DE2434251C2 - Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat - Google Patents

Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat

Info

Publication number
DE2434251C2
DE2434251C2 DE2434251A DE2434251A DE2434251C2 DE 2434251 C2 DE2434251 C2 DE 2434251C2 DE 2434251 A DE2434251 A DE 2434251A DE 2434251 A DE2434251 A DE 2434251A DE 2434251 C2 DE2434251 C2 DE 2434251C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
single crystal
garnet
lattice constant
substrate
crystal based
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2434251A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2434251A1 (de
Inventor
Jörg 2000 Hamburg Herrnring
Dieter Dr. 2081 Ellerbek Mateika
Christian 2000 Hamburg Rusche
Wolfgang Dipl.-Chem. Dr. 2082 Tornesch Toksdorf
Gerhard Dipl.-Chem. Dr. 2000 Hamburg Winkler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE2434251A priority Critical patent/DE2434251C2/de
Priority to GB29416/75A priority patent/GB1498745A/en
Priority to CH918575A priority patent/CH613384A5/xx
Priority to JP8662375A priority patent/JPS5632276B2/ja
Priority to FR7522223A priority patent/FR2278632A1/fr
Priority to US05/613,855 priority patent/US3959006A/en
Publication of DE2434251A1 publication Critical patent/DE2434251A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2434251C2 publication Critical patent/DE2434251C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B28/00—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
    • C04B28/02—Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing hydraulic cements other than calcium sulfates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Road Paving Structures (AREA)

