 1+ P 2 )
なる演算を行いP、と、磁界の大きさの比例関係から求
めた。
また、磁性膜としては、(Y、 S rn、 Ca)
s (Fey(j e ) s 012糸で、(4πM
a/ Ho )の温度特性が約+ 0.05%/T(
組成は(Y 2 Sm、、、5 Cao、ap)(Fe
44+G eo、 s ! ) 012 )および約−
0,05%/c(組成n(Yl、78m0.2 Ca+
、+ )(F es、o oel、l ) 012 )
のものを各2枚選定し、使用した。
s (Fey(j e ) s 012糸で、(4πM
a/ Ho )の温度特性が約+ 0.05%/T(
組成は(Y 2 Sm、、、5 Cao、ap)(Fe
44+G eo、 s ! ) 012 )および約−
0,05%/c(組成n(Yl、78m0.2 Ca+
、+ )(F es、o oel、l ) 012 )
のものを各2枚選定し、使用した。
この光方式磁界測定装置の温度特性を一10〜50″C
の温度範囲で測定したところ±2%以内と艮好な結果が
得られた。
の温度範囲で測定したところ±2%以内と艮好な結果が
得られた。
以上の実施例は、Rが、Y、 Sm、J、uおよびCa
、MがGe、Oaの場合であるが、Rが上記元素を単独
に含む場合、RがLaもしくrriB iの場合、Mが
At、8i、SC,InもしくはCrの場合についても
、上記の各実施例と同様の実験を行ったところ、上記各
実施例と訟糟=はぼ同様の結果が得られた。
、MがGe、Oaの場合であるが、Rが上記元素を単独
に含む場合、RがLaもしくrriB iの場合、Mが
At、8i、SC,InもしくはCrの場合についても
、上記の各実施例と同様の実験を行ったところ、上記各
実施例と訟糟=はぼ同様の結果が得られた。
以上のごとく、本実施例によれば、(4πMs/Ho)
の温度特性の良好な磁性膜を少なくとも1枚用いるか、
または、(4πMs/Ho)の温度変化率が、少なくと
も1枚は正で、他の少なくとも1枚は負で、その変化率
の大きさがほぼ等しいような磁性膜を用いることにより
、温度安定性を良好化できるので、温度特性が良く、且
つ汎用性の高い光方式磁界測定装置を提供できる効果が
ある。
の温度特性の良好な磁性膜を少なくとも1枚用いるか、
または、(4πMs/Ho)の温度変化率が、少なくと
も1枚は正で、他の少なくとも1枚は負で、その変化率
の大きさがほぼ等しいような磁性膜を用いることにより
、温度安定性を良好化できるので、温度特性が良く、且
つ汎用性の高い光方式磁界測定装置を提供できる効果が
ある。
第1図は、磁性膜の飽和磁束密度とストリップ磁区の消
減磁界の比(4πMs/Ho)の温度安定度とファラデ
ー回転能の温度安定度の相関性を示すグラフ、第2図は
、本発明の1実施例における磁界測定装置の構成図、第
3図は、本発明の1実施例に使用した磁性膜の(4πM
s/Ho)の温度特性の測定結果を示すグラフ、第4図
は、本発明の1実施例の磁界測定出力の温度特性の測定
結果を示すグラフである。 1・・・発光ダイオード、2−1.2−2・・・ロッド
レンズ、3・・・偏光子、4・・・磁性膜、5・・・検
光子、6・・・フォトダイオード、7・・・直流分検出
回路、8・・・交流分検出回路、9・・・演算出力回路
。 代理人 弁理士 薄田利幸、 %1図 す 駕1 1 ρ 0.l
ρ、21念吾(舊渋) l 2o−c (
A /’cジ−lθ θ lθ 2θ 3
θ 4o Sρ温 屓 (C) 第 4 図 牙乳 捜 (°乙) 第1頁の続き C7?)発 明 者 安藤圭吉 ゛ 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 17オ・発 明 者 細江譲 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 72′発 明 者 杉田・置 \ 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地株式会社
日立製作所中央研究 所内 7L出 願 人 日立電線株式会社 東京都千代田区丸の内2丁目1 番2号
減磁界の比(4πMs/Ho)の温度安定度とファラデ
ー回転能の温度安定度の相関性を示すグラフ、第2図は
、本発明の1実施例における磁界測定装置の構成図、第
3図は、本発明の1実施例に使用した磁性膜の(4πM
s/Ho)の温度特性の測定結果を示すグラフ、第4図
は、本発明の1実施例の磁界測定出力の温度特性の測定
結果を示すグラフである。 1・・・発光ダイオード、2−1.2−2・・・ロッド
レンズ、3・・・偏光子、4・・・磁性膜、5・・・検
光子、6・・・フォトダイオード、7・・・直流分検出
回路、8・・・交流分検出回路、9・・・演算出力回路
。 代理人 弁理士 薄田利幸、 %1図 す 駕1 1 ρ 0.l
ρ、21念吾(舊渋) l 2o−c (
A /’cジ−lθ θ lθ 2θ 3
θ 4o Sρ温 屓 (C) 第 4 図 牙乳 捜 (°乙) 第1頁の続き C7?)発 明 者 安藤圭吉 ゛ 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 17オ・発 明 者 細江譲 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 72′発 明 者 杉田・置 \ 国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地株式会社
日立製作所中央研究 所内 7L出 願 人 日立電線株式会社 東京都千代田区丸の内2丁目1 番2号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 光源部、ファラデー回転能を有する媒質を具備し
た磁性体を・含む磁界検出部、該検出部からの光を計測
する計測部、ならびに該光源部と該検出部および該計測
部を光学的に結合する光伝送路からなる光方式磁界測定
装置において、該磁性体が、ファラデー回転能を有する
媒質として、一般式:R3(Fe5− XMX ) 0
12で哀2、わされる組成(但し、R1はY、La、S
m、L%、CaおよびB iから々る群よシ選択した少
なくとも一元素、MはGa、Oe、At、S i、Sc
。 InおよびCrからなる群より選択した少なくとも一元
素であり、Xの値はO≦X≦1.5とする)を有し且つ
光の伝送方向に磁化されてなる少なくとも1枚の磁性ガ
ーネット薄膜を有し、該薄膜の飽和磁束密度4πM8と
ストリップ磁区の消減磁界H8との比(4πMs/H(
、)の綜合的温度特性を良好ならしめたことを特徴とす
る光方式磁界測定装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の光方式磁界測定装置に
おいて磁性ガーネット薄膜の飽和磁束密度とス) IJ
ツブ磁区の消減磁界との比(4πM11/Ho )の温
度特性が、少なくとも1枚は、士0、〆多C以内である
ことを特徴とする光方式磁界測定装置。 3、特許請求の範囲第1項記載の光方式磁界測定装置に
おいて、磁性ガーネット薄膜の飽和磁束密度とストリッ
プ磁区の消減磁界との比(4πMB/H,)の温度特性
が、少なくとも1枚は正で、他の少なくとも1枚は負で
、その両省の総合特性が±0.1%/′c以内であるこ
とを%徴とする光方式磁界測定装置。 4、特許請求の範囲第1項、第2項もしくは第3区の消
減磁界との比(4πMs/Ho)の温度特性が、綜合的
に、±0.1%/C以内であることを特徴とする光方式
磁界測定装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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