JP2770027B2

JP2770027B2 - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法

Info

Publication number: JP2770027B2
Application number: JP63183779A
Authority: JP
Inventors: 誠哉小林; 肇宇都宮
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-07-22
Filing date: 1988-07-22
Publication date: 1998-06-25
Anticipated expiration: 2013-06-25
Also published as: JPH0233746A

Description

【発明の詳細な説明】＜産業上の利用分野＞本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行なう光磁気記録ディスク等の光磁気記録
媒体および光磁気記録媒体に光磁気記録を行なう光磁気
記録方法に関する。

＜従来の技術＞光磁気記録媒体の記録層には、希土類元素−遷移金属
の非晶質磁性薄膜が用いられている。

希土類元素としては、Gd、Tb、Dy等、遷移金属として
は、Fe、Co等が好ましく用いられ、特に、C/N比が高い
ことから、GdDyFeCo、TbDyFeCoからなる記録層が提案さ
れている。

例えば、特開昭60−83305号公報では、Fe−Co−Dy系
においてDyの一部をTbまたはGdで置換しており、その実
施例には、（Fe_1-bCo_b）₇₅Tb₆Gd₁₉（ただし、０＜ｂ≦
0.4）が記載されている。そして、その効果は、カー回
転角の増大によるC/N比の向上である。

また、特開昭60−9855号公報には、TbDyFeCoが開示さ
れており、その実施例には、Co_38.5Fe_38.5Dy_13.8T
b_9.2、Co_17.0Fe_62.5Dy_5.7Tb_10.2が記載されている。そ
して、その効果は、磁歪値の減少とカー回転角の増大と
の相乗効果によるS/N比の向上である。

さらに、特開昭60−107751号公報の実施例には、（Dy
_0.3Tb_0.7）_0.2（Fe_0.7Co_0.3）_0.8、すなわち、Dy₆Tb₁₄F
e₅₆Co₂₄が記載されている。

そして、その効果は、キューリー温度の低下とカー回
転角の増大によるS/N比の向上である。

さらにまた、特開昭60−233810号公報には、比較例と
して（Fe_0.9Co_0.1）_0.8（Tb_0.5Dy_0.5）_0.2および（Fe
_0.9Co_0.1）_0.79（Tb_0.5Dy_0.5）_0.21、すなわち、それぞ
れFe₇₂Co₈Tb₁₀Dy₁₀およびFe₇₁Co₈Tb_10.5Cy_10.5記載され
ている。

これらの他にも、特開昭60−98611号公報、同59−217
24号公報にもTbDyFeCoは開示されているが、その効果と
しては、カー回転角の増大、飽和磁化の向上、キュリー
温度の低下等がある。

しかし、上記公報に記載されている組成範囲では、C/
N比の向上が不十分であったり、情報記録・消去時に必
要とされる磁界強度が大きなものとなる。

すなわち、光磁気記録媒体は、情報記録時および消去
時に外部から磁界が印加されるが、これらに必要な磁界
強度（以下、Hextという）は、上記の各公報に記載され
ているような組成のものでは、比較的大きな磁界、例え
ば300Oe以上必要であるため磁界発生装置が大型化し、
従って、光磁気記録媒体の記録・再生装置も大型化して
しまう。また、上記組成の記録層では、情報消去時に必
要な磁界強度も当然高いものとなる。

また、近年、独立した消去過程を設けず情報の重ね書
きにより消去を行なういわゆるオーバーライト法に対す
る要求から、一定の強度の光を照射しながら変調された
磁界により記録を行なう磁界変調記録が注目されている
が、この場合、上記の各公報に記載の記録層では大きな
印加磁界強度を必要とするためにインダクタンスの大き
なコイルを用いる必要がある。インダクタンスの大きな
コイルでは磁界反転時間を短くできないため、高速記録
が困難である。

