JPH07107748B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH07107748B2 JPH07107748B2 JP61314948A JP31494886A JPH07107748B2 JP H07107748 B2 JPH07107748 B2 JP H07107748B2 JP 61314948 A JP61314948 A JP 61314948A JP 31494886 A JP31494886 A JP 31494886A JP H07107748 B2 JPH07107748 B2 JP H07107748B2
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- protective layer
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- optical recording
- protective
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Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体があ
る。
る。
光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。
このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が室
温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
な膜が得られることがあげられる。
温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一
な膜が得られることがあげられる。
このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。
そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。
従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭58−80142号等）が開示されて
いる。しかし、これらは、いずれも未だ耐食性あるいは
膜と基板との密着性の点で満足できるものではない。
としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭58−80142号等）が開示されて
いる。しかし、これらは、いずれも未だ耐食性あるいは
膜と基板との密着性の点で満足できるものではない。
また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭59−52443号公報、同第60−177449号公
報）。
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされてい
る（特開昭59−52443号公報、同第60−177449号公
報）。
また、特開昭60−145525号にはSi3N4とSiO2との混合膜
を保護層として用いる旨の提案がなされている。
を保護層として用いる旨の提案がなされている。
しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものであっても、未だそ
の効果は十分とはいえず、さらにより一層の改善が望ま
れている。
対する要求は厳しく、これらのものであっても、未だそ
の効果は十分とはいえず、さらにより一層の改善が望ま
れている。
なお、このような問題は、いわるる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。
層を有する光記録媒体でも同様である。
II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐
久性に優れた光記録媒体を提供することにある。
久性に優れた光記録媒体を提供することにある。
III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。
すなわち、第１の本発明は、基板上に記録層を有し、こ
の記録層の上面および／または下面に、直接または中間
層を介して保護層を有する光記録媒体において、 保護層が、金属または半金属元素として、ケイ素と、２
価の金属元素Ba,CaおよびSrのうちの２種以上とを含有
し、さらに酸素および窒素を含有し、 金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、 酸素および窒素中の酸素の原子比が0.43〜0.76であるこ
とを特徴とする光記録媒体である。また、第２の発明
は、基板上に記録層を有し、この記録層の上面および／
または下面に、直接または中間層を介して保護層を有す
る光記録媒体において、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と、アル
ミニウムおよび／またはホウ素と、２価の金属元素Ba,C
aおよびSrのうちの１種以上とを含有し、さらに酸素お
よび窒素を含有し、 金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、 ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素に対する原
子比が1.0以下であり、 酸素および窒素中の酸素の原子比が0.43〜0.76であるこ
とを特徴とする光記録媒体である。。
の記録層の上面および／または下面に、直接または中間
層を介して保護層を有する光記録媒体において、 保護層が、金属または半金属元素として、ケイ素と、２
価の金属元素Ba,CaおよびSrのうちの２種以上とを含有
し、さらに酸素および窒素を含有し、 金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、 酸素および窒素中の酸素の原子比が0.43〜0.76であるこ
とを特徴とする光記録媒体である。また、第２の発明
は、基板上に記録層を有し、この記録層の上面および／
または下面に、直接または中間層を介して保護層を有す
る光記録媒体において、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と、アル
ミニウムおよび／またはホウ素と、２価の金属元素Ba,C
aおよびSrのうちの１種以上とを含有し、さらに酸素お
よび窒素を含有し、 金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、 ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素に対する原
子比が1.0以下であり、 酸素および窒素中の酸素の原子比が0.43〜0.76であるこ
とを特徴とする光記録媒体である。。
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。
が第１図に示されている。
第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に、記録層としての磁性薄膜層４を有し、この磁性薄
膜層４の下面および上面にはそれぞれ非晶質の保護層3
1,35が設けられる。
上に、記録層としての磁性薄膜層４を有し、この磁性薄
膜層４の下面および上面にはそれぞれ非晶質の保護層3
1,35が設けられる。
本発明においては、第１図に示される保護層31,35のう
ち、少なくとも一方の保護層を設ければよいが、磁性薄
膜層４を完全に保護することを考えれば、第１図のごと
く両方に設けることが好ましい。
ち、少なくとも一方の保護層を設ければよいが、磁性薄
膜層４を完全に保護することを考えれば、第１図のごと
く両方に設けることが好ましい。
このような本発明の通常非晶質の保護層31,35は、金属
または半金属元素としてケイ素と２価の金属元素とを含
有し、さらに酸素および窒素を含有する。
または半金属元素としてケイ素と２価の金属元素とを含
有し、さらに酸素および窒素を含有する。
このような各元素を含有させることによって、きわめて
良好な耐久性と耐食性とが発揮される。この場合、これ
ら各必須元素の１つでも欠けたときには、本発明の効果
は実現しない。
良好な耐久性と耐食性とが発揮される。この場合、これ
ら各必須元素の１つでも欠けたときには、本発明の効果
は実現しない。
また２価の金属元素（以下Ｒという）は、Ba,Ca,Srの２
〜３種を用いる。これら２種以上のＲを用いる場合、そ
れぞれの量比は任意である。
〜３種を用いる。これら２種以上のＲを用いる場合、そ
れぞれの量比は任意である。
本発明においては金属または半金属中のケイ素の原子比
Si/（Si＋Ｒ）が0.3〜0.9、特に0.3〜0.8であることが
好ましい。
Si/（Si＋Ｒ）が0.3〜0.9、特に0.3〜0.8であることが
好ましい。
Si/（Si＋Ｒ）が0.3未満であると、耐食性が低下してし
まい、0.9をこえると安定性が低下してしまうからであ
る。
まい、0.9をこえると安定性が低下してしまうからであ
る。
また、酸素および窒素中の酸素の原子比O/（Ｏ＋Ｎ）は
0.43〜0.76、特に0.5〜0.76である。
0.43〜0.76、特に0.5〜0.76である。
O/（Ｏ＋Ｎ）が0.43未満となると耐食性が低下してしま
い、0.76をこえると電磁変換特性および耐久性が低下し
てしまうからである。
い、0.76をこえると電磁変換特性および耐久性が低下し
てしまうからである。
本発明においては、金属または半金属元素としてさらに
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよく、
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有することによ
って耐食性がさらに向上する。
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよく、
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有することによ
って耐食性がさらに向上する。
この場合、ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素
に対する原子比（Ｂおよび／またはAl）/Siは1.0以下、
特に0.1〜1.0、より好ましくは0.3〜1.0であることが好
ましい。
に対する原子比（Ｂおよび／またはAl）/Siは1.0以下、
特に0.1〜1.0、より好ましくは0.3〜1.0であることが好
ましい。
（Ｂおよび／またはAl）/Siが1.0をこえると、耐食性、
耐久性、膜の均一性の点で不利となる。ただし、0.1未
満では添加の実効がない。
耐久性、膜の均一性の点で不利となる。ただし、0.1未
満では添加の実効がない。
ＢとAlとを含有させる場合、互いの量比は任意である。
本発明において、上記の各元素は、保護層中に以下のよ
うに含有される。
うに含有される。
まずSiは、Siの酸化物（通常、SiO2）およびSiの窒化物
（通常、Si3N4）として含有される。また、２価金属の
酸化物（RO）は、通常、BaO,CaO,MgO,ZnO,PbO,SrOなど
として含有される。
（通常、Si3N4）として含有される。また、２価金属の
酸化物（RO）は、通常、BaO,CaO,MgO,ZnO,PbO,SrOなど
として含有される。
さらにAlおよび／またはＢが含有される場合は酸化物
（通常、Al2O3,B2O3）や窒化物（通常、AlN,BN）として
含有される。すなわち、化学量論組成で示すならば、Si
O2とROとに加え、Si3N4,Al2O3,AlN,B2O3およびBNの１種
以上が含有されるものである。
（通常、Al2O3,B2O3）や窒化物（通常、AlN,BN）として
含有される。すなわち、化学量論組成で示すならば、Si
O2とROとに加え、Si3N4,Al2O3,AlN,B2O3およびBNの１種
以上が含有されるものである。
これらの化合物は、その組成において上記の化学量論的
な組成比をはずれていてもよい。
な組成比をはずれていてもよい。
そして、本発明において最終的に保護層中には、Siの酸
化物（SiO2換算）対Siの窒化物（Si3N4換算）のモル比
が50対50〜90対10程度である。
化物（SiO2換算）対Siの窒化物（Si3N4換算）のモル比
が50対50〜90対10程度である。
さらにAlおよび／またはＢが含有される場合は、Si,Al
およびＢの酸化物の総計（SiO2,Al2O3およびB2O3換算）
対Si,AlおよびＢの窒化物の総計（Si3N4,AlNおよびBN換
算）のモル比が50対50〜90対10程度であ。
およびＢの酸化物の総計（SiO2,Al2O3およびB2O3換算）
対Si,AlおよびＢの窒化物の総計（Si3N4,AlNおよびBN換
算）のモル比が50対50〜90対10程度であ。
この場合、化学量論組成で示したときのAl2O3とB2O3と
の量比や、Si3N4とAlNとBNとの量比は任意である。
の量比や、Si3N4とAlNとBNとの量比は任意である。
本発明においては１価の金属元素Li,Na,K,Rb,Cs,Fr、好
ましくはLi,Na,Kが通常酸化物の形で、例えばLi2O,Na
2O,K2O,Rb2O,Cs2O,Fr2O等として含有されていてもよ
い。これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の10wt％
以下とする。
ましくはLi,Na,Kが通常酸化物の形で、例えばLi2O,Na
2O,K2O,Rb2O,Cs2O,Fr2O等として含有されていてもよ
い。これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の10wt％
以下とする。
このような保護層は、通常非晶質状態にある。
なお、本発明において、第１図に示すごとく磁性薄膜層
の上面および下面にそれぞれ保護層31,35を設ける場合
には、これらの保護層31と保護層35との組成は同一であ
っても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ異なった
組成としてもよい。
の上面および下面にそれぞれ保護層31,35を設ける場合
には、これらの保護層31と保護層35との組成は同一であ
っても、また本発明の所定の範囲内でそれぞれ異なった
組成としてもよい。
また、一方の保護層のみの組成を本発明内の所定の組成
とすることもできる。
とすることもできる。
このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、スパッ
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCV
D、光CVD、特に所望の組成のターゲットを用いるスパッ
タ法、２種以上の異なる組成からなるターゲットを用い
た多元スパッタ法あるいは酸素、窒素を用いる反応性ス
パッタ法等によって形成される。
タ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCV
D、光CVD、特に所望の組成のターゲットを用いるスパッ
タ法、２種以上の異なる組成からなるターゲットを用い
た多元スパッタ法あるいは酸素、窒素を用いる反応性ス
パッタ法等によって形成される。
そして、このような保護層の厚さは、磁性薄膜層の上面
および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ300〜3
000Å、特に500〜2000Åとすることが好ましい。
および下面に設けられるにかかわらず、それぞれ300〜3
000Å、特に500〜2000Åとすることが好ましい。
この値が300Å未満であると、耐候性が悪く、また3000
Åをこえると、感度が低下する。
Åをこえると、感度が低下する。
なお、このような保護層31を基板２上に設け、この上に
後述する中間層を設ける場合には、保護層31の厚さは30
0〜1000Å程度、中間層を500〜1500Å程度とすることが
好ましい。
後述する中間層を設ける場合には、保護層31の厚さは30
0〜1000Å程度、中間層を500〜1500Å程度とすることが
好ましい。
また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るAr、N2等が入ってもよい。
るAr、N2等が入ってもよい。
その他、Fe2O3、CuO、Cr2O3、MnOX、CoO、NiO、As2O3等
が全体の1.0wt％程度以下含有されてもよい。
が全体の1.0wt％程度以下含有されてもよい。
本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。
このような磁性薄膜層４の材質としては、Gd、Tb等の希
土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をスパ
ッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもので
ある。
土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をスパ
ッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもので
ある。
この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であること
が好ましい。
が好ましい。
そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／ま
たはTbである。
たはTbである。
そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTbFe
Co等がある。
Co等がある。
なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でCr、
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。
また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
このような磁性薄膜層の厚さは、通常、100〜10000Å程
度である。
度である。
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−Tn、Te−Sn、Te−Ge
−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−Sb、
Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te−Ge
−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、Te−
Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge−T
l、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−Ｓ
（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe酸
化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te−T
l−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNX等のTe、Seを主
体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によって
色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生じ
る合金などがある。
ものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−Tn、Te−Sn、Te−Ge
−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−Sb、
Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te−Ge
−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、Te−
Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge−T
l、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−Ｓ
（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe酸
化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te−T
l−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNX等のTe、Seを主
体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によって
色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生じ
る合金などがある。
このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程度
とされる。
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程度
とされる。
基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂材
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられ
る。
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられ
る。
これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これ
らのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェ
ノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中でも
ビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これ
らのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフェ
ノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中でも
ビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最も
好ましく用いられる。
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,000
〜15,000程度であることが好ましい。
〜15,000程度であることが好ましい。
このような基板２の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。
度である。
なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みない
し読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
し読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。
ラッキング用の溝が形成されてもよい。
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここに、
ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾は、
0.4〜2.0μｍ程度とされる。
ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾は、
0.4〜2.0μｍ程度とされる。
また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。
そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。
してもよい。
なお、前述した本発明の保護層は、第１図に示されるよ
うに磁性薄膜層４の上面および／または下面に直接設層
してもよいし、また中間層を介して設けてもよい。
うに磁性薄膜層４の上面および／または下面に直接設層
してもよいし、また中間層を介して設けてもよい。
中間層を設ける場合には、通常、第１図に示される基板
側の保護層31と磁性薄膜層４との間に設けることが特に
好ましい。
側の保護層31と磁性薄膜層４との間に設けることが特に
好ましい。
このような中間層としては、酸素、炭素、窒素、硫黄等
を含む化合物、例えばSiO2、SiOX、AlN、Al2O3、Si
3N4、ZnS、BN、TiO2、TiN等の各種誘電体物質またはそ
の他の無機ないし有機膜が挙げられる。
を含む化合物、例えばSiO2、SiOX、AlN、Al2O3、Si
3N4、ZnS、BN、TiO2、TiN等の各種誘電体物質またはそ
の他の無機ないし有機膜が挙げられる。
なお、各種誘電体物質は２種以上混合して用いてもよ
い。
い。
また、通常、磁性薄膜層上（基板２と反対側）に設けら
れる保護層35の上には、有機保護コート層５が設けられ
る。
れる保護層35の上には、有機保護コート層５が設けられ
る。
有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。
の有機系の物質を用いればよい。
より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアクリルフ
タレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレ
イン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による
架橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入
したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げるこ
とができる。
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアクリルフ
タレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレ
イン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による
架橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入
したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げるこ
とができる。
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化合
物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。
物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。
それらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHCO（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙
げられる。
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHCO（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙
げられる。
８） CH2＝CHCOO−（CH2CH2O）４−COCH＝CH2 （特殊アクリレートＨ） 12） ＡＭ−Ｎｎ−Ｍ−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸 （特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で
示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタン
エラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタン
エラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
また、熱可塑性樹脂を放熱線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVPオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVPオ
レフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の
膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。
膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。
この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成でき
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、磁
性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、磁
性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。
このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧10
0〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
0〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。
球等を用いればよい。
このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層
６を介して保護板７が設けられる。
６を介して保護板７が設けられる。
すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板７を用いる。
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板７を用いる。
このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７
として用いてもよい。
として用いてもよい。
このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。
様とされる。
このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介
して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とさ
れる。
して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とさ
れる。
他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層31,35、有機保護コート層５等を有する基
板をさらに１セット用いて、両磁性薄膜層を内側にして
対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて、両基板の
裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプ
としてもよい。さらに、これらの基板２や保護板７の裏
面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）には各種保護
膜としてのコーティグを行うことが好ましい。
層４、保護層31,35、有機保護コート層５等を有する基
板をさらに１セット用いて、両磁性薄膜層を内側にして
対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せて、両基板の
裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面記録タイプ
としてもよい。さらに、これらの基板２や保護板７の裏
面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）には各種保護
膜としてのコーティグを行うことが好ましい。
コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層５の材質と同様なものとしてもよい。
層５の材質と同様なものとしてもよい。
Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層の上面および／または下
面に所定の組成からなる保護層を有する。
面に所定の組成からなる保護層を有する。
従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性にきわめて優
れた効果を有する。
れた効果を有する。
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディス
クグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上に、
下記表１に示される種々の組成のガラス質からなる保護
層31を設層した。なお、設層に際しては、スパッタリン
グ法、場合により多元スパッタ法を用いた。表１中のwt
