JP5459244B2 - ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ - Google Patents
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5459244B2 JP5459244B2 JP2011050866A JP2011050866A JP5459244B2 JP 5459244 B2 JP5459244 B2 JP 5459244B2 JP 2011050866 A JP2011050866 A JP 2011050866A JP 2011050866 A JP2011050866 A JP 2011050866A JP 5459244 B2 JP5459244 B2 JP 5459244B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rig
- amount
- rare earth
- light
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、加工用高出力レーザー装置における戻り光対策として用いられる光アイソレータに係り、特に、ファラデー回転子として使用されるビスマス置換型希土類鉄ガーネットと光アイソレータの改良に関するものである。
光通信に利用されている半導体レーザーやレーザー加工等に利用されている固体レーザー等は、レーザー共振器外部の光学面や加工面で反射された光がレーザー素子に戻ってくるとレーザー発振が不安定になる。発振が不安定になると、光通信の場合には信号ノイズとなり、加工用レーザーの場合はレーザー素子が破壊されてしまうことがある。このため、このような反射戻り光がレーザー素子に戻らないように遮断するため光アイソレータが使用される。
ところで、近年、ＹＡＧレーザー（加工用レーザー）の代替として注目されているファイバレーザーに関し、その光アイソレータに用いられるファラデー回転子として、従来、テルビウム・ガリウム・ガーネット結晶（以下、ＴＧＧと称する）やテルビウム・アルミニウム・ガーネット結晶（以下、ＴＡＧと称する）が用いられてきた。
しかし、ＴＧＧやＴＡＧは単位長さ当たりのファラデー回転係数が小さく、光アイソレータとして機能させるために４５度の偏光回転角を得るには光路長を長くする必要があり、大きな結晶を用いなければならなかった。また、高い光アイソレーションを得るには、結晶に一様で大きな磁場をかける必要があるため、強力で大きな磁石を用いていた。このため、光アイソレータの寸法は大きなものとなっていた。また、光路長が長いためレーザーのビーム形状が結晶内で歪むことがあり、歪みを補正するための光学系が必要となる場合もあった。更に、ＴＧＧは高価でもあるため、小型で安価なファラデー回転子が望まれていた。
一方、光通信分野で専ら用いられているビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（以下、ＲＩＧと称する）を、このタイプの光アイソレータに使用することで大きさを大幅に小型化することが可能である。しかし、ＲＩＧは、使用する光の波長が加工用レーザーに用いられる１．１μｍ付近まで短くなると、鉄イオンによる光吸収が大きくなり、この光吸収による温度上昇により性能劣化を起こすことが知られている。
そこで、ＲＩＧにおける温度上昇の問題を改善する方法が提案されている。例えば、特許文献１〜２には、通常は研磨により除去してしまうＲＩＧ育成用の基板であるガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板（以下、ＧＧＧ基板と称する）を残したままにしておき、ＲＩＧで発生した熱を放出し易くした方法が記載されている。また、以前から放熱基板として使用されているサファイア等の高熱伝導率基板を用いる方法（特許文献３）も提案されている。
しかし、いずれの手法もＲＩＧにおいて発生した熱を放熱させるための技術に過ぎず、これ等手法により光吸収が減る訳でないため、ＲＩＧ自体における光吸収を減らすことでＲＩＧにおける発熱量を減少させる技術が望まれている。
ところで、加工用レーザーの波長である１μｍ程度の光に対しては、上述のＲＩＧに含まれる鉄イオンがこの光を吸収していることが分かっている。しかし、鉄はＲＩＧにおいてファラデー効果を生み出している重要な元素であり、鉄成分を減らした場合、光アイソレータとして要求されている４５°のファラデー回転角を得るために必要なＲＩＧの膜厚が増えてしまい、結局のところＲＩＧにおける光吸収量の低減は達成されない。
そこで、１μｍ帯域付近の波長におけるＲＩＧの光吸収を減らす技術として、従来から広く一般に用いられている格子定数が１．２４９７ｎｍである（ＣａＧｄ）3（ＺｒＭｇＧａ）5Ｏ12基板（以下、ＳＧＧＧと称する）に代えてその格子定数がより大きい非磁性ガーネット基板をＲＩＧ育成用基板として適用することにより、鉄イオンの光吸収を短波長側にシフトさせる方法が提案されている。例えば、特許文献４では、格子定数が１．２５６ｎｍであるＧｄ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12基板（以下、ＧＳＧＧと称する）を用いてＲＩＧを育成した例が記載され、また、特許文献５や特許文献６では、格子定数が１．２６４〜１．２７９ｎｍの範囲にあるＳｍ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12基板（以下、ＳＳＧＧと称する）あるいはＬａ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12基板（以下、ＬＳＧＧと称する）を用いてＲＩＧを育成した例が記載されている。
そして、いずれの技術も、従来から用いられているＳＧＧＧよりその格子定数が大きい非磁性ガーネット基板を用いてＲＩＧを育成させる方法で、これ等の方法により、ＲＩＧに含まれる鉄イオンの光吸収を短波長側にシフトさせることで光吸収量を減らすものであった。
しかし、格子定数が１．２５６ｎｍであるＧｄ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12基板（ＧＳＧＧ）を適用して育成された特許文献４のＲＩＧにおいては、ファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚さを調整したとき、波長１．０５μｍにおける吸収損失は１ｄＢ程度であり充分な低損失のＲＩＧにはなっていない。一方、格子定数が１．２６４〜１．２７９ｎｍの範囲にあるＳＳＧＧやＬＳＧＧを適用して育成された特許文献５や特許文献６のＲＩＧにおいては、波長１．０６４μｍにおける吸収損失が確かに０．６ｄＢ以下になっている。しかしながら、上記ＳＳＧＧやＬＳＧＧを市場で安定的に入手することは現実的に困難なため、工業的にＳＳＧＧやＬＳＧＧを基板として利用することはできなかった。
従来の手法により１μｍ帯域の波長の光に対し、０．６ｄＢを下回る低損失のＲＩＧを工業的に得ることは上述したように困難であった。
しかし、ＲＩＧが利用されている小型で安価な１Ｗ級の加工用レーザーに使用される光アイソレータ市場では、挿入損失が０．６ｄＢを下回るような低損失のＲＩＧが望まれており、特に、近年では、１Ｗ級以上の加工用レーザー装置の光アイソレータにＲＩＧを採用することが考えられている。このため、市場においては挿入損失０．５ｄＢ以下の非常に低損失なＲＩＧを必要としており、低損失のＲＩＧを工業的に高収率で提供できる手法が望まれている。
ところで、上記ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）においてＢｉが多量に添加されると、ＲＩＧのファラデー回転係数が大きくなる（特許文献４の段落0003参照）ことからＲＩＧを薄くすることができ、また、イオン半径の大きなＢｉを多く添加することでＲＩＧの格子定数が大きくなり、鉄イオンの光吸収を短波長側へシフトできることから挿入損失の低い結晶が得られ易いと考えられ、従来、ＲＩＧのＢｉ添加量を多くすることが一般的に行われていた。
しかし、Ｂｉの添加量が多くなると、格子定数が１．２５６ｎｍであるＧＳＧＧ基板との格子定数のずれが大きくなり、上記ＧＳＧＧ基板上に育成されるＲＩＧが割れ易くなることが知られていて高い収率でＲＩＧを製造できなかった。
そこで、上述した課題を解決するため本発明者等が鋭意研究を重ねたところ、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）における希土類の種類と添加量を制御することで、Ｂｉの添加量が少なくても挿入損失の低いＲＩＧが得られることを見出すに至り、更に、Ｂｉ添加量が少なくできることに伴いＲＩＧの格子定数とＧＳＧＧ基板の格子定数を合わせることが可能になることから、ＧＳＧＧ基板上にＲＩＧを育成してもＲＩＧの割れが抑制され、高い収率でＲＩＧを製造できることを見出すに至った。
本発明はこのような技術的発見に基づき完成されている。
すなわち、請求項１に係る発明は、
化学式Ｇｄ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されると共に、上記Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合が、Ｒ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記に示す組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とし、
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
また、請求項２に係る発明は、
光アイソレータにおいて、
請求項１に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子として用いられていることを特徴とする。
化学式Ｇｄ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されると共に、上記Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合が、Ｒ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記に示す組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とし、
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
また、請求項２に係る発明は、
光アイソレータにおいて、
請求項１に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子として用いられていることを特徴とする。
本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）は、
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されると共に、上記Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合が、Ｒ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記に示す組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とし、
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
特許文献４等に記載された従来のＲＩＧと比較して、挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、高い収率で製造することができる。
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されると共に、上記Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合が、Ｒ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記に示す組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とし、
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
特許文献４等に記載された従来のＲＩＧと比較して、挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、高い収率で製造することができる。
そして、挿入損失で０．６ｄＢを下回る本発明のＲＩＧを適用することにより、ＲＩＧにおける発熱量そのものの低減が図れるため、本発明のＲＩＧを加工用レーザーの光アイソレータに適用した場合、より高パワーのレーザー光に対し温度上昇を大幅に抑制できることから特性の劣化が少なくなる効果を有する。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
（Ａ）希土類の選択
本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）を構成する希土類元素の種類は、以下に示すようにＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素とＧｄである。
本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）を構成する希土類元素の種類は、以下に示すようにＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素とＧｄである。
まず、液相エピタキシャル成長法により基板上に結晶を育成する場合、基板と結晶膜の格子定数を整合させなければならない。そして、格子定数が１．２５６ｎｍであるＧＳＧＧ基板では、このＧＳＧＧ基板の大きな格子定数から選択できる希土類元素は多数ある。また、希土類元素の中でも原子番号が５７から７１のランタノイドのイオン半径は、ランタノイド収縮と呼ばれる現象により、Ｌａ＞Ｃｅ＞Ｐｒ＞Ｎｄ＞Ｐｍ＞Ｓｍ＞Ｅｕ＞Ｇｄ＞Ｔｂ＞Ｄｙ＞Ｈｏ＞Ｅｒ＞Ｔｍ＞Ｙｂ＞Ｌｕの順になっている。
そして、ＲＩＧにイオン半径の大きなＢｉを入れない場合、ＲＩＧのファラデー回転性能が低下し、ファラデー回転角が４５°となるのに必要なＲＩＧの厚みが増加して光吸収による挿入損失が大きくなってしまう。従って、イオン半径の大きな希土類元素のみを選択することは、ＲＩＧにＢｉを含有させることが難しくなるため好ましくない。
また、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）の化学式は、Ｇｄ量を（３−ｘ−ｙ）、Ｂｉ量をｘとした場合、Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12と表わされる。化学式中のＲは、Ｇｄ以外の希土類元素である。ここで、Ｂｉ量が増加すると、Ｂｉ量の増加と共にＲＩＧの熱膨張係数が大きくなることから、基板との格子定数差が大きくなり、成長中にＲＩＧが割れたり、ＲＩＧに転位が発生する等、生産性の低下並びに性能劣化が起こるという問題がある。そして、Ｂｉ量が１．３を超えた場合、良質なＲＩＧを育成することが困難であることが判っており、Ｂｉ量が１．３を超えるようなＲＩＧが得られるイオン半径の小さな希土類元素（例えばＴｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等）を用いることも好ましくない。
更に、上記希土類元素以外にも、Ｓｍの場合は１μｍ帯域近傍での吸収ピークが多く存在するために好ましくなく、Ｅｕは２価を持つことがあるため、２価の元素を添加した場合に吸収が増加することが知られているＲＩＧでは２価をとるＥｕは好ましくない。
このような理由から、本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜を構成する希土類元素として、中ぐらいのイオン半径の希土類元素からＧｄを、イオン半径の大きな希土類元素からＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄの二種以上を選択したところ、後述のＲ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群）とＧｄの比率、Ｂｉ量にすることで、良好な挿入損失と高収率の両立を図れることが確認された。
（Ｂ）Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の元素群）とＧｄの比率
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）において、Ｂｉ量が一定（すなわちｘが一定値）であると仮定した場合、上記ＲとＧｄの比率については、イオン半径の大きなＲ量が多くなり過ぎるとＲＩＧの格子定数が大きくなり、ＲＩＧの格子定数が大き過ぎるとＲＩＧ成長後に室温まで冷却した際、ＲＩＧ側が凸に反り割れが発生し易くなる。反対にＲ量が少なくなり過ぎるとＲＩＧの格子定数が小さくなるため、ＲＩＧ側が凹に反り割れが発生し易くなる。
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されるビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）において、Ｂｉ量が一定（すなわちｘが一定値）であると仮定した場合、上記ＲとＧｄの比率については、イオン半径の大きなＲ量が多くなり過ぎるとＲＩＧの格子定数が大きくなり、ＲＩＧの格子定数が大き過ぎるとＲＩＧ成長後に室温まで冷却した際、ＲＩＧ側が凸に反り割れが発生し易くなる。反対にＲ量が少なくなり過ぎるとＲＩＧの格子定数が小さくなるため、ＲＩＧ側が凹に反り割れが発生し易くなる。
ところで、Ｂｉ量は、以下のＣ欄「Ｂｉ量と挿入損失、歩留まりの関係」に記載された表１と図１の結果から、０．８０〜１．１９の範囲内であることを要する。
更に、以下の実施例と比較例における「良品収率」と「挿入損失」の結果から特定される希土類元素群Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合は、図２に示すＲ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを必要とする。