このため、本発明者等は、Tb、DyおよびCoの原子％で
表わされる含有量が 20.5≦Tb＋Dy≦31.0 0.088≦Tb/（Tb＋Dy）≦0.22 6.0≦Co≦15.0 であり、残部が実質的にFeである記録層を有する光磁気
記録媒体およびこの光磁気記録媒体を用いた高速記録可
能な磁界変調型光磁気記録方法を提案している（特願昭
63−77394号）。この光磁気記録媒体は、C/N比が高く、
しかも、Hextを低く押えることができるものである。

特願昭63−77394号に記載の光磁気記録媒体の記録層
はHextが小さいため、インダクタンスの小さなコイルを
用いることができ、高速記録が可能であるが、さらに高
速記録を行なうために、よりインダクタンスの小さなコ
イルを用いる場合、コイルと記録層との距離を近接させ
なければならない。

しかし、記録層を有する一対の基板を、記録層を内側
にして張り合せて構成される両面記録型の光磁気記録媒
体、あるいは、片面記録型であっても基板の記録層上に
基板と同程度の厚さの保護板を有する光磁気記録媒体で
は、基板あるいは保護板の厚さのために、コイルと記録
層とを近接させることが困難である。このため、よりイ
ンダクタンスの小さなコイルを用いる場合は、記録層上
に、例えば、有機系物質から構成される厚さ１〜100μ
ｍの保護コートを設けた片面記録型の光磁気記録媒体と
して用いることが好ましい。しかし、このような保護コ
ートでは耐食性が十分とはいえない。

このため、本発明者等は、特願昭63−77394号に記載
の光磁気記録媒体の記録層に、4A族元素、5A族元素、6A
族元素、８族元素、3B族元素、Ｃ、SiおよびＰのうちか
ら選ばれる少なくとも１種以上の元素を、添加元素とし
て添加した光磁気記録媒体を提案している（特願昭63−
140764号）。この光磁気記録媒体は、上記添加元素の添
加により記録層の耐食性を向上させたものである。

また、本発明者等は、特願昭63−77394号および特願
昭63−140764号に記載の光磁気記録媒体の記録層に、Ge
および／またはSrを添加元素として添加した光磁気記録
媒体を提案している（特願昭63−142462号）。この光磁
気記録媒体は、高温・高湿下での保存後あるいは繰り返
し再生後においても、記録層の感度変化がきわめて小さ
いものである。

さらに、本発明者等は、特願昭63−77394号、特願昭6
3−140764号および特願昭63−142462号に記載の光磁気
記録媒体の記録層に、Bi、Cu、SnおよびPbから選択され
る元素の１種以上を添加元素として添加した光磁気記録
媒体を提案している（特願昭63−143335号）。この光磁
気記録媒体は、C/N比がさらに向上している。

＜発明が解決しようとする課題＞しかし、光磁気記録媒体の耐食性向上に関する要求は
厳しく、特に、磁界変調記録を行なう為に片面記録型と
して用いる場合、一層高い耐食性が要求される。

本発明は、情報記録時および消去時に外部から印加さ
れる磁界の強度を低く押えることができる光磁気記録媒
体に、高い耐食性を付与することにより、片面記録型の
構成としても十分な耐食性を有する光磁気記録媒体およ
びこの光磁気記録媒体を用いた高速記録可能な磁界変調
型光磁気記録方法を提供することを目的とする。

＜課題を解決するための手段＞このような目的は、下記の本発明により構成される。

すなわち、本発明は、下記（１）〜（９）である。

（１）Tb、DyおよびCoの原子％で表わされる含有量が 20.5≦Tb＋Dy≦31.0 0.088≦Tb/（Tb＋Dy）≦0.22 6.0≦Co≦15.0 であり、残部が実質的にFeである記録層を基板上に有
し、前記記録層上および／または前記基板と前記記録層
との間に保護層を有する光磁気記録媒体であって、前記保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と
２価の金属元素とを含有し、さらに酸素および窒素を含
有し、金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9
であり、酸素および窒素中の酸素の原子比が0.4〜0.8である光
磁気記録媒体。

（２）Tb、DyおよびCoの原子％で表わされる含有量が 20.5≦Tb＋Dy≦31.0 0.088≦Tb/（Tb＋Dy）≦0.22 6.0≦Co≦15.0 であり、残部が実質的にFeである記録層を基板上に有
し、前記記録層上および／または前記基板と前記記録量
との間に保護層を有する光磁気記録媒体であって、前記保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と
アルミニウムおよび／またはホウ素と２価の金属元素と
を含有し、さらに酸素および窒素を含有し、金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9
であり、酸素および窒素中の酸素の原子比が0.4〜0.8である光
磁気記録媒体。

（３）ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素に対
する原子比が1.0以下である上記（２）に記載の光磁気
記録媒体。

（４）上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、4A族元素、5A族元素、6A族
元素、８族元素、3B族元素、Ｃ、SiおよびＰのうちから
選ばれる少なくとも１種以上の元素を、添加元素として
添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。

（５）前記4A族元素がTi、Zr及びHfであり、前記5A族元
素がＶ、NbおよびTaであり、前記6A族元素がCr、Moおよ
びＷであり、前記８族元素がNiおよびPtであり、前記3B
族元素がＢおよびAlである上記（４）に記載の光磁気記
録媒体。

（６）上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、Geおよび／またはSrを添加
元素として添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。

（７）上記（１）ない（６）のいずれかに記載の光磁気
記録媒体の記録層に対し、Bi、Cu、SnおよびPbから選択
される元素の１種以上を添加元素として添加したことを
特徴とする光磁気記録媒体。

（８）記録層中の前記添加元素の含有量の合計が、１〜
20at％である上記（４）ないし（７）のいずれかに記載
の光磁気記録媒体。

（９）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の光磁
気記録媒体に光磁気記録を行なう方法であって、光を照
射しながら、変調された磁界を印加することにより光磁
気記録を行なうことを特徴とする光磁気記録方法。

以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

第１図に、本発明の光磁気記録媒体の好適実施例を示
す。

第１図に示される光磁気記録媒体１は、基板２上に保
護層３、中間層４、記録層５、保護層６、保護コート７
を順次有する。

保護層３および保護層６は、記録層５の耐食性向上の
ために設けられるものであり、これらは少なくとも一
方、好ましくは両方が設けられることが好ましい。

本発明では、保護層３および保護層６のいずれか一
方、好ましくは保護層６、さらに好ましくは両方が、金
属または半金属元素としてケイ素と２価の金属元素とを
含有し、さらに酸素および窒素を含有する。

このような各元素を含有させることによって、きわめ
て良好な耐久性と耐食性とが発揮される。この場合、こ
れら各必須元素の１つでも欠けたときには、本発明の効
果は実現しない。

また２価の金属元素（以下Ｒという）は、Ba,Ca,Mg,Z
n,Pb,Sr等の１種以上が挙げられ、なかでも特にBa,Ca,S
rの１〜３種を用いるのが好ましい。これら２種以上の
Ｒを用いる場合、それぞれの量比は任意である。

本発明においては金属または半金属中のケイ素の原子
比Si/（Si＋Ｒ）は0.3〜0.9、特に0.3〜0.8である。

Si/（Si＋Ｒ）が0.3未満であると、耐食性の点で不利
となり、0.9をこえると安定性の点で不利となるからで
ある。

また、酸素および窒素中の酸素の電子比0/（０＋Ｎ）
は0.4〜0.8、特に0.5〜0.8である。

0/（０＋Ｎ）が0.4未満となると、耐食性の点で不利
となり、0.8をこえると電磁変換特性および耐久性の点
で不利となるからである。

本発明においては、金属または半金属元素としてさら
にアルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよ
く、アルミニウムおよび／またはホウ素を含有すること
によって耐食性がさらに向上する。

この場合、ホウ素および／またはアルミニウムのケイ
素に対する原子比（Ｂおよび／またはAl）/Siは1.0以
下、特に0.1〜1.0、より好ましくは0.3〜1.0であること
が好ましい。