Description

2. Einkristall nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Formel 0,3 < x£ 0,5 ist
3. Verwendung eines Einkristalles nach den Ansprüchen 1 oder 2 als Substrat für epitaktische magnetische Granatschichten für magneto-optische Informationsspeicher oder Displays.
Die Erfindung bezieht sich auf einen Einkristall auf der Basis von Gadolinium/Samarium/Neodym-Gallium-Granat.
Derartige Einkristalle werden üblicherweise als lange Stäbe aus einer Schmelze gezüchtet, z. B. nach einem in »Solid State Communications«, 2 (1964), Seiten 229—231, beschriebenen Verfahren. Anschließend werden von diesen Stäben Einkristallscheiben gewünschter Dicke abgeschnitten.
Granateinkristalle AJ+BI+Oi2, insbesondere solche aus Gadolinium-Gallium-Granat Gd3Ga5Oi2 mit einer Gitterkonstante ao von 12,382 A, werden vorzugsweise als Substrate von z. B. 0,8 mm Dicke für magnetische Speichermaterialien in der sogenannten Magnetblasentechnik (Informationsspeichertechnik unter Verwendung mobiler magnetischer Zylinderdomänen) benutzt (vgl. IEEE Trans. Mag-7 (1971), S. 404). Auf diesen Substratkristallen läßt man bekanntlich in einem Flüssigphasen- oder Gasphasen-Epitaxieprozeß dünne magnetische Granatschichten (Speichermaterial) von einigen μηι Dicke, z. B. 5 μπι, aufwachsen. Solche Granatschichten können nur dann mit der erforderlichen Störungsfreiheit und Perfektion auf dem vorgegebenen Substrat aufwachsen, wenn Substrat und epitaktische Schicht nahezu die gleiche kristallographische Gitterkonstante besitzen. Für die Informationsspeichertechnik nach dem magneto-optischen Speicherverfahren unter Verwendung des magneto-optischen Faraday-Effektes zum Auslesen der Information (vgl. J. Appl. Phys. 40 (1969), S. 1429-1435) kann man bekanntlich den Gütefaktor des Speichermaterials, vorzugsweise von Gadolinium-Eisen-Granaten, beträchtlich erhöhen, wenn man eine genügende Menge Wismut in das Speichermaterial einbaut, was eine wesentliche Erhöhung der Faraday-Drehung bewirkt (DE-OS 23 49 348). Da der Einbau von Wismut die Gitterkonstante vergrößert, muß in diesem Falle auch ein Substrat mit entsprechender Gitterkonstante ao, vorzugsweise in der Nähe von 12,48 A, verwendet werden.
Bisher ist man zu diesem Zwecke von Neodym-Gallium-Granat Nd3Ga5Oi2 (ao=12,5O6 A) oder entsprechenden Mischkristallen von Nd3Ga5On mit Samarium-Gallium-Granat Sm3Ga5O12 ^a0= 12,439 A) ausgegangen (IEEE Trans. Mag-7 (1971), S. 404-409). Als Substrate für magneto-optische Speichermaterialien sind diese Mischkristalle infolge ihrer Eigenfärbung und der dadurch bewirkten Verringerung des Gütefaktors nicht verwendbar. Außerdem zeigen sie die den üblichen Mischkristallen infolge ihrer von eins abweichenden Verteilungskoeffizienten eigenen Nachteile bei der Kristallhersteilung z.B. nach dem Czochralski-Züchtungsverfahren (»Journal of Crystal Growth« 9 (1971), S. 249), daß sich die Zusammensetzung des gezüchteten
Einkristalles über seine Länge ändert, so daß die daraus geschnittenen dünnen Substratscheiben unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, im sichtbaren Spektralbereich gut transparente Granat-Substrateinkristalle herzustellen, deren Gitterkonstante sich linear mit der Zusammensetzung ändert, so daß für jede Schichtzusammensetzung des epitaktisch aufgewachsenen magneto-optischen Speichermaterials ein Substrat mit geeigneter Gitterkonstante zur Verfügung steht
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe bei einem Einkristall eingangs erwähnter Art dadurch gelöst, daß der Granat der Zusammensetzung
A3 1+, BJ+Ga5-!, Cr O12
entspricht, worin
A = Gadolinium, Samarium oder Neodym,
B= Kalzium, Strontium oder Magnesium,
C = Zirkon oder Zinn und 0,2 < x< 0,8 ist.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß man bei Gadolinium/Samarium/Neodym-Gallium-Granaten durch gekoppelten Ersatz der Kationen im Granatgitter durch kleinere oder größere 2- und 4wertige bzw. 1- und 5wertige Kationen zu einer linearen Vergrößerung oder Verkleinerung der Gitterkonstante ao kommen kann. Dies ist in der Figur für die Verbindung GdJ-^Ca1Ga5-JrZr1Oi2 dargestellt, in der die Gitterkonstante ao über der Konzentration χ von Ca2+ bzw. Zr4+ dargestellt ist. Hieraus geht hervor, daß die Gitterkonstante ao linear von 12,382 A für Gd3Ca5Oj2 bis zu 12,513 für Gd212CaCgGa^ZrOaOi2 ansteigt. Die zuletzt genannte Zusammensetzung bildet den Grenzmischkristall. Höhere Ca/Zr-Gehalte lassen sich praktisch nicht in das Gitter einbauen.
Für die technische Verwendung dieser Mischeinkristalle als Substrat ist es wichtig, daß bei der Züchtung die Zusammensetzung und damit die Gitterkonstante der Kristalle zwischen Wachstumsbeginn und Wachstumsende nahezu gleich ist Dies ist nur dann zu erreichen, wenn der Verteilungskoeffizient zwischen Kristall und Schmelze eins oder nahezu eins ist Unterhalb von *=0,2 in der obigen Formel ist der Verteilungskoeffizient so gering, daß die Ausbeute an
brauchbaren Substrateinkristallscheiben für die Praxis zu klein ist.
Durch geeignete Auswahl der Konzentration der Mischpartner ist es jedoch möglich, einen Verteilungskoeffizienten von 1 oder nahezu 1 zu erreichen. Gute Werte lassen sich insbesondere bei Ca/Zr-Einbau erzielen, wenn in der Formel 0,3 S x£ 0,5 ist
Die Erfindung wird nunmehr anhand einiger Ausführungsbeispiele näher erläutert
Beispiel 1
io
Züchtung eines
Die Ausgangssubstanzen (159,9 g Gd2O3, 151,3 g Ga2O3,22,0 g CaCO3 und 26,6 g ZrO2) werden gemischt, in Zylinderform gepreßt und bei 14000C in O2-Atmosphäre geglüht Anschließend wird der Sinterkörper in einem induktiv beheizten Iridiumtiegel bei ca. 1800° C in e'ner abgeschlossenen Kristallziehapparatur geschmolzen. Durch die Apparatur wird ein Gasgemisch bestehend aus 99% Stickstoff und 1% Sauerstoff geleitet Als Impfkristall dient ein zylinderförmiger Einkristallstab aus Gadolinium-Gallium-Granat Der Ziehprozeß wird in bekannter Weise nach dem Czochralski-Verfahren durchgeführt. Die Ziehgeschwindigkeit beträgt 2,5 mm/h, die Rotationsgeschwindigkeit 40 U/min. Die Kristalle haben eine Länge von
Tabelle
100 mm und einen Durchmesser
Gitterkonstante a0 beträgt 12,477 A.
Beispiel 2
Züchtung eines Sm2^Sr
von 22 mm. Ihre
Als Ausgangssubstanzen wurden 74,46 g Sm2O3, 4,12 g SrCO3, 3,76 g ZrO2 und 68,62 g Ga2O3 benutzt Vorbereitung und Durchführung der Züchtung erfolgte nach dem gleichen Verfahren -wie im ersten Ausführungsbeispiel. Die Gitterkonstante ao des so gezüchteten Einkristalls beträgt 12,460 A.
In der nachfolgenden Tabelle sind die Gitterkonstanten ao von Gallium-Granaten der Zusammensetzung
15 in Abhängigkeit vom Wirtgitter, der Gastphase und ihrer Konzentration angegeben.
A3+ B2+ C4+ χ 0,2 0,4 0,6 0,8
0,0 12,372 12,368 12,365 12,362
Gd Mg Zr 12,414 12,444 12,477 12,513
Ca Zr 12,382 12,420 12,465 - -
Sr Zr 12,460 12,498 12,510 12,535
Sm Ca Zr 12,460 12,516 - -
Sr Zr 12,439 12,455 12,506 - -
Sr Sn 12,525 12,545 12,565 -
Nd Ca Zr 12,533 12,569 - -
Sr Zr 12,506 12,520 12,535 - —
Ca Sn
Die Einkristalle nach der Erfindung eignen sich insbesondere als Substrat für epitaktische magnetische Granatschichten für magneto-optische Informationsspeicher oder Displays.
Zur Herstellung der magnetischen Granatschichten (Speicherschichten) werden nach bekannter Technik (vgl. Appl. Phys. Lett 19 (1971), S. 486-488, und Journal of Cryst. Growth 17 (1972), S. 322—328) unmagnetische Substrateinkristallscheiben nach der Erfindung, z. B. aus Gd2.4Cao,6Ga4.4Zro,60i2, in eine schmelzflüssige Lösung getaucht und nach dem Flüssigphasen-Epitaxieprozeß Granatschichten z. B. der Zusammensetzung (GdBi)3(FeAlGa)SOi2 von etwa 5 μΐη Dicke aufgewachsen.
Für die Anwendung als magneto-optisches Speichermaterial werden diese Granatschichten strukturiert, so daß isolierte quadratische Inseln mit einer Kantenlänge von z. B. 10 μπι entstehen. Zum Einschreiben der Information werden diese quadratischen Inseln mit einem Laserstrahl angesteuert; infolge der damit verbundenen Erwärmung der Schicht wird unter gleichzeitiger Einwirkung eines äußeren magnetischen Schaltfeldes die Richtung der Magnetisierung in diesen Inseln umgepolt (vgl. Appl. Phys. Lett. 20 (1972), S.
451 -453, und P'hys. stat. sol. (a) 17 (I973). S. 175-179).
Die beim Auslesen des Informationszustandes eines
magneto-optischen Speichers angewandte Technik ( = Nutzbarmachung des magneto-optischen Faraday-Effektes) kann natürlich auch für optische Displaysysteme nutzbar gemacht werden. So ist ein Magnetblasendisplay vom Projektionstyp bekannt (vgl. IEEE Trans. MAG-7 (1971), S. 370 bis 373), bei dem ebenfalls zur Erhöhung des Bildkontrastes eine beträchtliche Substitution von z. B. Selten-Erdion pro Forme'.einheit durch Wismut erforderlich ist, was die bereits beschriebenen Probleme mit sich bringt und die Notwendigkeit eines Subrtrates mit erhöhter Gitterkonstante und geringer optischer Absorption im sichtbaren Spektralbereich bedingt.
eo
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Einkristall auf der Basis von Gadolinium/Samarium/Neodym-Gallium-Granat, dadurch gekennzeichnet, daß der Granat der Zusammensetzung
entspricht, worin
A = Gadolinium, Samarium oder Neodym,
B = Kalzium, Strontium oder Magnesium,
C= Zirkon oder Zinn und 0,2 SxS 0,8 ist
DE2434251A 1974-07-17 1974-07-17 Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat Expired DE2434251C2 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2434251A DE2434251C2 (de) 1974-07-17 1974-07-17 Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat
GB29416/75A GB1498745A (en) 1974-07-17 1975-07-14 Single crystal on the basis of gallium garnet
CH918575A CH613384A5 (en) 1974-07-17 1975-07-14 Single crystal on the basis of gallium garnet
JP8662375A JPS5632276B2 (de) 1974-07-17 1975-07-15
FR7522223A FR2278632A1 (fr) 1974-07-17 1975-07-16 Monocristal sur la base de grenat de gallium
US05/613,855 US3959006A (en) 1974-07-17 1975-09-16 Asphalt cement and concrete compositions

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2434251A DE2434251C2 (de) 1974-07-17 1974-07-17 Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2434251A1 DE2434251A1 (de) 1976-01-29
DE2434251C2 true DE2434251C2 (de) 1982-08-26

Family

ID=5920736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2434251A Expired DE2434251C2 (de) 1974-07-17 1974-07-17 Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3959006A (de)
JP (1) JPS5632276B2 (de)
CH (1) CH613384A5 (de)
DE (1) DE2434251C2 (de)
FR (1) FR2278632A1 (de)
GB (1) GB1498745A (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1080589A (en) * 1976-06-24 1980-07-01 Union Carbide Corporation Method for producing single crystal gadolinium gallium
US4199396A (en) * 1976-06-24 1980-04-22 Union Carbide Corporation Method for producing single crystal gadolinium gallium garnet
US4202930A (en) * 1978-02-10 1980-05-13 Allied Chemical Corporation Lanthanum indium gallium garnets
JPS54132257A (en) * 1978-04-01 1979-10-15 Shiino Shiyokuhin Kk Production of low salt ume
US4243697A (en) * 1979-03-14 1981-01-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Self biased ferrite resonators
EP0023063B1 (de) * 1979-07-12 1982-10-13 Philips Patentverwaltung GmbH Einkristall auf der Basis von Seltenerdmetall-Gallium-Granat und magnetische Dünnschichtanordnung mit einem monokristallinen Granat-Substrat
DE3008706A1 (de) * 1980-03-07 1981-09-24 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Einkristall auf der basis von seltenerdmetall-gallium-granat
JPS5642311A (en) * 1979-09-17 1981-04-20 Hitachi Ltd Garnet film for magnetic bubble
US4355072A (en) * 1980-02-12 1982-10-19 U.S. Philips Corporation Magnetic hexagonal ferrite layer on a nonmagnetic hexagonal mixed crystal substrate
US5302559A (en) * 1989-02-17 1994-04-12 U.S. Philips Corporation Mixed crystals of doped rare earth gallium garnet
DE3904868A1 (de) * 1989-02-17 1990-08-23 Philips Patentverwaltung Verfahren zur zuechtung von mischkristallen aus schmelzen oxidischer vielstoffsysteme
JPH03183698A (ja) * 1989-09-26 1991-08-09 Komatsu Ltd 酸化物単結晶基板およびこれを用いた超伝導体装置およびその製造方法
CN1084399C (zh) * 1998-05-14 2002-05-08 中国科学技术大学 化合物r2mb10o19非线性光学晶体及其制法和用途
US7644500B2 (en) * 2006-01-17 2010-01-12 Federal-Mogul World Wide, Inc. Method of setting the pre-load for a ball socket joint

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3123487A (en) * 1964-03-03 process for dispersing carbon black particles
US2699381A (en) * 1953-08-28 1955-01-11 Phillips Petroleum Co Oil pelleting of carbon black
US2960413A (en) * 1957-08-22 1960-11-15 J M Huber Company Carbon pellets for news ink manufacture
US3239361A (en) * 1961-10-02 1966-03-08 Standard Oil Co Bituminous pavement
US3235483A (en) * 1963-04-24 1966-02-15 Texaco Inc Method of granulating asphaltic materials
US3340080A (en) * 1964-06-01 1967-09-05 Phillips Petroleum Co Production of oil-impregnated carbon black
US3330673A (en) * 1965-08-20 1967-07-11 Huber Corp J M Method of preparing news inks and the like
US3779964A (en) * 1971-10-08 1973-12-18 Phillips Petroleum Co Asphalt rubberizing compositions

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT

Also Published As

Publication number Publication date
DE2434251A1 (de) 1976-01-29
JPS5632276B2 (de) 1981-07-27
US3959006A (en) 1976-05-25
GB1498745A (en) 1978-01-25
FR2278632A1 (fr) 1976-02-13
JPS5134900A (de) 1976-03-24
CH613384A5 (en) 1979-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2434251C2 (de) Einkristall auf der Basis von Gallium- Granat
DE2347065A1 (de) Vorrichtung mit einem magnetooptischen modulator
EP0033990B1 (de) Magnetische Anordnung
DE2643793A1 (de) Verfahren zum zuechten monokristalliner epitaktischer schichten aus seltene erde eisen-granat-werkstoffen
DE3607346A1 (de) Magneto-optisches lichtschaltelement und verfahren zu seiner herstellung
DE2829552A1 (de) Epitaxialwachstum von m-typ-hexagonalferritschichten auf spinellsubstraten und dessen erzeugnis
EP0023063B1 (de) Einkristall auf der Basis von Seltenerdmetall-Gallium-Granat und magnetische Dünnschichtanordnung mit einem monokristallinen Granat-Substrat
DE3111657C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetschichten auf Substraten mit Granatstruktur
DE2240044A1 (de) Verfahren zum zuechten synthetischer granate
DE2726744C3 (de) Einkristallines Substrat aus Calcium-Gallium-Granat sowie mit diesem hergestellte magnetische Blasendomänenanordnung
DE60105228T2 (de) Material für mit Wismut substituierte Granat-Dickschicht und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE2447509A1 (de) Magnetischer blasenspeicher und granatschichten fuer blasenspeicher
EP0170309A1 (de) Einkristall auf Basis von Seltenerdmetall-Gallium-Granat
DE3008706C2 (de)
DE2252715C3 (de) Optisch transparente Einkristallscheibe aus substituiertem Eisen-Granat und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2349348C2 (de) Verfahren zum Züchten einer einkristallinen, wismutdotierten Yttrium- oder Seltenerdmetall-Eisen-Granatschicht
DE2217301C3 (de) Verfahren zum epitaktischen Aufwachsen kristallisierbaren Materials
DE3005219C2 (de) Hexagonaler Mischkristall der allgemeinen Formel A&amp;uarr;2&amp;uarr;&amp;uarr;+&amp;uarr;&amp;darr;1&amp;darr;&amp;darr;+&amp;darr;&amp;darr;y&amp;darr;Ga&amp;darr;1&amp;darr;&amp;darr;2&amp;darr;&amp;darr;-&amp;darr;&amp;darr;2&amp;darr;&amp;darr;x&amp;darr;&amp;darr;-&amp;darr;&amp;darr;y&amp;darr;B&amp;uarr;2&amp;uarr;&amp;uarr;+&amp;uarr;&amp;darr;x&amp;darr;C&amp;uarr;4&amp;uarr;&amp;uarr;+&amp;uarr;&amp;darr;x&amp;darr;O&amp;darr;1&amp;darr;&amp;darr;9&amp;darr;
DE2928176A1 (de) Einkristall auf der basis von seltenerdmetall-gallium-granat
EP0383400B1 (de) Verfahren zur Züchtung von Mischkristallen aus Schmelzen oxidischer Vielstoffsysteme
DE3607345A1 (de) Magneto-optisches lichtschaltelement und verfahren zu seiner herstellung
DE19922784B4 (de) Verfahren zur Herstellung magnetischer Granat-Einkristallfilme mit niedrigem Bleigehalt und magnetostatische Wellenvorrichtung
DE2232902A1 (de) Magnetische granat-einkristallschicht
DE3011037A1 (de) Magnetische blasendomaenenstruktur und magnetische blasendomaenenanordnung
DE3048701A1 (de) &#34;magnetblasenvorrichtung auf granatbasis&#34;

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8339 Ceased/non-payment of the annual fee