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
すなわち、Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の元素群）量は０．１５〜１．３１の範囲内、Ｇｄ量は０．８９〜１．８８の範囲内であることを要する。
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
すなわち、Ｒ（Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の元素群）量は０．１５〜１．３１の範囲内、Ｇｄ量は０．８９〜１．８８の範囲内であることを要する。
（Ｃ）Ｂｉ量と挿入損失、歩留まりの関係
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）が適用されたファラデー回転子の温度上昇は、鉄イオンによる１μｍ付近の光吸収が原因であり、その吸収係数は温度上昇に伴い増加するため、更なる温度上昇をもたらすことになる。このため、ＲＩＧの挿入損失が大きい場合、上記発熱を抑えるために低出力のレーザーに使用が制限され、放熱用基板を付ける必要がある。そして、ＲＩＧを１Ｗ級の加工用レーザーに適用する場合、挿入損失は０．６ｄＢ以下であることが必要とされ、更に、高出力のレーザー用には挿入損失０．５ｄＢ以下であることが必要とされている。
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）が適用されたファラデー回転子の温度上昇は、鉄イオンによる１μｍ付近の光吸収が原因であり、その吸収係数は温度上昇に伴い増加するため、更なる温度上昇をもたらすことになる。このため、ＲＩＧの挿入損失が大きい場合、上記発熱を抑えるために低出力のレーザーに使用が制限され、放熱用基板を付ける必要がある。そして、ＲＩＧを１Ｗ級の加工用レーザーに適用する場合、挿入損失は０．６ｄＢ以下であることが必要とされ、更に、高出力のレーザー用には挿入損失０．５ｄＢ以下であることが必要とされている。
ここで、化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されるＲＩＧのＢｉ量が０．８０未満である場合、ファラデー回転角が４５°となるのに必要なＲＩＧの厚みが増加して光吸収による挿入損失が大きくなり、０．６ｄＢを下回る低損失なＲＩＧが得られないことが図１のグラフ図から確認されている。
尚、図１のグラフ図はＢｉ量と挿入損失との関係を示し、以下のようにして求められている。すなわち、図１のグラフ図は、液相エピタキシャル成長法により各々成長させたＲＩＧについてＥＰＭＡ定量分析により各々のＢｉ量を求め、次いで、成長させた各ＲＩＧをダイシングソーで１１ｍｍ角に切断し、更に、波長１．０６μｍの光に対しファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、かつ、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射して挿入損失を測定し、これ等の結果から求めたものである。
そして、ＲＩＧの挿入損失が０．６ｄＢ以下となるためには、図１のグラフ図からＢｉ量は０．８０以上であることを要し、更にＲＩＧの挿入損失が０．５ｄＢ以下になるためには０．８８以上であることが望ましい。
次に、Ｂｉ量と歩留まりとの関係について以下の表１に示す。
表１は、液相エピタキシャル法にて成長させた上記化学式Ｇｄ3-x-y-zＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12で示されるＲＩＧについて、ＥＰＭＡ定量分析により各々のＢｉ量を求め、次いで、成長させた各々のＲＩＧを、ダイシングソーを用いて１１ｍｍ角に切断し、更に１１ｍｍ角から１ｍｍ角に切断し、その１ｍｍ角の中から、ＲＩＧ中に発生していたクラック起因による角欠け変形のあるものを不良とし、角欠けのないものを良品として選別し、次いで、良品全ての１ｍｍ角面内にあるピット数を金属顕微鏡、赤外顕微鏡を用いて観察し、各々１ｍｍ角面積内にピット数量が５個を超えれば不良、５個以下なら良品として、各々Ｂｉ量の異なるＲＩＧを収率にしたものである。
尚、収率については、経験則上、良品収率が９０％以上を高収率とし判定した。また、１ｍｍ角全数良品の場合の母数は１００枚としている。
「確認」
表１から、Ｂｉ量が増えるとＲＩＧの収率が下がることが確認できる。ここで、Ｂｉ量が１．１９以下であれば、９０％を越える９１％以上の収率でＲＩＧを育成できるため好ましい。
表１から、Ｂｉ量が増えるとＲＩＧの収率が下がることが確認できる。ここで、Ｂｉ量が１．１９以下であれば、９０％を越える９１％以上の収率でＲＩＧを育成できるため好ましい。
そして、「Ｂｉ量と挿入損失との関係」並びに「Ｂｉ量と歩留まりとの関係」より得られた結果から、上記化学式Ｇｄ3-x-y-zＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12で示されるＲＩＧのＢｉ量（ｘ値）は、０．８０〜１．１９の範囲内であることを要し、かつ、格子定数が１．２５６ｎｍであるＧＳＧＧ基板を用いて、挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、高い収率でＲＩＧを育成できることが確認される。
これ等の結果から、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群をＲとしたとき、Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合は、図２に示すＲ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記に示す組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを必要とする。
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
尚、図２中、白丸印は以下の各実施例、黒丸印は各比較例を示す。
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０）
尚、図２中、白丸印は以下の各実施例、黒丸印は各比較例を示す。
以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明する。
尚、実施例１〜１６と比較例１〜４において全ての非磁性ガーネット基板については、直径が１インチ、格子定数１．２５６４ｎｍのＧｄ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12基板、すなわち、ＧＳＧＧ基板を用いた。
また、実施例１〜１６の各ＲＩＧにおいては、組成設計段階で、上述した組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を満たす組成としている。
また、比較例１〜４の各ＲＩＧにおいては、組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を満たしていない組成としている。
尚、Ｂｉ量、Ｌａ量、Ｃｅ量、Ｐｒ量およびＮｄ量はＥＰＭＡ定量分析から求めた値であり、不良率、良品収率は、各々のＲＩＧから１１ｍｍ角に切断し、更にその１１ｍｍ角から１ｍｍ角に１００枚切断し、次いで、その１ｍｍ角からその形状あるいは面内のピット数量によって、不良品、良品を選別した。また、不良については、ＲＩＧ中に発生したクラック起因による角欠け変形のあるもの、あるいは、角欠けは無いものの金属顕微鏡、赤外顕微鏡の観察による１ｍｍ角面内のピット数量が５個を超えるものとし、同様に良品は、角欠けもなく、面内のピット数量も５個以下のものとして選別し、その結果を元にした各々の発生率である。また、表２において、実施例と比較例に係るＲＩＧの不良率、良品収率と挿入損失を比較している。
［実施例１］
まず原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を２．３４ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．５２ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３２．１５ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５３．２４ｇ、ＰｂＯを２００．１５ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６０ｇそれぞれ秤量し、白金坩堝中において１０００℃で溶解し、融液が均一な組成になるように十分に撹拌混合した。
まず原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を２．３４ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．５２ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３２．１５ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５３．２４ｇ、ＰｂＯを２００．１５ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６０ｇそれぞれ秤量し、白金坩堝中において１０００℃で溶解し、融液が均一な組成になるように十分に撹拌混合した。