（Ｂおよび／またはAl）/Siが1.0をこえると、耐食
性、耐久性、膜の均一性の点で不利となる。ただし、0.
1未満では添加の実効がない。

ＢとAlとを含有させる場合、互いの量比は任意であ
る。

本発明において、上記の各元素は、保護層中に以下の
ように含有される。

まずSiは、Siの酸化物（通常、SiO₂）およびSiの窒化
物（通常、Si₃N₄）、として含有される。また、２価金
属の酸化物（RO）は、通常、BaO,CaO,MgO,ZnO,PbO,SrO
などとして含有される。

さらにAlおよび／またはＢが含有される場合は酸化物
（通常、Al₂O₃,B₂O₃）や窒化物（通常、AlN,BN）として
含有される。すなわち、化学量論組成で示すならば、Si
O₂とROとに加え、Si₃N₄,Al₂O₃,AlN,B₂O₃およびBNの１種
以上が含有されるものである。

これらの化合物は、その組成において上記の化学量論
的な組成比をはずれていてもよい。

そして、本発明において最終的に保護層中には、Siの
酸化物（SiO₂換算）対Siの窒化物（Si₃N₄換算）のモル
比が50対50〜90対10程度である。

さらにAlおよび／またはＢが含有される場合は、Si,A
lおよびＢの酸化物の総計（SiO₂,Al₂O₃およびB₂O₃換
算）対Si,AlおよびＢの窒化物の総計（Si₃N₄,AlNおよび
BN換算）のモル比が50対50〜90対10程度である。

この場合、化学量論組成で示したときのAl₂O₃とB₂O₃と
の量比や、SI₃N₄とAlNとBNとの量比は任意である。

本発明においては１価の金属元素Li,Na,K,Rb,Cs,Fr、
好ましくはLi,Na,Kが通常酸化物の形で、例えばLi₂O,Na
₂O,K₂O,Rb₂O,Cs₂O,Fr₂O等として含有されていてもよ
い。これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の10wt％
以下とする。

このような保護層は、通常、非晶質状態にある。

また、このような保護層は、各種気相成膜法、例え
ば、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プ
ラズマCVD、光CVD、特に所望の組成のターゲットを用い
るスパッタ法、２種以上の異なる組成からなるターゲッ
トを用いた多元スパッタ法あるいは酸素、窒素を用いる
反応性スパッタ法等によって形成されることが好まし
い。

そして、このような保護層の厚さは、磁性薄膜層の上
面および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ300
〜3000Å、特に500〜2000Åとすることが好ましい。

この値が300Å未満であると、耐候性が悪く、また300
0Åをこえると、感度が低下する。

なお、このような保護層３を基板２上に設け、この上
に後述する中間層を設ける場合には、保護層３の厚さは
300〜1000Å程度、中間層を500〜15000Å程度とするこ
とが好ましい。

また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N₂等が入ってもよい。

その他、Fe₂O₃、CuO、Cr₂O₃、MnO_x、CoO、NiO、As₂O₃
等が全体の1.0wt％程度以下含有されてもよい。

なお、上記したような保護層は、特願昭61−313720
号、同61−31498号に開示されている。

本発明において、記録層５は、上記組成を有する。

Tb、DyおよびCoの組成範囲を上記のように限定した理
由は、以下のとおりである。

Tb＋Dyが上記範囲未満であると、磁場感度が低下して
Hextが300Oe程度以上必要となり、また、Hcが低下し、C
/N比の低下を招く。

Tb＋Dyが上記範囲を超えると、磁場感度が低下してHe
xtが300Oe程度以上必要となり、また、Hcが低下し、C/N
比の低下を招く他、信頼性が低下する。

Tb/（Tb＋Dy）が上記範囲未満であると、Hextが300Oe
程度以上となり、また、キュリー点が低下して熱安定性
が低下する。

Tb/（Tb＋Dy）が上記範囲を超えると、Hextが3000e程
度以上となる。

なお、2.5≦Tb≦5.0かつ18.0≦Dy≦26.0であると、さ
らに良好な特性を得ることができ、特にHextが低下す
る。

Coが上記範囲未満であると、記録層の耐食性が不十分
となり信頼性が低下する。また、キュリー点が低下し、
熱安定性が低くなる。

Coが上記範囲を超えると、C/N比が低下し、Hextも増
大してしまう。

そして、これらの元素を除いた残部が、実質的にFeと
される。

本発明では、このような構成の記録層に、下記Ｘ群、
Ｙ群およびＺ群から選択される元素が、少なくとも１種
以上添加されていてもよい。

Ｘ群:4A族元素、5A族元素、6A族元素、８族元素、3B
族元素、Ｃ、SiおよびＰのうちから選ばれる少なくとも
１種以上の元素。

なお、この場合、4A族元素としてはTi、ZrおよびHf
が、5A族元素としてはＶ、NbおよびTaが、6A族元素とし
てはCr、MoおよびＷが、８族元素としてはNiおよびPt
が、3B族元素としてはＢおよびAlが好ましい。

Ｙ群:Geおよび／またはSr。

Ｚ群:Bi、Cu、SnおよびPbから選択される元素の１種
以上。

上記Ｘ群を添加することにより、記録層の耐食性が向
上する。

上記Ｙ群の添加することにより、記録層の非晶質状態
が安定化するという効果が実現する。

すなわち、高温・高湿状態下で保存された場合に生じ
る記録層の感度変化（アニール効果）が防止される。ま
た、繰り返し再生による記録層の感度変化も防止され
る。なお、上記Ｘ群のうち、Ｂおよび／またはSiの添加
によっても、この効果は実現する。

上記Ｚ群を添加することにより、カー回転角が増大
し、C/N比が向上する。なお、上記Ｘ群のうち、Crおよ
び／またはNiの添加によっても、この効果は実現する。

これらの添加元素の記録層中における含有量比、すな
わち、Tb、Dy、Co、Feおよび添加元素の含有量の合計に
対する添加元素の含有量の比率は、１〜20at％、特に２
〜10at％であることが好ましい。含有量がこの範囲であ
ると、上記各効果はきわめて高いものとなる。

このような記録層５は、気相成膜法、特にスパッタ法
により設置されることが好ましく、通常、非晶質状態で
ある。

また、記録層５の層厚は、通常、10〜1000nm程度であ
る。

基板２は、ガラスあるいは樹脂製、特にアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂等から構成されることが好ましく、記録光およ
び再生光に対して透明なものである。また、その厚さは
通常0.5〜3mm程度とされ、外形形状は、ディスク状ある
いはその他目的に応じて選定される。

中間層４は、C/N比の向上のために設けられるもので
あり、各種誘電体物質、例えば、各種酸化物、窒化物、
酸化物、あるいはこれらの混合体から形成されることが
好ましく、その層厚は30〜150nm程度であることが好ま
しい。また、設置方法は、スパッタ法等の気相成膜法を
用いることが好ましい。

保護コート７は耐食性の向上のために設けられるもの
であり、種々の有機系の物質から構成されることが好ま
しいが、特に、電子線、紫外線等の放射線により硬化可
能なアクリル系二重結合を有する放射線硬化型化合物
を、放射線硬化させた物質から構成されることが好まし
い。

また、保護コート７の厚さは、通常、１〜100μｍ程
度とすることが好ましい。

これらの各層から構成される光磁気記録媒体１は、記
録層５を内側にして２組の光磁気記録媒体１が接着され
て両面記録型の媒体とすることができ、また、保護コー
ト７上に保護板を接着して片面記録型の媒体とすること
ができる。

しかし、磁気ヘッドと媒体との距離を小さくすること
ができ高速記録が可能であることから、保護板を設けな
い構成の片面記録型の媒体とすることが好ましい。

なお、保護板を設ける場合、保護板としては、通常、
基板２と同質のものを用いればよいが、透明である必要
はなく、その他の材質も用いることができる。また、接
着は、公知のいずれの接着剤を用いてもよく、例えばホ
ットメルト系接着剤、熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤等
である。

次に、上記の本発明の光磁気記録媒体を用いた本発明
の光磁気記録方法について説明する。

本発明の光磁気記録方法は、光を照射しながら変調さ
れた磁界を印加することにより記録を行なう磁界変調型
の記録方法である。

通常、磁界は基板の記録層設層面側から印加される。
本発明では、磁界印加用の磁気ヘッドは、通常の非接触
型の磁気ヘッドあるいは空気浮上型の浮上型ヘッドのい
ずれを用いてもよいが、磁気ヘッドと媒体との距離を小
さくすることができ高速記録が可能であることから、浮
上型磁気ヘッドを用いることが好ましい。

なお、磁気ヘッドと記録層との距離は、通常の非接触
型のヘッドで0.5mm程度、浮上型ヘッドで５〜20μｍ程
度であるため、本発明では、通常、保護板を設けない構
成の片面記録型の媒体を用いる。

本発明では、媒体の記録層面での磁界強度は、300Oe
以下、好ましくは2500Oe以下、さらに好ましくは200Oe
以下であることが好ましい。

磁界強度をこの範囲とすることにより、インダクタン
スの小さいコイルを用いることができる。そのため、磁
界反転時間を短くすることができ、例えば5MHz以上の高
速記録が可能となる。

光は、通常、磁界と反対側から照射される。

記録パワーは、通常、１〜10mW程度、記録層面での光
のスポット径は、通常、0.5〜３μｍ程度である。

＜実施例＞以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに
詳細に説明する。

［実施例１］直径130mm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上
に、保護層３を高周波マグネトロンスパッタにより40nm
の層圧に設層し、この保護層３上に、SiN_xからなる中間
層４を高周波マグネトロンスパッタにより層厚80nmに設
層した。

次に、中間層４上に、下記表１に示される本発明の組
成の記録層５を、スパッタにより層厚80nmに設層した。
なお、Tb、DyおよびCoの含有量比（at％）は、Tb、Dy、
CoおよびFeの含有量の合計を100としたときの値であ
る。また、添加元素の含有量比（at％）は、Tb、Dy、C
o、Feおよび添加元素の含有量の合計を100としたときの
値である。

さらに、記録層５上に、保護層３と同組成の保護層６
を高周波マグネトロンスパッタにより層厚100nmに設層
し、この保護層６上に、保護コート７を設層した。な
お、保護コート７は、多官能オリゴエステルアクリレー
トと光増感剤とを含む塗布組成物をスピンナーコートに
より保護層６上に塗布し、その後、紫外線を15秒間照射
して架橋硬化させることにより設層した。保護コート７
の厚さは５μｍとした。

このようにして、各種の記録層および保護層を有する
本発明の光磁気記録媒体サンプルを得た。

なお、サンプルNo.5は、保護層３および６を設層しな
い比較サンプルとした。

各サンプルの保護層３および６の組成を表１に示す。
また、その詳細は、下記のとおりである。

下記組成において、含有量（wt％）は、下記に示す化
合物に換算して表示している。また、ＭはSi＋Ｒ等の全
金属ないし半金属の総計を表わす。

（保護層組成） SiO₂ :38wt％ Si₃N₄ :20wt％ BaO :24wt％ CaO :18wt％ Si/M :0.7 0/（０＋Ｎ） :0.73 （保護層組成） SiO₂ :20wt％ Si₃N₄ :21wt％ BaO :26wt％ CaO :10wt％ Al₂O₃ :17wt％ B₂O₃ : 6wt％ Si/M :0.5 0/（０＋Ｎ） :0.72 これらのサンプルに対し、下記の測定を行なった。

（１）耐食性初期のビットエラーレート（BER）と80℃・80％RHに
て1000時間保存した後のBERを測定し、その増加量（ΔB
ER）を求めた。表１に示す評価は、下記の通りである。

◎：変化なし ○：増加量が２倍以下 △：増加量が２倍より大きく５倍以下 ×：増加量が５倍より大きい（２）C/N比線速4.0m/sec 周波数1MHz 記録パワー（830nm）2.0〜6.0mW 再生パワー（830nm）1.0mW RBW30kHz VBW100Hz にて測定した。なお、記録時の磁界強度は、300Oeとし
た。

（３）Hext 下記およびのうち、大きい方をHextとした。

印加する磁界強度を増加させながら記録を行ない、C/
N比が一定値に達したときの磁界強度最適記録パワーにて印加磁界強度300Oeで記録した信
号に対し、同じく最適記録パワーにて印加磁界を変化さ
せて消去を行ない、消し残りが1dB以下となったときの
磁界強度（４）保磁力（Hc）（５）キュリー点（Tc）結果を表１に示す。

［実施例２］実施例１で作製した各光磁気記録媒体サンプルに対
し、磁界変調によりオーバーライト記録（独立した消去
過程を設けず、重ね書きにより消去すること）を行な
い、記録後の各サンプルのC/N比を測定した。

磁界変調記録は、一定強度のレーザー光を基板の記録
層設層面の反対側から照射しながら、基板の記録層設層
面側に設けた小型コイルにより500kHzの矩形波交番磁界
を記録層面に印加することにより行なった。記録層面と
小型コイルとの距離は0.2mm、記録層面での磁界強度は2
50Oe、線速は4.0m/sとした。

なお、記録層面での磁界強度を上げるために記録層面
と小型コイルとの距離を0.1mmとしたところ、基板のフ
レやソリのために小型コイルが保護コート７に接触し、
記録が不可能であった。

このような磁界変調記録を、同一トラックに対し10回
行なった。

C/N比は、実施例１と同様に、再生パワー1.0mWにて再
生を行ない測定した。

45dB以上のC/N比が得られた場合を○、C/N比が45dB未
満の場合を×として評価した。

結果を、表１に示す。

［実施例３］実施例１で作製した各サンプルを用いて、再生パワー
1.5mWにて連続再生試験を行なった。

サンプルNo.106では、約500回の連続再生によりC/N比
が劣化しはじめたが、その他のサンプルでは、1000回以
上の連続再生を行なってもC/N比の劣化はみられなかっ
た。

［実施例４］上記サンプルNo.1〜４の記録層に、前記した添加元素
Ｘ群、Ｙ群およびＺ群の１種以上を添加したサンプルを
作製し、上記と同様な耐食性測定およびC/N比の測定を
行なった。

また、80℃・80％RHにて1000時間保存後の感度の変化
率および繰り返し再生後の感度の変化率も測定した。

添加元素に前記Ｘ群中から選択された元素が含まれた
場合、耐食性はさらに向上した。

また、添加元素に前記Ｙ群中から選択された元素が含
まれた場合、感度の変化率は、きわめて小さいものであ
った。なお、上記Ｘ群のうち、Ｂおよび／またはSiの添
加によっても、この効果は実現した。

添加元素に前記Ｚ群中から選択された元素が含まれた
場合、C/N比がさらに向上した。

なお、上記Ｘ群のうち、Crおよび／またはNiの添加に
よっても、この効果は実現した。

上記各実施例の結果から、本発明の効果が明らかであ
る。

すなわち、本発明サンプルは、耐食性がきわめて高
い。しかも、Hextが250Oe以下と低く、Hcが高く、ま
た、Tcが100℃より高いため熱安定性が高い。

また、記録層面の磁界強度250Oeにて磁界変調により
オーバーライト記録を行なった場合、本発明サンプルは
オーバーライト後も良好なC/N比を示し、オーバーライ
トにより消去が良好に行なわれていることがわかる。

＜作用＞光磁気記録媒体は、レーザー光等の照射により、所定
の組成を有する記録層の温度をキュリー点付近まで上昇
させ、このとき外部から磁界を印加することにより情報
の記録を行なう。

情報の記録は、一定強度の磁界を印加しながら、変調
された光により記録を行なう光変調記録、あるいは一定
の強度の光を照射しながら、変調された磁界により記録
を行なう磁界変調記録によりなされる。

光磁気記録媒体の情報の消去は、外部から記録層のHc
以上の一様な磁界を印加して消去を行なう全面消去（バ
ルクイレーズ）法によるか、レーザー光等の照射により
記録層の温度を上昇させ、記録層の磁化反転に必要な強
度の外部磁界を印加して行なう。

また、磁界変調により記録を行なう場合、独立した消
去過程を設けず、情報の重ね書きにより消去を行なうい
わゆるオーバーライト法により記録・消去を行なうこと
ができる。

＜発明の効果＞本発明の光磁気記録媒体は、所定の組成の保護層を有
するため、耐食性がきわめて高い。

また、本発明の光磁気記録媒体は、情報の記録および
消去時に外部から印加される磁界の強度（Hext）を比較
的低く抑えることができる。

従って、本発明によれば、光磁気記録媒体の記録・再
生装置を小型化できる。

また、本発明の光磁気記録媒体を用いて磁界変調記録
を行なう本発明の光磁気記録方法によれば、Hextを低く
抑えることができるためにインダクタンスの小さなコイ
ルを用いることができ、磁界反転時間を短くして高速記
録を行なうことができる。しかも、上記保護層を有する
ことにより十分な耐食性が得られるため、記録層上に厚
い保護板を設ける必要がなく、記録層とコイルとを近接
させることができる。このため、きわめてインダクタン
スの小さなコイルを用いることができ、より一層の高速
記録が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気記録媒体の好適実施例を示す
断面図である。符号の説明１……光磁気記録媒体、２……基板、３……保護層、４……中間層、５……記録層、６……保護層、７……保護コート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 11/10 501A G11B 11/10 521

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Tb、DyおよびCoの原子％で表わされる含有
量が 20.5≦Tb＋Dy≦31.0 0.088≦Tb/（Tb＋Dy）≦0.22 6.0≦Co≦15.0 であり、残部が実質的にFeである記録層を基板上に有
し、前記記録層上および／または前記基板と前記記録層
との間に保護層を有する光磁気記録媒体であって、前記保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と２
価の金属元素とを含有し、さらに酸素および窒素を含有
し、金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、酸素および窒素中の酸素の原子比が0.4〜0.8である光磁
気記録媒体。
【請求項２】Tb、DyおよびCoの原子％で表わされる含有
量が 20.5≦Tb＋Dy≦31.0 0.088≦Tb/（Tb＋Dy）≦0.22 6.0≦Co≦15.0 であり、残部が実質的にFeである記録層を基板上に有
し、前記記録層上および／または前記基板と前記記録層
との間に保護層を有する光磁気記録媒体であって、前記保護層が、金属または半金属元素としてケイ素とア
ルミニウムおよび／またはホウ素と２価の金属元素とを
含有し、さらに酸素および窒素を含有し、金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、酸素および窒素中の酸素の原子比が0.4〜0.8である光磁
気記録媒体。
【請求項３】ホウ素および／またはアルミニウムのケイ
素に対する原子比が1.0以下である請求項２に記載の光
磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、4A族元素、5A族元素、6A族
元素、８族元素、3B族元素、Ｃ、SiおよびＰのうちから
選ばれる少なくとも１種以上の元素を、添加元素として
添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】前記4A族元素がTi、ZrおよびHfであり、前
記5A族元素がＶ、NbおよびTaであり、前記6A族元素がC
r、MoおよびＷであり、前記８族元素がNiおよびPtであ
り、前記3B族元素がＢおよびAlである請求項４に記載の
光磁気記録媒体。
【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、Geおよび／またはSrを添加
元素として添加したことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項７】請求項１ないし６のいずれかに記載の光磁
気記録媒体の記録層に対し、Bi、Cu、SnおよびPbから選
択される元素の１種以上を添加元素として添加したこと
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項８】記録層中の前記添加元素の含有量の合計
が、１〜20at％である請求項４ないし７のいずれかに記
載の光磁気記録媒体。
【請求項９】請求項１ないし８のいずれかに記載の光磁
気記録媒体に光磁気記録を行なう方法であって、光を照
射しながら、変調された磁界を印加することにより光磁
気記録を行なうことを特徴とする光磁気記録方法。