JP2711533B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】
Ｉ 発明の背景
技術分野
本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。 先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。 このような媒体に要求されることは、 第１に、キュリー点が100〜200℃程度で、補償点が室
温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。 このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。 しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は、大気に接
したまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類
が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記
録、再生が不可能となる。さらには、S/N比を向上させ
るために、記録の読みとりの際の回転角をできるだけ大
きくする必要がある。 そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基
板反対側表面に中間層を設けた構成を有するものが多く
研究されている。 従来、このような防湿性等の腐食性付与のためあるい
は、力一効果に多重干渉の効果やファラデー効果を加え
て回転角を増大させるために中間層としては、一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜
鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよ
く知られている（特開昭58−80142号公報、同第59−524
43号公報等）。 しかし、これらは、いずれも未だ耐食性等の点で満足
できるものではない。 また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合
物、特に、Si3N4とSiO2との混合物、Si3N4とSiOの混合
物またはAlNとAl2O3との混合物を用いることも公知であ
る（特開昭60−145525号公報）。 しかしながら、このものについても、耐食性、C/N
比、膜剥離、クラック、初期の記録媒体のソリ等の、成
膜速度等の点で満足できるものとはいえない。 なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。 II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、
耐久性、C/N比の優れた、また、膜剥離、クラック、初
期の記録媒体のソリ等が少なく良好な光記録媒体を提供
することにある。 III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。 すなわち、基板上に記録層を有し、記録層と基板との
間に中間層を有する光記録媒体において、 中間層が、１種以上の希土類元素の酸化物と、酸化ケ
イ素と、窒化ケイ素とを含有し、 （希土類元素酸化物）／（希土類元素酸化物＋酸化ケ
イ素＋窒化ケイ素）の重量比が0.05〜0.5であり、 O/Nの原子比が0.2〜３であることを特徴とする光記録
媒体である。 IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。 本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。 第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板
２上に、中間層31を有し、この上に記録層としての磁性
薄膜層４が設けられている。 本発明においては、さらに必要に応じて磁性薄膜層４
上に、保護層35を設けてもよい。 中間層31は、一種以上の希土類元素の酸化物と、酸化
ケイ素と、窒化ケイ素とを含有する。 希土類元素としては、Sc、Ｙ、La〜Sm、Eu〜Luのいず
れであってもよく、これらの１種以上が含有される。 これらのうち、少なくともLaおよびCeのうち一種以上
が含有されることが好ましい。 LaおよびCeの酸化物としては、通常、La2O3およびCeO
2である。 これらは、一般には化学量論組成であるが、これから
偏奇したものであってもよい。 CeおよびLaの酸化物はいずれか一方であってもよく、
両者が含有されてもよいが、両者が含有される場合、そ
の量比は任意である。 中間層31中には、これらのLaおよび／またはCeの酸化
物の他、Ｙ、Er等の希土類元素の酸化物が希土類酸化物
中10at％（金属換算）程度以下含有されていてよい。 また、これらの他、Fe、Mg、Ca、Sr、Ba、Al等の酸化
物が含有されていてもよい。 これらの元素のうち、Feは、10at％以下、また、その
他の元素は合計で10at％以下含有されてもよい。 中間層31中には希土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒
化ケイ素が含有される。酸化ケイ素は通常SiO2、SiO、
また、窒化ケイ素はSiO3N4の形で含有される。これらは
化学量論組成比から偏奇していてもよい。 なお、中間層31は、通常、非晶質状態にある。 このような中間層31の波長800nmにおける屈折率は1.8
〜3.0、より好ましくは2.0〜2.5とする。 屈折率が1.8未満であると、カー回転角増幅効果が小
さく、出力が低下する。 また、3.0を超えると、出力が低下し、またノイズが
増加する。 このような中間層31中の希土類元素化合物とSi化合物
との重量比は、希土類元素化合物の合計／（Si化合物＋
希土類化合物の合計）として、0.05〜0.5（重量比）で
ある。 この比が上記範囲未満であると、出力が低下し、ま
た、高温高湿化での耐久性が低下してしまう。 また、上記範囲を超えると、ノイズが増加しまた、高
温高湿下での耐久性に乏しくなる。 また、中間層31の中のO/N原子比は、0.2〜３である。 この比が0.2未満であると、高温高湿下での耐久性が
低下してしまう。 また、３を越えると、出力が低下、経時劣化もおき易
い。 これら原子比の測定は、オージェ電子分光あるいはED
A等の分析手段に従えばよい。 なお、中間層31中には、厚さ方向に酸素および窒素の
濃度勾配が存在してもよい。 この場合、基板側が酸素リッチ、また基板と反対側が
窒素リッチとするのが好適である。 より詳細には、中間層31の基板側の界面近傍の（O/
N）ｌ原子比1.0〜100程度、基板と反対側界面近傍の（O
/N）ｕ原子比0.1〜2.0であり、（O/N）l/（O/N）ｕが１
〜100であることが好ましい。 あるいは、窒素・酸素共基板側でリッチとなるように
濃度勾配をつけてもよい。 なお、前述したように、このような中間層材質をさら
に後述する磁性薄膜層の上（基板反対側）に保護層35と
して設けて、前記中間層31と併用することもできる。併
用する場合には、これらの中間層と保護層の組成はそれ
ぞれ同一であっても、また本発明の所定の範囲内でそれ
ぞれ異なった組成としてもよい。 このような中間層31を設層するには、スパッタ法が好
ましい。 ターゲットとしては、希土類酸化物、好ましくはLa2O
3および／またはCeO2と、SiO2およびSi3N4の混合物の焼
結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸化
物、特にLa2O3および／またはCeO2の一部または全部
を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバーメタ
ル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の酸化物
に換えて用いることもできる。 これらの合金の組成を下記表１に示す。 また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えばCVD
法、蒸着法、イオンプレーティング法等を適宜用いるこ
とも可能である。 このような中間層31の厚さは、300〜3000Å、特に500
〜2000Åとすることが好ましい。 この値が300Å未満であると出力が小さく、また、耐
候性に乏しい。 また、3000Åを越えると、感度が低下しかつ生産効率
も低下する。 また、前述のように保護層35を設ける場合、保護層35
の厚さは、中間層31とほぼ同様でよい。 また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N2等が入ってもよい。 その他、Fe、Ni、Cr、Cu、Mn、Mg、Ca、Na、Ｋ等の元
素が不純物として入りうる。 本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。 このような磁性薄膜層４の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。 この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であるこ
とが好ましい。 そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／
またはTbである。 そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTb
FeCo等がある。 なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でC
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。 また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。 このような磁性薄膜層の厚さは、通常、100〜10,000
Å程度である。 この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−In、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi−、Se
−Ｓ（以上、特公昭54−410902号、特許第1004835号な
ど） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeONX等のTe、Se
を主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。 このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。 本発明に用いる基板２は、ガラスであってもよいが、
通常は樹脂製であり、好ましい樹脂材質としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
メチルペンテン樹脂などがあげられる。 これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。 この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポ
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれかであってもよいが、特
に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。
これらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビス
フェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。 また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。 このような基板２の830nm屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。 なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光
ないし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。 このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。 溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。 またアドレル用のピットが形成されていてもよい。 そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。 このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。 また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。 また、通常、磁性薄膜層４上（基板２と反対側）ある
いはこの上に設けられる保護層35の上には、有機保護コ
ート層５が設けられる。 保護層35は、前述の中間層材質を用いることができ
る。また、この他、各種ガラス質、SiO、SiO22、Al
2O3、TiO2、Si3N4、AlN、TiN、SiC、ZnS等の１種以上を
用いてもよい。 保護層35の厚さは通常300〜3000Å程度とする。 有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。 より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。 用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。 放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。 これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチルングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ベンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHCO（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
０の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙
げられる。８） CH2＝CHCOO−CH2CH2O4−COCH−CH2 （特殊アクリレートＨ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。 このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。 放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステル重
合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効
である。 このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。 この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。 このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。 このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。 電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収量を0.5〜20メガラッドになるように照射する
のが好都合である。 一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。 この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオオキシ
ベンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセト
フェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケ
トン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノ
ン類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモ
ノスルフィド等のスルフィド類等を挙げることができ
る。光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％
の範囲が望ましい。 そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。 たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。 このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤
層６を介して保護板７が設けられる。 すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板７を用いる。 このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。 なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
７として用いてもよい。 このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ
同様とされる。 このような保護板７は、前述したように接着剤層６を
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。 他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の中間層
31、磁性薄膜層４、保護層35、有機保護コート層５等を
有する基板をさらに１セットを用いて、両磁性薄膜層を
内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基板２や
保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）
には各種保護膜としてのコーティングを行うことが好ま
しい。 コーティングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層５の材質の同様なものとしてもよい。 Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層と基板との間に所定の
組成からなる中間層を有する。 従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性、再生出
力、C/N比がきわめて高く、エラーレートが少ないとい
う効果を有する。 VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。 ［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂製基板２上に、La2O
3、SiO2、Si3N4の混合物の焼結体をターゲットに用いて
スパッタすることにより層厚800Åで表２に示される種
々の組成比（表記の化合物に換算）および屈折率（800n
m）の中間層を設層した（サンプルNo.1〜６）。 なお、屈折率は組成の他、スパッタ条件（ガス圧・ガ
ス組成）により調整した。 このような中間層31上に21at％Tb,68at％Fe,7at％Co,
4at％Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Å
に設層し、磁性薄膜層４とした。 なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチッ
プをのせたものを用いた。 この磁性薄膜層４は、さらに、保護層35に1000Å厚に
設層した。材質はホウケイ酸系ガラスとした。 そして、保護層35上に、下記の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナ
ーコートで設層した。 （塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。 ［実施例２］ 実施例１において、スパッタのターゲットをCeO2、Si
O2、Si3、N4に替えた他は、実施例１と同様にして、サ
ンプルを得た（サンプルNo.7）。 ［実施例３］ 実施例１において、スパッタのターゲットを前記表１
に示すミッシュメタルの酸化物（表２中MMで示す）、Si
O2、Si3N4に替えた他は、実施例１と同様にしてサンプ
ルを得た（サンプルNo.8）。 ［比較例１］ 中間層31として、SiO2および／またはSi3N4から形成
される膜を、反応性スパッタにより膜厚800Åに設層し
た。その他の構成は、実施例１と同様である（サンプル
No.10〜12）。 ［比較例２］ 比較例１において中間層31を設けない他は同様にサン
プルNo.13を得た。 ［比較例３］ 実施例１に準じ、サンプルNo.14〜22を得た。 これらについて下記の特性を測定した。 （１）初期のC/N比 線速 4m/sec 搬送周波数 1.0MHz 分解能 30KHz 記録パワー（830nm） ３〜6mW 再生パワー（830nm） 1mW （２）耐久性 60℃、90％RHにて1,000hr保存し、ビットエラーレー
トの変化、膜の剥離等外観の変化を測定した。 ビットエラーレートは上記（１）の条件にてNRZ信号
を記録し測定した。なお、初期のビットエラーレートは
３×10-6であった。 結果を表２に示す。 表２に示される結果より本発明の効果は明らかであ
る。 なお、このような効果は、相転移型のTe−Ge、TeOX、
Te−Se等の記録層でも、同様に実現した。
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。 先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。 このような媒体に要求されることは、 第１に、キュリー点が100〜200℃程度で、補償点が室
温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。 このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。 しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は、大気に接
したまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類
が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記
録、再生が不可能となる。さらには、S/N比を向上させ
るために、記録の読みとりの際の回転角をできるだけ大
きくする必要がある。 そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基
板反対側表面に中間層を設けた構成を有するものが多く
研究されている。 従来、このような防湿性等の腐食性付与のためあるい
は、力一効果に多重干渉の効果やファラデー効果を加え
て回転角を増大させるために中間層としては、一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜
鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよ
く知られている（特開昭58−80142号公報、同第59−524
43号公報等）。 しかし、これらは、いずれも未だ耐食性等の点で満足
できるものではない。 また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合
物、特に、Si3N4とSiO2との混合物、Si3N4とSiOの混合
物またはAlNとAl2O3との混合物を用いることも公知であ
る（特開昭60−145525号公報）。 しかしながら、このものについても、耐食性、C/N
比、膜剥離、クラック、初期の記録媒体のソリ等の、成
膜速度等の点で満足できるものとはいえない。 なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。 II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、
耐久性、C/N比の優れた、また、膜剥離、クラック、初
期の記録媒体のソリ等が少なく良好な光記録媒体を提供
することにある。 III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。 すなわち、基板上に記録層を有し、記録層と基板との
間に中間層を有する光記録媒体において、 中間層が、１種以上の希土類元素の酸化物と、酸化ケ
イ素と、窒化ケイ素とを含有し、 （希土類元素酸化物）／（希土類元素酸化物＋酸化ケ
イ素＋窒化ケイ素）の重量比が0.05〜0.5であり、 O/Nの原子比が0.2〜３であることを特徴とする光記録
媒体である。 IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。 本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。 第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板
２上に、中間層31を有し、この上に記録層としての磁性
薄膜層４が設けられている。 本発明においては、さらに必要に応じて磁性薄膜層４
上に、保護層35を設けてもよい。 中間層31は、一種以上の希土類元素の酸化物と、酸化
ケイ素と、窒化ケイ素とを含有する。 希土類元素としては、Sc、Ｙ、La〜Sm、Eu〜Luのいず
れであってもよく、これらの１種以上が含有される。 これらのうち、少なくともLaおよびCeのうち一種以上
が含有されることが好ましい。 LaおよびCeの酸化物としては、通常、La2O3およびCeO
2である。 これらは、一般には化学量論組成であるが、これから
偏奇したものであってもよい。 CeおよびLaの酸化物はいずれか一方であってもよく、
両者が含有されてもよいが、両者が含有される場合、そ
の量比は任意である。 中間層31中には、これらのLaおよび／またはCeの酸化
物の他、Ｙ、Er等の希土類元素の酸化物が希土類酸化物
中10at％（金属換算）程度以下含有されていてよい。 また、これらの他、Fe、Mg、Ca、Sr、Ba、Al等の酸化
物が含有されていてもよい。 これらの元素のうち、Feは、10at％以下、また、その
他の元素は合計で10at％以下含有されてもよい。 中間層31中には希土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒
化ケイ素が含有される。酸化ケイ素は通常SiO2、SiO、
また、窒化ケイ素はSiO3N4の形で含有される。これらは
化学量論組成比から偏奇していてもよい。 なお、中間層31は、通常、非晶質状態にある。 このような中間層31の波長800nmにおける屈折率は1.8
〜3.0、より好ましくは2.0〜2.5とする。 屈折率が1.8未満であると、カー回転角増幅効果が小
さく、出力が低下する。 また、3.0を超えると、出力が低下し、またノイズが
増加する。 このような中間層31中の希土類元素化合物とSi化合物
との重量比は、希土類元素化合物の合計／（Si化合物＋
希土類化合物の合計）として、0.05〜0.5（重量比）で
ある。 この比が上記範囲未満であると、出力が低下し、ま
た、高温高湿化での耐久性が低下してしまう。 また、上記範囲を超えると、ノイズが増加しまた、高
温高湿下での耐久性に乏しくなる。 また、中間層31の中のO/N原子比は、0.2〜３である。 この比が0.2未満であると、高温高湿下での耐久性が
低下してしまう。 また、３を越えると、出力が低下、経時劣化もおき易
い。 これら原子比の測定は、オージェ電子分光あるいはED
A等の分析手段に従えばよい。 なお、中間層31中には、厚さ方向に酸素および窒素の
濃度勾配が存在してもよい。 この場合、基板側が酸素リッチ、また基板と反対側が
窒素リッチとするのが好適である。 より詳細には、中間層31の基板側の界面近傍の（O/
N）ｌ原子比1.0〜100程度、基板と反対側界面近傍の（O
/N）ｕ原子比0.1〜2.0であり、（O/N）l/（O/N）ｕが１
〜100であることが好ましい。 あるいは、窒素・酸素共基板側でリッチとなるように
濃度勾配をつけてもよい。 なお、前述したように、このような中間層材質をさら
に後述する磁性薄膜層の上（基板反対側）に保護層35と
して設けて、前記中間層31と併用することもできる。併
用する場合には、これらの中間層と保護層の組成はそれ
ぞれ同一であっても、また本発明の所定の範囲内でそれ
ぞれ異なった組成としてもよい。 このような中間層31を設層するには、スパッタ法が好
ましい。 ターゲットとしては、希土類酸化物、好ましくはLa2O
3および／またはCeO2と、SiO2およびSi3N4の混合物の焼
結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸化
物、特にLa2O3および／またはCeO2の一部または全部
を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバーメタ
ル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の酸化物
に換えて用いることもできる。 これらの合金の組成を下記表１に示す。 また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えばCVD
法、蒸着法、イオンプレーティング法等を適宜用いるこ
とも可能である。 このような中間層31の厚さは、300〜3000Å、特に500
〜2000Åとすることが好ましい。 この値が300Å未満であると出力が小さく、また、耐
候性に乏しい。 また、3000Åを越えると、感度が低下しかつ生産効率
も低下する。 また、前述のように保護層35を設ける場合、保護層35
の厚さは、中間層31とほぼ同様でよい。 また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N2等が入ってもよい。 その他、Fe、Ni、Cr、Cu、Mn、Mg、Ca、Na、Ｋ等の元
素が不純物として入りうる。 本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。 このような磁性薄膜層４の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。 この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であるこ
とが好ましい。 そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／
またはTbである。 そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTb
FeCo等がある。 なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でC
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。 また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。 このような磁性薄膜層の厚さは、通常、100〜10,000
Å程度である。 この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−In、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi−、Se
−Ｓ（以上、特公昭54−410902号、特許第1004835号な
ど） TeOX（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeOX＋PbOX（特許第974258号）、 TeOX＋VOX（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeONX等のTe、Se
を主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。 このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。 本発明に用いる基板２は、ガラスであってもよいが、
通常は樹脂製であり、好ましい樹脂材質としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
メチルペンテン樹脂などがあげられる。 これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。 この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポ
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれかであってもよいが、特
に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。
これらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビス
フェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。 また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。 このような基板２の830nm屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。 なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込み光
ないし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。 このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。 溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。 またアドレル用のピットが形成されていてもよい。 そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。 このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。 また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。 また、通常、磁性薄膜層４上（基板２と反対側）ある
いはこの上に設けられる保護層35の上には、有機保護コ
ート層５が設けられる。 保護層35は、前述の中間層材質を用いることができ
る。また、この他、各種ガラス質、SiO、SiO22、Al
2O3、TiO2、Si3N4、AlN、TiN、SiC、ZnS等の１種以上を
用いてもよい。 保護層35の厚さは通常300〜3000Å程度とする。 有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。 より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。 用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。 放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。 これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチルングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ベンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH2＝CHCOOCH2）３−CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH2＝CHCO（OC3H6）ｎ−OCH2〕３−CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝
０の化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙
げられる。８） CH2＝CHCOO−CH2CH2O4−COCH−CH2 （特殊アクリレートＨ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。 このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。 放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステル重
合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有効
である。 このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。 この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。 このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。 このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。 電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収量を0.5〜20メガラッドになるように照射する
のが好都合である。 一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。 この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオオキシ
ベンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセト
フェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケ
トン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノ
ン類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモ
ノスルフィド等のスルフィド類等を挙げることができ
る。光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％
の範囲が望ましい。 そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。 たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。 このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤
層６を介して保護板７が設けられる。 すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板７を用いる。 このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。 なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
７として用いてもよい。 このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ
同様とされる。 このような保護板７は、前述したように接着剤層６を
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。 他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の中間層
31、磁性薄膜層４、保護層35、有機保護コート層５等を
有する基板をさらに１セットを用いて、両磁性薄膜層を
内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基板２や
保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側の面）
には各種保護膜としてのコーティングを行うことが好ま
しい。 コーティングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層５の材質の同様なものとしてもよい。 Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録層と基板との間に所定の
組成からなる中間層を有する。 従って、本発明の媒体は、耐久性、耐食性、再生出
力、C/N比がきわめて高く、エラーレートが少ないとい
う効果を有する。 VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。 ［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂製基板２上に、La2O
3、SiO2、Si3N4の混合物の焼結体をターゲットに用いて
スパッタすることにより層厚800Åで表２に示される種
々の組成比（表記の化合物に換算）および屈折率（800n
m）の中間層を設層した（サンプルNo.1〜６）。 なお、屈折率は組成の他、スパッタ条件（ガス圧・ガ
ス組成）により調整した。 このような中間層31上に21at％Tb,68at％Fe,7at％Co,
4at％Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Å
に設層し、磁性薄膜層４とした。 なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチッ
プをのせたものを用いた。 この磁性薄膜層４は、さらに、保護層35に1000Å厚に
設層した。材質はホウケイ酸系ガラスとした。 そして、保護層35上に、下記の放射線硬化型化合物を
含む塗布組成物を有機保護コート層５として、スピンナ
ーコートで設層した。 （塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。 ［実施例２］ 実施例１において、スパッタのターゲットをCeO2、Si
O2、Si3、N4に替えた他は、実施例１と同様にして、サ
ンプルを得た（サンプルNo.7）。 ［実施例３］ 実施例１において、スパッタのターゲットを前記表１
に示すミッシュメタルの酸化物（表２中MMで示す）、Si
O2、Si3N4に替えた他は、実施例１と同様にしてサンプ
ルを得た（サンプルNo.8）。 ［比較例１］ 中間層31として、SiO2および／またはSi3N4から形成
される膜を、反応性スパッタにより膜厚800Åに設層し
た。その他の構成は、実施例１と同様である（サンプル
No.10〜12）。 ［比較例２］ 比較例１において中間層31を設けない他は同様にサン
プルNo.13を得た。 ［比較例３］ 実施例１に準じ、サンプルNo.14〜22を得た。 これらについて下記の特性を測定した。 （１）初期のC/N比 線速 4m/sec 搬送周波数 1.0MHz 分解能 30KHz 記録パワー（830nm） ３〜6mW 再生パワー（830nm） 1mW （２）耐久性 60℃、90％RHにて1,000hr保存し、ビットエラーレー
トの変化、膜の剥離等外観の変化を測定した。 ビットエラーレートは上記（１）の条件にてNRZ信号
を記録し測定した。なお、初期のビットエラーレートは
３×10-6であった。 結果を表２に示す。 表２に示される結果より本発明の効果は明らかであ
る。 なお、このような効果は、相転移型のTe−Ge、TeOX、
Te−Se等の記録層でも、同様に実現した。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の光記録媒体の１例を示す光磁気記録
媒体の断面図である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、 ２……基板、 31……中間層、 35……保護層、 ４……磁性薄膜層、 ５……有機保護コート層、 ６……接着剤層、 ７……保護板
媒体の断面図である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、 ２……基板、 31……中間層、 35……保護層、 ４……磁性薄膜層、 ５……有機保護コート層、 ６……接着剤層、 ７……保護板
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．基板上に記録層を有し、記録層と基板との間に中間
層を有する光記録媒体において、 中間層が、１種以上の希土類元素の酸化物と、酸化ケイ
素と、窒化ケイ素とを含有し、 （希土類元素酸化物）／（希土類元素酸化物＋酸化ケイ
素＋窒化ケイ素）の重量比が0.05〜0.5であり、 O/Nの原子比が0.2〜３であることを特徴とする光記録媒
体。 ２．前記希土類元素がLaおよび／またはCeである特許請
求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 ３．前記中間層の波長800nmにおける屈折率が1.8〜3.0
である特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光記
録媒体。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP61313615A JP2711533B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 光記録媒体 |
| US07/136,973 US4861656A (en) | 1986-12-24 | 1987-12-23 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313615A JP2711533B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 光記録媒体 |
Publications (2)
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ID=18043449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61313615A Expired - Fee Related JP2711533B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 光記録媒体 |
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|---|---|
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551403B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1996-11-06 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| JPS62192043A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP61313615A patent/JP2711533B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63161551A (ja) | 1988-07-05 |
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