JPS62150185A - 磁界測定装置 - Google Patents

磁界測定装置

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JPS62150185A
JPS62150185A JP29164985A JP29164985A JPS62150185A JP S62150185 A JPS62150185 A JP S62150185A JP 29164985 A JP29164985 A JP 29164985A JP 29164985 A JP29164985 A JP 29164985A JP S62150185 A JPS62150185 A JP S62150185A
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JP
Japan
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magnetic field
magneto
optical element
rare earth
field measuring
Prior art date
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Pending
Application number
JP29164985A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Kamata
修 鎌田
Kazuo Toda
戸田 和郎
Sumiko Morizaki
森崎 澄子
Satoshi Ishizuka
石塚 訓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS62150185A publication Critical patent/JPS62150185A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気光学素子によるファラデー回転を観測して
磁界全検出し、その磁界強度を測定する磁界測定装置に
関するものである。
従来の技術 最近、磁界強度を光を用いて」り定する方法として、磁
気光学効果を利用する方法が提案されている(例えば、
欠間らによるアイイーイーイー(r E E E ) 
Q E−181619(1982))。
特に、電流が流れている導体の周シの磁界強度を測定し
て電流を検知する方法は、光音媒体とするために、絶縁
性が良好である、電磁誘導ノイズを受けない等の特徴を
持ち、送配電設備への適用が考えられている。
第2図にファラデー効果を用いた磁界の測定方法の原理
図を示す。第2図において磁界H中に磁気光学素子1が
配置されている。この磁気光学素子1に偏光子2で直線
偏光とされた光を通過させる。ファラデー効果によシ偏
光面は磁界強度Hに比レリして回転を受ける。回転を受
けた偏光は偏光子2と透過偏光方向を45°異ならしめ
た検光子3を通過し、回転角θの大きさが光量変化に変
換される。その時の光出力は次式で示される。
Pout−に(1+51n2θ) ・・・・・=−=・
(1)ここで θ”V Hl 、 poutは光出力、
には比例定数、θはファラデー回転角〔度〕、■はヴ工
ルデ定数と呼ばれるもので、単位は〔度/nn−0e〕
であり、磁気光学素子の感度を示すものである。
発明が解決しようとする問題点 従来、磁界測定装置の磁気光学変換部に用いられる磁気
光学素子には種々のものがある。鉛ガラス、BSO、B
GO、Zn5e等の反磁性体がよく用いられているが、
これらの磁気光学素子のヴエルデ定数は小さく、素子長
を10門〜30mmと長くしなければならない。また磁
気光学素子で”bo、19 YO,B1)3Fe501
2なる組成を持つ希土類ガーネット混晶は強磁性体であ
り、ヴエルデ定数は前述の反磁性体のものに比較して二
指大きく、その温度変化が無いという特徴を有している
。しかしながら、強磁性体であり、磁化のそろった分域
((磁区)が存在している。その様な物質のファラデー
効果を第3図で説明する。
第3図は迷路状磁区を有している強磁性体磁気光学素子
1の場合であり、となり合った磁区の磁化Sは反対方向
に向いている。第3図aの様に磁界Hがない場合は、磁
化は打ち消し合いファラデー効果は発生しない。第3図
すの様に外部磁界Hが印加されると、磁化は磁界方向に
そろおうとする。したがって磁壁の移動により磁界方向
の磁化が増加し、その差がファラデー効果を発生させる
しかるに、今第3図に示す様に、入射された光のビーム
Lの径φの中に含まれる磁区(巾d)の数が少ないと、
ファラデー効果の直線性、再現性が低下する。強磁性体
の磁区中は形状効果があり、第3図の厚みtが小さくな
れば、磁区中dが小さくなる事が知られている。したが
って、磁気光学素子1の厚みt2小さくする事によって
、ファラデー効果の直線性、再現性が向上する事になる
が、上記(1)式で示した様にファラデー回転角θは厚
みに比例して小さくなり、測定感度が低下する。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、入射光を2つの
直線偏光の光に分離する偏光子と検光子の透過偏光方向
を互いに異ならしめ、その間に縞状磁区を有する希土類
ガーネット結晶からなる磁気光学素子を、縞状磁区が観
測できる面に対して入射光が水平に通過する様に配置し
てなる磁気光学変換部を有するものであり、望むらくは
、前記磁気光学素子に一般式”X Yj−X )5 ”
5 oi 2(0.1≦x≦0.3)で示される希土類
鉄ガーネット混晶を用いるものであり、また、前記磁気
光学素子(TbxYl−x)5Fe、01≦x≦0.3
)は、(rd5Ga50.2基板上にエピタキシャル成
長させたものであり、さらに望むらくは、前記Gd3G
a5O12基板に(11o)面又は(211)面を用い
たものである。また、前記磁気光学素子は、液相エピタ
キシャル法、または、気相エピタキシャル法で得られた
ものである。
作用 本発明は上記の構成により、高感塵で再現性に優れた安
価な磁界測定装置を与えるものである。
実施例 以下に本発明の一実施例について第1図とともに説明す
る。第1図を用いて本実施例装置の基本構成を説明する
。なお第1図中、第2図と同一構成部分には同一番号を
付して詳細な説明を省略する。磁気光学素子1には、縞
状磁区を有する希土類ガーネット結晶を用いている。こ
の縞状磁区が観測される面に対して水平方向に光を通過
させである。この様な構成の磁気光学変換部に磁界Hが
印加されると、弱い磁界の場合、面内磁化が回転するだ
けで縞状磁区の方向は変化しない。つまり、磁壁の移動
は起らず、その構造の中で磁化だけが回転する。この磁
化の回転によるファラデー効果が磁界強度Hに比例して
いる。磁化の回転はスピン構造の変化であり、入射光の
ビーム径に対して一様であり、入射光のビーム径に対し
て無視できなく、再現性の悪化の主原因であった磁壁の
移動は無い。従って、第1図の様な構成の磁気光学変換
部を用いる事によって再現性の良い磁界センサが得られ
る。また磁気光学素子1の形状は長さpに対して十分小
さな厚みtとする。長さl長くする事による感度の向上
がはかれるだけでなく、強磁性体特有の反磁界による感
度低下をまねく事がない。従って、厚みtが小さい結晶
でよい訳であり、生産性に富んだ液相エピタキシャル法
や気相エビクキシャル法を用いて、Gds Ga s 
0 、2基板上に成長させた磁気光学素子を用いる事が
できる。
上記磁気光学素子1としては、(110)面のGd3G
a5O12基板上に、最も温度安定性の良好な(Tbo
、1.Yo、81)5F0501さ、pbo系F (!
 u X f、(用いた液相エピタキシャル成長法で厚
み30o71mを成長させたものを、巾1朋、長さ3m
mに切り出して用いた。この磁気光学変換部を用いた磁
界測定装置は、磁界 150eで変調度25%を得、従
来のものと比軸して高感度なものとなっている。
また、再現性は11%以内の精度におさ1っている。な
お本実施例においては、偏光子2.検光子3にTie2
偏光分離板を用いたが、CaCO3に偏光分離板、誘電
体多層膜を用いた偏光ビームスプリッタ−を用いてもよ
い。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、再現性が良好
で高感度であり、生産性が高く安価な磁界測定装置を提
供するものであり、その工業的価値は高い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における磁界測定装置の磁気
光学変換部の基本構成図、第2図はファラデー効果を用
いた従来の磁界測定装置の構成図、体 第3図a、bは強磁性イ磁区とファラデー効果を説明す
るための説明図である。 1・・・・・・磁気光学素子、2・・・・・・偏光子、
3・・・・・・検光子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 2 図 雛昂目