次に、ＲＩＧをエピタキシャル成長させるため、融液の温度を８１６℃の育成温度まで降下させた。その後、上記ＧＳＧＧ基板を片面のみが融液に浸漬するように設置し、ＧＳＧＧ基板を回転させながらＲＩＧをエピタキシャル成長させた。
得られたＲＩＧをＥＰＭＡ定量分析するとＢｉ量は０．８０、Ｌａ量は０．０１、Ｎｄ量は１．３０、Ｇｄ量は０．８９であった。
このような条件で育成したＲＩＧから１１ｍｍ角、更に１ｍｍ角を切断し、観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．５７ｄＢと良好な結果であった。これ等の結果を表２にまとめて示す。
［実施例２］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を３．４１ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．６８ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２８．４６ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．５３ｇ、ＰｂＯを２０１．１７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を３．４１ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．６８ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２８．４６ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．５３ｇ、ＰｂＯを２０１．１７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は０．８０、Ｌａ量は０．３１、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．８８であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．５５ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例３］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を３．３７ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を４．１３ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２７．７９ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．１７ｇ、ＰｂＯを２００．８９ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６４ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を３．３７ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を４．１３ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２７．７９ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．１７ｇ、ＰｂＯを２００．８９ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６４ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は０．８８、Ｌａ量は０．４４、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．６７であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．５０ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例４］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．７２ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．６０ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．４１ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０３ｇ、ＰｂＯを２０１．５７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．７２ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．６０ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．４１ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０３ｇ、ＰｂＯを２０１．５７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は０．９７、Ｌａ量は０．０１、Ｎｄ量は０．９６、Ｇｄ量は１．０６であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．５０ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例５］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．３９ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．６９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．５３ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０９ｇ、ＰｂＯを２０１．６２ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．３９ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．６９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．５３ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０９ｇ、ＰｂＯを２０１．６２ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．０７、Ｌａ量は０．０１、Ｎｄ量は０．８１、Ｇｄ量は１．１１であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．４２ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例６］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を２．５２ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．６５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２８．４６ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．５３ｇ、ＰｂＯを２０１．１７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７７５℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を２．５２ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．６５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２８．４６ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．５３ｇ、ＰｂＯを２０１．１７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７７５℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１２、Ｌａ量は０．３０、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．５７であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３５ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例７］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．１８ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．８０ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．５９ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．１２ｇ、ＰｂＯを２０１．６４ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７７０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．１８ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．８０ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．５９ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．１２ｇ、ＰｂＯを２０１．６４ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７７０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１９、Ｌａ量は０．０１、Ｎｄ量は０．７０、Ｇｄ量は１．１０であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は７個、良品は９３個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３５ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例８］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を１．９９ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．９９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３０．０８ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５３．７５ｇ、ＰｂＯを２００．５６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６２ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６８℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を１．９９ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．９９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３０．０８ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５３．７５ｇ、ＰｂＯを２００．５６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６２ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６８℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１９、Ｌａ量は０．２５、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．５５であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は１０個、良品は９０個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３１ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例９］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を１．９７ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．７３ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２８．７１ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．６６ｇ、ＰｂＯを２０１．２７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６６ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６６℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を１．９７ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．７３ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２８．７１ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．６６ｇ、ＰｂＯを２０１．２７ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６６ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６６℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１９、Ｌａ量は０．１４、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．６６であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は８個、良品は９２個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３２ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１０］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．３０ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．７９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．５３ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０９ｇ、ＰｂＯを２０１．６１ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６９℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．３０ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．７９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．５３ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０９ｇ、ＰｂＯを２０１．６１ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６９℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１９、Ｌａ量は０．０１、Ｎｄ量は０．９１、Ｇｄ量は０．８９であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は９個、良品は９１個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３６ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１１］
原料として、Ｎｄ2Ｏ3を１．４０ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．９４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．４１ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０２ｇ、ＰｂＯを２０１．５６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６７℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１７、Ｐｒ量は０．０１、Ｎｄ量は０．４２、Ｇｄ量は１．４０であった。
原料として、Ｎｄ2Ｏ3を１．４０ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．９４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．４１ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０２ｇ、ＰｂＯを２０１．５６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６７℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１７、Ｐｒ量は０．０１、Ｎｄ量は０．４２、Ｇｄ量は１．４０であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は５個、良品は９５個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３６ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１２］
原料として、Ｎｄ2Ｏ3を１．８５ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．３９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３０．９４ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．２３ｇ、ＰｂＯを２００．９４ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６４ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．８７、Ｐｒ量は０．０１、Ｎｄ量は０．７２、Ｇｄ量は１．４０であった。
原料として、Ｎｄ2Ｏ3を１．８５ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．３９ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３０．９４ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５４．２３ｇ、ＰｂＯを２００．９４ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６４ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．８７、Ｐｒ量は０．０１、Ｎｄ量は０．７２、Ｇｄ量は１．４０であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．５１ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１３］
原料として、Ｌａ２Ｏ３を２．５２ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を３．６５ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２８．４６ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．５３ｇ、ＰｂＯを２０１．１７ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７７７℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１０、Ｌａ量は０．３０、Ｐｒ量は０．０１、Ｇｄ量は１．５９であった。
原料として、Ｌａ２Ｏ３を２．５２ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を３．６５ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２８．４６ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．５３ｇ、ＰｂＯを２０１．１７ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７７７℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．１０、Ｌａ量は０．３０、Ｐｒ量は０．０１、Ｇｄ量は１．５９であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３６ｄＢと極めて良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１４］
原料として、Ｌａ２Ｏ３を３．３７ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を４．１３ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２７．７９ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．１７ｇ、ＰｂＯを２００．８９ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６４ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．８８、Ｌａ量は０．４４、Ｐｒ量は０．０１、Ｇｄ量は１．６７であった。
原料として、Ｌａ２Ｏ３を３．３７ｇ、Ｐｒ6Ｏ11を０．０５ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を４．１３ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２７．７９ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．１７ｇ、ＰｂＯを２００．８９ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６４ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．８８、Ｌａ量は０．４４、Ｐｒ量は０．０１、Ｇｄ量は１．６７であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．５０ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１５］
原料として、Ｎｄ2Ｏ3を１．５４ｇ、ＣｅＯ2を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．６６ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．４７ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０６ｇ、ＰｂＯを２０１．５９ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．００、Ｃｅ量は０．０１、Ｎｄ量は０．５９、Ｇｄ量は１．４０であった。
原料として、Ｎｄ2Ｏ3を１．５４ｇ、ＣｅＯ2を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．６６ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２９．４７ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０６ｇ、ＰｂＯを２０１．５９ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６７ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は１．００、Ｃｅ量は０．０１、Ｎｄ量は０．５９、Ｇｄ量は１．４０であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は２個、良品は９８個と良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．４５ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［実施例１６］
原料として、Ｌａ２Ｏ３を３．０４ｇ、ＣｅＯ2を０．０５ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を３．７２ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２８．１６ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．３８ｇ、ＰｂＯを２０１．０５ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．９６、Ｌａ量は０．３９、Ｃｅ量は０．０１、Ｇｄ量は１．６４であった。
原料として、Ｌａ２Ｏ３を３．０４ｇ、ＣｅＯ2を０．０５ｇ、Ｇｄ２Ｏ３を３．７２ｇ、Ｆｅ２Ｏ３を２８．１６ｇ、Ｂｉ２Ｏ３を２５４．３８ｇ、ＰｂＯを２０１．０５ｇ、Ｂ２Ｏ３を９．６５ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７８３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。得られたＲＩＧのＢｉ量は０．９６、Ｌａ量は０．３９、Ｃｅ量は０．０１、Ｇｄ量は１．６４であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整した後、波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ４レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．４５ｄＢと良好な結果であった。
これ等の結果も表２にまとめて示す。
［比較例１］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を１．６４ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．５５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３８．５８ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５０．０８ｇ、ＰｂＯを１９７．６６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．４９ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を１．６４ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．５５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３８．５８ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５０．０８ｇ、ＰｂＯを１９７．６６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．４９ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９３℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．２４、Ｌａ量は０．２２、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．５３であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は２４個、良品は７６個と悪かった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３４ｄＢと極めて良好な結果ではあった。
これ等結果を表２にまとめて示す。
［比較例２］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．８３、Ｆｅ2Ｏ3を２９．６４ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．１５ｇ、ＰｂＯを２０１．６６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を１．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．８３、Ｆｅ2Ｏ3を２９．６４ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．１５ｇ、ＰｂＯを２０１．６６ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７６０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は１．２６、Ｌａ量は０．０１、Ｎｄ量は０．６１、Ｇｄ量は１．１２であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は３７個、良品は６３個と劣悪であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ０．３７ｄＢと良好な結果ではあった。
これ等結果を表２にまとめて示す。
［比較例３］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．１０ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を２．２６ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．４４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３２．２２ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５３．２８ｇ、ＰｂＯを２００．１９ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６１ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を８２２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を０．１０ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を２．２６ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を２．４４ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を３２．２２ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５３．２８ｇ、ＰｂＯを２００．１９ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６１ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を８２２℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は０．７９、Ｌａ量は０．０２、Ｎｄ量は１．０９、Ｇｄ量は１．１０であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ、０．６０ｄＢを上回る０．６３ｄＢで良好では無かった。
これ等結果を表２にまとめて示す。
［比較例４］
原料として、Ｌａ2Ｏ3を３．２９ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．８５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２６．４７ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０９ｇ、ＰｂＯを２０１．６２ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
原料として、Ｌａ2Ｏ3を３．２９ｇ、Ｎｄ2Ｏ3を０．０５ｇ、Ｇｄ2Ｏ3を３．８５ｇ、Ｆｅ2Ｏ3を２６．４７ｇ、Ｂｉ2Ｏ3を２５５．０９ｇ、ＰｂＯを２０１．６２ｇ、Ｂ2Ｏ3を９．６８ｇそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を７９０℃とした以外は実施例１と同様にしてＲＩＧを育成した。
得られたＲＩＧのＢｉ量は０．７８、Ｌａ量は０．４０、Ｎｄ量は０．０１、Ｇｄ量は１．８１であった。
そして、実施例１と同様にＲＩＧを観察したところ、不良品は０個、良品は１００個と極めて良好であった。また、波長１．０６μｍの光に対してファラデー回転角が４５°となるようにＲＩＧの厚みを研磨により調整し、次いで波長１．０６μｍの光に対する反射防止膜を両面に形成した後、波長１．０６μｍのＹＶＯ4レーザー光を入射し、挿入損失（ＩＬ）を測定したところ、０．６０ｄＢを上回る０．６２ｄＢで良好では無かった。
これ等結果を表２にまとめて示す。
本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）は挿入損失で０．６０ｄＢを下回り、かつ、特許文献５〜６に記載されたＲＩＧと同等の挿入損失を持つと共に、高い収率で製造することができる。そして、本発明に係るＲＩＧは、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用される産業上の利用可能性を有している。
Claims (2)
- 化学式Ｇｄ3（ＳｃＧａ）5Ｏ12で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、
化学式Ｇｄ3-x-yＢｉxＲyＦｅ5Ｏ12（但し、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄから選択される二種以上の希土類元素群を示し、０＜ｘ、０＜ｙ）で示されると共に、上記Ｒ、ＧｄおよびＢｉの組成割合が、Ｒ−Ｇｄ−Ｂｉ三元系組成図上において、下記に示す組成点Ａ、組成点Ｂ、組成点Ｃおよび組成点Ｄを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とするビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜。
組成点Ａ（Ｒ／０．１５，Ｇｄ／１．６６，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｂ（Ｒ／０．９２，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／１．１９）、
組成点Ｃ（Ｒ／１．３１，Ｇｄ／０．８９，Ｂｉ／０．８０）、
組成点Ｄ（Ｒ／０．３２，Ｇｄ／１．８８，Ｂｉ／０．８０） - 請求項１に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子として用いられていることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011050866A JP5459244B2 (ja) | 2010-11-29 | 2011-03-08 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010265609 | 2010-11-29 | ||
| JP2010265609 | 2010-11-29 | ||
| JP2011050866A JP5459244B2 (ja) | 2010-11-29 | 2011-03-08 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012131690A JP2012131690A (ja) | 2012-07-12 |
| JP5459244B2 true JP5459244B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=46647749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011050866A Active JP5459244B2 (ja) | 2010-11-29 | 2011-03-08 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5459244B2 (ja) |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369718A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気光学結晶 |
| JPH069298A (ja) * | 1991-02-08 | 1994-01-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 磁性ガーネット単結晶の製造方法 |
| JP3197383B2 (ja) * | 1992-03-02 | 2001-08-13 | ティーディーケイ株式会社 | エピタキシャル成長による薄膜の製造法 |
| JPH0680499A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 磁気光学ガーネット |
| JPH06281902A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料 |
| JPH07118094A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-09 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 磁性ガーネット |
| JPH08169799A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-02 | Tokin Corp | 磁気光学ガーネット，それを用いたファラデー回転素子，及び光増幅素子 |
| JP3653764B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2005-06-02 | 凸版印刷株式会社 | 高濃度ビスマス置換鉄ガーネット微粒子製造方法 |
| JPH08290998A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 |
| JPH08290997A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 |
| JP4220267B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2009-02-04 | Ｔｄｋ株式会社 | ファラデー回転子及びそれを用いた光部品 |
| JP2007008759A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Granopt Ltd | ビスマス置換磁性ガーネット膜及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-03-08 JP JP2011050866A patent/JP5459244B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012131690A (ja) | 2012-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5589802B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
| JP5578049B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
| JP7063694B2 (ja) | ファラデー回転子の製造方法 | |
| JP3699629B2 (ja) | 磁性ガーネット材料及びそれを用いた磁気光学素子 | |
| JP2010134066A (ja) | ファラデー回転子およびファラデー回転子ユニット | |
| JP5459245B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
| JP5991491B2 (ja) | ファラデー回転子 | |
| JP5459244B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
| JP5459243B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
| JP6481552B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜 | |
| JP5966945B2 (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の熱処理方法 | |
| JP6894865B2 (ja) | ガーネット型結晶の製造方法 | |
| JP7327148B2 (ja) | ビスマス置換希土類－鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル育成方法 | |
| JP2007210879A (ja) | 磁性ガーネット単結晶及びその製造方法並びにそれを用いた光学素子 | |
| JP2011256073A (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法 | |
| JP2010072263A (ja) | ファラデー回転子 | |
| JP2005314135A (ja) | ビスマス置換型磁性ガーネット膜の製造方法および膜 | |
| JP2006265066A (ja) | 磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法 | |
| JP2004331454A (ja) | ビスマス置換型磁性ガーネット膜とその製造方法 | |
| JP2005330135A (ja) | 非磁性ガーネット単結晶基板 | |
| JP2005247589A (ja) | 磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子 | |
| JP2004168657A (ja) | 磁性ガーネット単結晶およびそれを用いたファラデー回転子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131210 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131217 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131230 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5459244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |