JP5578049B2 - ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ - Google Patents
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5578049B2 JP5578049B2 JP2010265608A JP2010265608A JP5578049B2 JP 5578049 B2 JP5578049 B2 JP 5578049B2 JP 2010265608 A JP2010265608 A JP 2010265608A JP 2010265608 A JP2010265608 A JP 2010265608A JP 5578049 B2 JP5578049 B2 JP 5578049B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rig
- rare earth
- composition
- composition point
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/34—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
- H01F10/24—Garnets
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
- G02F1/093—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect used as non-reciprocal devices, e.g. optical isolators, circulators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
化学式Gd3(ScGa)5O12で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、
化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12(但し、0<x<3、0<y<3)で示されると共に、
上記La、GdおよびBiの組成割合が、La−Gd−Bi三元系組成図上において、下記に示す組成点A、組成点B、組成点Cおよび組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とし、
組成点A(La/0.15,Gd/1.66,Bi/1.19)、
組成点B(La/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)、
組成点C(La/0.52,Gd/1.68,Bi/0.80)、
組成点D(La/0.35,Gd/1.46,Bi/1.19)
請求項2に係る発明は、
光アイソレータにおいて、
請求項1に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子として用いられていることを特徴とする。
化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12(但し、0<x<3、0<y<3)で示されると共に、
上記La、GdおよびBiの組成割合が、La−Gd−Bi三元系組成図上において、下記に示す組成点A、組成点B、組成点Cおよび組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とし、
組成点A(La/0.15,Gd/1.66,Bi/1.19)、
組成点B(La/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)、
組成点C(La/0.52,Gd/1.68,Bi/0.80)、
組成点D(La/0.35,Gd/1.46,Bi/1.19)
特許文献4等に記載された従来のRIGと比較して、挿入損失で0.6dBを下回り、かつ、高い収率で製造することができる。
本発明に係るビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜(RIG)を構成する希土類元素の種類については、LaとGdであることを必要とする。
LaとGdの比率については、La量が多くなり過ぎるとRIGの格子定数が大きくなり、RIGの格子定数が大き過ぎるとRIG成長後に室温まで冷却した際、RIG側が凸に反り割れが発生し易くなる。反対にLa量が少なくなり過ぎるとRIGの格子定数が小さくなるため、RIG側が凹に反り割れが発生し易くなる。
組成点B(La/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)、
組成点C(La/0.52,Gd/1.68,Bi/0.80)、
組成点D(La/0.35,Gd/1.46,Bi/1.19)
すなわち、La量は0.15〜0.52の範囲内、Gd量は1.46〜1.88の範囲内であることを要する。
ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜(RIG)が適用されたファラデー回転子の温度上昇は、鉄イオンによる1μm付近の光吸収が原因であり、その吸収係数は温度上昇に伴い増加するため、更なる温度上昇をもたらすことになる。このため、RIGの挿入損失が大きい場合、上記発熱を抑えるために低出力のレーザーに使用が制限され、放熱用基板を付ける必要がある。そして、RIGを1W級の加工用レーザーに適用する場合、挿入損失は0.6dB以下であることが必要とされ、更に、高出力のレーザー用には挿入損失0.5dB以下であることが必要とされている。
表1から、Bi量が増えるとRIGの収率が下がることが確認できる。ここで、Bi量が1.19以下であれば、90%を越える93%以上の収率でRIGを育成できるため好ましい。
組成点B(La/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)、
組成点C(La/0.52,Gd/1.68,Bi/0.80)、
組成点D(La/0.35,Gd/1.46,Bi/1.19)
尚、図2中、白丸は以下の各実施例、黒丸は各比較例を示す。
まず、原料として、La2O3を1.99g、Gd2O3を3.99g、Fe2O3を30.08g、Bi2O3を253.75g、PbOを200.56g、B2O3を9.62gそれぞれ秤量し、白金坩堝中において1000℃で溶解し、融液が均一な組成になるように十分に撹拌混合した。
原料として、La2O3を2.52g、Gd2O3を3.65g、Fe2O3を28.46g、Bi2O3を254.53g、PbOを201.17g、B2O3を9.65gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を777℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は1.10、Gd量は1.59であった。
原料として、La2O3を3.04g、Gd2O3を3.72g、Fe2O3を28.16g、Bi2O3を254.38g、PbOを201.05g、B2O3を9.65gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を783℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は0.96、Gd量は1.64であった。
原料として、La2O3を3.37g、Gd2O3を4.13g、Fe2O3を27.79g、Bi2O3を254.17g、PbOを200.89g、B2O3を9.64gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を790℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は0.88、Gd量は1.67であった。
原料として、La2O3を3.63g、Gd2O3を3.84g、Fe2O3を27.79g、Bi2O3を254.19g、PbOを200.90g、B2O3を9.64gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を795℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は0.81、Gd量は1.70であった。
原料として、La2O3を2.07g、Gd2O3を3.91g、Fe2O3を30.08g、Bi2O3を253.76g、PbOを200.56g、B2O3を9.62gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を771℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は1.18、Gd量は1.48であった。
原料として、La2O3を1.97g、Gd2O3を3.73g、Fe2O3を28.71g、Bi2O3を254.66g、PbOを201.27g、B2O3を9.66gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を767℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は1.18、Gd量は1.65であった。
原料として、La2O3を3.41g、Gd2O3を3.68g、Fe2O3を27.99g、Bi2O3を254.29g、PbOを200.99g、B2O3を9.64gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を792℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は0.81、Gd量は1.86であった。
原料として、La2O3を1.64g、Gd2O3を2.55g、Fe2O3を38.58g、Bi2O3を250.08g、PbOを197.66g、B2O3を9.49gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を792℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は1.22、Gd量は1.54であった。
原料として、La2O3を1.51g、Gd2O3を2.70g、Fe2O3を38.58g、Bi2O3を250.07g、PbOを197.65g、B2O3を9.48gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を790℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は1.25、Gd量は1.53であった。
原料として、La2O3を2.45g、Gd2O3を3.13g、Fe2O3を25.77g、Bi2O3を256.34g、PbOを202.60g、B2O3を9.72gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を782℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成したところ、格子不整合によりRIGは剥れ、更に全面にはクラックが発生し、挿入損失(IL)を確認できるRIGは得られなかった。従って1mm角の良品も0個と劣悪な結果であった。
原料として、La2O3を3.29g、Gd2O3を3.85g、Fe2O3を26.47g、Bi2O3を255.09g、PbOを201.62g、B2O3を9.68gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を790℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成した。得られたRIGのBi量は0.77、Gd量は1.80であった。
原料として、La2O3を2.32g、Gd2O3を3.02g、Fe2O3を25.89g、Bi2O3を256.40g、PbOを202.65g、B2O3を9.72gそれぞれ秤量して原料組成を変えたこと、および、育成温度を787℃とした以外は実施例1と同様にしてRIGを育成したところ、格子不整合によりRIGは剥れ、更に全面にはクラックが発生し、挿入損失(IL)を確認できるRIGは得られなかった。従って1mm角の良品も0個と劣悪な結果であった。
Claims (2)
- 化学式Gd3(ScGa)5O12で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、
化学式La3-x-yGdxBiyFe5O12(但し、0<x<3、0<y<3)で示されると共に、
上記La、GdおよびBiの組成割合が、La−Gd−Bi三元系組成図上において、下記に示す組成点A、組成点B、組成点Cおよび組成点Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有することを特徴とするビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜。
組成点A(La/0.15,Gd/1.66,Bi/1.19)、
組成点B(La/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)、
組成点C(La/0.52,Gd/1.68,Bi/0.80)、
組成点D(La/0.35,Gd/1.46,Bi/1.19) - 請求項1に記載のビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜がファラデー回転子として用いられていることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010265608A JP5578049B2 (ja) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
CN201180056431.4A CN103221585B (zh) | 2010-11-29 | 2011-11-10 | 铋置换型稀土类铁石榴石晶体膜和光隔离器 |
EP11845937.9A EP2647743B1 (en) | 2010-11-29 | 2011-11-10 | Bismuth-substituted rare earth iron garnet crystal film and optical isolator |
PCT/JP2011/075920 WO2012073671A1 (ja) | 2010-11-29 | 2011-11-10 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
US13/884,371 US9322111B2 (en) | 2010-11-29 | 2011-11-10 | Bismuth-substituted rare-earth iron garnet crystal film and optical isolator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010265608A JP5578049B2 (ja) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012116673A JP2012116673A (ja) | 2012-06-21 |
JP2012116673A5 JP2012116673A5 (ja) | 2013-02-14 |
JP5578049B2 true JP5578049B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=46171619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010265608A Active JP5578049B2 (ja) | 2010-11-29 | 2010-11-29 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9322111B2 (ja) |
EP (1) | EP2647743B1 (ja) |
JP (1) | JP5578049B2 (ja) |
CN (1) | CN103221585B (ja) |
WO (1) | WO2012073671A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5991491B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2016-09-14 | 住友金属鉱山株式会社 | ファラデー回転子 |
US9771304B2 (en) | 2015-06-15 | 2017-09-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Ultra-high dielectric constant garnet |
JP6481552B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2019-03-13 | 住友金属鉱山株式会社 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜 |
JP6409708B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2018-10-24 | 住友金属鉱山株式会社 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法 |
CN114436637B (zh) * | 2022-03-07 | 2023-05-05 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种高介电常数高功率微波铁氧体材料及其制备方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06281902A (ja) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気光学素子材料 |
JP3472339B2 (ja) | 1994-04-06 | 2003-12-02 | Fdk株式会社 | 高パワー用光アイソレータ |
US5566017A (en) | 1994-08-04 | 1996-10-15 | Fdk Corporation | Material for magneto-optical element and faraday rotator using the same |
JP3476557B2 (ja) * | 1994-08-30 | 2003-12-10 | Fdk株式会社 | ファラデー回転子 |
JPH0867600A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法 |
JPH08290997A (ja) | 1995-04-18 | 1996-11-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 |
JPH08290998A (ja) | 1995-04-18 | 1996-11-05 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶 |
US5965287A (en) | 1996-10-29 | 1999-10-12 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material and Faraday element using the same |
JPH10273397A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-13 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ファラデー素子 |
JP2000066160A (ja) | 1998-08-17 | 2000-03-03 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 高エネルギーレーザー用ファラデー回転子 |
JP2000119100A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 非磁性ガーネット単結晶及び磁性ガーネット単結晶 |
JP4600660B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 高出力レーザー用ファラデー回転子 |
US7695562B2 (en) | 2006-01-10 | 2010-04-13 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal and method for producing the same as well as optical element using the same |
JP4802995B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2011-10-26 | Tdk株式会社 | 磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子 |
JP4797733B2 (ja) | 2006-03-23 | 2011-10-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 高出力レーザー用偏波無依存型光アイソレータ |
JP5239431B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2013-07-17 | 住友金属鉱山株式会社 | ファラデー回転子 |
JP5589802B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-09-17 | 住友金属鉱山株式会社 | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ |
-
2010
- 2010-11-29 JP JP2010265608A patent/JP5578049B2/ja active Active
-
2011
- 2011-11-10 US US13/884,371 patent/US9322111B2/en active Active
- 2011-11-10 WO PCT/JP2011/075920 patent/WO2012073671A1/ja active Application Filing
- 2011-11-10 EP EP11845937.9A patent/EP2647743B1/en active Active
- 2011-11-10 CN CN201180056431.4A patent/CN103221585B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103221585B (zh) | 2016-01-20 |
EP2647743A1 (en) | 2013-10-09 |
CN103221585A (zh) | 2013-07-24 |
EP2647743A4 (en) | 2014-07-23 |
EP2647743B1 (en) | 2018-02-21 |
WO2012073671A1 (ja) | 2012-06-07 |
US20130224500A1 (en) | 2013-08-29 |
US9322111B2 (en) | 2016-04-26 |
JP2012116673A (ja) | 2012-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5578049B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
JP5589802B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
JP2006215491A (ja) | 高出力レーザー用ファラデー回転子 | |
JP2019184782A (ja) | ファラデー回転子、光アイソレータ、及びファラデー回転子の製造方法 | |
JP2007256616A (ja) | 高出力レーザー用偏波無依存型光アイソレータ | |
JP3699629B2 (ja) | 磁性ガーネット材料及びそれを用いた磁気光学素子 | |
JP2010134066A (ja) | ファラデー回転子およびファラデー回転子ユニット | |
JP5459245B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
JP5991491B2 (ja) | ファラデー回転子 | |
JP5459244B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
JP5459243B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータ | |
JP6481552B2 (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜 | |
TW201445188A (zh) | 法拉第轉子及使用該法拉第轉子的光隔離器 | |
JP6894865B2 (ja) | ガーネット型結晶の製造方法 | |
JP2011256073A (ja) | ビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜の製造方法 | |
JP7327148B2 (ja) | ビスマス置換希土類-鉄ガーネット膜の液相エピタキシャル育成方法 | |
JP2005314135A (ja) | ビスマス置換型磁性ガーネット膜の製造方法および膜 | |
JP2005104803A (ja) | 磁性ガーネット単結晶膜育成用基板及びそれを用いた磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
JP2007302517A (ja) | ビスマス置換型ガーネット膜の製造方法 | |
JP2005330135A (ja) | 非磁性ガーネット単結晶基板 | |
JP2005298234A (ja) | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法 | |
JP2004331454A (ja) | ビスマス置換型磁性ガーネット膜とその製造方法 | |
JP2004168657A (ja) | 磁性ガーネット単結晶およびそれを用いたファラデー回転子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121221 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5578049 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |