JPS60121704A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents
金属酸化物磁性体及び磁性膜Info
- Publication number
- JPS60121704A JPS60121704A JP22965783A JP22965783A JPS60121704A JP S60121704 A JPS60121704 A JP S60121704A JP 22965783 A JP22965783 A JP 22965783A JP 22965783 A JP22965783 A JP 22965783A JP S60121704 A JPS60121704 A JP S60121704A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- metal oxide
- film
- magneto
- substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
五誓分裏
本発明は新規な金属酸化物磁性体及びそれよりなる磁性
１模に関する。
１模に関する。
菜Ｘ鎮−翫
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ −Ｆｅ合金を１ｒ空蒸着、スパッタリング等
の方法で厚さ０．１〜１μＩＴＩ程度に伺着させて磁性
膜を形成している。こうして得られる光磁気記録媒体へ
の記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は
磁性膜のキュリ一温度又は補償温度近傍における温度変
化に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信
号で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化
の向きを反転させることにより行なわれる。また再生は
こうして反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利
用して読出すことにより行なわれる。前述のような非晶
質合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高い
ため。
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ −Ｆｅ合金を１ｒ空蒸着、スパッタリング等
の方法で厚さ０．１〜１μＩＴＩ程度に伺着させて磁性
膜を形成している。こうして得られる光磁気記録媒体へ
の記録、再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は
磁性膜のキュリ一温度又は補償温度近傍における温度変
化に対応した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信
号で変調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化
の向きを反転させることにより行なわれる。また再生は
こうして反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利
用して読出すことにより行なわれる。前述のような非晶
質合金磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高い
ため。
半導体レーザー光によって高速度（周波Ｖｉ１１４１１
ｚにおいて）で記録できるという利点はあるが、非晶質
合金磁性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を受け易いの
で、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという
大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜
」二にＳｉｎ。
ｚにおいて）で記録できるという利点はあるが、非晶質
合金磁性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を受け易いの
で、経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという
大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜
」二にＳｉｎ。
Ｓｉｎ、等の保護膜を設ける（形成法は磁性膜の場合と
同様、真空蒸着、スパッタリング等による）ことも知ら
れているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真空中に残
存する０２、基板面に吸着されたＯ７，８２０等及び合
金磁性体のターゲラ１−中に含まれるＯ７．ｌ−１２０
等により経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時
の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される。また
非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのため
に磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。更
に再生出力を向上するための再生方式として磁性膜をで
きるだけ厚くし、その上にＣ（］、ΔＱ、Ｐｔ、Ａｕ等
の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させた
後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反射型フ
ァラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという点て有
利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠けるため
、この方式に用いることができないものであった。
同様、真空蒸着、スパッタリング等による）ことも知ら
れているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真空中に残
存する０２、基板面に吸着されたＯ７，８２０等及び合
金磁性体のターゲラ１−中に含まれるＯ７．ｌ−１２０
等により経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時
の光及び熱により更にこの酸化腐食は促進される。また
非結晶質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのため
に磁気特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。更
に再生出力を向上するための再生方式として磁性膜をで
きるだけ厚くし、その上にＣ（］、ΔＱ、Ｐｔ、Ａｕ等
の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過させた
後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反射型フ
ァラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという点て有
利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠けるため
、この方式に用いることができないものであった。
目 的
本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた。光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体よ
りなる磁性膜をμｓ供することである。
び透光性に優れた。光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体よ
りなる磁性膜をμｓ供することである。
構 成
本発明の金ｒｉｒｃ酸化物磁性体は一般式（１）％式％
］ ） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
化物磁性体よりなるものである。
］ ） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
化物磁性体よりなるものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
７Ｕ ｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持
するために保磁力１−１ ｃが適度に高いことが必要で
ある。一般にこのＴｃ及びＨｃ、の適正範囲は′１゛Ｃ
については１００〜３５０℃、 Ｉｌｃについては３０
０〜６０００エルステツドと考えられる。 これはＴｃ
が１００°Ｃ以下では記録したメモリーが再生時のレー
ザー光によって不安定になって再生特性の劣化原因とな
り、また、３５０°Ｃ以」二では半導体レーザー光によ
る記録が困難であり、一方、Ｉｌｃが３００エルステツ
ド以下ではメモリーが不安定となって消失する可能性が
あり、また６０００工ルステソ１〜以上では記録時の磁
化反転に必要なレーザー出力や外部磁界が大きくなり、
好ましくないからである。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
７Ｕ ｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持
するために保磁力１−１ ｃが適度に高いことが必要で
ある。一般にこのＴｃ及びＨｃ、の適正範囲は′１゛Ｃ
については１００〜３５０℃、 Ｉｌｃについては３０
０〜６０００エルステツドと考えられる。 これはＴｃ
が１００°Ｃ以下では記録したメモリーが再生時のレー
ザー光によって不安定になって再生特性の劣化原因とな
り、また、３５０°Ｃ以」二では半導体レーザー光によ
る記録が困難であり、一方、Ｉｌｃが３００エルステツ
ド以下ではメモリーが不安定となって消失する可能性が
あり、また６０００工ルステソ１〜以上では記録時の磁
化反転に必要なレーザー出力や外部磁界が大きくなり、
好ましくないからである。
一方、従来より磁気バブル材料として六方晶形及びスピ
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶形のものでは例えば一般式（２） ％式％） （但しＭｅ、ｎは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、しかも
膜厚１０μとしても透光性を備えていることに注目した
。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４５０°Ｃ以上と
高いため、前述のように半導体レーザー光による記録は
困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として
適用できない。そこで本発明者らは種々検討したところ
、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＧａ又はＳｃ原
子で置換すると、Ｇａ置換、Ｓｃ置換のいずれの場合も
Ｔ ｃが低ドすることを見出した。同時にＨｃについて
はＧ ａ置換の場合は増大するが、Ｓｃ置換の場合は低
下することを見出した。例えばＧａ又はＳｃ置換体Ｂａ
ｏ−Ｍ Ｚ Ｆ ｅｔ（、ｚ −ｚ Ｏ（、、ｚ （
ＭはＧａ又はＳｃ、ＺはＱａ又はＳｃの置換数を表わす
。）はＴ ｃについては第１図（図中、ａはＧａ置換体
、ｂはＳｃ［換体を表わす。）のような傾向を示し、ま
たＩ−１ｃについては第２図（図中、ａ′はＧａ置換体
、ｂ′はＳｃ置換体を表わす。）のような傾向を示した
。そこで本発明者らはこのようなＧａ及びＳｃの置換効
果に着目し、更に光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜
に要求されるＴ ｃ及びＨｃの前記適正範囲を考慮して
一般式（２）のＦｅの一部をＧａ及びＳｃの２種の金属
で種々の割合で置換した結果、一般式（１）の金属酸化
物磁性体が光磁気記録媒体として優れた特性を与えるこ
とを見出し１本発明に到達した。
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶形のものでは例えば一般式（２） ％式％） （但しＭｅ、ｎは一般式（１）に同じ）で示されるもの
が知られている。本発明者らはこの種の磁性体がそれ自
体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがなく、しかも
膜厚１０μとしても透光性を備えていることに注目した
。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４５０°Ｃ以上と
高いため、前述のように半導体レーザー光による記録は
困難であり、そのままでは光磁気記録媒体用材料として
適用できない。そこで本発明者らは種々検討したところ
、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＧａ又はＳｃ原
子で置換すると、Ｇａ置換、Ｓｃ置換のいずれの場合も
Ｔ ｃが低ドすることを見出した。同時にＨｃについて
はＧ ａ置換の場合は増大するが、Ｓｃ置換の場合は低
下することを見出した。例えばＧａ又はＳｃ置換体Ｂａ
ｏ−Ｍ Ｚ Ｆ ｅｔ（、ｚ −ｚ Ｏ（、、ｚ （
ＭはＧａ又はＳｃ、ＺはＱａ又はＳｃの置換数を表わす
。）はＴ ｃについては第１図（図中、ａはＧａ置換体
、ｂはＳｃ［換体を表わす。）のような傾向を示し、ま
たＩ−１ｃについては第２図（図中、ａ′はＧａ置換体
、ｂ′はＳｃ置換体を表わす。）のような傾向を示した
。そこで本発明者らはこのようなＧａ及びＳｃの置換効
果に着目し、更に光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜
に要求されるＴ ｃ及びＨｃの前記適正範囲を考慮して
一般式（２）のＦｅの一部をＧａ及びＳｃの２種の金属
で種々の割合で置換した結果、一般式（１）の金属酸化
物磁性体が光磁気記録媒体として優れた特性を与えるこ
とを見出し１本発明に到達した。
このように本発明は、特にキュリ一温度が高いため、光
磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一般式（２
）の金属化合物中のＦｅ原子の一部をＧａ及びＳｃ原子
で置換することによって、メモリーに要求される適度に
高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せしめ
て半導体レーザー光による記録、再生を可能にし、こう
して光磁気記録媒体用材料として適用できるようにした
ものである。
磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一般式（２
）の金属化合物中のＦｅ原子の一部をＧａ及びＳｃ原子
で置換することによって、メモリーに要求される適度に
高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せしめ
て半導体レーザー光による記録、再生を可能にし、こう
して光磁気記録媒体用材料として適用できるようにした
ものである。
以上の説明から判るように本発明の金属酸化物磁性体は
光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリ一温
度範囲及び適正保磁力範囲を満足するものである。例え
ば Ｂ ａｏ’Ｇａｘ ’ ＳＣｙ’ ＦＱ１＋４− （Ｘ
’ ＋ｙ ’ 、ｏ、、８（但しＸ′はＱａ置換数、
Ｙ′は５ｃｔｉｌ換数）ではＴｃは第３図（図中、Ｃは
Ｇａの置換数Ｘ′が１．１２の場合、ｄは同じ＜ｘ’
が２．２４の場合を表わす。）に示すように、線ｄ、即
ちＧａの置換数Ｘ′が２．２４で、且つＳｃの置換数Ｙ
′が１．２の時、２２５℃であり、またＨｅは第４図（
図中Ｃ′はＧａの置換数Ｘ′が１．１２の場合、ｄ′は
同じくＸ′が２．２４の場合を表わす。）に示すように
、線ｄ′、即ちＧａの置換数Ｘ′が２．２４で、且つＳ
ｃの置換数Ｙ′が１．２の時、４２０エルステツドであ
る。これらのＴｃ及びＨｃ特性により本発明の金属酸化
物磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録、再
生を行なう光磁気記録媒体用材料として適用できること
は勿論、キュリ一温度が低いため、記録感度が高い上、
耐酸化腐食性及び透光性を備えている等の特長を持って
いる。
光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリ一温
度範囲及び適正保磁力範囲を満足するものである。例え
ば Ｂ ａｏ’Ｇａｘ ’ ＳＣｙ’ ＦＱ１＋４− （Ｘ
’ ＋ｙ ’ 、ｏ、、８（但しＸ′はＱａ置換数、
Ｙ′は５ｃｔｉｌ換数）ではＴｃは第３図（図中、Ｃは
Ｇａの置換数Ｘ′が１．１２の場合、ｄは同じ＜ｘ’
が２．２４の場合を表わす。）に示すように、線ｄ、即
ちＧａの置換数Ｘ′が２．２４で、且つＳｃの置換数Ｙ
′が１．２の時、２２５℃であり、またＨｅは第４図（
図中Ｃ′はＧａの置換数Ｘ′が１．１２の場合、ｄ′は
同じくＸ′が２．２４の場合を表わす。）に示すように
、線ｄ′、即ちＧａの置換数Ｘ′が２．２４で、且つＳ
ｃの置換数Ｙ′が１．２の時、４２０エルステツドであ
る。これらのＴｃ及びＨｃ特性により本発明の金属酸化
物磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録、再
生を行なう光磁気記録媒体用材料として適用できること
は勿論、キュリ一温度が低いため、記録感度が高い上、
耐酸化腐食性及び透光性を備えている等の特長を持って
いる。
本発明の金属酸化物磁性体を作るには夫々所定量のＢ
ａ ＣＯｓ又は５ｒＣＯ，とＦｅ、Ｏ。
ａ ＣＯｓ又は５ｒＣＯ，とＦｅ、Ｏ。
とＧ ａ ＝ ＯｓとＳｃ、Ｏ，とを混合粉砕し、これ
を適当な形状の金型に入れて成型後、 １２００〜１４
００℃の温度で焼結すればよい。
を適当な形状の金型に入れて成型後、 １２００〜１４
００℃の温度で焼結すればよい。
以上のようにして得られる本発明の金属酸化物磁性体の
具体例としては Ｂ ａ Ｏ−５，６（Ｇ ａｏ、、 Ｓ ｃｏ、ｏｔ
Ｆ ｅ、１．、ｏ−、）。
具体例としては Ｂ ａ Ｏ−５，６（Ｇ ａｏ、、 Ｓ ｃｏ、ｏｔ
Ｆ ｅ、１．、ｏ−、）。
Ｂ ａ ０ ・６．０ （Ｇ ａ６４ Ｓ ｃａ、ｏｔ
Ｆ ｅ（、ｔｚ Ｏｓ ） ｔＳ ｒ ０ ・５．６
（Ｇ ａ、、 Ｓ ｃ、、ｏ、 Ｆ ｅ７．＊ａ Ｏ
−） 。
Ｆ ｅ（、ｔｚ Ｏｓ ） ｔＳ ｒ ０ ・５．６
（Ｇ ａ、、 Ｓ ｃ、、ｏ、 Ｆ ｅ７．＊ａ Ｏ
−） 。
Ｓｒ０・６．０ （Ｇ ａｏ、ｚ Ｓ ｃｏ、ｏｔ Ｆ
ｅｙ、ｑｚ Ｏｚ ） ｒＢ ａ ０ ・５．６ （
Ｇ ａ６．ｉｇ Ｓ ｃｅ、ａｔ Ｆ ｅ、、ｓｔ Ｏ
ｓ ） ｒＢ ａ Ｏ・ ６．０ （Ｇ ａＯ，？Ｉ
Ｓ ｃｏ、ｏｓ Ｆ ｅ＋ｊ？ Ｏｓ ） ｔＳ ｒ
０ ・５．６ （Ｇ ａ、、、ｇ Ｓ ｃ６．ｏｔ Ｆ
ｅｒ、ｇｑ Ｏａ ） ｔＳ ｒ ０ ・６．０ （
Ｇ ａ、、１ｊ Ｓ ｃｏ。ｇ Ｆ ｅｌ、ｎ Ｏｓ
） 。
ｅｙ、ｑｚ Ｏｚ ） ｒＢ ａ ０ ・５．６ （
Ｇ ａ６．ｉｇ Ｓ ｃｅ、ａｔ Ｆ ｅ、、ｓｔ Ｏ
ｓ ） ｒＢ ａ Ｏ・ ６．０ （Ｇ ａＯ，？Ｉ
Ｓ ｃｏ、ｏｓ Ｆ ｅ＋ｊ？ Ｏｓ ） ｔＳ ｒ
０ ・５．６ （Ｇ ａ、、、ｇ Ｓ ｃ６．ｏｔ Ｆ
ｅｒ、ｇｑ Ｏａ ） ｔＳ ｒ ０ ・６．０ （
Ｇ ａ、、１ｊ Ｓ ｃｏ。ｇ Ｆ ｅｌ、ｎ Ｏｓ
） 。
等が挙げられる。
なお以上のような金属酸化物磁性体にはファラデー回転
角咎更に増大して磁気光学特性を改善するためにＣｏ、
Ｂ Ｓ、Ｖ＋ Ｌａ、Ｙ、Ｙｂ。
角咎更に増大して磁気光学特性を改善するためにＣｏ、
Ｂ Ｓ、Ｖ＋ Ｌａ、Ｙ、Ｙｂ。
Ｓｍ＋ Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ等の金属を添加することがで
きる。
きる。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度５００〜６００℃で真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で膜厚
０．１〜１０μｍ程度に付着させればよい。こうして第
５図に示すように基板１上に、垂直磁化された磁性膜２
を有する光磁気記録媒体が得られる。なお場合によって
は磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行なうことも
できる。但しこの場合は磁性膜形成後、これに５００〜
７００℃の熱処理を、場合により磁界を印加しながら１
行なって垂直磁化させる必要がある。ここで基板の材料
としては一般にアルミニウムのような耐熱性金属；石英
ガラス；ＧＧＧ；サフ７′イヤ；リチウムタンタレート
；結晶化透明ガラス；パイレツタスガラス；表面を酸化
処理し又は処理しない単結晶シリコン；ΔＱ２０． 、
ＡＱ、 ０．−ＭｇＯ。
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度５００〜６００℃で真空蒸着、
スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で膜厚
０．１〜１０μｍ程度に付着させればよい。こうして第
５図に示すように基板１上に、垂直磁化された磁性膜２
を有する光磁気記録媒体が得られる。なお場合によって
は磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で行なうことも
できる。但しこの場合は磁性膜形成後、これに５００〜
７００℃の熱処理を、場合により磁界を印加しながら１
行なって垂直磁化させる必要がある。ここで基板の材料
としては一般にアルミニウムのような耐熱性金属；石英
ガラス；ＧＧＧ；サフ７′イヤ；リチウムタンタレート
；結晶化透明ガラス；パイレツタスガラス；表面を酸化
処理し又は処理しない単結晶シリコン；ΔＱ２０． 、
ＡＱ、 ０．−ＭｇＯ。
ＭｇＯ’ＬｉＦ、Ｙ２Ｏ，Ｉ ’ＬｉＦ、ＢｅａｔＺｒ
Ｏ２・Ｙ２Ｏ，、Ｔｈｅ２・ＣａＯ等の透明セラミック
材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トスガー
ド、住人化学社製スミセラムＰ）等の無機材料或いはア
クリル樹脂、ポリカーボネー１へ樹脂、ポリエステル樹
脂等の有機材料が使用できる。
Ｏ２・Ｙ２Ｏ，、Ｔｈｅ２・ＣａＯ等の透明セラミック
材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トスガー
ド、住人化学社製スミセラムＰ）等の無機材料或いはア
クリル樹脂、ポリカーボネー１へ樹脂、ポリエステル樹
脂等の有機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第５図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げらＪしる。図中、１′はガ
イドトラック（Ｊき基板、３は反射膜、４は透明誘電層
、５はガイド１−ラック層、６は保護膜、７は透明接子
１層、８は耐熱層である。ここでガイド１〜ラツクイ４
き基板１′は前述のような有機材料を射出成型、押出成
型、フォトエツチング法等により加〜１ニして作られる
。なお基板のガイドトラックは記録、再生時のレーザー
光を案内するものである。反射膜３はＣｕ、ＡＱ、Ａｇ
、Ａｕ。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げらＪしる。図中、１′はガ
イドトラック（Ｊき基板、３は反射膜、４は透明誘電層
、５はガイド１−ラック層、６は保護膜、７は透明接子
１層、８は耐熱層である。ここでガイド１〜ラツクイ４
き基板１′は前述のような有機材料を射出成型、押出成
型、フォトエツチング法等により加〜１ニして作られる
。なお基板のガイドトラックは記録、再生時のレーザー
光を案内するものである。反射膜３はＣｕ、ＡＱ、Ａｇ
、Ａｕ。
Ｐｔ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，５ｅＡｓ、ＴｅＡｓ。
Ｔ ｉ Ｎ 、 Ｔ ａ Ｎ 、 Ｃｒ Ｎ 、シアニ
ン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等の方法で対象面に膜厚５
００〜１ｏｏｏｏ人程度に付着させることにより形成さ
れる。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光
を反射し、再び磁性膜を透過することによあファラデー
効果を増大させる目的で設けられる。透明誘電層４はＳ
ｉｎ、、Ｓｉｎ。
ン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等の方法で対象面に膜厚５
００〜１ｏｏｏｏ人程度に付着させることにより形成さ
れる。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光
を反射し、再び磁性膜を透過することによあファラデー
効果を増大させる目的で設けられる。透明誘電層４はＳ
ｉｎ、、Ｓｉｎ。
Ｔｉｅ、、Ｔｉｅ、ＣｅＯ，ＨｆＯ２，Ｂｅｄ。
Ｔｈａｗ 、Ｓ ｉｉ Ｎ４等を前記と同様な方法で対
象面に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に（−４着させ
ることにより形成される。なおこの透明誘電層はファラ
デー回転角を増大させて再生出力を向」ニする目的で設
けられる。ガイド１−ラック層５は対象面に紫外線硬化
性樹脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しな
がら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させることによ
り形成される。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン
樹脂、ポリカーボネー１−樹脂、ポリエーテルスルポン
樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、Ｓｉ、
Ｎ４．ＴａＮ、５ｉｎ２．ＳｉＯ等を樹脂の場合は塗布
法で、その他の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の方法で対象面に膜厚約０．１〜ｌ
Ｏμｍ程度に付着させることにより形成される。なおと
の保護膜は反射膜３を保護する目的で設けられる。透明
接着層７は、反射膜３を設けたガイドトラック付き基板
１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層は前
記無機材料よりなるので。
象面に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に（−４着させ
ることにより形成される。なおこの透明誘電層はファラ
デー回転角を増大させて再生出力を向」ニする目的で設
けられる。ガイド１−ラック層５は対象面に紫外線硬化
性樹脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型を圧着しな
がら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させることによ
り形成される。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン
樹脂、ポリカーボネー１−樹脂、ポリエーテルスルポン
樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、Ｓｉ、
Ｎ４．ＴａＮ、５ｉｎ２．ＳｉＯ等を樹脂の場合は塗布
法で、その他の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の方法で対象面に膜厚約０．１〜ｌ
Ｏμｍ程度に付着させることにより形成される。なおと
の保護膜は反射膜３を保護する目的で設けられる。透明
接着層７は、反射膜３を設けたガイドトラック付き基板
１′の反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層は前
記無機材料よりなるので。
「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００ｍμ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の
磁性膜２とを接合するための層である。なお耐熱層８は
前述のような無機材料よりなるので、基板１に相当する
が、ここでは磁性ＩＩ！ｌｉ２の耐熱性向上の目的で設
けられる。厚さは約１０〜５００ｍμ程度が適当である
。
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００ｍμ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の
磁性膜２とを接合するための層である。なお耐熱層８は
前述のような無機材料よりなるので、基板１に相当する
が、ここでは磁性ＩＩ！ｌｉ２の耐熱性向上の目的で設
けられる。厚さは約１０〜５００ｍμ程度が適当である
。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
例−一米
本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、゛記録感度が
高いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及
び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化が
なく、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出
力の高いファラデー回転角を利用して再生することがで
きる。
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、゛記録感度が
高いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及
び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化が
なく、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出
力の高いファラデー回転角を利用して再生することがで
きる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜８
下記表に示した組成のターゲットを各々用いて、表面光
学研摩処理した石英基板上にＡｒ分圧２．０＋ｓｍＴ
ｏ ｒ ｒ 、 Ｏ，分圧０．３＋ｎｍＴ ｏ ｒ ｒ
、放電々力０．３５ＫＶ、基板温度５５０〜６５０℃の
条件で２時間スパッタリングして０．３μ厚の磁性膜を
形成した。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力
Ｈｃを測定した結果を下表に示す。
学研摩処理した石英基板上にＡｒ分圧２．０＋ｓｍＴ
ｏ ｒ ｒ 、 Ｏ，分圧０．３＋ｎｍＴ ｏ ｒ ｒ
、放電々力０．３５ＫＶ、基板温度５５０〜６５０℃の
条件で２時間スパッタリングして０．３μ厚の磁性膜を
形成した。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力
Ｈｃを測定した結果を下表に示す。
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の０．５エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レー
ザー光を記録媒体表面での強度１０ｍＷ及び周波数ＩＭ
ＩＩｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録したと
ころ、いずれもピット径約１．５μｍの記録ピッ１−が
形成された。
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の０．５エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レー
ザー光を記録媒体表面での強度１０ｍＷ及び周波数ＩＭ
ＩＩｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録したと
ころ、いずれもピット径約１．５μｍの記録ピッ１−が
形成された。
第１図及び第２図は夫々、金属酸化物磁性体ｆ３ ａＯ
−Ｍ ｚ Ｆ ｅｌｌ、ｌ −ｚα（ｊｌ（ＭはＧａ又
はＳｃ、ＺはＧａ又はＳｃの置換数）におけるＧａ又は
Ｓｃの置換数Ｚと、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃと
の関係図、第３図及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体 Ｂ ａＱ、 Ｇ ａＸ’ ＳｃＶ’ Ｆ Ｂ１，４−
＜ ｘ ’ ＋ ｙ ’ 、Ｏｎ、ｔ （Ｘ’はＧａの
［換数、Ｙ′はＳｃの置換数）［；おけるＳｃの置換数
Ｙ′と、Ｔｃ及びＨｃとの関係図、第５〜９図は夫々本
発明の磁性体又は磁性膜を用いた光磁気記録媒体の一例
の溝成図である。 線ａ、ａ’ ・・Ｇａ置換体 線ｂ 、 ｂ ’ ・・
・Ｓｃ置換体線ｃ、ｃ’ −ｘ’ ＝１．１２のＧａ置
換体線ｄ、ｄ’ −ｘ’ ＝２．２４のＧａ置換体１・
・・基 板 １′・・・ガイドトラック付き基板 ２・・・磁性＠ ３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層 ５・・・ガイド１−ラック層６・
・・保 護 膜 ７・・・透明接着層８・・・耐 熱
層 市１閤 珀３閃 Ｓｃの置＃し褒【Ｙ” 塙２図 千４膳 Ｓｃの置横数Ｙ９
−Ｍ ｚ Ｆ ｅｌｌ、ｌ −ｚα（ｊｌ（ＭはＧａ又
はＳｃ、ＺはＧａ又はＳｃの置換数）におけるＧａ又は
Ｓｃの置換数Ｚと、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｃと
の関係図、第３図及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体 Ｂ ａＱ、 Ｇ ａＸ’ ＳｃＶ’ Ｆ Ｂ１，４−
＜ ｘ ’ ＋ ｙ ’ 、Ｏｎ、ｔ （Ｘ’はＧａの
［換数、Ｙ′はＳｃの置換数）［；おけるＳｃの置換数
Ｙ′と、Ｔｃ及びＨｃとの関係図、第５〜９図は夫々本
発明の磁性体又は磁性膜を用いた光磁気記録媒体の一例
の溝成図である。 線ａ、ａ’ ・・Ｇａ置換体 線ｂ 、 ｂ ’ ・・
・Ｓｃ置換体線ｃ、ｃ’ −ｘ’ ＝１．１２のＧａ置
換体線ｄ、ｄ’ −ｘ’ ＝２．２４のＧａ置換体１・
・・基 板 １′・・・ガイドトラック付き基板 ２・・・磁性＠ ３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層 ５・・・ガイド１−ラック層６・
・・保 護 膜 ７・・・透明接着層８・・・耐 熱
層 市１閤 珀３閃 Ｓｃの置＃し褒【Ｙ” 塙２図 千４膳 Ｓｃの置横数Ｙ９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 一般式 ％式％） ） で示される金属酸化物磁性体。 ２、一般式 ％式％ で示される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22965783A JPS60121704A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
| US06/674,224 US4670323A (en) | 1983-11-26 | 1984-11-23 | Magneto-optic recording medium having a metal oxide recording layer |
| DE19843443049 DE3443049A1 (de) | 1983-11-26 | 1984-11-26 | Eine magnetische metalloxydsubstanz und eine daraus bestehende magnetische schicht sowie deren verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22965783A JPS60121704A (ja) | 1983-12-05 | 1983-12-05 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121704A true JPS60121704A (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=16895637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22965783A Pending JPS60121704A (ja) | 1983-11-26 | 1983-12-05 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121704A (ja) |
-
1983
- 1983-12-05 JP JP22965783A patent/JPS60121704A/ja active Pending
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