JP2008143738A - 磁性ガーネット単結晶及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 124
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 94
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 57
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 37
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 35
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 32
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 13
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 11
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 49
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 19
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 16
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 7
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 M1 2 O 3 Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 208000011117 substance-related disease Diseases 0.000 description 1
Images
Abstract
【課題】鉛フリーの磁性ガーネット単結晶において、光吸収が小さく且つ膜厚を２００μｍ以上にでき、光通信におけるファラデー回転子等に用いることができるように４５°損失を０．１ｄＢ以下に低減できるようにする。
【解決手段】ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ１２で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つｚ／ｙ≧４、ｚ／ｖ≧０．３である。
【選択図】図２
【解決手段】ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ１２で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つｚ／ｙ≧４、ｚ／ｖ≧０．３である。
【選択図】図２
Description
本発明は、液相エピタキシャル成長法（以下、「ＬＰＥ法」と略記する）により育成される鉛フリーで、吸収が小さく、且つ膜厚が２００μｍ以上の磁性ガーネット単結晶に関し、更に詳しく述べると、フラックス成分に酸化鉛を用いず、酸化ビスマスと炭酸ナトリウムを用いて育成した磁性ガーネット単結晶に関するものである。この磁性ガーネット単結晶は、例えば光通信における光アイソレータ、光アッテネータ等のファラデー回転子として有用である。
光通信等における光アイソレータや光アッテネータなどに組み込まれるファラデー回転子には、一般にＬＰＥ法により育成した磁性ガーネット単結晶が使用されている。ＬＰＥ法は、周知のように、原料を坩堝に投入して溶融し、そのメルト（融液）に育成用基板を接触させて単結晶をエピタキシャル成長させる技術である。従来、ＬＰＥ法で用いるメルトには、フラックスとして酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、及び酸化硼素（Ｂ2 Ｏ3 ）が使われてきた。このため、育成した磁性ガーネット単結晶中に少量ながら鉛が混入することは避けられない。
しかし、近年の環境保護運動の高まりにより、環境負荷の大きな鉛を製品から極力除外する傾向が強くなっている。磁性ガーネット単結晶中への鉛の混入を無くすためには、鉛を含まないメルトからの磁性ガーネット単結晶の育成が必要となる。
かつては（１９７０年代頃）、バブルメモリ用の磁性ガーネット単結晶において、吸収低減のために、鉛を使わないメルトからの育成が数多く研究されていた。例えば特許文献１では、酸化ビスマスを主体とするメルトにカリウム等のアルカリ金属の酸化物を加えることにより成長温度と表面張力を下げ、磁性ガーネット単結晶を育成する技術が開示されている。この技術は、バブルメモリ用ということもあって、その膜厚は最大でも６．８μｍ程度である。しかし、光アイソレータや光アッテネータなどに組み込まれるファラデー回転子の場合には、必要なファラデー回転角を得るために２００μｍ以上の膜厚が必要であり、このような技術では対応できない。
ところで、ファラデー回転子などに用いる磁性ガーネット単結晶は、２００μｍ以上の膜厚が必要なことの他に、光吸収をできる限り小さく（具体的には、例えば４５°ファラデー回転を生じる膜厚で換算したときの挿入損失（以下、「４５°損失」と略記する）を低減する（具体的には０．１ｄＢ以下にする）ことが肝要である。従来の鉛含有メルトから磁性ガーネット単結晶を育成する際、原料を溶融する坩堝には、通常、耐熱性並びに耐食性等の観点から、白金が用いられている。この場合、育成した磁性ガーネット単結晶には、メルト中の鉛の他、坩堝材料である白金も微少量混入する。そして、結晶中に混入した２価の鉛と４価の白金が光吸収を引き起こし、それらに誘発された２価または４価の鉄が吸収を増大するとされている。ガーネット単結晶は３価が安定なため、２価の不純物が過剰な場合には４価の添加物で電荷補償し、４価の不純物が過剰な場合には２価の添加物で電荷補償することが行われている。しかし、白金坩堝を使用し、鉛は含まずナトリウムを含むフラックスにより育成した磁性ガーネット単結晶は、１価のＮａと４価のＰｔが共存することになり、従来の電荷補償の考え方を踏襲したのでは光吸収を低減することはできない。
最近、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＮａＯＨをフラックスとするメルトから、膜厚５００μｍ程度の磁性ガーネット単結晶を育成する技術が提案された（特許文献２参照）。それによれば、ファラデー回転子に用いられる磁性ガーネット単結晶に含まれる鉛量を削減し、あるいは完全に除去できるとされている。しかし、ここでは、坩堝や攪拌用治具の構成材料として主に金が用いられており、その場合、結晶内には４価のＰｔは混入しないため、本質的にそれによる吸収は生じない。しかし、耐熱性、及び機械的強度などの観点から、ＬＰＥ法においては専ら白金坩堝が用いられており、金坩堝を用いることは稀である。
特許第１１５３４７８号公報
特開２００６−１６９０９３号公報
本発明が解決しようとする課題は、鉛フリーの磁性ガーネット単結晶において、光吸収が小さく且つ膜厚を２００μｍ以上にでき、光通信におけるファラデー回転子等に用いることができるように４５°損失を０．１ｄＢ以下に低減できるようにすることである。本発明が解決しようとする他の課題は、そのような磁性ガーネット単結晶を欠陥や亀裂を少なく品質の良好な状態で製造できるようにすることである。
本発明者等は、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｎａ2 ＣＯ3 フラックスから育成したガーネット単結晶の４５°損失を調べたところ、３ｄＢ以上の大きな値であった。従来の鉛フラックスの場合は、２価の鉛と４価の白金の電荷バランスが吸収に影響していたことからすると、鉛フリーのＢｉ2 Ｏ3 −Ｎａ2 ＣＯ3 フラックスを用いてＬＰＥ法により作製した磁性ガーネット単結晶の場合は、１価のナトリウムと４価の白金の電荷バランスが吸収に影響を及ぼしていると推測される。
電荷バランスを調整するためには原料中のＮａ2 ＣＯ3 量を増減すればよいと考えられる。そこで、Ｎａ2 ＣＯ3 濃度と育成温度と白金含有量の関係を調査したところ、図１に示す関係が得られた。図１における４種類の結晶の具体的な作製方法は、後の実施例１−４で詳述する。図１より、原料中のＮａ2 ＣＯ3 濃度を増加すると育成温度が下がり、白金含有量が増えることが分かる。このことは、１価のＮａを増やそうとすると４価のＰｔも増えてしまい、結果として電荷バランスの調整が困難であることを示している。
ところが、図１に示す４種の結晶について、原料に適量のＣａＯを加えると、吸収が低減する現象が生じた。ＣａＯ添加量と吸収の関係を図２に示す。ＣａＯ無添加状態では、１価のＮａと４価のＰｔの電荷バランスは４価のＰｔが支配的であるが、２価のＣａが混入すると、それによって電荷バランスが補償される。このことから、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｎａ2 ＣＯ3 フラックスから育成されるガーネット単結晶の挿入損失低減には、ＣａＯの適量添加が有効であることが見出された。本発明は、このように１価のＮａと４価のＰｔ存在下でのＣａＯの適量添加が吸収の低減に有効であることの知得に基づき完成されたものである。
即ち本発明は、ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ12で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される少なくとも１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つｚ／ｙ≧４、ｚ／ｖ≧０．３であることを特徴とする磁性ガーネット単結晶である。
また本発明は、ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ12で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つ４≦ｚ／ｙ≦１０、０．３５＜ｚ／ｖ＜０．４５であることを特徴とする磁性ガーネット単結晶である。この組成の磁性ガーネット単結晶は、ＬＰＥ法で育成したままの状態（ａｓ−ｇｒｏｗｎ）で４５°損失は０．１ｄＢ以下である。
前記組成の磁性ガーネット単結晶において、ｚ／ｙ＞１０である場合には、ＬＰＥ法で育成した磁性ガーネット単結晶を、不活性ガスに体積濃度２％以上４％以下の水素を含むガス中で、２５０℃以上５５０℃以下、２時間以上５時間以下、加熱することで還元処理する。これによって、４５°損失は０．１ｄＢ以下となる。
これらの磁性ガーネット単結晶において、Ｍ１として典型的なものはＹ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｙｂから選択される１種類以上の元素、Ｍ２として典型的なものはＧａ，Ａｌから選択される１種類以上の元素である。
本発明方法は、このような磁性ガーネット単結晶をＬＰＥ法により育成する方法であって、メルト原料を溶解する坩堝は白金製とし、メルト原料中のフラックス成分に酸化ビスマスと炭酸ナトリウムを用いる。具体的には、メルト原料にＢｉ2 Ｏ3 ，Ｎａ2 ＣＯ3 ，ＣａＯ，Ｍ１2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 を用い、各メルト原料の構成比率は、Ｎａ2 ＣＯ3 の重量濃度が１％以上４％未満、Ｍ１2 Ｏ3 とＦｅ2 Ｏ3 とＭ２2 Ｏ3 の合計量の全メルト原料に対するモル濃度比が０．１２以上０．１７未満、且つＦｅ2 Ｏ3 とＭ２2 Ｏ3 の合計量が、Ｍ１２Ｏ３に対してモル濃度比で１５より大きく２５より小さく設定する。このようにすると、膜厚が２００μｍ以上の良好な単結晶が得られる。
本発明は、鉛フリーメルトとして炭酸ナトリウムと酸化ビスマスをフラックスとして用いたＬＰＥ法による磁性ガーネット単結晶であり、１価のＮａと４価のＰｔ存在下でＣａＯを適量添加していることにより、４５°損失を０．１ｄＢ以下まで低減することができる。また、ＣａＯ過剰添加膜では、適切な還元処理を施すことにより、同様に、４５°損失を０．１ｄＢ以下まで低減することができる。
更に本発明は、鉛フリーメルトとして炭酸ナトリウムと酸化ビスマスをフラックスとして用いるＬＰＥ法による磁性ガーネット単結晶の製造方法であり、Ｎａ2 ＣＯ3 の重量濃度、Ｍ１2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 の合計量の全メルトに対するモル濃度（これをＲ４と記す）、及びＭ１2 Ｏ3 に対するＦｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 の合計量のモル比（これをＲ１と記す）を適切な範囲に設定することにより、膜厚が２００μｍ以上で且つ欠陥や亀裂の少ない磁性ガーネット単結晶を育成することが可能となる。
このようにして本発明では、吸収を低減でき、且つ良質な厚膜を育成でき、それによって、光通信用のファラデー回転子などに有用で、ＲｏＨＳ（ＥＵで施行された有害物質使用制限）規定に対応した鉛フリーの磁性ガーネット単結晶の実用化が可能となる。
本発明の典型例は、ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ12で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つ４≦ｚ／ｙ≦１０、０．３５＜ｚ／ｖ＜０．４５である磁性ガーネット単結晶である。この組成の磁性ガーネット単結晶は、ＬＰＥ法で育成したままの状態（ａｓ−ｇｒｏｗｎ）で４５°損失は０．１ｄＢ以下である。
本発明の他の例は、ＬＰＥ法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ12で表され、Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つｚ／ｙ＞１０、ｚ／ｖ≧０．３である磁性ガーネット単結晶である。この組成の場合には、ＬＰＥ法で育成した磁性ガーネット単結晶を、不活性ガスに体積濃度２％以上４％以下の水素を含むガス中で、２５０℃以上５５０℃以下、２時間以上５時間以下、加熱することで還元処理する。これによって４５°損失は０．１ｄＢ以下となる。
これらの磁性ガーネット単結晶において、Ｍ１として典型的なものはＹ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｙｂから選択される１種類以上の元素、Ｍ２として典型的なものはＧａ，Ａｌから選択される１種類以上の元素である。
結晶中のビスマス量はファラデー回転係数に影響を与え、ビスマスが多いほどファラデー回転係数は大きくなる。しかし、ビスマス量ｘが１．５を超えると厚膜の欠陥、亀裂が増え、逆に、ｘが０．８以下では波長１．５５μｍにおける４５°回転に必要な磁性ガーネット単結晶の厚みが５００μｍを超えてしまい、必要膜厚の増大は育成時間の増大や欠陥、亀裂の増大に繋がり不適切である。このことからビスマス量ｘは、０．８＜ｘ≦１．５とする。
鉄サイトに置換されるアルミニウム、ガリウム、インジウムなどの元素は非磁性であるから、鉄と置換することによりファラデー回転係数が小さくなり、４５°回転に必要な膜厚が厚くなる。これらの元素の量ｗを０＜ｗ≦１．５などとするのは、これら置換量ｗが１．５を超えると４５°回転に必要な磁性ガーネット単結晶の厚みが５００μｍを超えてしまうからである。ナトリウムｙ、カルシウムｚ、白金ｖが、０＜ｙ＜０．０２，０．０１＜ｚ＜０．１，０．０３＜ｖ＜０．５となる組成とするのは、その範囲にすることで、またｚ／ｙ＞１０となるカルシウム過剰添加膜については、育成後、還元処理を追加することによって４５°損失を０．１ｄＢ以下にできるからである。
本発明において、Ｃａの過不足をＮａとの比（ｚ／ｙ）及びＰｔとの比（ｚ／ｖ）で規定しているのは、Ｃａ添加によりＮａが減少し、Ｐｔが増加するからである。単純に電荷補償という観点からすると、１価のＮａ量ｙと２価のＣａ量ｚの合計量と４価の白金量ｖの関係でＣａの過不足が規定できる（３価を基準とした電荷バランスがゼロになる場合、言い換えれば吸収が最小になるときはｖ＝２ｙ＋ｚの関係にある）と考えられる。しかし実際はそうはならない。電荷補償効果により、２価のＣａ増加により４価のＰｔも増加する。また２価のＣａと１価のＮａが共に３価未満であること、Ｃサイトに置換されることから競合するためＣａ増加によりＮａが減少する。このような相関関係があるため、結晶中の量をｚ／ｙ及びｚ／ｖで規定している。ＬＰＥ育成したままの状態で４５°損失を小さくするには、４＜ｚ／ｙ≦１０、０．３５＜ｚ／ｖ＜０．４５とする。育成後、還元処理を追加する場合には、ｚ／ｙ＞１０、ｚ／ｖ≧０．３とする。
このような磁性ガーネット単結晶をＬＰＥ法により育成するには、メルト原料を溶解する坩堝は白金製とし、メルト原料中のフラックス成分に酸化ビスマスと炭酸ナトリウムを用いる。典型的には、メルト原料にＢｉ2 Ｏ3 ，Ｎａ2 ＣＯ3 ，ＣａＯ，Ｍ１2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 を用い、各メルト原料の構成比率は、Ｎａ2 ＣＯ3 の重量濃度が１％以上４％未満、Ｍ１2 Ｏ3 とＦｅ2 Ｏ3 とＭ２2 Ｏ3 の合計量の全メルト原料に対するモル濃度比が０．１２以上０．１７未満、且つＦｅ2 Ｏ3 とＭ２2 Ｏ3 の合計量が、Ｍ１2 Ｏ3 に対してモル濃度比で１５より大きく２５より小さくする。このようにすると、膜厚が２００μｍ以上の良好な単結晶が得られる。
ここで、炭酸ナトリウムはメルトの粘性を低下させる働きがあり、２００μｍ以上の厚膜育成には不可欠である。但し、原料中の炭酸ナトリウムが１ｗｔ％未満では、メルトの粘性が十分に低下せず、育成中に適切な溶液の流れができないため、育成した結晶表面に凹凸と縦横無尽に小さな亀裂が生じる。逆に、炭酸ナトリウムを多くするとメルトの粘性と成長温度（育成される結晶の格子定数が基板の格子定数と合う温度、またはその温度付近）が下がる傾向があり、析出が生じ易くなる傾向がみられ、育成中の析出によるメルト中のガーネット成分の減少により成長速度が著しく低下する。これらのことから、原料中の炭酸ナトリウム濃度は１．０ｗｔ以上４．０ｗｔ％未満とする。更に、１．５５μｍ波長帯の使用も考慮した場合に必要な育成膜厚４５０μｍを育成時間が６０時間以内にするためには１．０ｗｔ以上２．１ｗｔ％以下が好ましい。
炭酸ナトリウム濃度によって成長温度が変わる。その場合、過飽和度（飽和温度−成長温度）を適当に保つためには、Ｍ１2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 の合計量の全メルトに対するモル濃度（Ｒ４）を調整する必要がある。炭酸ナトリウム濃度が薄く育成温度が高い領域ではＲ４を大きくし、炭酸ナトリウム濃度が濃く育成温度が低い領域では、Ｒ４を小さくする。炭酸ナトリム濃度が１．０ｗｔ以上４．０ｗｔ％未満では、Ｒ４は１２％以上１７％未満が適切な範囲である。この範囲より大きいと育成された結晶表面の凹凸が大きく、またこの範囲より小さいと成長速度が小さくなる。また、Ｍ１2 Ｏ3 に対するＦｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 の合計量のモル比（Ｒ１）は１５より大きく、且つ２５より小さい範囲とする。１５以下では、ガーネット以外の異相が析出し、ガーネット単結晶の成長を阻害するし、また２５以上では上記の炭酸ナトリウムとＲ４の範囲では結晶が成長しなかったからである。なかでもＲ１＝２０付近が特に好ましい。
原料の各元素の比率を上記に限定することで、膜厚が２００μｍ以上で且つ欠陥や亀裂が少なく、４５°損失が小さい（０．１ｄＢ以下）磁性ガーネット単結晶を育成することが可能となる。
〔実施例１〕
表１に記載した原料を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。その後、８２０℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数１．２４９６±０．０００３ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を４０ｒｐｍで回転させながら４０時間育成した。得られた結晶は膜厚５５０μｍであった。この結晶のＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ）分析法による組成分析結果は次の通りである。
・試料１−１（ＣａＯ／Ｆｅ２ Ｏ３ ＝０）：参考例
Ｂｉ1.296Ｎａ0.007Ｔｂ1.006Ｙ0.681Ｆｅ4.196Ｐｔ0.039Ｇａ0.776Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍでの光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．５°、挿入損失は３．０３ｄＢであり、これより、４５°損失は３．００ｄＢであった。
・試料１−１（ＣａＯ／Ｆｅ２ Ｏ３ ＝０）：参考例
Ｂｉ1.296Ｎａ0.007Ｔｂ1.006Ｙ0.681Ｆｅ4.196Ｐｔ0.039Ｇａ0.776Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍでの光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．５°、挿入損失は３．０３ｄＢであり、これより、４５°損失は３．００ｄＢであった。
次に、表１に記載された原料に、酸化カルシウム（ＣａＯ）を、酸化鉄とのモル比ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．００１になる量である０．０１９ｇ追加して、同様に磁性ガーネット結晶を育成し、加工、反射防止膜の蒸着を行い、光学特性（ファラデー回転角と挿入損失）の測定を行って４５°損失を算出した。同様の作業を、酸化カルシウムがＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 モル比が０．０１４まで０．００１間隔で追加したメルトを作製して、繰り返した。
ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．００３のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は０．０５ｄＢであった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料１−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．００３）：
Ｂｉ1.290Ｎａ0.002Ｃａ0.020Ｔｂ1.004Ｙ0.677Ｆｅ4.185Ｐｔ0.052Ｇａ0.770Ｏ12
・試料１−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．００３）：
Ｂｉ1.290Ｎａ0.002Ｃａ0.020Ｔｂ1.004Ｙ0.677Ｆｅ4.185Ｐｔ0.052Ｇａ0.770Ｏ12
ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０１４のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は１６．４０ｄＢと大きい値であった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料１−３（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１４）：
Ｂｉ1.288Ｎａ0.001Ｃａ0.041Ｔｂ1.003Ｙ0.673Ｆｅ4.177Ｐｔ0.056Ｇａ0.762Ｏ12
４５°損失が１６．４０ｄＢと大きい値であったため、反射防止膜蒸着前まで加工したチップを還元処理した。雰囲気は水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガスであり、４００℃で３時間加熱した。その後、反射防止膜を蒸着して光学特性を測定した結果、４５°損失は０．０５ｄＢに低減された。
・試料１−３（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１４）：
Ｂｉ1.288Ｎａ0.001Ｃａ0.041Ｔｂ1.003Ｙ0.673Ｆｅ4.177Ｐｔ0.056Ｇａ0.762Ｏ12
４５°損失が１６．４０ｄＢと大きい値であったため、反射防止膜蒸着前まで加工したチップを還元処理した。雰囲気は水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガスであり、４００℃で３時間加熱した。その後、反射防止膜を蒸着して光学特性を測定した結果、４５°損失は０．０５ｄＢに低減された。
〔実施例２〕
表２に記載した原料を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。その後、７９０℃まで降温し、白金ホルダに保持した格子定数１．２４９６ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、基板を４０ｒｐｍで回転させながら４２時間育成した。得られた結晶は膜厚５０５μｍであった。この結晶のＩＣＰ分析法による組成分析結果は次の通りである。
・試料２−１（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０）：参考例
Ｂｉ1.280Ｎａ0.019Ｔｂ1.013Ｙ0.680Ｆｅ4.111Ｐｔ0.070Ｇａ0.823Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍで光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．２°、挿入損失は３．９２ｄＢであり、これより４５°損失は３．９０ｄＢであった。
・試料２−１（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０）：参考例
Ｂｉ1.280Ｎａ0.019Ｔｂ1.013Ｙ0.680Ｆｅ4.111Ｐｔ0.070Ｇａ0.823Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍで光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．２°、挿入損失は３．９２ｄＢであり、これより４５°損失は３．９０ｄＢであった。
次に、実施例１と同様に酸化カルシウムを追加した原料を作製し、磁性ガーネット単結晶を作製した。ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０１０のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は０．０５ｄＢであった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料２−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）：
Ｂｉ1.302Ｎａ0.003Ｃａ0.030Ｔｂ1.017Ｙ0.665Ｆｅ4.113Ｐｔ0.076Ｇａ0.795Ｏ12
・試料２−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）：
Ｂｉ1.302Ｎａ0.003Ｃａ0.030Ｔｂ1.017Ｙ0.665Ｆｅ4.113Ｐｔ0.076Ｇａ0.795Ｏ12
また、ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０１４のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は１．７０ｄＢと大きい値であった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料２−３（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１４）：
Ｂｉ1.293Ｎａ0.001Ｃａ0.046Ｔｂ1.019Ｙ0.658Ｆｅ4.093Ｐｔ0.086Ｇａ0.804Ｏ12
４５°損失が１．７０ｄＢと比較的大きい値であったため、反射防止膜蒸着前まで加工したチップを還元処理した。雰囲気は水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガスであり、３００℃で３時間加熱した。その後、反射防止膜を蒸着して光学特性を測定した結果、４５°損失は０．０３ｄＢに低減された。
・試料２−３（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１４）：
Ｂｉ1.293Ｎａ0.001Ｃａ0.046Ｔｂ1.019Ｙ0.658Ｆｅ4.093Ｐｔ0.086Ｇａ0.804Ｏ12
４５°損失が１．７０ｄＢと比較的大きい値であったため、反射防止膜蒸着前まで加工したチップを還元処理した。雰囲気は水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガスであり、３００℃で３時間加熱した。その後、反射防止膜を蒸着して光学特性を測定した結果、４５°損失は０．０３ｄＢに低減された。
〔実施例３〕
表３に記載した原料を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。その後、７５０℃まで降温し、白金ホルダで保持した格子定数１．２４９６ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、該基板を４０ｒｐｍで回転させながら５２時間育成した。得られた結晶は膜厚５０５μｍであった。この結晶のＩＣＰ分析法による組成分析結果は次の通りである。
・試料３−１（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０）：参考例
Ｂｉ1.211Ｎａ0.030Ｔｂ1.075Ｙ0.691Ｆｅ4.092Ｐｔ0.117Ｇａ0.782Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍで光学特性を測定した。ファラデー回転角は４４．１°、挿入損失は４．４１ｄＢであり、これより４５°損失は４．５０ｄＢであった。
・試料３−１（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０）：参考例
Ｂｉ1.211Ｎａ0.030Ｔｂ1.075Ｙ0.691Ｆｅ4.092Ｐｔ0.117Ｇａ0.782Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍで光学特性を測定した。ファラデー回転角は４４．１°、挿入損失は４．４１ｄＢであり、これより４５°損失は４．５０ｄＢであった。
次に、実施例１と同様に酸化カルシウムを追加した原料を作製し、磁性ガーネット単結晶を作製した。ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０１１のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は０．０５ｄＢであった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料３−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１１）：
Ｂｉ1.165Ｎａ0.007Ｃａ0.046Ｔｂ1.085Ｙ0.681Ｆｅ4.112Ｐｔ0.128Ｇａ0.776Ｏ12
・試料３−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１１）：
Ｂｉ1.165Ｎａ0.007Ｃａ0.046Ｔｂ1.085Ｙ0.681Ｆｅ4.112Ｐｔ0.128Ｇａ0.776Ｏ12
〔実施例４〕
表４に記載した原料を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。その後、７００℃まで降温し、白金ホルダに保持した格子定数１．２４９６ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、基板を４０ｒｐｍで回転させながら７０時間育成した。得られた結晶は膜厚４８０μｍであった。この結晶のＩＣＰ分析法による組成分析結果は次の通りである。
・試料４−１（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０）：参考例
Ｂｉ1.180Ｎａ0.070Ｔｂ1.032Ｙ0.711Ｆｅ4.040Ｐｔ0.170Ｇａ0.796Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍの光学特性を測定した。ファラデー回転角は４３．５°、挿入損失は６．２８ｄＢであり、これより４５°損失は６．５０ｄＢであった。
・試料４−１（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０）：参考例
Ｂｉ1.180Ｎａ0.070Ｔｂ1.032Ｙ0.711Ｆｅ4.040Ｐｔ0.170Ｇａ0.796Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４４０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍの光学特性を測定した。ファラデー回転角は４３．５°、挿入損失は６．２８ｄＢであり、これより４５°損失は６．５０ｄＢであった。
次に、実施例１と同様に酸化カルシウムを追加した原料を作製し、磁性ガーネット単結晶を作製した。ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０１５のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は０．１０ｄＢであった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料４−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）：
Ｂｉ1.202Ｎａ0.015Ｃａ0.073Ｔｂ1.020Ｙ0.701Ｆｅ4.046Ｐｔ0.178Ｇａ0.765Ｏ12
・試料４−２（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）：
Ｂｉ1.202Ｎａ0.015Ｃａ0.073Ｔｂ1.020Ｙ0.701Ｆｅ4.046Ｐｔ0.178Ｇａ0.765Ｏ12
また、ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０２０のメルトから作製した磁性ガーネット単結晶の４５°損失は０．８０ｄＢと大きい値であった。この結晶の組成分析結果は次の通りである。
・試料４−３（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０２０）：
Ｂｉ1.193Ｎａ0.005Ｃａ0.082Ｔｂ1.026Ｙ0.694Ｆｅ4.046Ｐｔ0.180Ｇａ0.774Ｏ12
４５°損失が０．８０ｄＢと比較的大きい値であったため、反射防止膜蒸着前まで加工したチップを還元処理した。雰囲気は水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガスであり、３５０℃で３時間加熱した。その後、反射防止膜を蒸着して光学特性を測定した結果、４５°損失は０．０６ｄＢに低減された。
・試料４−３（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０２０）：
Ｂｉ1.193Ｎａ0.005Ｃａ0.082Ｔｂ1.026Ｙ0.694Ｆｅ4.046Ｐｔ0.180Ｇａ0.774Ｏ12
４５°損失が０．８０ｄＢと比較的大きい値であったため、反射防止膜蒸着前まで加工したチップを還元処理した。雰囲気は水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガスであり、３５０℃で３時間加熱した。その後、反射防止膜を蒸着して光学特性を測定した結果、４５°損失は０．０６ｄＢに低減された。
〔実施例５〕
表５に記載した原料と酸化カルシウム０．１６６ｇ（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。その後、７７０℃まで降温し、白金ホルダに保持した格子定数１．２４９６ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、基板を４０ｒｐｍで回転させながら４８時間育成した。得られた結晶は膜厚５００μｍであった。この結晶のＩＣＰ分析法による組成分析結果は次の通りである。
・試料５（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）：
Ｂｉ1.144Ｎａ0.001Ｃａ0.035Ｔｂ1.822Ｆｅ4.635Ｐｔ0.105Ａｌ0.258Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４２０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍの光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．０°、挿入損失は０．０８ｄＢであり良好な特性であった。
・試料５（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１０）：
Ｂｉ1.144Ｎａ0.001Ｃａ0.035Ｔｂ1.822Ｆｅ4.635Ｐｔ0.105Ａｌ0.258Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、４２０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍの光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．０°、挿入損失は０．０８ｄＢであり良好な特性であった。
〔実施例６〕
表６に記載した原料と酸化カルシウム０．２０８ｇ（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１２）を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。その後、７４０℃まで降温し、白金ホルダに保持した格子定数１．２４９６ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、基板を４０ｒｐｍで回転させながら５２時間育成した。得られた結晶は膜厚４９５μｍであった。この結晶のＩＣＰ分析法による組成分析結果は次の通りである。
・試料６（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１２）：
Ｂｉ1.123Ｎａ0.001Ｃａ0.041Ｔｂ0.502Ｇｄ0.708Ｙｂ0.602Ｆｅ4.892Ｐｔ0.131Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、３７０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍで光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．０°、挿入損失は０．０４ｄＢであり良好な特性であった。
・試料６（ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 ＝０．０１２）：
Ｂｉ1.123Ｎａ0.001Ｃａ0.041Ｔｂ0.502Ｇｄ0.708Ｙｂ0.602Ｆｅ4.892Ｐｔ0.131Ｏ12
この結晶を３ｍｍ角に切断し、研磨により基板を削除して、３７０μｍの厚みで両面鏡面仕上げした。次に、無反射コートを施して波長１．５５μｍで光学特性を測定した。ファラデー回転角は４５．０°、挿入損失は０．０４ｄＢであり良好な特性であった。
〔比較例〕
表７に記載した原料を白金坩堝に入れて９５０℃で２４時間放置した後、同じ９５０℃で３時間攪拌した。このメルトはＮａ2 ＣＯ3 を多量に（６．０３ｗｔ％）含んでいる。その後、６９０℃まで降温し、白金ホルダに保持した格子定数１．２４９６ｎｍ、組成（ＣａＧｄ）3 （ＭｇＺｒＧａ）5 Ｏ12の１インチ育成用基板の片面をメルト表面に接液して、基板を４０ｒｐｍで回転させながら７０時間育成した。得られた結晶は膜厚１８５μｍであり、２００μｍ以上の厚い結晶を育成することができなかった。このことは、Ｎａが入っていればどんなメルト組成でも２００μｍ以上のガーネット結晶が得られる訳ではなく、各成分が特定の比率で存在するときに厚いガーネット単結晶が得られることを意味している。
同じ元素の組み合わせである実施例１〜４を用いて、様々な角度から検討した結果について、まとめて以下に説明する。
図１は、前述したように、Ｎａ2 ＣＯ3 濃度と育成温度と白金含有量の関係を示している。４種類の結晶は、試料１−１，２−１，３−１，４−１で作製したものであり、図中の数値はＮａ2 ＣＯ3 の重量濃度を表している。図１より、原料中のＮａ2 ＣＯ3 濃度を増加すると育成温度が下がり、白金含有量が増える傾向があることが分かる。電荷バランスを調整するためには原料中のＮａ2 ＣＯ3 量を増減すればよいと考えられるが、１価のＮａを増やそうとすると４価のＰｔも増えてしまい、結果として電荷バランスの調整は困難となることが分かる。
これら４種類の結晶について、ＣａＯ添加量と吸収の関係についてプロットしたのが図２である。原料に適量のＣａＯを加えると、吸収が低減する現象が生じる。このことは、ＣａＯ無添加状態では、１価のＮａと４価のＰｔの電荷バランスは４価のＰｔが支配的であるが、２価のＣａが混入すると、それによって電荷バランスが補償されることを示している。このようにＢｉ2 Ｏ3 −Ｎａ2 ＣＯ3 フラックスから育成され、１価のＮａが存在する磁性ガーネット単結晶では、その挿入損失低減にＣａＯの適量添加が有効であることが分かる。
また図３は、実施例２におけるＣａＯ添加量ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０と０．０１４の結晶（試料２−１と試料２−２）を、水素２．６ｖｏｌ％と窒素の混合ガス中で３時間の間、任意の温度に加熱したときの４５°損失の推移を示している。ＣａＯ添加量ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０．０１４から作製された結晶（試料２−２）は、加熱温度３００℃において４５°損失が０．０５ｄＢまで低減された。これに対してＣａＯ添加量ＣａＯ／Ｆｅ2 Ｏ3 が０の結晶（試料２−１）は、加熱温度を変えて還元処理しても４５°損失は０．１ｄＢ以下まで低減されることはなかった。これは、１価のＮａ存在下ではＣａＯ過剰添加膜を還元することにより吸収が低減されることを示している。
図４は、カルシウム過剰添加膜を還元した時の４５°損失の推移を示している。加熱温度以外の還元条件は、上記と同様である。図４から、適切な加熱温度を選択することにより、還元前の損失の大小に関わらず、還元により４５°損失が０．１ｄＢ以下まで低減できることが分かる。
図５は、Ｒ４を変えた場合の成長温度Ｔｇと過飽和度ΔＴの関係を示している。図中の３点は成長温度は大きく異なるが、過飽和度はほぼ一定になっている。炭酸ナトリム濃度が１．０ｗｔ以上４．０ｗｔ％未満では、Ｒ４は１２％以上１７％未満が適切な範囲である。この範囲より大きいと育成された結晶表面の凹凸が大きく、またこの範囲より小さいと成長速度が小さいという問題が生じる。
結晶の組成と還元前後の４５°損失をまとめたのが表８である。
表８において、分類の欄のｐ、ｑ、ｒは、それぞれ
ｐ：ＬＰＥ法による育成のみで４５°損失が小さい組成
ｑ：ＬＰＥ法による育成後、還元処理により４５°損失が小さくなる組成
ｒ：ＬＰＥ法による育成後は無論、還元処理を施しても４５°損失が小さくならない組成
を示している。
また、分類ｐとｑの下限値及び上限値も表８中にまとめてある。分類ｐ及びｑの結晶は、本発明で規定する各量の範囲内に収まっている。
ｐ：ＬＰＥ法による育成のみで４５°損失が小さい組成
ｑ：ＬＰＥ法による育成後、還元処理により４５°損失が小さくなる組成
ｒ：ＬＰＥ法による育成後は無論、還元処理を施しても４５°損失が小さくならない組成
を示している。
また、分類ｐとｑの下限値及び上限値も表８中にまとめてある。分類ｐ及びｑの結晶は、本発明で規定する各量の範囲内に収まっている。
なお、本発明はナトリウムとカルシウムと白金のバランスにより吸収が決まるものであるので、それらの量が重要であり、それ以外のガーネットを構成する元素種は３価が安定であり置換可能であれば、特に制限されるものではない。
Claims (7)
- 液相エピタキシャル成長法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、
一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ12で表され、
Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、
０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つｚ／ｙ≧４、ｚ／ｖ≧０．３
であることを特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - 液相エピタキシャル成長法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、
一般式がＢｉx Ｎａy Ｃａz Ｍ１3-x-y-z Ｆｅ5-v-w Ｐｔv Ｍ２w Ｏ12で表され、
Ｍ１は、Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される１種類以上の元素、Ｍ２は、Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎから選択される１種類以上の元素であり、
０．８＜ｘ≦１．５、０＜ｙ＜０．０２、０．０１＜ｚ＜０．０９、０．０４＜ｖ＜０．１９、０≦ｗ＜１．５で、且つ４≦ｚ／ｙ≦１０、０．３５＜ｚ／ｖ＜０．４５
であることを特徴とする磁性ガーネット単結晶。 - Ｍ１がＹ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｙｂから選択される１種類以上の元素、Ｍ２がＧａ，Ａｌから選択される１種類以上の元素である請求項１又は２記載の磁性ガーネット単結晶。
- 膜厚が２００μｍ以上であって、４５°ファラデー回転を生じる膜厚で換算したときの挿入損失が０．１ｄＢ以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の磁性ガーネット単結晶。
- ｚ／ｙ＞１０である請求項１又は３記載の磁性ガーネット単結晶を、不活性ガスに体積濃度２％以上４％以下の水素を含むガス中で、２５０℃以上５５０℃以下、２時間以上５時間以下、加熱処理することを特徴とする磁性ガーネット単結晶の製造方法。
- 請求項１乃至４のいずれかに記載の磁性ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長法により育成する方法であって、メルト原料を溶解する坩堝は白金製であり、メルト原料中のフラックス成分に酸化ビスマスと炭酸ナトリウムを用いたことを特徴とする磁性ガーネット単結晶の製造方法。
- メルト原料に、Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｎａ2 ＣＯ3 ，ＣａＯ，Ｍ１2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｍ２2 Ｏ3 を用い、各メルト原料の構成比率は、Ｎａ2 ＣＯ3 の重量濃度が１％以上４％未満、Ｍ１2 Ｏ3 とＦｅ2 Ｏ3 とＭ２2 Ｏ3 の合計量の全メルト原料に対するモル濃度比が０．１２以上０．１７未満、且つＦｅ2 Ｏ3 とＭ２2 Ｏ3 の合計量が、Ｍ１2 Ｏ3 に対してモル濃度比で１５より大きく２５より小さい請求項６記載の磁性ガーネット単結晶の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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