JPS60133705A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents
金属酸化物磁性体及び磁性膜Info
- Publication number
- JPS60133705A JPS60133705A JP58241773A JP24177383A JPS60133705A JP S60133705 A JPS60133705 A JP S60133705A JP 58241773 A JP58241773 A JP 58241773A JP 24177383 A JP24177383 A JP 24177383A JP S60133705 A JPS60133705 A JP S60133705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic material
- film
- magnetic film
- metallic oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
葺豊公互
本発明は新規な金属酸化物磁性体及びそれよりなる磁性
膜に関する。
膜に関する。
皿米挟先
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ −Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の
方法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性膜を形
成している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録
、再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜
のキュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対
応した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変
調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向き
を反転させることにより行なわれる。また再生はこうし
て反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して
読出すことにより行なわれる。前述のような非晶質合金
磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、
半導体レーザー光によって高速度（周波数１ＭＨｚにお
いて）で記録できるという利点はあるが、非晶質合金磁
性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を受け易いので、経
時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな
欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜上にＳ
ｉｎ。
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体、例
えばＴｂ −Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の
方法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性膜を形
成している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録
、再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜
のキュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対
応した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変
調されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向き
を反転させることにより行なわれる。また再生はこうし
て反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して
読出すことにより行なわれる。前述のような非晶質合金
磁性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、
半導体レーザー光によって高速度（周波数１ＭＨｚにお
いて）で記録できるという利点はあるが、非晶質合金磁
性体、特に遷移金属成分は酸化腐食を受け易いので、経
時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな
欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜上にＳ
ｉｎ。
ＳｉＯ２等の保護膜を設ける（形成法は磁性膜の場合と
同様、真空蒸着、スパッタリング等による）ことも知ら
れているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真空中に残
存するＯ２、基板面に吸着された０、、Ｈ，Ｏ等及び合
金磁性体のターゲット中に含まれるＯ、、Ｈ２Ｏ等によ
り経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時の光及
び熱により更にこの酸化腐食は促進される。また非結晶
質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気
特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。更に再生
出力を向上するための再生方式として磁性膜をできるだ
け厚くし、その上にＣｕ ＨＡ （ｌ ＨＰ ｔ ＨＡ
ｕ等の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過
させた後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反
射型ファラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという
点で有利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠け
るため、この方式に用いることができないものであった
。
同様、真空蒸着、スパッタリング等による）ことも知ら
れているが、磁性膜或いは保護膜の形成時、真空中に残
存するＯ２、基板面に吸着された０、、Ｈ，Ｏ等及び合
金磁性体のターゲット中に含まれるＯ、、Ｈ２Ｏ等によ
り経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時の光及
び熱により更にこの酸化腐食は促進される。また非結晶
質磁性体は熱によって結晶化され易く、そのために磁気
特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。更に再生
出力を向上するための再生方式として磁性膜をできるだ
け厚くし、その上にＣｕ ＨＡ （ｌ ＨＰ ｔ ＨＡ
ｕ等の反射膜を設け、レーザー光を磁性膜に照射透過
させた後、反射膜で反射させ、この反射光を検出する反
射型ファラデ一方式は高Ｓ／Ｎの信号が得られるという
点で有利であるが、従来の非晶質磁性膜は透光性に欠け
るため、この方式に用いることができないものであった
。
目 的一
本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体よ
りなる磁性膜を提供することである。
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体よ
りなる磁性膜を提供することである。
構 成
本発明の金属酸化物磁性体は一般式（１）％式％］
）
で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
化物磁性体よりなるものである。
化物磁性体よりなるものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔ’ｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持す
る３− ために保磁力Ｈｅが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴｃについては１００
〜３５０℃、 Ｈｅについては３００〜５０００エルス
テツドと考えられる。 これはＴｃが１００℃以下では
記録したメモリーが再生時のレーザー光によって不安定
になって再生特性の劣化原因となり、また、３５０℃以
上では半導体レーザー光による記録が困難であり、一方
、ｌＩｃが３００エルステツド以下ではメモリーが不安
定となって消失する可能性があり、また５０００工ルス
テツド以上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出力
や外部磁界が大きくなり、好ましくないからである。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔ’ｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持す
る３− ために保磁力Ｈｅが適度に高いことが必要である。一般
にこのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴｃについては１００
〜３５０℃、 Ｈｅについては３００〜５０００エルス
テツドと考えられる。 これはＴｃが１００℃以下では
記録したメモリーが再生時のレーザー光によって不安定
になって再生特性の劣化原因となり、また、３５０℃以
上では半導体レーザー光による記録が困難であり、一方
、ｌＩｃが３００エルステツド以下ではメモリーが不安
定となって消失する可能性があり、また５０００工ルス
テツド以上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出力
や外部磁界が大きくなり、好ましくないからである。
一方、従来より磁気バブル材料として六方晶形及びスピ
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶形のものでは例えば一般式（２） ％式％ （但しＭ ｅ 、 ’ｎは一般式（１）に同じ）４− で示されるものが知られている。本発明者らはこの種の
磁性体がそれ自体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れ
がなく、しかも膜厚１０μとしても透光性を備えている
ことに注目した。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４
５０℃以上と高いため、前述のように半導体レーザー光
による記録は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体
用材料として適用できない。そこで本発明者らは種々検
討したところ、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＧ
ａ又はＺｎ原子で置換すると、Ｇａ置換、Ｚｎ置換のい
ずれの場合もＴｃが低下することを見出した。同時にＨ
ｅについてはＧａ置換の場合は増大するが、Ｚｎ置換の
場合は低下することを見出した。例えばＧａ又はＺｎ置
換体Ｂ ａ Ｆｅ、２−２Ｍｚ Ｏｌ、（ＭはＧａ又は
Ｚｎ、ＺはＧａ又はＺｎの置換数を表わす。）はＴｃに
ついては第１図のような傾向を示し、またＨｅについて
は第２図のような傾向を示した。そこで本発明者らはこ
のようなＧａ及びＺｎの置換効果に着目し、更に光磁気
記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求されるＴｃ及びト
ＩＣの前記適正範囲を考慮して一般式（２）のＦｅの一
部をＧａ及びＺｎの２種の金属で種々の割合で置換した
結果、一般式（１）の金属酸化物磁性体が光磁気記録媒
体として優れた特性を与えることを見出し、本発明に到
達した。
ネル形の金属酸化物磁性体が研究されている。このうち
六方晶形のものでは例えば一般式（２） ％式％ （但しＭ ｅ 、 ’ｎは一般式（１）に同じ）４− で示されるものが知られている。本発明者らはこの種の
磁性体がそれ自体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れ
がなく、しかも膜厚１０μとしても透光性を備えている
ことに注目した。しかしこれらはキュリ一温度Ｔｃが４
５０℃以上と高いため、前述のように半導体レーザー光
による記録は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体
用材料として適用できない。そこで本発明者らは種々検
討したところ、一般式（２）の中のＦｅ原子の一部をＧ
ａ又はＺｎ原子で置換すると、Ｇａ置換、Ｚｎ置換のい
ずれの場合もＴｃが低下することを見出した。同時にＨ
ｅについてはＧａ置換の場合は増大するが、Ｚｎ置換の
場合は低下することを見出した。例えばＧａ又はＺｎ置
換体Ｂ ａ Ｆｅ、２−２Ｍｚ Ｏｌ、（ＭはＧａ又は
Ｚｎ、ＺはＧａ又はＺｎの置換数を表わす。）はＴｃに
ついては第１図のような傾向を示し、またＨｅについて
は第２図のような傾向を示した。そこで本発明者らはこ
のようなＧａ及びＺｎの置換効果に着目し、更に光磁気
記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求されるＴｃ及びト
ＩＣの前記適正範囲を考慮して一般式（２）のＦｅの一
部をＧａ及びＺｎの２種の金属で種々の割合で置換した
結果、一般式（１）の金属酸化物磁性体が光磁気記録媒
体として優れた特性を与えることを見出し、本発明に到
達した。
このように本発明は、特にキュリ一温度が高いため、光
磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一般式（２
）の金属化合物中のＦｅ原子の一部をＧａ及びＺｎ原子
で置換することによって、メモリーに要求される適度に
高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せしめ
て半導体レーザー光による記録、再生を可能にし。
磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一般式（２
）の金属化合物中のＦｅ原子の一部をＧａ及びＺｎ原子
で置換することによって、メモリーに要求される適度に
高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せしめ
て半導体レーザー光による記録、再生を可能にし。
こうして光磁気記録媒体用材料として適用できるように
したものである。
したものである。
以上の説明から判るように本発明の金属酸化物磁性体又
は光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリ一
温度範囲及び適正保磁力範囲を満足するものである。
は光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリ一
温度範囲及び適正保磁力範囲を満足するものである。
例えばＢａＧａＸ’ Ｚｎｙ’ Ｆｅ、２− 、ｘ’
＋ｙ’ 、０１ｓ（但しＸ′はＧａ置換数、Ｙ′はＺｎ
置換数）ではＴｃは第３図に示すように、Ｇａの置換数
Ｘ′が２．２４で、且つｚｎの置換数Ｙ′が１．７５の
時、２３０℃であり、 またＨｃは第４図に示すように
、Ｇａの置換数Ｘ′が２．２４で、且つＺｎの置換数Ｙ
′が１．７５の時、約４８０にエルステッドである。こ
れらのＴｃ及びＨｅ特性により本発明の金属酸化物磁性
体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録、再生を行
なう光磁気記録媒体用材料として適用できることは勿論
、キュリ一温度が低いため、記録感度が高い上、耐酸化
腐食性及び透光性を備えている等の特長を持っている。
＋ｙ’ 、０１ｓ（但しＸ′はＧａ置換数、Ｙ′はＺｎ
置換数）ではＴｃは第３図に示すように、Ｇａの置換数
Ｘ′が２．２４で、且つｚｎの置換数Ｙ′が１．７５の
時、２３０℃であり、 またＨｃは第４図に示すように
、Ｇａの置換数Ｘ′が２．２４で、且つＺｎの置換数Ｙ
′が１．７５の時、約４８０にエルステッドである。こ
れらのＴｃ及びＨｅ特性により本発明の金属酸化物磁性
体又は磁性膜は半導体レーザー光により記録、再生を行
なう光磁気記録媒体用材料として適用できることは勿論
、キュリ一温度が低いため、記録感度が高い上、耐酸化
腐食性及び透光性を備えている等の特長を持っている。
本発明の金属酸化物磁性体を作るには夫々所定量のＢａ
ＣＯ３又は５ｒＣＯ，とＦｅ２Ｏ。
ＣＯ３又は５ｒＣＯ，とＦｅ２Ｏ。
とＧａ２０ｓとＺｎ○とを混合粉砕し、これを適当な形
状の金型に入れて成型後、１２００〜１４００℃の温度
で焼結すればよい。
状の金型に入れて成型後、１２００〜１４００℃の温度
で焼結すればよい。
以上のようにして得られる本発明の金属酸化物磁性体の
具体例としては ７− ＢａＯ・５ （Ｇａ、、Ｚｎｏ、、Ｆｅ、、、０８）Ｂ
ａＯ・５．６ （Ｇａ、、＃ Ｚｎ、、、Ｆｅ、、、Ｏ
，）Ｂ ａｏ ・５．６ （Ｇａ、、ＩＺｎｏ、Ｆ ８
ｒ、！ ０１Ｉ）Ｂ ａ Ｏ・６ （Ｇ ａｏ、ｚ Ｚ
ｎ６，１Ｆ ｅ）、ａｓ Ｏｓ ）Ｂ ａｏ ・６
（Ｇ ａ、ｔ Ｚｎｏ、 Ｆ ｅｌ、ｇ Ｏｓ ）Ｓｒ
Ｏ・５ （Ｇ ａ、、ｚ Ｚ ｎｏｘ Ｆ Ｅ３ｔ、ｔ
ｔＯｓ ）Ｓｒ０−５．６ （Ｇａｏ、＋Ｚｎ、、、Ｆ
ｅ、、０８）Ｓ ｒｏ ・５．６ （Ｇａａ、、Ｚｎ１
１．Ｊ Ｆ ｅ７．ｙ Ｏｓ ）ＳｒＯ・６ （Ｇａ、
、ｉ Ｚｎｏ、ｒＦｅ、、、、Ｏ，）ＳｒＯ・６ （Ｇ
ａａ、ｑ Ｚｎ、、、Ｆｅ、、＝ ｏ、）等が挙げられ
る。
具体例としては ７− ＢａＯ・５ （Ｇａ、、Ｚｎｏ、、Ｆｅ、、、０８）Ｂ
ａＯ・５．６ （Ｇａ、、＃ Ｚｎ、、、Ｆｅ、、、Ｏ
，）Ｂ ａｏ ・５．６ （Ｇａ、、ＩＺｎｏ、Ｆ ８
ｒ、！ ０１Ｉ）Ｂ ａ Ｏ・６ （Ｇ ａｏ、ｚ Ｚ
ｎ６，１Ｆ ｅ）、ａｓ Ｏｓ ）Ｂ ａｏ ・６
（Ｇ ａ、ｔ Ｚｎｏ、 Ｆ ｅｌ、ｇ Ｏｓ ）Ｓｒ
Ｏ・５ （Ｇ ａ、、ｚ Ｚ ｎｏｘ Ｆ Ｅ３ｔ、ｔ
ｔＯｓ ）Ｓｒ０−５．６ （Ｇａｏ、＋Ｚｎ、、、Ｆ
ｅ、、０８）Ｓ ｒｏ ・５．６ （Ｇａａ、、Ｚｎ１
１．Ｊ Ｆ ｅ７．ｙ Ｏｓ ）ＳｒＯ・６ （Ｇａ、
、ｉ Ｚｎｏ、ｒＦｅ、、、、Ｏ，）ＳｒＯ・６ （Ｇ
ａａ、ｑ Ｚｎ、、、Ｆｅ、、＝ ｏ、）等が挙げられ
る。
なお以上のような金属酸化物磁性体にはファラデー回転
角を更に増大して磁気光学特性を改善するためにＧ ｏ
＋ Ｂ ｉｒ Ｖｒ Ｌ ａ ＋ Ｙ ＨＹ ｂ Ｔ
Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ等の金属を添加することができ
る。
角を更に増大して磁気光学特性を改善するためにＧ ｏ
＋ Ｂ ｉｒ Ｖｒ Ｌ ａ ＋ Ｙ ＨＹ ｂ Ｔ
Ｓｍ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ等の金属を添加することができ
る。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度５００〜６００℃で真空蒸着、
スパッタリング、イオ８− ンプレーティング等の方法で膜厚０．１〜１０μｍ程度
に付着させればよい。こうして第５図に示すように基板
１上に、垂直磁化された磁性膜２を有する光磁気記録媒
体が得られる。なお場合によっては磁性膜の形成は基板
温度５００℃未満で行なうこともできる。但しこの場合
は磁性膜形成後、これに５００〜７００℃の熱処理を、
場合により磁界を印加しながら１行なって垂直磁化させ
る必要がある。ここで基板の材料としては一般にアルミ
ニウムのような耐熱性金属；石英ガラス； ＧＧＧ ｉ
サファイヤ；リチウムタンタレート；結晶化透明ガラス
；パイレックスガラス；表面を酸化処理し又は処理しな
い単結晶シリコン；ＡＱ２０． 、 ＡＱ、○、 ・Ｍ
ｇＯ，ＭｇＯ・ＬｉＦ、Ｙ２Ｏ９・ＬｉＦ、Ｂａｄ、Ｚ
ｒＯ２・Ｙ２Ｏ，、Ｔｈｅ２ ・ＣａＯ等の透明セラミ
ック材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トス
ガード、住友化学社製スミセラムＰ）等の無機材料或い
はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂等の有機材料が使用できる。
基板の種類にもよるが、一般に基板上にこの磁性体をタ
ーゲットとして基板温度５００〜６００℃で真空蒸着、
スパッタリング、イオ８− ンプレーティング等の方法で膜厚０．１〜１０μｍ程度
に付着させればよい。こうして第５図に示すように基板
１上に、垂直磁化された磁性膜２を有する光磁気記録媒
体が得られる。なお場合によっては磁性膜の形成は基板
温度５００℃未満で行なうこともできる。但しこの場合
は磁性膜形成後、これに５００〜７００℃の熱処理を、
場合により磁界を印加しながら１行なって垂直磁化させ
る必要がある。ここで基板の材料としては一般にアルミ
ニウムのような耐熱性金属；石英ガラス； ＧＧＧ ｉ
サファイヤ；リチウムタンタレート；結晶化透明ガラス
；パイレックスガラス；表面を酸化処理し又は処理しな
い単結晶シリコン；ＡＱ２０． 、 ＡＱ、○、 ・Ｍ
ｇＯ，ＭｇＯ・ＬｉＦ、Ｙ２Ｏ９・ＬｉＦ、Ｂａｄ、Ｚ
ｒＯ２・Ｙ２Ｏ，、Ｔｈｅ２ ・ＣａＯ等の透明セラミ
ック材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トス
ガード、住友化学社製スミセラムＰ）等の無機材料或い
はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂等の有機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第５図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、５
はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、８
は耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板１′は
前述のような有機材料を射出成型、押出成型、フォトエ
ツチング法等により加工して作られる。なお基板のガイ
ドトラックは記録、再生時のレーザー光を案内するもの
である。反射膜３はＣｕ ＋ Ａ Ｑ ＋ Ａ ｇ ＋
Ａ ｕ ！Ｐｔ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，５ｅＡｓ、Ｔｅ
Ａｓ。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、５
はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、８
は耐熱層である。ここでガイドトラック付き基板１′は
前述のような有機材料を射出成型、押出成型、フォトエ
ツチング法等により加工して作られる。なお基板のガイ
ドトラックは記録、再生時のレーザー光を案内するもの
である。反射膜３はＣｕ ＋ Ａ Ｑ ＋ Ａ ｇ ＋
Ａ ｕ ！Ｐｔ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ，５ｅＡｓ、Ｔｅ
Ａｓ。
Ｔ ＋ Ｎ 、 Ｔ ａ Ｎ 、 Ｃｒ Ｎ 、シアニ
ン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等の方法で対象面に膜厚５
００〜１００００人程度に付着させることにより形成さ
れる。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光
を反射し、再び磁性膜を透過することによるファラデー
効果を増大させる目的で設けられる。透明誘電層４はＳ
ｉ０２．Ｓ ｉｏ。
ン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング等の方法で対象面に膜厚５
００〜１００００人程度に付着させることにより形成さ
れる。なおこの反射膜は、磁性膜を透過したレーザー光
を反射し、再び磁性膜を透過することによるファラデー
効果を増大させる目的で設けられる。透明誘電層４はＳ
ｉ０２．Ｓ ｉｏ。
Ｔｉｅ２．Ｔｉｅ、ＣｅＯ，ＨｆＯ２，Ｂｅｄ。
Ｔｈｅ２．Ｓ ｉ、Ｎ４等を前記と同様な方法で対象面
に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に付着させることに
より形成される。なおこの透明誘電層はファラデー回転
角を増大させて再生出力を向上する目的で設けられる。
に膜厚約０．０５〜０．５μｍ程度に付着させることに
より形成される。なおこの透明誘電層はファラデー回転
角を増大させて再生出力を向上する目的で設けられる。
ガイドトラック層５は対象面に紫外線硬化性樹脂を塗布
した後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外線
を照射して前記樹脂を硬化させることにより形成される
。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、 Ｓ １ｇＮ４． Ｔ
ａＮ、 Ｓ ｉｏ２． Ｓ ｉｏ等を樹脂の場合は塗布
法で、その他の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の方法で対象面に膜厚約０．１〜１
０μｍ程度に付着させることにより形成される。なおこ
の保護１１− 膜は反射膜３を保護する目的で設けられる。透明接着層
７は、反射膜３を設けたガイドトラック付き基板１′の
反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層は前記無機
材料よりなるので、［磁性膜を設けた耐熱層」とは前記
単層型光磁気記録材料のことである。）の磁性膜とをエ
ポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド等の樹脂で約２
〜１００＋ｎμ厚程度に接着することにより形成される
。即ちこの透明接着層は単に基板１′上の反射膜３と単
層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接合するための層で
ある。なお耐熱層８は前述のような無機材料よりなるの
で、基板１に相当するが、ここでは磁性膜２の耐熱性向
上の目的で設けられる。厚さは約１０〜５００ｍμ程度
が適当である。
した後、ガイド溝を有する金型を圧着しながら、紫外線
を照射して前記樹脂を硬化させることにより形成される
。保護膜６はアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミ
ド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ、 Ｓ １ｇＮ４． Ｔ
ａＮ、 Ｓ ｉｏ２． Ｓ ｉｏ等を樹脂の場合は塗布
法で、その他の場合は真空蒸着、スパッタリング、イオ
ンブレーティング等の方法で対象面に膜厚約０．１〜１
０μｍ程度に付着させることにより形成される。なおこ
の保護１１− 膜は反射膜３を保護する目的で設けられる。透明接着層
７は、反射膜３を設けたガイドトラック付き基板１′の
反射膜と磁性膜２を設けた耐熱層８（この層は前記無機
材料よりなるので、［磁性膜を設けた耐熱層」とは前記
単層型光磁気記録材料のことである。）の磁性膜とをエ
ポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリアミド等の樹脂で約２
〜１００＋ｎμ厚程度に接着することにより形成される
。即ちこの透明接着層は単に基板１′上の反射膜３と単
層型光磁気記録材料の磁性膜２とを接合するための層で
ある。なお耐熱層８は前述のような無機材料よりなるの
で、基板１に相当するが、ここでは磁性膜２の耐熱性向
上の目的で設けられる。厚さは約１０〜５００ｍμ程度
が適当である。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
１２−
来一一一果
本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化がな
く、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出力
の高いファラデー回転角を利用して再生することができ
る。
用材料として適正なＴｃ及びＨｃを有し、記録感度が高
いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及び
透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化がな
く、且つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出力
の高いファラデー回転角を利用して再生することができ
る。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜１０
下記表に示した組成のターゲットを各々用いて、表面光
学研摩処理した石英基板上にＡｒ分圧２．０ａｎＴ ｏ
ｒ ｒ、０□分圧０．３ｍｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々
力０．３５ＫＶ、基板温度５２０〜５５０℃（７）条件
で２時間スパッタリングして０．２μ厚の磁性膜を形成
した。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅ
を測定した結果を下表に示す。
学研摩処理した石英基板上にＡｒ分圧２．０ａｎＴ ｏ
ｒ ｒ、０□分圧０．３ｍｍＴ ｏ ｒ ｒ、放電々
力０．３５ＫＶ、基板温度５２０〜５５０℃（７）条件
で２時間スパッタリングして０．２μ厚の磁性膜を形成
した。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅ
を測定した結果を下表に示す。
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レー
ザー光を記録媒体表面での強度１０＋＋＋！ｊ及び周波
数１Ｍ１ｌｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録
したところ、いずれもビット径約１．５μｍの記録ビッ
トが形成された。
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の５００エルステ
ツドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レー
ザー光を記録媒体表面での強度１０＋＋＋！ｊ及び周波
数１Ｍ１ｌｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録
したところ、いずれもビット径約１．５μｍの記録ビッ
トが形成された。
第１図及び第２図は夫々、金属酸化物磁性体Ｂ ａ Ｆ
ｅｔ１２− ｚ Ｍｚ Ｏｘ−（ＭはＧａ又はＺｎ、
２はＧａ又はＺｎの置換数）におけるＧａ又はＺｎの置
換数Ｚと、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅとの関係図
、第３図及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体 ＢａＧａｙ’ Ｚｎｙ’ ＦＥ１ｒ＋−（Ｘ’ ＋ｙ’
、Ｏ１＋。 （Ｘ’はＧａの置換数、Ｙ′はＺｎの置換数）における
Ｚｎの置換数Ｙ′と、Ｔｃ及びＨｅとの関係図、第５〜
９図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光磁気記
録媒体の一例の構成図である。 ｌ・・・基 板 １′・・ガイドトラック付き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層 ５・・ガイドトラック層６・・保
護 膜 ７・・透明接着層 ８・・耐熱層 扇ｌ閏 吊３図 町２閃 リ １ ｔ
ｅｔ１２− ｚ Ｍｚ Ｏｘ−（ＭはＧａ又はＺｎ、
２はＧａ又はＺｎの置換数）におけるＧａ又はＺｎの置
換数Ｚと、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅとの関係図
、第３図及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体 ＢａＧａｙ’ Ｚｎｙ’ ＦＥ１ｒ＋−（Ｘ’ ＋ｙ’
、Ｏ１＋。 （Ｘ’はＧａの置換数、Ｙ′はＺｎの置換数）における
Ｚｎの置換数Ｙ′と、Ｔｃ及びＨｅとの関係図、第５〜
９図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光磁気記
録媒体の一例の構成図である。 ｌ・・・基 板 １′・・ガイドトラック付き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層 ５・・ガイドトラック層６・・保
護 膜 ７・・透明接着層 ８・・耐熱層 扇ｌ閏 吊３図 町２閃 リ １ ｔ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ％式％）） ） で示される金属酸化物磁性体。 ２、一般式 ％式％） で示される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241773A JPS60133705A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
| US06/674,224 US4670323A (en) | 1983-11-26 | 1984-11-23 | Magneto-optic recording medium having a metal oxide recording layer |
| DE19843443049 DE3443049A1 (de) | 1983-11-26 | 1984-11-26 | Eine magnetische metalloxydsubstanz und eine daraus bestehende magnetische schicht sowie deren verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241773A JPS60133705A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133705A true JPS60133705A (ja) | 1985-07-16 |
Family
ID=17079308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58241773A Pending JPS60133705A (ja) | 1983-11-26 | 1983-12-21 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133705A (ja) |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58241773A patent/JPS60133705A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4670323A (en) | Magneto-optic recording medium having a metal oxide recording layer | |
| US4670322A (en) | Metal oxide magnetic substance and a magnetic film consisting thereof and their uses | |
| JPS60133705A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPH0622171B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6189607A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPH0576763B2 (ja) | ||
| JPS60164302A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60158604A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60133711A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60220909A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60231304A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60163408A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60163407A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60164303A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60163406A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60121705A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60180920A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60182108A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60120503A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS6189604A (ja) | 金属酸化物磁性体および磁性膜 | |
| JPS60201602A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60124902A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60211903A (ja) | 光磁気記録媒体用磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60151225A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 | |
| JPS60115202A (ja) | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |