JP3269102B2 - 磁気光学膜 - Google Patents
磁気光学膜Info
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- JP3269102B2 JP3269102B2 JP00939192A JP939192A JP3269102B2 JP 3269102 B2 JP3269102 B2 JP 3269102B2 JP 00939192 A JP00939192 A JP 00939192A JP 939192 A JP939192 A JP 939192A JP 3269102 B2 JP3269102 B2 JP 3269102B2
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学素子のファラ
デー効果を利用して磁界強度を測定する光磁界センサに
使用される磁気光学膜に関し、特に電力を供給する配電
線の周囲に発生する磁界強度を測定し、その電流の大き
さを検知するようにした光磁界センサ用の磁気光学膜に
関する。
デー効果を利用して磁界強度を測定する光磁界センサに
使用される磁気光学膜に関し、特に電力を供給する配電
線の周囲に発生する磁界強度を測定し、その電流の大き
さを検知するようにした光磁界センサ用の磁気光学膜に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、発電所から末端の電力消費者まで
の電力輸送路において、変電所，送電線及び配電線に流
れる電流の大きさを測定してその異常を発見する電流セ
ンサとして、電流が流れる導線の周囲に発生する磁界を
磁気光学効果を利用して測定し、この測定磁界の大きさ
から電流値を求めるようにした光磁界センサを用いる計
画が進んでいる。大電流を扱う変電所や高圧送電線等の
万一事故が発生した場合にその被害が広範囲に及ぶこと
が考えられる環境下においては既に実用化されており、
又電力消費者に近い小電流を扱う配電線に用いる光磁界
センサについても実用化のための計画が進められてい
る。
の電力輸送路において、変電所，送電線及び配電線に流
れる電流の大きさを測定してその異常を発見する電流セ
ンサとして、電流が流れる導線の周囲に発生する磁界を
磁気光学効果を利用して測定し、この測定磁界の大きさ
から電流値を求めるようにした光磁界センサを用いる計
画が進んでいる。大電流を扱う変電所や高圧送電線等の
万一事故が発生した場合にその被害が広範囲に及ぶこと
が考えられる環境下においては既に実用化されており、
又電力消費者に近い小電流を扱う配電線に用いる光磁界
センサについても実用化のための計画が進められてい
る。
【０００３】かかる電流計測用の光磁界センサは、一般
に野外で使用されるため、使用環境，特に温度の変化に
対して安定した感度を備えていることが重要である。例
えば、−２０〜＋８０°Ｃの温度範囲でその感度（Ｓ）
の変動率（ＳR ＝ΔＳ／Ｓ（％））が±１％以内である
ことが要求されている。この光磁界センサの感度及びそ
の温度に対する変動率は、当該センサに用いる磁気光学
材料の感度及びその温度に対する変動率とほぼ等しいた
め、温度に対する感度の変動率が小さい磁気光学材料の
開発が盛んに行われている。尚、感度とは、磁界の変化
に対するセンサ出力の変化率をいう。
に野外で使用されるため、使用環境，特に温度の変化に
対して安定した感度を備えていることが重要である。例
えば、−２０〜＋８０°Ｃの温度範囲でその感度（Ｓ）
の変動率（ＳR ＝ΔＳ／Ｓ（％））が±１％以内である
ことが要求されている。この光磁界センサの感度及びそ
の温度に対する変動率は、当該センサに用いる磁気光学
材料の感度及びその温度に対する変動率とほぼ等しいた
め、温度に対する感度の変動率が小さい磁気光学材料の
開発が盛んに行われている。尚、感度とは、磁界の変化
に対するセンサ出力の変化率をいう。
【０００４】上記大電流を扱う発電所や高圧送電線等で
使用される光磁界センサでは、感度は小さいが（１×１
０-4／ Oe 以下）、大きな磁界に対して磁気飽和が生じ
づ且つ温度に対する感度の変動が小さい、鉛ガラス，Ｚ
ｎＳｅ，ＢＧＯ，ＢＳＯ等の常磁性材料又は反磁性材料
が磁気光学材料として用いられている。又、電力消費者
に近い配電線等で使用される光磁界センサでは、かかる
配電線等が扱う電流の大きさに伴って発生する磁界が小
さいため、１×１０-4／ Oe 以上の大きい感度が要求さ
れる。このため、これに用いられる磁気光学材料として
は、磁気感度が大きい磁性ガーネット膜、更にはＢｉ置
換形の磁性ガーネット膜が有望であり、かかる磁性ガー
ネット膜を用いた光磁界センサの開発・研究が行われて
いる。尚、配電線用の光磁界センサは一部を除きコスト
が安価であることが要求され、多くは波長０．８５μｍ
程度の光が用いられる。
使用される光磁界センサでは、感度は小さいが（１×１
０-4／ Oe 以下）、大きな磁界に対して磁気飽和が生じ
づ且つ温度に対する感度の変動が小さい、鉛ガラス，Ｚ
ｎＳｅ，ＢＧＯ，ＢＳＯ等の常磁性材料又は反磁性材料
が磁気光学材料として用いられている。又、電力消費者
に近い配電線等で使用される光磁界センサでは、かかる
配電線等が扱う電流の大きさに伴って発生する磁界が小
さいため、１×１０-4／ Oe 以上の大きい感度が要求さ
れる。このため、これに用いられる磁気光学材料として
は、磁気感度が大きい磁性ガーネット膜、更にはＢｉ置
換形の磁性ガーネット膜が有望であり、かかる磁性ガー
ネット膜を用いた光磁界センサの開発・研究が行われて
いる。尚、配電線用の光磁界センサは一部を除きコスト
が安価であることが要求され、多くは波長０．８５μｍ
程度の光が用いられる。
【０００５】一方、最近では、従来の電柱による地上配
電線から地下配電線へと電力輸送路の移行が進められて
おり、特に大都市や新たに都市開発される衛星都市部
で、この傾向は顕著である。かかる地下配電線に使用さ
れる光磁界センサは、地中で使用されるため、前記の如
く野外で使用されるもの程感度の温度変化に対する変動
率の必要条件は厳しいものではなく、感度の変動率を±
１％以内に抑える必要がある温度範囲は−１０〜＋６０
°Ｃ程度と推測される。しかし、地下配電線が付設され
る大都市や開発中の新都市における都市環境を考慮する
と、万一事故が発生した場合にその被害は多くの電力消
費者に及ぶことになり、そのため微弱な電流変化を呈す
る絶縁地絡等の事故発生要因を正確に探知する必要があ
る。従って、地下配電線で使用される光磁界センサで
は、６×１０-4／ Oe 以上の大きい感度が望まれてお
り、これに用いられる磁気光学材料として、温度に対す
る感度の変動が小さいと同時に感度自体が大きいことが
必要となる。
電線から地下配電線へと電力輸送路の移行が進められて
おり、特に大都市や新たに都市開発される衛星都市部
で、この傾向は顕著である。かかる地下配電線に使用さ
れる光磁界センサは、地中で使用されるため、前記の如
く野外で使用されるもの程感度の温度変化に対する変動
率の必要条件は厳しいものではなく、感度の変動率を±
１％以内に抑える必要がある温度範囲は−１０〜＋６０
°Ｃ程度と推測される。しかし、地下配電線が付設され
る大都市や開発中の新都市における都市環境を考慮する
と、万一事故が発生した場合にその被害は多くの電力消
費者に及ぶことになり、そのため微弱な電流変化を呈す
る絶縁地絡等の事故発生要因を正確に探知する必要があ
る。従って、地下配電線で使用される光磁界センサで
は、６×１０-4／ Oe 以上の大きい感度が望まれてお
り、これに用いられる磁気光学材料として、温度に対す
る感度の変動が小さいと同時に感度自体が大きいことが
必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、現在のとこ
ろ、温度に対する感度の変動が小さいことと、感度自体
が大きいことの両条件を兼ね備えた磁気光学材料はな
く、使用する環境に応じた所望の感度を備えた光磁界セ
ンサを実現することができなかった。
ろ、温度に対する感度の変動が小さいことと、感度自体
が大きいことの両条件を兼ね備えた磁気光学材料はな
く、使用する環境に応じた所望の感度を備えた光磁界セ
ンサを実現することができなかった。
【０００７】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、この種の光磁界センサにおいて温度に対する感
度の変動が小さく且つ感度自体も大きい磁気光学膜を提
供することを目的とする。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、この種の光磁界センサにおいて温度に対する感
度の変動が小さく且つ感度自体も大きい磁気光学膜を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気光学膜は、
波長０．８５μｍ帯の光を用いた磁気光学効果を利用し
た磁界センサに使用される磁気光学膜であり、YbX TbY
Bi3-X-Y Fe5 O12の組成で成り、ｘが０．５〜０．７の
範囲内において、ｘ及びｙが下記条件式（１）を満足し
且つ膜厚が３５〜５０μｍの磁性ガーネット膜が、ガド
リニウム・ガリウムガーネット単結晶基板上にエピタキ
シャル成長していることを特徴としている。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ （１）
波長０．８５μｍ帯の光を用いた磁気光学効果を利用し
た磁界センサに使用される磁気光学膜であり、YbX TbY
Bi3-X-Y Fe5 O12の組成で成り、ｘが０．５〜０．７の
範囲内において、ｘ及びｙが下記条件式（１）を満足し
且つ膜厚が３５〜５０μｍの磁性ガーネット膜が、ガド
リニウム・ガリウムガーネット単結晶基板上にエピタキ
シャル成長していることを特徴としている。 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ （１）
【０００９】
【作用】磁性ガーネット膜を使用した光磁界センサの感
度Ｓは、該磁性ガーネット膜の膜厚をＬとすると、次の
式（２）によって表される。 Ｓ＝ｓｉｎ（２θｆ・Ｌ）／Ｈｓ （２） 上記式（２）中、飽和磁界Ｈｓ及びファラデー回転係数
θｆは温度によって変化し、従って式（２）において温
度変化に対する sin（２θｆ・Ｌ）とＨｓの変化の仕方
を同一にすることにより、それらの比である上記式
（２）によって表される感度は温度が変化しても一定に
保つことができる。また、磁性ガーネット膜の組成が決
まれば、ファラデー回転係数θｆ及び飽和磁界Ｈｓの各
温度変化率も決定されるため、感度Ｓの温度に対する変
動率ＳR は磁性ガーネット膜の組成に依存することにな
る。そしてまた、かかる変動率ＳR は、感度Ｓが（θｆ
・Ｌ）のｓｉｎ関数を問題とするため、膜厚Ｌにも依存
する。即ち、同一組成の磁性ガーネット膜でも、変動率
ＳR は膜厚Ｌによって変化する。
度Ｓは、該磁性ガーネット膜の膜厚をＬとすると、次の
式（２）によって表される。 Ｓ＝ｓｉｎ（２θｆ・Ｌ）／Ｈｓ （２） 上記式（２）中、飽和磁界Ｈｓ及びファラデー回転係数
θｆは温度によって変化し、従って式（２）において温
度変化に対する sin（２θｆ・Ｌ）とＨｓの変化の仕方
を同一にすることにより、それらの比である上記式
（２）によって表される感度は温度が変化しても一定に
保つことができる。また、磁性ガーネット膜の組成が決
まれば、ファラデー回転係数θｆ及び飽和磁界Ｈｓの各
温度変化率も決定されるため、感度Ｓの温度に対する変
動率ＳR は磁性ガーネット膜の組成に依存することにな
る。そしてまた、かかる変動率ＳR は、感度Ｓが（θｆ
・Ｌ）のｓｉｎ関数を問題とするため、膜厚Ｌにも依存
する。即ち、同一組成の磁性ガーネット膜でも、変動率
ＳR は膜厚Ｌによって変化する。
【００１０】一方、感度自体を大きくするには、上記式
（２）より明らかなように、飽和磁界Ｈｓを小さくすれ
ばよい。しかし、光磁界センサの測定磁界が１０００ O
e 程度まで及ぶことを考慮すれば、Ｈｓを１０００ Oe
以下に設定することは好ましくない。従って、感度Ｓを
６×１０-4／ Oe 以上にするためには、光磁界センサが
使用される温度範囲内で、上記 sin（２θｆ・Ｌ）が少
なくとも０．６以上となる磁気光学材料で構成すること
が必要となる。
（２）より明らかなように、飽和磁界Ｈｓを小さくすれ
ばよい。しかし、光磁界センサの測定磁界が１０００ O
e 程度まで及ぶことを考慮すれば、Ｈｓを１０００ Oe
以下に設定することは好ましくない。従って、感度Ｓを
６×１０-4／ Oe 以上にするためには、光磁界センサが
使用される温度範囲内で、上記 sin（２θｆ・Ｌ）が少
なくとも０．６以上となる磁気光学材料で構成すること
が必要となる。
【００１１】本発明によれば、上記の点を考慮して磁性
ガーネット膜の組成設計を行い、さらに変動率ＳRを小
さくする膜厚Ｌを求めることにより、この種の光磁界セ
ンサに好適な磁気光学膜を得ることができる。そして特
に、希土類元素を変えたときのＢｉ置換鉄ガーネットの
飽和磁化及びファラデー回転係数θｆ並びにそれらの温
度に対する変化の試験結果から、(Yb Tb Bi) 3 Fe 5 O 12 系
の材料が好適であることが判明した。
ガーネット膜の組成設計を行い、さらに変動率ＳRを小
さくする膜厚Ｌを求めることにより、この種の光磁界セ
ンサに好適な磁気光学膜を得ることができる。そして特
に、希土類元素を変えたときのＢｉ置換鉄ガーネットの
飽和磁化及びファラデー回転係数θｆ並びにそれらの温
度に対する変化の試験結果から、(Yb Tb Bi) 3 Fe 5 O 12 系
の材料が好適であることが判明した。
【００１２】
【実施例】以下、図１及び図２に基づき本発明による光
磁界センサの磁気光学膜の一実施例を説明する。本発明
の磁気光学膜は、Yb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 の組成で成
るが、この磁性ガーネット膜は液相エピタキシャル法に
より上記Yb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 におけるｘ及びｙを
変えて組成が異なる種類のものが製作された。即ち、先
ず白金ルツボ中にＰｂＯ，Ｂｉ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3をフラック
スとしてＹｂ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3を溶かし込んだ
融液を製作した。そして、該融液を温度７７０〜７９０
°Ｃに加熱しながら、その融液表面にガドリニウム・ガ
リウムガーネット単結晶基板（以下、ＧＧＧ基板とい
う）を付着させて１００ｒｐｍで回転させることによ
り、上記ＧＧＧ基板の片面に厚さ７０μｍのYb X Tb Y Bi
3-X-Y Fe 5 O 12 磁性ガーネット膜を成長させた。
磁界センサの磁気光学膜の一実施例を説明する。本発明
の磁気光学膜は、Yb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 の組成で成
るが、この磁性ガーネット膜は液相エピタキシャル法に
より上記Yb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 におけるｘ及びｙを
変えて組成が異なる種類のものが製作された。即ち、先
ず白金ルツボ中にＰｂＯ，Ｂｉ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3をフラック
スとしてＹｂ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3を溶かし込んだ
融液を製作した。そして、該融液を温度７７０〜７９０
°Ｃに加熱しながら、その融液表面にガドリニウム・ガ
リウムガーネット単結晶基板（以下、ＧＧＧ基板とい
う）を付着させて１００ｒｐｍで回転させることによ
り、上記ＧＧＧ基板の片面に厚さ７０μｍのYb X Tb Y Bi
3-X-Y Fe 5 O 12 磁性ガーネット膜を成長させた。
【００１３】上記の場合、融液中のＹｂ2 ０3 とＴｂ2
０3 の含有割合を変えることにより、上記ｘ及び上記ｙ
が相違する異なる組成の試料が製作される。なお、液相
エピタキシャル法では、磁性ガーネット膜の格子定数と
上記ＧＧＧ基板の格子定数（１２．４９６Å）とがほぼ
一致している必要があるため、これらｘ，ｙには前記式
（１）を満足する条件が加わる。従ってｘ，ｙのうちｘ
が決まればｙも一義的に決定される。また、作成した磁
性ガーネット膜の膜厚Ｌを７０μｍとしたが、これは該
膜厚Ｌが７０μｍ以上では波長０．８５μｍの光の場合
にその損失が大きくなり、事実上、磁性ガーネット膜を
光磁界センサに使用し得ないためである。
０3 の含有割合を変えることにより、上記ｘ及び上記ｙ
が相違する異なる組成の試料が製作される。なお、液相
エピタキシャル法では、磁性ガーネット膜の格子定数と
上記ＧＧＧ基板の格子定数（１２．４９６Å）とがほぼ
一致している必要があるため、これらｘ，ｙには前記式
（１）を満足する条件が加わる。従ってｘ，ｙのうちｘ
が決まればｙも一義的に決定される。また、作成した磁
性ガーネット膜の膜厚Ｌを７０μｍとしたが、これは該
膜厚Ｌが７０μｍ以上では波長０．８５μｍの光の場合
にその損失が大きくなり、事実上、磁性ガーネット膜を
光磁界センサに使用し得ないためである。
【００１４】次に上記ｘ及び上記ｙが相違する各磁性ガ
ーネット膜毎に３０個ずつ試料として取り出し、各々研
磨によってＬ＝５〜６５μｍとなるように形成した。つ
まり、各上記ｘの組成に対して５〜６５μｍの範囲で３
０種類の膜厚の試料を製作した。さらに各試料のＧＧＧ
基板面及び磁性ガーネット膜面に波長０．８５μｍ用の
ＳｉＯ2 単層で成る無反射コートを施した。
ーネット膜毎に３０個ずつ試料として取り出し、各々研
磨によってＬ＝５〜６５μｍとなるように形成した。つ
まり、各上記ｘの組成に対して５〜６５μｍの範囲で３
０種類の膜厚の試料を製作した。さらに各試料のＧＧＧ
基板面及び磁性ガーネット膜面に波長０．８５μｍ用の
ＳｉＯ2 単層で成る無反射コートを施した。
【００１５】次に、上記のように製作された磁気光学膜
の温度変化に対する感度の試験結果について説明する。
上記磁性ガーネット膜の各試料に対して温度−１０〜＋
６０°Ｃの温度範囲でその感度を測定するが、ここで図
１は、かかる試験を行うための測定系の構成例を示して
いる。図において、レーザダイオード１から出射した波
長０．８５μｍの光はレンズ２及び偏光子３を通過して
直線偏光になり、磁性ガーネット膜４に入射する。そし
てこの磁性ガーネット膜４を通過するときに被測定磁界
（以下、単に磁界という）の強さに応じた旋光作用を受
けた光は、さらにレンズ５及び偏光子６を通過して上記
磁界の強さに対応する強度になる。この後、偏光子６か
らシリコンフォトダイオード７へ入射した光の強度が検
出されるようになっている。上記の場合、±３００ Oe
の磁界が光路と平行に加えられると共に、磁性ガーネッ
ト膜４の温度は図示しないペルチェ素子によって変化せ
しめられる。
の温度変化に対する感度の試験結果について説明する。
上記磁性ガーネット膜の各試料に対して温度−１０〜＋
６０°Ｃの温度範囲でその感度を測定するが、ここで図
１は、かかる試験を行うための測定系の構成例を示して
いる。図において、レーザダイオード１から出射した波
長０．８５μｍの光はレンズ２及び偏光子３を通過して
直線偏光になり、磁性ガーネット膜４に入射する。そし
てこの磁性ガーネット膜４を通過するときに被測定磁界
（以下、単に磁界という）の強さに応じた旋光作用を受
けた光は、さらにレンズ５及び偏光子６を通過して上記
磁界の強さに対応する強度になる。この後、偏光子６か
らシリコンフォトダイオード７へ入射した光の強度が検
出されるようになっている。上記の場合、±３００ Oe
の磁界が光路と平行に加えられると共に、磁性ガーネッ
ト膜４の温度は図示しないペルチェ素子によって変化せ
しめられる。
【００１６】そして、各磁性ガーネット膜試料の−２０
〜＋６０°Ｃの温度範囲における感度Ｓを調べ、その変
動率ＳRが±１％以内となるYb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 に
おけるｘ及び膜厚Ｌを求めたところ、図２に示される結
果が得られた。即ち、図２のグラフにおいて、直線ａ，
ｂ，ｃ及びｄによって囲まれた領域の場合、温度−２０
〜＋６０°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳRが±１％以内
である。なお、同グラフ中、直線ｄよりも下側の領域で
は感度Ｓ自体が既に６×１０-4／Ｏｅ以下である。つま
り、上記直線ａ，ｂ，ｃ及びｄによって囲まれた領域
（斜線部分）では、−２０〜＋６０°Ｃの温度範囲にお
ける感度Ｓの変動率ＳRが±１％以内となり、且つ感度
Ｓ自体が６×１０-4〜９×１０-4／Ｏｅとなる。
〜＋６０°Ｃの温度範囲における感度Ｓを調べ、その変
動率ＳRが±１％以内となるYb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 に
おけるｘ及び膜厚Ｌを求めたところ、図２に示される結
果が得られた。即ち、図２のグラフにおいて、直線ａ，
ｂ，ｃ及びｄによって囲まれた領域の場合、温度−２０
〜＋６０°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳRが±１％以内
である。なお、同グラフ中、直線ｄよりも下側の領域で
は感度Ｓ自体が既に６×１０-4／Ｏｅ以下である。つま
り、上記直線ａ，ｂ，ｃ及びｄによって囲まれた領域
（斜線部分）では、−２０〜＋６０°Ｃの温度範囲にお
ける感度Ｓの変動率ＳRが±１％以内となり、且つ感度
Ｓ自体が６×１０-4〜９×１０-4／Ｏｅとなる。
【００１７】従って、Yb X Tb Y Bi 3-X-Y Fe 5 O 12 磁性ガ
ーネット膜において、かかる領域に対応するｘの範囲が
０．５〜０．７であり且つ該磁性ガーネット膜の膜厚Ｌ
が３５〜５０μｍであるときには、温度−２０〜＋６０
°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳRが±１％以内となり、
感度Ｓ自体が６×１０-4〜９×１０-4／Ｏｅとなるか
ら、このような磁性ガーネット膜を使用する光磁界セン
サは温度がかなり変化しても微小な磁界を高い精度で安
定して測定することができる。
ーネット膜において、かかる領域に対応するｘの範囲が
０．５〜０．７であり且つ該磁性ガーネット膜の膜厚Ｌ
が３５〜５０μｍであるときには、温度−２０〜＋６０
°Ｃの範囲で感度Ｓの変動率ＳRが±１％以内となり、
感度Ｓ自体が６×１０-4〜９×１０-4／Ｏｅとなるか
ら、このような磁性ガーネット膜を使用する光磁界セン
サは温度がかなり変化しても微小な磁界を高い精度で安
定して測定することができる。
【００１８】
【発明の効果】上述したように本発明の磁気光学膜は、
大きい感度を備え、且つこの感度は温度の変化に対して
極めて安定しており、特に地上及び地下配電線の電流値
検出の場合等において、過酷な環境下で而も微小磁界を
高い精度で測定し得る、この種の光磁界センサを実現す
ることができる等の利点がある。
大きい感度を備え、且つこの感度は温度の変化に対して
極めて安定しており、特に地上及び地下配電線の電流値
検出の場合等において、過酷な環境下で而も微小磁界を
高い精度で測定し得る、この種の光磁界センサを実現す
ることができる等の利点がある。
【図１】本発明の磁気光学膜に対する感度試験ための感
度測定系の構成例を示す図である。
度測定系の構成例を示す図である。
【図２】本発明の磁気光学膜に対する感度測定結果によ
る膜組成と膜厚との関係を示すグラフである。
る膜組成と膜厚との関係を示すグラフである。
１ レーザダイオード ２ レンズ ３ 偏光子 ４ 磁性ガーネット膜 ５ レンズ ６ 偏光子 ７ シリコンフォトダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−51494（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−288199（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−249565（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−110417（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−271997（ＪＰ，Ａ) Ｈ．Ｉｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａ ｌ．，Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａ ｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖ ｏｌ．22，Ｎｏ．６（1990），ｐｐ. 517−528 Ｋ．Ｎａｋａｊｉｍａ ｅｔ ａ ｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏ ｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ，Ｖｏ ｌ．24，Ｎｏ．６（1988），ｐｐ．2565 −2567 Ｋ．Ｍａｃｈｉｄａ ｅｔ ａｌ．, Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ − Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏ ｌｏｇｉｅｓ，Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．１ （1988），ｐｐ．99−105 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 15/24 G01R 33/032 G02F 1/09 C30B 29/28 ＣＡ（ＳＴＮ) ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- 【請求項１】 波長０．８５μｍ帯の光を用いた磁気光
学効果を利用した磁界センサに使用される磁気光学膜に
おいて、YbX TbY Bi3-X-Y Fe5 O12の組成で成り、上記
ｘが０．５乃至０．７の範囲内において該ｘ及び上記ｙ
が下記の条件式を満足し且つ膜厚が３５乃至５０μｍの
磁性ガーネット膜が、ガドリニウム・ガリウムガーネッ
ト単結晶基板上にエピタキシャル成長していることを特
徴とする磁気光学膜。 条件式 １．８２−１．２７ｘ≦ｙ≦２．０２−１．２７ｘ
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| JP00939192A JP3269102B2 (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | 磁気光学膜 |
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-
1992
- 1992-01-22 JP JP00939192A patent/JP3269102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
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|---|
| Ｈ．Ｉｓｈｉｋａｗａ ｅｔ ａｌ．，Ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｖｏｌ．２２，Ｎｏ．６（１９９０），ｐｐ．５１７−５２８ |
| Ｋ．Ｍａｃｈｉｄａ ｅｔ ａｌ．，Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ − Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｖｏｌ．３，Ｎｏ．１（１９８８），ｐｐ．９９−１０５ |
| Ｋ．Ｎａｋａｊｉｍａ ｅｔ ａｌ．，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ，Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．６（１９８８），ｐｐ．２５６５−２５６７ |
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