％は表１に示す化合物に換算して表示している。またＭ
はSi＋Ｒ等の全金属ないし半金属の総計を表わす。膜厚
は各サンプルにつき全て800Åとした。
クグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上に、
下記表１に示される種々の組成のガラス質からなる保護
層31を設層した。なお、設層に際しては、スパッタリン
グ法、場合により多元スパッタ法を用いた。表１中のwt
％は表１に示す化合物に換算して表示している。またＭ
はSi＋Ｒ等の全金属ないし半金属の総計を表わす。膜厚
は各サンプルにつき全て800Åとした。
このような保護層の上に21at％Tb,68at％Fe,7at％Co,4a
t％Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Åに
設層し、磁性薄膜層４とした。
t％Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Åに
設層し、磁性薄膜層４とした。
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチップ
をのせたものを用いた。
をのせたものを用いた。
この磁性薄膜層４上に、さらに、種々の組成のガラス質
からなる保護層35を設層した。
からなる保護層35を設層した。
この保護層35の組成および膜厚は、所定のサンプルに用
いた保護層31のそれらと同様のものとした。
いた保護層31のそれらと同様のものとした。
この保護層35の上に、下記の放射線硬化型化合物を含む
塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナーコ
ートで設層した。
塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナーコ
ートで設層した。
（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し
架橋硬化させ、硬化膜とした。
架橋硬化させ、硬化膜とした。
このようにして、下記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。
プルを作製した。
これについて下記の特性を測定した。
（１）耐久性 ヒートサイクルテスト……IEC−２−38 （−10℃〜＋65℃、93％RH） 上記加速試験にてビットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック
等がビットエラーレートの増加に寄与していた。
を測定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック
等がビットエラーレートの増加に寄与していた。
（２）耐食性 高温高湿（60℃、90％RH）保存テスト 上記加速試験にてビットエラーレートが２倍となる時間
を測定した。この条件の場合主に孔食（ピンホール）の
発生がビットエラーレートの増加に寄与していた。
を測定した。この条件の場合主に孔食（ピンホール）の
発生がビットエラーレートの増加に寄与していた。
結果を表１に示す。
［実施例２］ 実施例１のサンプル101（表１）において、磁性薄膜層
の組成をTb21％、Fe72％、Co7％とし、磁性薄膜層４と
保護層31との間に、中間層としてZnSのスパッタ膜（800
Å厚）を形成した以外は、サンプル101の場合と同様に
してサンプル201を作製した。
の組成をTb21％、Fe72％、Co7％とし、磁性薄膜層４と
保護層31との間に、中間層としてZnSのスパッタ膜（800
Å厚）を形成した以外は、サンプル101の場合と同様に
してサンプル201を作製した。
このサンプル201について、上記の耐久性、耐食性の試
験を行った。
験を行った。
この結果、サンプル201の耐久性、耐食性は、それぞれ
サンプル101のものとほぼ同等であることが確認され
た。
サンプル101のものとほぼ同等であることが確認され
た。
なお、このような効果は、相転移型のTe−Ge、TeOX、Te
−Se等の記録層でも同様に実現した。
−Se等の記録層でも同様に実現した。
以上の結果より本発明の効果は明らかである。
第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、２……基板 31,35……保護層、４……磁性薄膜層、 ５……有機保護コート層、６……接着剤層、 ７……保護板
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、２……基板 31,35……保護層、４……磁性薄膜層、 ５……有機保護コート層、６……接着剤層、 ７……保護板
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に記録層を有し、この記録層の上面
および／または下面に、直接または中間層を介して保護
層を有する光記録媒体において、 保護層が、金属または半金属元素として、ケイ素と、２
価の金属元素Ba,CaおよびSrのうちの２種以上とを含有
し、さらに酸素および窒素を含有し、 金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、 酸素および窒素中の酸素の原子比が0.43〜0.76であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】基板上に記録層を有し、この記録層の上面
および／または下面に、直接または中間層を介して保護
層を有する光記録媒体において、 保護層が、金属または半金属元素としてケイ素と、アル
ミニウムおよび／またはホウ素と、２価の金属元素Ba,C
aおよびSrのうちの１種以上とを含有し、さらに酸素お
よび窒素を含有し、 金属または半金属元素中のケイ素の原子比が0.3〜0.9で
あり、 ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素に対する原
子比が1.0以下であり、 酸素および窒素中の酸素の原子比が0.43〜0.76であるこ
とを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314948A JPH07107748B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光記録媒体 |
| US07/136,971 US4902584A (en) | 1986-12-25 | 1987-12-23 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314948A JPH07107748B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164040A JPS63164040A (ja) | 1988-07-07 |
| JPH07107748B2 true JPH07107748B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=18059586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314948A Expired - Fee Related JPH07107748B2 (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107748B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01271937A (ja) * | 1988-04-23 | 1989-10-31 | Hitachi Maxell Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH01307941A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192043A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS62192944A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61314948A patent/JPH07107748B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164040A (ja) | 1988-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |