JPS60211903A - 光磁気記録媒体用磁性体及び磁性膜 - Google Patents
光磁気記録媒体用磁性体及び磁性膜Info
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- JPS60211903A JPS60211903A JP6862984A JP6862984A JPS60211903A JP S60211903 A JPS60211903 A JP S60211903A JP 6862984 A JP6862984 A JP 6862984A JP 6862984 A JP6862984 A JP 6862984A JP S60211903 A JPS60211903 A JP S60211903A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic film
- film
- magneto
- magnetic substance
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は光磁気記録媒体に用いられる新規な磁性体及び
磁性膜に関する。
磁性膜に関する。
従来技術
近年、半導体レーザ、−光により高密度記録及び再生を
行なうための光磁気記録媒体か盛んに研究されでいる。
行なうための光磁気記録媒体か盛んに研究されでいる。
この種の記録媒体の最も基本的なものはガラス又はプラ
スチックのような透明基板上にスパッタリング、真空蒸
着等の方法により還移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）〜希土
類金属（例えばＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ）非晶質合金磁性体か
らなる磁性膜を設けたものである。このような光磁気記
録媒体への記録、再生は次のようにして行なわれる。即
ち記録は磁性膜のキュリ一温度（又は補償温度）近傍に
おける温度変化に対応した磁気光学特性（この場合は保
磁力）の急激な変化を利用して、情報信号で変調された
レーザー光を予め磁化された磁性膜に照射刃口熱し、逆
向きの外部磁界を印加して磁化の向きを反転させること
により行なわれ、また再生はこうして反転記録された磁
性膜における記録部と非記録部上の磁気光学効果の差を
利用して、偏向されたレーザー光により情報信号を光学
的に検知することにより行なわれる。以上のような記録
、再生を行なうには磁性体又は磁性膜には１００〜３や
０Ｊ程度のキュリ一温度・及び３００〜ｓｏｏ。
スチックのような透明基板上にスパッタリング、真空蒸
着等の方法により還移金属（例えばＦｅ、Ｃｏ）〜希土
類金属（例えばＴｂ、Ｇｄ、Ｄｙ）非晶質合金磁性体か
らなる磁性膜を設けたものである。このような光磁気記
録媒体への記録、再生は次のようにして行なわれる。即
ち記録は磁性膜のキュリ一温度（又は補償温度）近傍に
おける温度変化に対応した磁気光学特性（この場合は保
磁力）の急激な変化を利用して、情報信号で変調された
レーザー光を予め磁化された磁性膜に照射刃口熱し、逆
向きの外部磁界を印加して磁化の向きを反転させること
により行なわれ、また再生はこうして反転記録された磁
性膜における記録部と非記録部上の磁気光学効果の差を
利用して、偏向されたレーザー光により情報信号を光学
的に検知することにより行なわれる。以上のような記録
、再生を行なうには磁性体又は磁性膜には１００〜３や
０Ｊ程度のキュリ一温度・及び３００〜ｓｏｏ。
エルステッド程度の保持力が必要であると考えられる。
従来の非晶質合金磁性膜（又は磁性体）はいずれもこれ
らの要件には適合するが、合金中の希土類金属は酸化活
性か大きいため、経時と共に大気中の０２． ）１ｔＯ
等の酸化成分により特に表面層か酸化腐食を受けて磁気
光学特性が劣化し、その結果、再生時のエラーか増大し
たり、或いは記録、再生が不能になることもあった。そ
の防止対策として磁性膜上にスパッタリング、真空蒸着
等の方法により８１０ 、８＋Ｏ＠等の保護膜を設ける
ことも知られているが、次のような２つの内的妾因のた
め、根本的な解決策とはならない。即ちその一つは磁性
膜の形成前に既に基板表面に吸着されたＯ６、真空中（
Ｉ ０−６Ｔｏｒｒ程度）でも残存するＣｈ、原料ター
ゲット中に含まれる０、等が磁性膜の形成時に磁性膜内
に取り込まれ、これか磁性膜の酸化劣化の原因となると
いうものであり、他の一つは磁性膜の形成前に既に基板
表面に付着した大気中のチリが磁性膜の形成時に基板上
にそのま＼残存したり、或いは装置（真空容器）内に付
着した蒸着残査が磁性膜の形成時に基板上に移行付着し
て磁性膜の機械的強度を弱めると共に、ピンホールを発
生し、またこのため磁性膜上には保護膜は均一に付着で
きず、結果として磁性膜〜保護膜間にもピンホールか生
じることになり、これらのピンホールを通してＯ，、Ｈ
，０か侵入し、これ力５磁性膜の酸化劣化の原因となる
というものである。
らの要件には適合するが、合金中の希土類金属は酸化活
性か大きいため、経時と共に大気中の０２． ）１ｔＯ
等の酸化成分により特に表面層か酸化腐食を受けて磁気
光学特性が劣化し、その結果、再生時のエラーか増大し
たり、或いは記録、再生が不能になることもあった。そ
の防止対策として磁性膜上にスパッタリング、真空蒸着
等の方法により８１０ 、８＋Ｏ＠等の保護膜を設ける
ことも知られているが、次のような２つの内的妾因のた
め、根本的な解決策とはならない。即ちその一つは磁性
膜の形成前に既に基板表面に吸着されたＯ６、真空中（
Ｉ ０−６Ｔｏｒｒ程度）でも残存するＣｈ、原料ター
ゲット中に含まれる０、等が磁性膜の形成時に磁性膜内
に取り込まれ、これか磁性膜の酸化劣化の原因となると
いうものであり、他の一つは磁性膜の形成前に既に基板
表面に付着した大気中のチリが磁性膜の形成時に基板上
にそのま＼残存したり、或いは装置（真空容器）内に付
着した蒸着残査が磁性膜の形成時に基板上に移行付着し
て磁性膜の機械的強度を弱めると共に、ピンホールを発
生し、またこのため磁性膜上には保護膜は均一に付着で
きず、結果として磁性膜〜保護膜間にもピンホールか生
じることになり、これらのピンホールを通してＯ，、Ｈ
，０か侵入し、これ力５磁性膜の酸化劣化の原因となる
というものである。
目 的
本発明の目的は非晶質合金磁性膜と同様、半導体レーザ
ー光によって高密度記録が可能であるにも拘わらず、耐
酸化腐食性に優れ、従って経時による磁気光学特性の劣
化が殆んどない光磁気記録媒体用磁性体及びそれよりな
る磁性膜を提供することである。
ー光によって高密度記録が可能であるにも拘わらず、耐
酸化腐食性に優れ、従って経時による磁気光学特性の劣
化が殆んどない光磁気記録媒体用磁性体及びそれよりな
る磁性膜を提供することである。
構 成
本発明の磁性体は一般式
％式％
びＳｃの少くとも１種、０ ＜ ｘ≦１５）で示される
ものであり、また磁性膜は前記一般式の磁性体よりなる
ものである。
ものであり、また磁性膜は前記一般式の磁性体よりなる
ものである。
従来、ｐｔ及びＭｎｆ基本構成とする磁性体か知られて
いる。この種の磁性体は良好な磁気光学特性（特に保持
力）を有しているか、キュＩＪ−温度が３５０℃以上と
高いため、半導体レーザー光で記録可能な光磁気記録媒
体用としては適用できなかった。本発明者はこのＰｔＭ
ｎ合金系磁性体が酸化され離く、しかも良好な磁気光学
特性を有していることに着目し、これにキュリ一温度を
低下できる金属を添加することを思いついた。勿論、添
加すべき金属はＰｔＭｎ合金による良好な磁気光学特性
を阻害せず、しかも酸化され難いものでなければならな
い。そこで本発明者は以上のような効果のある金属につ
いて種々検討した結果、ｓｂと前記一般式のＭで示され
る金属との混合系が適合することを見出した。
いる。この種の磁性体は良好な磁気光学特性（特に保持
力）を有しているか、キュＩＪ−温度が３５０℃以上と
高いため、半導体レーザー光で記録可能な光磁気記録媒
体用としては適用できなかった。本発明者はこのＰｔＭ
ｎ合金系磁性体が酸化され離く、しかも良好な磁気光学
特性を有していることに着目し、これにキュリ一温度を
低下できる金属を添加することを思いついた。勿論、添
加すべき金属はＰｔＭｎ合金による良好な磁気光学特性
を阻害せず、しかも酸化され難いものでなければならな
い。そこで本発明者は以上のような効果のある金属につ
いて種々検討した結果、ｓｂと前記一般式のＭで示され
る金属との混合系が適合することを見出した。
本発明はこのような知見に基づいて達成されたものであ
る。
る。
以上の説明から判るように本発明の磁性体又は磁性膜は
キュリ一温度が３５０’Ｃ以下と低く、しかも良好な磁
気光学特性を保持しているので、半導体レーデ−光で記
録可能な光磁気記録媒体用として適用できる。
キュリ一温度が３５０’Ｃ以下と低く、しかも良好な磁
気光学特性を保持しているので、半導体レーデ−光で記
録可能な光磁気記録媒体用として適用できる。
本発明の磁性体を作るには夫々所定量のＭ金属、５ｂＳ
ｐｔ及びＭｎを金型に入れ、高純度のアルゴンガス雰囲
気中で溶融して合金ターゲットとすればよい。
ｐｔ及びＭｎを金型に入れ、高純度のアルゴンガス雰囲
気中で溶融して合金ターゲットとすればよい。
以上のようにして得られる本発明の磁性体の具体例とし
ては下記のものが挙げられる。
ては下記のものが挙げられる。
（１） Ｓｎｏ、ＩＰ ｔｏ、、Ｍｎ１．□ｓｂｏ、ｅ
ｆ２） Ｓｎｇ、２Ｐ ｔＯ，８”１．２ｓｂＯ，８
Ｌ３１ Ａ １ ｏ、２ ｐ ｔ ｏ、８Ｍｎ Ｌ ２
Ｓ ｂ Ｏ，３（４１Ｇａ Ｏ１３ｐ ｔ ｏ、ｖ
Ｍｎ Ｌ ３ Ｓ ｂ ｏ、７（５） ＩｎＱ、１Ｐｔ
００．Ｍｎ１．１Ｓｂ０．、 （６１Ｐｄ０．３Ｐｔｏ
、７Ｍｎ１．３Ｓｂ、７（７Ｊ Ａｕｏ、２ ｐ ｔｏ
、ｓ Ｍｔｔｌ、２ ｓ ｂＯ，８（８） Ｂｔ Ｏ，
４Ｐ ｔｏ、ｓ Ｍｎ１．４ｓ ｂＯ，６（９１Ｔａ６
，４ Ｐ ｉｏ４ Ｍｎ４ａ Ｓ １）６，６ （１１
） ２％２ Ｐ ｔ０４ Ｍｎ１．２ Ｓ ｂｏ、ｓａ
υＴ ｌ ｏ、３ Ｐ ｔｏ、ｙ Ｍ％ｓ ＳｂＱ、７
αａ Ｃ％Ｂ Ｐ ％７ ＭｎｔＢ Ｓｂ６．７（１３
Ｓ ｎ ２３ Ｐ ｊｏ、７ Ｍｎ Ｌ３ Ｓ ｂ Ｑ
７０４１ Ｂ１． Ｉｎ。、２Ｐｔ０．、Ｍｎ、、 ｓ
ｂｏ、５（Ｉｓ Ｂ ｉｏ、Ｇ４．□ＰｔＯ，Ｍｎ□、
Ｓｂ。、８（ｌ［９Ｂ ’ｏ、ｉ Ｓｎｏ、、 Ｐｔ、
、８Ｍｎ、 Ｓｂｏ、。
ｆ２） Ｓｎｇ、２Ｐ ｔＯ，８”１．２ｓｂＯ，８
Ｌ３１ Ａ １ ｏ、２ ｐ ｔ ｏ、８Ｍｎ Ｌ ２
Ｓ ｂ Ｏ，３（４１Ｇａ Ｏ１３ｐ ｔ ｏ、ｖ
Ｍｎ Ｌ ３ Ｓ ｂ ｏ、７（５） ＩｎＱ、１Ｐｔ
００．Ｍｎ１．１Ｓｂ０．、 （６１Ｐｄ０．３Ｐｔｏ
、７Ｍｎ１．３Ｓｂ、７（７Ｊ Ａｕｏ、２ ｐ ｔｏ
、ｓ Ｍｔｔｌ、２ ｓ ｂＯ，８（８） Ｂｔ Ｏ，
４Ｐ ｔｏ、ｓ Ｍｎ１．４ｓ ｂＯ，６（９１Ｔａ６
，４ Ｐ ｉｏ４ Ｍｎ４ａ Ｓ １）６，６ （１１
） ２％２ Ｐ ｔ０４ Ｍｎ１．２ Ｓ ｂｏ、ｓａ
υＴ ｌ ｏ、３ Ｐ ｔｏ、ｙ Ｍ％ｓ ＳｂＱ、７
αａ Ｃ％Ｂ Ｐ ％７ ＭｎｔＢ Ｓｂ６．７（１３
Ｓ ｎ ２３ Ｐ ｊｏ、７ Ｍｎ Ｌ３ Ｓ ｂ Ｑ
７０４１ Ｂ１． Ｉｎ。、２Ｐｔ０．、Ｍｎ、、 ｓ
ｂｏ、５（Ｉｓ Ｂ ｉｏ、Ｇ４．□ＰｔＯ，Ｍｎ□、
Ｓｂ。、８（ｌ［９Ｂ ’ｏ、ｉ Ｓｎｏ、、 Ｐｔ、
、８Ｍｎ、 Ｓｂｏ、。
（ＩηＢ ｌ ｏ、ｔ Ｓｎｏ、Ｉ Ｐ ｊｏ、ｓ Ｍ
ｎ１□８１）０．Ｂ本発明の磁性体を用いて磁性膜を作
るには一般に耐熱性透明基板上にこの磁性体をターゲッ
トとして基板温度３００〜７００ ’Ｃで真空蒸着、ス
パッタリング、イオンシレーティング等の方法テ［Ｊｉ
ｓ ｏ ｏ〜ａ ｏ ｏ ００Ｘ程度に付着させれば
よい。こうして第１図に示すように基板１上に、垂直磁
化された磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。
ｎ１□８１）０．Ｂ本発明の磁性体を用いて磁性膜を作
るには一般に耐熱性透明基板上にこの磁性体をターゲッ
トとして基板温度３００〜７００ ’Ｃで真空蒸着、ス
パッタリング、イオンシレーティング等の方法テ［Ｊｉ
ｓ ｏ ｏ〜ａ ｏ ｏ ００Ｘ程度に付着させれば
よい。こうして第１図に示すように基板１上に、垂直磁
化された磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる。
なお場合によっては磁性膜の形成は基板温度３００”Ｃ
未満で行なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成
後、これに４００〜８００℃の熱処理を、場合により磁
界を印加しながら、行なって垂直磁化させる必要がある
。
未満で行なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成
後、これに４００〜８００℃の熱処理を、場合により磁
界を印加しながら、行なって垂直磁化させる必要がある
。
ココテ基板の材料としては一般にアルミニウムのような
耐熱性金属；普通ガラス；石英ガラス；ＧＧＧ 単結晶
；す７アイヤ：リチウムタンタレート；結晶化透明ガラ
ス；パイレックスガラス；表面を酸化処理し又は処理し
ない単結晶シリコン＠ Ａ４０Ｂ 、 ＭｇＯ、ＺｎＯ
、Ａ４０ｇ ｏ、 ＭｇＯ、ＭｇＯ・ＬｉＦ 、 Ｙ２
０Ｂ ＩＩＬｉＦ 、 ＢｅＯ、Ｚｒ０１ ａ ＹｇＯ
Ｂ 、 Ｔｈ０１ ＊ＯａＯ、ＬｉＦ 、 ＹｇＯＢ等
の透明セラミック材；無機シＩＪコン材（例えば東芝シ
リコン社製トスガード５１０ 、住友化学社製スミセラ
ムＰ）等の無機材料が使用できる。
耐熱性金属；普通ガラス；石英ガラス；ＧＧＧ 単結晶
；す７アイヤ：リチウムタンタレート；結晶化透明ガラ
ス；パイレックスガラス；表面を酸化処理し又は処理し
ない単結晶シリコン＠ Ａ４０Ｂ 、 ＭｇＯ、ＺｎＯ
、Ａ４０ｇ ｏ、 ＭｇＯ、ＭｇＯ・ＬｉＦ 、 Ｙ２
０Ｂ ＩＩＬｉＦ 、 ＢｅＯ、Ｚｒ０１ ａ ＹｇＯ
Ｂ 、 Ｔｈ０１ ＊ＯａＯ、ＬｉＦ 、 ＹｇＯＢ等
の透明セラミック材；無機シＩＪコン材（例えば東芝シ
リコン社製トスガード５１０ 、住友化学社製スミセラ
ムＰ）等の無機材料が使用できる。
本発明の磁性膜は第１図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この釉の多層型の例としては第２〜８図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は高屈折率の透明
誘電層、５はガイドトラック層、６は保曖膜、７は透明
接着層、８は耐熱層である。ここでガイドトラック付き
基板１′はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂等の樹脂を射出成型、押出成型、フォトエ
ツチング法等により加工して作られる。なお基板のガイ
ドトラックは記録、再生時のレーザー光を案内するもの
である。反射膜３は０％、Ａｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ 。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この釉の多層型の例としては第２〜８図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は高屈折率の透明
誘電層、５はガイドトラック層、６は保曖膜、７は透明
接着層、８は耐熱層である。ここでガイドトラック付き
基板１′はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エステル樹脂等の樹脂を射出成型、押出成型、フォトエ
ツチング法等により加工して作られる。なお基板のガイ
ドトラックは記録、再生時のレーザー光を案内するもの
である。反射膜３は０％、Ａｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ 。
８ｅＡａ、 ＴｅＡｓ、 ＴｉＮ 、 ＴａＮ 、 Ｃ
ｒＮ 、シアニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で
対象面に膜厚５００〜１００００Ｘ程度に付着させるこ
とにより形成される。なおこの反射膜は、磁性膜を透過
したレーザー光を反射し、再び磁性膜を透過することに
よる磁気光学効果（ファラデー効果と呼ばれる）を増大
させる目的で設けられる。透明誘電層４は８１０ｘ、
Ｔｉｅ、、ＴｉＯ、０ｅＯ１゜ＨｆＯ２，ＢｅＯ、Ｔｈ
０１．５１３Ｎ４等を前記と同様な方法で対象面に膜厚
４００〜５０００１程度に付着させることにより形成さ
れる。なおこの透明誘電層は磁気光学効果を増大させて
再生出力を向上する目的で設けられる。ガイドトラック
層５は対象面に紫外線硬化性樹脂８塗布した後、ガイド
溝を有する金型を圧着しながら、紫外線を照射して前記
樹脂を硬化させることにより形成される。保霞膜６はア
クリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキ
シ樹脂、ＴｉＮ 、 ８ｉ３Ｎ４ 、 ＴａＮ’、、８
！０１．８１０等８樹脂の場合は塗布法で、その他の場
合は真空蒸着、ス／ぞツタリング、イオンシレーティン
グ等の方法で対象面に膜厚０．１〜ｈａｐｍ程度に付着
させることにより形成される。なおこの保麹膜は表面層
を保護する目的で設けられる。透明′！＃、着層７は反
射膜３を設けたガイドトラック付き基板ｆの反射膜と磁
性膜２８設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よりな
るので、「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層型光磁
気記録材料のことである。）の磁性膜とそエポキシ樹脂
、ポリウレタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１１００
ｐ厚程度に接着することにより形成される。即ちこの透
明接着層は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記
録材料の磁性膜２とを接合するための層である。なお耐
熱層８は前述のような無機材料よりなるので、基板１に
相尚するが、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で設
けられる。厚さは約１０〜５００ρｍ程度か適当である
。
ｒＮ 、シアニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法で
対象面に膜厚５００〜１００００Ｘ程度に付着させるこ
とにより形成される。なおこの反射膜は、磁性膜を透過
したレーザー光を反射し、再び磁性膜を透過することに
よる磁気光学効果（ファラデー効果と呼ばれる）を増大
させる目的で設けられる。透明誘電層４は８１０ｘ、
Ｔｉｅ、、ＴｉＯ、０ｅＯ１゜ＨｆＯ２，ＢｅＯ、Ｔｈ
０１．５１３Ｎ４等を前記と同様な方法で対象面に膜厚
４００〜５０００１程度に付着させることにより形成さ
れる。なおこの透明誘電層は磁気光学効果を増大させて
再生出力を向上する目的で設けられる。ガイドトラック
層５は対象面に紫外線硬化性樹脂８塗布した後、ガイド
溝を有する金型を圧着しながら、紫外線を照射して前記
樹脂を硬化させることにより形成される。保霞膜６はア
クリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキ
シ樹脂、ＴｉＮ 、 ８ｉ３Ｎ４ 、 ＴａＮ’、、８
！０１．８１０等８樹脂の場合は塗布法で、その他の場
合は真空蒸着、ス／ぞツタリング、イオンシレーティン
グ等の方法で対象面に膜厚０．１〜ｈａｐｍ程度に付着
させることにより形成される。なおこの保麹膜は表面層
を保護する目的で設けられる。透明′！＃、着層７は反
射膜３を設けたガイドトラック付き基板ｆの反射膜と磁
性膜２８設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よりな
るので、「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層型光磁
気記録材料のことである。）の磁性膜とそエポキシ樹脂
、ポリウレタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１１００
ｐ厚程度に接着することにより形成される。即ちこの透
明接着層は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記
録材料の磁性膜２とを接合するための層である。なお耐
熱層８は前述のような無機材料よりなるので、基板１に
相尚するが、ここでは磁性膜２の耐熱性向上の目的で設
けられる。厚さは約１０〜５００ρｍ程度か適当である
。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従、来と同じく磁性膜又は基板側から変
調又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従、来と同じく磁性膜又は基板側から変
調又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
効 果
本発明の磁性体又は磁性膜は半導体レーザー光によって
高密度記録可能な光磁気記録媒体用材料として所望のキ
ュリ一温度及び磁気光学特性、特に保磁力を有している
にも拘わらず、耐酸化腐食性を備えているので、磁気光
学特性の経時劣化の少ない光磁気記録媒体を提供できる
。
高密度記録可能な光磁気記録媒体用材料として所望のキ
ュリ一温度及び磁気光学特性、特に保磁力を有している
にも拘わらず、耐酸化腐食性を備えているので、磁気光
学特性の経時劣化の少ない光磁気記録媒体を提供できる
。
実施例１〜１７
石英ガラス板上に下記表に示した組成のターゲットをＲ
ｆスノぞツタリング法により膜厚１ｏｏｏ１になるよう
付着させた後、３時間真空中でアンニーリングして磁性
膜を設けた。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁
力Ｈｅを同表に示す。
ｆスノぞツタリング法により膜厚１ｏｏｏ１になるよう
付着させた後、３時間真空中でアンニーリングして磁性
膜を設けた。これら磁性膜のキュリ一温度Ｔｃ及び保磁
力Ｈｅを同表に示す。
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、どの磁化の方向とは逆の０．５にエルス
テッドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レ
ーザー光を記録媒体表面での強度８ｍＷ及び周波数Ｉ
ＭＨｚのパルスで照射し−Ｃ磁気反転せしめ、記録した
ところ、いずれもピット径約１５μｍの記録ビットが形
成された。
向に磁化させ、どの磁化の方向とは逆の０．５にエルス
テッドの磁界を印加しながら、出力２０ｍＷの半導体レ
ーザー光を記録媒体表面での強度８ｍＷ及び周波数Ｉ
ＭＨｚのパルスで照射し−Ｃ磁気反転せしめ、記録した
ところ、いずれもピット径約１５μｍの記録ビットが形
成された。
第１〜８図は夫々本発明の磁性体又は磁性膜を用いた光
磁気記録媒体の一例の構成図である。 ｌ・・・基 板 １′・・・ガイドトラック付き基板２
・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・・・透明゛誘電＃ ５・・・ガイドトラック層６・
・・保護膜 ７・・・透明接着層 ８・・・耐熱層 ｍ″５１ 巨１ 冑ル２；宮１ し 【 し 負３５１７１ 冒 し ｌ夕 Ｉ。 ）５７図 角）８１シ１
磁気記録媒体の一例の構成図である。 ｌ・・・基 板 １′・・・ガイドトラック付き基板２
・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・・・透明゛誘電＃ ５・・・ガイドトラック層６・
・・保護膜 ７・・・透明接着層 ８・・・耐熱層 ｍ″５１ 巨１ 冑ル２；宮１ し 【 し 負３５１７１ 冒 し ｌ夕 Ｉ。 ）５７図 角）８１シ１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ％式％ びＳｃの少くとも１種、０ ＜ ｘ≦１．５）で示され
る光磁気記録媒体用磁性体。 ２一般式 ％式％ び８ｃの少（とも１種、０ ＜ ｘ≦１５）で示される
磁性体よりなる光磁気記録媒体用磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6862984A JPS60211903A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光磁気記録媒体用磁性体及び磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6862984A JPS60211903A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光磁気記録媒体用磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211903A true JPS60211903A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13379226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6862984A Pending JPS60211903A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光磁気記録媒体用磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62173657A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0333205A2 (en) * | 1988-03-18 | 1989-09-20 | Kuraray Co., Ltd. | Optical recording medium |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6862984A patent/JPS60211903A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62173657A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| EP0333205A2 (en) * | 1988-03-18 | 1989-09-20 | Kuraray Co., Ltd. | Optical recording medium |
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