JP6481552B2 - ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜 - Google Patents
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Description
非磁性ガーネット基板上に、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を液相エピタキシャル成長法により育成する結晶育成工程を有しており、
前記結晶育成工程において、前記非磁性ガーネット基板の回転数を100rpm未満とするビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法を提供することができる。
(ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法)
本実施形態のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法の一構成例について以下に説明する。
本実施形態のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法は、非磁性ガーネット基板上に、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を液相エピタキシャル成長法により育成する結晶育成工程を有することができる。そして、結晶育成工程において、非磁性ガーネット基板の回転数を100rpm未満とすることが好ましい。
(ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜)
次に、本実施形態のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の一構成例について説明する。
(評価方法)
ここでまず、以下の実施例、比較例で作製したRIGの評価方法について説明する。
(A)RIG中のPb含有量
各実施例、比較例において形成したRIG中のPb含有量は、ICP発光分析法により評価を行った。
(B)挿入損失
各実施例、比較例において形成したRIGについて、ダイシングソーで11mm角に切断し、更に波長1.06μmの光に対しファラデー回転角が45°となるようにRIGの厚みを研磨により調整した。そして、波長1.06μmの光に対する両面対空気反射防止膜(波長1.03〜1.09μm:反射率0.2%以下)をRIGの両面に形成した後、波長1.06μmのYVO4レーザー光を入射して挿入損失を測定した。なお、上記反射防止膜は挿入損失を測定する際に波長1.06μmの光を入射する入射面と、係る入射面と対向する面とに設けている。
[実施例1]
図1に示した成膜装置10を用いて、以下の手順によりRIGを成膜した。
[実施例2]
実施例1と同様の条件、手順でRIGの育成を行った。
[実施例3]
以下の2点を変更した以外は、実施例1と同様にしてRIGの育成を行った。
[実施例4]
実施例3と同様にしてRIGの育成を行った。
[実施例5]
以下の2点を変更した以外は、実施例1と同様にしてRIGの育成を行った。
[実施例6]
実施例5と同様にしてRIGの育成を行った。
[実施例7]
以下の2点を変更した以外は、実施例1と同様にしてRIGの育成を行った。
[実施例8]
実施例7と同様にしてRIGの育成を行った。
[比較例1]
以下の2点を変更した以外は、実施例1と同様にしてRIGの育成を行った。
[比較例2]
比較例1と同様にしてRIGの育成を行った。
[比較例3]
以下の2点を変更した以外は、実施例1と同様にしてRIGの育成を行った。
[比較例4]
比較例3と同様にしてRIGの育成を行った。
16 種結晶基板(非磁性ガーネット基板)
Claims (5)
- 一般式Gd3−x−yBixRyFe5O12(但し、RはLa、Ce、Pr、Ndから選択された1種以上の希土類元素からなり、0<x、0<y)で示され、さらに不純物としてPbを含有するビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法であって、
非磁性ガーネット基板上に、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を液相エピタキシャル成長法により育成する結晶育成工程を有しており、
前記結晶育成工程において、前記非磁性ガーネット基板の回転数を100rpm未満とするビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。 - 前記結晶育成工程における、前記非磁性ガーネット基板の回転数を80rpm以下とする請求項1に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
- 前記結晶育成工程における、前記非磁性ガーネット基板の回転数が40rpm以上60rpm以下の範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
- 前記非磁性ガーネット基板が、Gd3(ScGa)5O12基板である請求項1〜3のいずれか一項に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法。
- Gd3(ScGa)5O12で示される非磁性ガーネット基板上に配置されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、
前記ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜中のPb含有量が0.085重量%以下であるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜。
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