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入射光を2つの直線偏光の光に分離する偏光子と
    検光子の透過偏光方向を互いに異ならしめ、前記偏光子
    と検光子との間に縞状磁区を有する希土類ガーネット結
    晶からなる磁気光学素子を、前記縞状磁区が観測できる
    面に対して前記入射光が水平に通過する様に配置してな
    る磁気光学変換部を有してなる磁界測定装置。
  2. (2)一般式(Tb_xY_1_−_x)_3Fe_5
    O_1_2(0.1≦x≦0.3)で示される希土類鉄
    ガーネット混晶を磁気光学素子として用いる特許請求の
    範囲第1項記載の磁界測定装置。
  3. (3)Gd_3Ga_5O_1_2基板上に一般式(T
    b_xY_1_−_x)_3Fe_5O_1_2(0.
    1≦x≦0.3)で示される希土類鉄ガーネット混晶を
    エピタキシャル成長させて得られる磁気光学素子を用い
    る特許請求の範囲第1項記載の磁界測定装置。
  4. (4){110}又は{211}面のGd_3Ga_5
    O_1_2基板上に一般式(Tb_xY_1_−_x)
    _3Fe_5O_1_2(0.1≦x≦0.3)で示さ
    れる希土類鉄ガーネット混晶をエピタキシャル成長させ
    て得られる磁気光学素子を用いる特許請求の範囲第1項
    記載の磁界測定装置。
  5. (5)液相エピタキシャル成長して得られる磁気光学素
    子を用いる特許請求の範囲第1項記載の磁界測定装置。
  6. (6)気相エピタキシャル成長して得られる磁気光学素
    子を用いる特許請求の範囲第1項記載の磁界測定装置。
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EP0573007A2 (en) * 1992-06-03 1993-12-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Magneto-optic sensor head
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