JPS60178607A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents
金属酸化物磁性体及び磁性膜Info
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- JPS60178607A JPS60178607A JP3578284A JP3578284A JPS60178607A JP S60178607 A JPS60178607 A JP S60178607A JP 3578284 A JP3578284 A JP 3578284A JP 3578284 A JP3578284 A JP 3578284A JP S60178607 A JPS60178607 A JP S60178607A
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- Japan
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- magnetic
- magnetic material
- film
- substrate
- metallic
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮販水乱
本発明は新規な金属酸化物磁性体及びそれよりなる磁性
膜に関する。
膜に関する。
Ｕ１亙
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究１１発されている。
記録媒体が高密度記録用として研究１１発されている。
従来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。
類金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。
このような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を
作るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、
例えば゛Ｉ″ｂ−Ｆｅ合金を真空蒸濱、スパッタリング
等の方法で厚さ０．１−１μｍ程度に付着させて磁性膜
を形成している。こうして得られる光磁気記録媒体への
記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁
性膜のキュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号
で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の
向きを反転させることにより行なわれる。また再生はこ
うして反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用
して読出すことにより行なわれる。前述のような非晶質
合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いた
め、半導体レーザー光によって高速度（周波数１ＭＩＩ
Ｚにおいて）で記録できるという利点はあるが、非晶質
合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易い
ので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するとい
う大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性
膜上にＳ ｉ Ｏ，Ｓ ｉ Ｏ，等の保護膜を設ける（
形成法は磁性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリン
グ等による）ことも知られているが、磁性膜或いは保護
膜の形成時、真空中に残存するＯ７、基板面に吸潰され
たＯ、、Ｈ，０等及び合金磁性体のターゲラ１〜中に含
まれるＯ、、Ｈ，Ｏ等により経時と共に磁性膜が酸化腐
食される−に。
作るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、
例えば゛Ｉ″ｂ−Ｆｅ合金を真空蒸濱、スパッタリング
等の方法で厚さ０．１−１μｍ程度に付着させて磁性膜
を形成している。こうして得られる光磁気記録媒体への
記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁
性膜のキュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化
に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号
で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の
向きを反転させることにより行なわれる。また再生はこ
うして反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用
して読出すことにより行なわれる。前述のような非晶質
合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いた
め、半導体レーザー光によって高速度（周波数１ＭＩＩ
Ｚにおいて）で記録できるという利点はあるが、非晶質
合金磁性体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易い
ので、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するとい
う大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性
膜上にＳ ｉ Ｏ，Ｓ ｉ Ｏ，等の保護膜を設ける（
形成法は磁性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリン
グ等による）ことも知られているが、磁性膜或いは保護
膜の形成時、真空中に残存するＯ７、基板面に吸潰され
たＯ、、Ｈ，０等及び合金磁性体のターゲラ１〜中に含
まれるＯ、、Ｈ，Ｏ等により経時と共に磁性膜が酸化腐
食される−に。
記録時の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される
。また非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そ
のために磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有す
る。更に再生出力を向上するための再生方式として磁性
膜をできるだけ厚くシ、その上にＣｕ＋ ＡＱ、Ｐｔ、
Ａｕ。
。また非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そ
のために磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有す
る。更に再生出力を向上するための再生方式として磁性
膜をできるだけ厚くシ、その上にＣｕ＋ ＡＱ、Ｐｔ、
Ａｕ。
Δｇ等の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過
させた後１反射膜で反射させ、この反射光を検出する反
射型ファラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという
点で有利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠け
るため、この方式に用いることができないものであった
。
させた後１反射膜で反射させ、この反射光を検出する反
射型ファラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという
点で有利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠け
るため、この方式に用いることができないものであった
。
目 的
本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
隻−一部
本発明の金属酸化物磁性体は一般式（１）％式％）
Ｔｆ１．Ｉｎ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｓｎのいずれ
か一つを示し、５≦Ａ≦６．０＜Ｘ≦１．０． ＩＩＩ
はＭ１７）イオン価数を示す。） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
酸化物磁性体よりなるものである。
か一つを示し、５≦Ａ≦６．０＜Ｘ≦１．０． ＩＩＩ
はＭ１７）イオン価数を示す。） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
酸化物磁性体よりなるものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力ｔｌ ｃが適度に高いことが必要である。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力ｔｌ ｃが適度に高いことが必要である。
一般にこのＩ″Ｃ及びＨｃの適正範囲は■゛ｃに−）い
ては１００−３５０°゛Ｃ１目Ｃについては３００〜３
０（用エルステッドと考えらＡしる。これはＴｃが１０
０℃以１；では記録したメモリーが再生時のレーザー光
によって不安定になって再生特性の劣化原因となり、
また、３５０℃以−にでは半導体レーザー光による記録
が困難であり、一方、 ）Ｉ ｃ。
ては１００−３５０°゛Ｃ１目Ｃについては３００〜３
０（用エルステッドと考えらＡしる。これはＴｃが１０
０℃以１；では記録したメモリーが再生時のレーザー光
によって不安定になって再生特性の劣化原因となり、
また、３５０℃以−にでは半導体レーザー光による記録
が困難であり、一方、 ）Ｉ ｃ。
が３００エルステツド以下ではメモリーが不安定となっ
て消失する可能性があり、また３０００工ルステツド以
上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出力や外部磁
界が大きくなり、☆Ｉましくないからである。
て消失する可能性があり、また３０００工ルステツド以
上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出力や外部磁
界が大きくなり、☆Ｉましくないからである。
一方、従来より磁気バブル材料として六方晶系及びスピ
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶系のものでは例えば一般式（２） ％式％］ （但しＭｅ、Ａは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、 しか
も膜厚ｌＯμ霧としても透光性を備えていることに注目
した。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４５０℃以上
と高いため、前述のように半導体レーザー光による記録
は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料とし
て適用できない。そこで本発明者らは種々検討したとこ
ろ、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＳｃ、 ’ｌ
’ｉ、 Ｚｎ、 Ｔａ、 Ｉ ｎ、 Ｃｒ、 Ｇｅ、
Ｍｎ。
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶系のものでは例えば一般式（２） ％式％］ （但しＭｅ、Ａは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、 しか
も膜厚ｌＯμ霧としても透光性を備えていることに注目
した。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４５０℃以上
と高いため、前述のように半導体レーザー光による記録
は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料とし
て適用できない。そこで本発明者らは種々検討したとこ
ろ、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＳｃ、 ’ｌ
’ｉ、 Ｚｎ、 Ｔａ、 Ｉ ｎ、 Ｃｒ、 Ｇｅ、
Ｍｎ。
Ｒｉ、Ｓｎ原子の−っと買換するとＳｃ、Ｔｉ、Ｚｎ。
Ｉ″ａ、 Ｉｎ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｂｊ、Ｓｎ Ｉ￥
換のいずれの１９合も′１゛ｃが低ドすることを見出し
た。
換のいずれの１９合も′１゛ｃが低ドすることを見出し
た。
こ］しより本発明は、特にキュリ一温度が高いため、光
磁気記録媒体用材料として顧みられなかったー・般式（
２）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＳｃ等の上記１
０種の原子の−っで置換することによって、メモリーに
要求される適度に高い保磁力を維持しながら、キュリ一
温度を低下せし、めて゛１′：導体レーザー光による記
録、再生を可能にし、こうして光磁気記録媒体用材料と
して適用できるようにした。
磁気記録媒体用材料として顧みられなかったー・般式（
２）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＳｃ等の上記１
０種の原子の−っで置換することによって、メモリーに
要求される適度に高い保磁力を維持しながら、キュリ一
温度を低下せし、めて゛１′：導体レーザー光による記
録、再生を可能にし、こうして光磁気記録媒体用材料と
して適用できるようにした。
本発明の金Ｈｒｇ１化物磁性体を作るには、Ｂｈ ＣＯ
７，Ｓ ｒ ＣＯｎ又はｐｂｃｏ、ｌとＦｅ、 ＣｏＩ
＋。
７，Ｓ ｒ ＣＯｎ又はｐｂｃｏ、ｌとＦｅ、 ＣｏＩ
＋。
更にＺｎＯ，ＴｉＯ２，Ｉｎｔ Ｏｌ、Ｃｒ、０．、’
ＵａＯ，。
ＵａＯ，。
１３ｊ、 Ｏｎ、Ｍｎ、 Ｏ，、ＳｎＯ，、Ｓ ｃ、
０．ｌ、 （ｉｅｏ。
０．ｌ、 （ｉｅｏ。
のいず１しか一つを混合粉砕し、これを１０００〜１１
００℃にて可焼する、次にこれを粉砕し適当な形状の金
型に入れプレス成型後１２００〜Ｉ／１００”ｃにて焼
結して金属酸化物磁性体を得る。
００℃にて可焼する、次にこれを粉砕し適当な形状の金
型に入れプレス成型後１２００〜Ｉ／１００”ｃにて焼
結して金属酸化物磁性体を得る。
以上のようにして得ら」Ｌる本発明の金属酸化物磁性体
の具体例は次の通りである。
の具体例は次の通りである。
Ｂ ａ ＯＩ６−０ ［Ｔ ｉｏ、ｎ Ｆ ｅｌ、ｔｌ
Ｏｑ］Ｂ ａ ０ ・６．ＯＣＺ ｎｏ、＊ Ｆ’ｅ
＋嘗。 Ｏｓ〕Ｂ ａ Ｏ・（ｉ、ｏ （Ｓ Ｃ６Ｊｒ
Ｆ ｅｉ、Ｉｔ ｏｌ ）Ｂａ０・６．０［Ｉｎ、２
Ｆｅ、、Ｏ，］Ｂ ａ ０ ・６．０ ［Ｔ ａｏ、
ｔ Ｆ ｅｌ、ｔｔ Ｏｓ ］Ｂａ０・６．０［Ｃｒ、
５ Ｆｅｒ、ｔ Ｏｓ ］Ｂａ０・６．ＯＣＭｎ’ｏ、
ｇ Ｆｅｒ、ｔ Ｏ，）Ｂ ａ ０ ・ ６．０ （Ｃ
ｒ（＞７゜ Ｆ ｅ ｌ、Ｂ Ｏａ ）Ｂ ａ Ｏ−６
，０（Ｍ ｎ、、、Ｆ １１Ｊｊ−ｏｌ ］Ｂ ａ Ｏ
・ ６．０ ［：Ｇ ｅｏ、：ｒｅ Ｆ Ｓｒ７９ ０
ａ ］Ｂ ａ、ｏ ・６．０ （Ｓ ｎｏ、ｘ Ｆ ｅ
ｌ、＃ Ｏｘ ］Ｂａ０・６．０（Ｂｉ、６ Ｆｅｒ、
ｚ Ｏｓ ）Ｂ ａ Ｏ・５．５ （Ｔ ｉ、、ｒ、Ｆ
ｅｌ詩ｏ−、）Ｓ ｒ ０ ・６．０ （７１” ｉ
ａ、ｒｚ Ｆ ｅｌ、ｔ） Ｏｐ ）Ｐ ｂ ０ ・６
．０ ［−ｒ ｉａ、１２ Ｆ ｅ＋會９ ｏ＋＋ ］
Ｓ ｒ ０ ・５．５ （Ｓ ｃ、、ｒｋＦ ｅｔ、ｗ
ｓ Ｏ，）Ｐ ｂ Ｏ・（ｉ、ｏ （Ｓ ｃｏ、ｒｒ
Ｆ ｅ（、ｓｒ Ｏｘ ）Ｓ ｒ ０ ・６．ＯＣＩ
ｎ６．２ Ｆ ｅｌ、ｔ Ｏｓ ）Ｐ ｂＯ’５．８
（ｒ ｒ１６．ｚ ’Ｆ ｅｔｒ ０１ｌ）Ｓ ｒ ０
・６．０ ［（’、 ｒ６，１− Ｆ ｅｌ、ｋ ｏ
１１］Ｓ ｒ Ｏ・ ５．５ （（二 ”” ” ｅｔ
ｒ Ｏ、）１” ｂ ０ ・６．０ （Ｍ ｎｏ、Ｆ
ｅ’＋、ｔ ｏ、）Ｓｒ０・６．０［Ｍｎ、ｔ Ｆｅ１
ｌｈ Ｏ！ｌ ］Ｓ ｒ ・６．０ （Ｇ ａａ、ｎ
Ｆ ｅｌ、１，０１１）Ｓｒ ・６．０１：Ｂｉｇ Ｆ
Ｆ！１．１） ０５）＝に記金属酸化物磁性体のファラ
デー回転角を更に増大して磁気光学特性を改善するため
に（”、ｏ、Ｂ ｉ 、Ｖ、Ｌａ、Ｙ、Ｙｂ、Ｓｍ＋
”ｒｂ。
Ｏｑ］Ｂ ａ ０ ・６．ＯＣＺ ｎｏ、＊ Ｆ’ｅ
＋嘗。 Ｏｓ〕Ｂ ａ Ｏ・（ｉ、ｏ （Ｓ Ｃ６Ｊｒ
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５ Ｆｅｒ、ｔ Ｏｓ ］Ｂａ０・６．ＯＣＭｎ’ｏ、
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・ ６．０ ［：Ｇ ｅｏ、：ｒｅ Ｆ Ｓｒ７９ ０
ａ ］Ｂ ａ、ｏ ・６．０ （Ｓ ｎｏ、ｘ Ｆ ｅ
ｌ、＃ Ｏｘ ］Ｂａ０・６．０（Ｂｉ、６ Ｆｅｒ、
ｚ Ｏｓ ）Ｂ ａ Ｏ・５．５ （Ｔ ｉ、、ｒ、Ｆ
ｅｌ詩ｏ−、）Ｓ ｒ ０ ・６．０ （７１” ｉ
ａ、ｒｚ Ｆ ｅｌ、ｔ） Ｏｐ ）Ｐ ｂ ０ ・６
．０ ［−ｒ ｉａ、１２ Ｆ ｅ＋會９ ｏ＋＋ ］
Ｓ ｒ ０ ・５．５ （Ｓ ｃ、、ｒｋＦ ｅｔ、ｗ
ｓ Ｏ，）Ｐ ｂ Ｏ・（ｉ、ｏ （Ｓ ｃｏ、ｒｒ
Ｆ ｅ（、ｓｒ Ｏｘ ）Ｓ ｒ ０ ・６．ＯＣＩ
ｎ６．２ Ｆ ｅｌ、ｔ Ｏｓ ）Ｐ ｂＯ’５．８
（ｒ ｒ１６．ｚ ’Ｆ ｅｔｒ ０１ｌ）Ｓ ｒ ０
・６．０ ［（’、 ｒ６，１− Ｆ ｅｌ、ｋ ｏ
１１］Ｓ ｒ Ｏ・ ５．５ （（二 ”” ” ｅｔ
ｒ Ｏ、）１” ｂ ０ ・６．０ （Ｍ ｎｏ、Ｆ
ｅ’＋、ｔ ｏ、）Ｓｒ０・６．０［Ｍｎ、ｔ Ｆｅ１
ｌｈ Ｏ！ｌ ］Ｓ ｒ ・６．０ （Ｇ ａａ、ｎ
Ｆ ｅｌ、１，０１１）Ｓｒ ・６．０１：Ｂｉｇ Ｆ
Ｆ！１．１） ０５）＝に記金属酸化物磁性体のファラ
デー回転角を更に増大して磁気光学特性を改善するため
に（”、ｏ、Ｂ ｉ 、Ｖ、Ｌａ、Ｙ、Ｙｂ、Ｓｍ＋
”ｒｂ。
Ｄｙ、Ｇｄ等の金属を添加することができる。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にもよるが、一般に基板Ｊ−にこの磁性体を
ターゲラ１−とじて基板温度５００〜７００℃で真空蒸
着、スパッタリング１．イオンブレーティング等の方法
で膜厚０．１−１０μＩ１１程度に（４着させればよい
。こうして第５図に示１−ように基板１上に、垂直磁化
された磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。な
お場合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満
で行なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成後、
これに５００〜８００℃の熱処理を、場合により磁界を
印加しながら１行なって垂直磁化させる必要がある。こ
こで基板の材料としては一般にアルミニウムのような耐
熱性金属；石英ガラス；ＧＧＧ；号ファイヤ；リチウム
タンタレート；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス
；バイコールガラス；表面を酸化処理し又は処理しない
Ｊｌｊ結晶シリコン：ＡＱ、０３゜ＡＱ、Ｏ，・ＭｇＯ
，ＭｇＯ・Ｉ−ｉ Ｆ ＋ Ｙ ２０ ｓ・Ｌ ｉ Ｆ
＋ Ｂｅｄ、ＺｒＯ，’Ｙ２０．ｌ、Ｔｈｅ、’ＣａＯ
等の透明セラミック材；無機シリコン材（例えば東芝シ
リコン社製トスガード、住人化学社製スミセラムＰ）等
の無機材料が使用できる。
基板の種類にもよるが、一般に基板Ｊ−にこの磁性体を
ターゲラ１−とじて基板温度５００〜７００℃で真空蒸
着、スパッタリング１．イオンブレーティング等の方法
で膜厚０．１−１０μＩ１１程度に（４着させればよい
。こうして第５図に示１−ように基板１上に、垂直磁化
された磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。な
お場合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満
で行なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成後、
これに５００〜８００℃の熱処理を、場合により磁界を
印加しながら１行なって垂直磁化させる必要がある。こ
こで基板の材料としては一般にアルミニウムのような耐
熱性金属；石英ガラス；ＧＧＧ；号ファイヤ；リチウム
タンタレート；結晶化透明ガラス；パイレックスガラス
；バイコールガラス；表面を酸化処理し又は処理しない
Ｊｌｊ結晶シリコン：ＡＱ、０３゜ＡＱ、Ｏ，・ＭｇＯ
，ＭｇＯ・Ｉ−ｉ Ｆ ＋ Ｙ ２０ ｓ・Ｌ ｉ Ｆ
＋ Ｂｅｄ、ＺｒＯ，’Ｙ２０．ｌ、Ｔｈｅ、’ＣａＯ
等の透明セラミック材；無機シリコン材（例えば東芝シ
リコン社製トスガード、住人化学社製スミセラムＰ）等
の無機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第１図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜５図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラッり（ｌき基板、３は反射膜、４は透明誘電層、
５はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、
８は耐熱層である。ここでガイド１−ラツクイ；Ｊき基
板ビは前述のような有機材７；１を射出成型、押出成型
、）第１−エツチング法等により加］二して作られる。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第２〜５図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラッり（ｌき基板、３は反射膜、４は透明誘電層、
５はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、
８は耐熱層である。ここでガイド１−ラツクイ；Ｊき基
板ビは前述のような有機材７；１を射出成型、押出成型
、）第１−エツチング法等により加］二して作られる。
なお基板のガイド１−ラックは記録、再生時のレーザー
光を案内するものである。反射膜３はＣｕ、Ａ１１．、
Δｇ＋Ａｕ。
光を案内するものである。反射膜３はＣｕ、Ａ１１．、
Δｇ＋Ａｕ。
Ｐ ｔ＋ ”］、’ｅＯｘ＋ ＴｅＣ，５ｅＡｓ＋ ’
］、”ｅＡｓ＋Ｔ ｉ Ｎ 、 Ｔ’ ａ Ｎ 、 Ｃ
ｒ Ｎ ＋シアニン染料、フタロシアニン染料等を真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法
で対象面に膜厚５００−１００００人程度に１］着させ
ることにより形成される。なおこの反射１漠は、磁性膜
を透過したレーザー光を反射し、再び磁性膜を透過する
ことによるファラデー効果を増大させる目的で設Ｕられ
る。透明誘電層４はＳｉＯ，＋ＳｉＯ。
］、”ｅＡｓ＋Ｔ ｉ Ｎ 、 Ｔ’ ａ Ｎ 、 Ｃ
ｒ Ｎ ＋シアニン染料、フタロシアニン染料等を真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法
で対象面に膜厚５００−１００００人程度に１］着させ
ることにより形成される。なおこの反射１漠は、磁性膜
を透過したレーザー光を反射し、再び磁性膜を透過する
ことによるファラデー効果を増大させる目的で設Ｕられ
る。透明誘電層４はＳｉＯ，＋ＳｉＯ。
’Ｉ’ｉ０．．’Ｉ’ｉ０．ＣｅＯ，＊ ＨｆＯ，、Ｂ
ｅｄ。
ｅｄ。
’Ｉ’ｈＯ，，Ｓ ｉ、、ＮＪ等を前記と同様な方法で
対象面に膜厚約０．０５〜０．５７１ｍ程度に付着させ
ることにより形成される。なおこの透明ＭＮ、層はファ
ラデー回転角を増大させて再生出力配向上する目的で設
けられる。ガイドトラック層５は対象面に紫外線硬化性
樹脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しなが
ら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させることにより
形成される。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂
、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ＋ Ｓ ｉ、
ＮＪ ＋ＴａＮ、Ｓ ｉｏ、、Ｓ ｉ。
対象面に膜厚約０．０５〜０．５７１ｍ程度に付着させ
ることにより形成される。なおこの透明ＭＮ、層はファ
ラデー回転角を増大させて再生出力配向上する目的で設
けられる。ガイドトラック層５は対象面に紫外線硬化性
樹脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しなが
ら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させることにより
形成される。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂
、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ＋ Ｓ ｉ、
ＮＪ ＋ＴａＮ、Ｓ ｉｏ、、Ｓ ｉ。
等を樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で対象
面に膜厚約０．１〜ｌｏＩＬｍ程度に（＝Ｊ着させるこ
とにより形成される。なおこの保護膜は反射膜３を保護
する目的で設けられる。
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で対象
面に膜厚約０．１〜ｌｏＩＬｍ程度に（＝Ｊ着させるこ
とにより形成される。なおこの保護膜は反射膜３を保護
する目的で設けられる。
透明接着層７は、反射膜３を設けたガイドトラック付き
基板１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層
は前記無機材料よりなるので、［磁性膜を設けた耐熱層
」とは前記単層型光磁気記録材料のことである。）の磁
性膜とをエポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド等の
樹脂で約２〜１００μｍ厚程度に接着することにより形
成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′−１−の
反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接合す
るための層である。なお耐熱Ｍ８は前述のような無機材
料よりなるので、基板ｌに１１１当するが、ここでは磁
性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる。厚さは約１０
〜５００μ−程度が適当である。
基板１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層
は前記無機材料よりなるので、［磁性膜を設けた耐熱層
」とは前記単層型光磁気記録材料のことである。）の磁
性膜とをエポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド等の
樹脂で約２〜１００μｍ厚程度に接着することにより形
成される。即ちこの透明接着層は単に基板１′−１−の
反射膜３と単層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接合す
るための層である。なお耐熱Ｍ８は前述のような無機材
料よりなるので、基板ｌに１１１当するが、ここでは磁
性膜２の耐熱性向上の目的で設けられる。厚さは約１０
〜５００μ−程度が適当である。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又はｊＡ板側から変
調又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又はｊＡ板側から変
調又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
りし−」（
本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料とし、て適正なｒ ｃ及びＩｉｃ、を有し、記録
感度が高いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐
食性及び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時
劣化がなく１月つ再生時に透過光も利用でき、このため
再生出力の高いファラデー回転角を利用して再生するこ
とができる。
用材料とし、て適正なｒ ｃ及びＩｉｃ、を有し、記録
感度が高いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐
食性及び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時
劣化がなく１月つ再生時に透過光も利用でき、このため
再生出力の高いファラデー回転角を利用して再生するこ
とができる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜２５
あらかじめ蒸着によってＡｇを膜厚５００人及びこの上
にスパッタリングによってＳｉｎ、を膜厚［０００人被
消した石英基板上に対し、下記表に示した組成のターゲ
ットを各々、Ａｒ分圧２．０＋ｎｍ−Ｉ’ ｏ ｒ ｒ
、０２分圧０．３＋ｎｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々力０．
３ＫＷ、基板温度５５０〜７００℃の条件で２時間スパ
ッタリングして０．３μｍ厚の磁性膜を形成した。これ
ら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測定した
結果を下表に示す。
にスパッタリングによってＳｉｎ、を膜厚［０００人被
消した石英基板上に対し、下記表に示した組成のターゲ
ットを各々、Ａｒ分圧２．０＋ｎｍ−Ｉ’ ｏ ｒ ｒ
、０２分圧０．３＋ｎｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々力０．
３ＫＷ、基板温度５５０〜７００℃の条件で２時間スパ
ッタリングして０．３μｍ厚の磁性膜を形成した。これ
ら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測定した
結果を下表に示す。
（以下余白）
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら。
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら。
出力２０ＩＩＩｗの半導体レーザー光を記録媒体表面で
の強度１０ｎ＋Ｉｄ及び周波数ＩＭｌｌｚのパルスで照
射して磁気反転せしめ、記録したところ、いずれも微小
ビットが形成された。
の強度１０ｎ＋Ｉｄ及び周波数ＩＭｌｌｚのパルスで照
射して磁気反転せしめ、記録したところ、いずれも微小
ビットが形成された。
第１〜５図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光
磁気記録媒体の一例の構成図である。 １・・・基板 １′・・・ガイドトラック層１き基板 ２・・・磁性膜 ３・・反射膜 ４・・・透明、ｌ！ｔｆｌ［５・・・ガイドトラック層
６・・・保 護 膜 ７・・・透明接着層８・・耐 熱
層 図面の作出（内容に変更なし） 第１閃 鴨２図 ／３ ２ −１ 弔３０ 焔４関 １ ｊ −； 手続有口正置（方式） ％式％ １、 事件の表示 昭和５９年特許願第３５７８２号 ２、発明の名称 金属酸化物磁性体及び磁性膜 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大Ｅｌ１区中馬込１丁目３番６号ｉ （６７４）
株式会社 リ コ − １ 代表者 浜 ＋１１ 広 シ ミ４１代理人 昭和５９年５月２９日 ６、 補正の対象 図 面 ７、補正の内容
磁気記録媒体の一例の構成図である。 １・・・基板 １′・・・ガイドトラック層１き基板 ２・・・磁性膜 ３・・反射膜 ４・・・透明、ｌ！ｔｆｌ［５・・・ガイドトラック層
６・・・保 護 膜 ７・・・透明接着層８・・耐 熱
層 図面の作出（内容に変更なし） 第１閃 鴨２図 ／３ ２ −１ 弔３０ 焔４関 １ ｊ −； 手続有口正置（方式） ％式％ １、 事件の表示 昭和５９年特許願第３５７８２号 ２、発明の名称 金属酸化物磁性体及び磁性膜 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大Ｅｌ１区中馬込１丁目３番６号ｉ （６７４）
株式会社 リ コ − １ 代表者 浜 ＋１１ 広 シ ミ４１代理人 昭和５９年５月２９日 ６、 補正の対象 図 面 ７、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ％式％］ Ｔａ、Ｔｎ、（、ｒ、Ｇｅ、Ｋｎ、Ｂｉ、Ｓｔ＋のいず
扛か一つを示し、５≦Ａ≦６．０＜Ｘ≦１．０．ｎはＭ
のイオン価数を示す。） で示される金属酸化物磁性体。 ２、一般式 ％式％ Ｔａ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｄｉ、Ｓｎのいずれか
一つを示り、５；Ａ６．ｏ＜ｘ≦１．０． ｍはＭのイ
オン価数を示す。） で示さ４Ｌる金属酸化物磁性体よりなる磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3578284A JPS60178607A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3578284A JPS60178607A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178607A true JPS60178607A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12451466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3578284A Pending JPS60178607A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178607A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211904A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ricoh Co Ltd | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
| JPS6435901A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Toshiba Glass Kk | Magnetic powder and manufacture thereof |
| US5030332A (en) * | 1990-04-19 | 1991-07-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for making magnetic oxide precipitates |
-
1984
- 1984-02-25 JP JP3578284A patent/JPS60178607A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211904A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Ricoh Co Ltd | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
| JPS6435901A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Toshiba Glass Kk | Magnetic powder and manufacture thereof |
| US5030332A (en) * | 1990-04-19 | 1991-07-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for making magnetic oxide precipitates |
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