JP2700884B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。 先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO₃,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe₂O₄ 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光記録媒体
に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。 このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が
室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。 このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。 しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光記録媒体において、記録層は大気に接したまま保
存されると、大気中の酸素や水により希土類が選択的に
腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再生が不
可能となる。さらには、S/N比を向上させるために、記
録の読み取りの際の回転角をできるだけ大きくする必要
がある。 そこで、一般には、前記記録層の基板側ないし基板反
対側表面に中間層を設けた構成を有するものが多く研究
されている。 従来、このような防湿性等の耐食性付与のためあるい
は、カー効果に多重干渉の効果やファラデー効果を加え
て回転角を増大させるために中間層としては、一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜
鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設けることはよ
く知られている（特開昭58−80142号公報、同59−52443
号公報等）。 しかし、これらは、いずれも未だ耐食性等の点で満足
できるものではない。 また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合
物、特にSi₃N₄とSiO₂との混合物、Si₃N₄とSiOとの混合
物、またはAlNとAl₂O₃との混合物を用いることも公知で
ある（特開昭60−145525号公報）。 しかしながら、このものについても、耐食性、C/N
比、膜剥離、クラック、初期の記録媒体のソリ等の変
形、成膜速度等の点で満足できるものとはいえない。な
お、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録層
を有する光記録媒体でも同様である。 II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、
耐久性、C/N比の優れた、また膜剥離、クラック、初期
のソリ等が少なく良好な光記録媒体を提供することにあ
る。 III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。 すなわち、本発明は、基板上に中間層を有し、この中
間層上に記録層を有し、基板と中間層との間および／ま
たは記録層上に保護層を有する光記録媒体において、 中間層が１種以上の希土類元素の酸化物と、酸化ケイ
素と、窒化ケイ素とを含有し、 （希土類元素酸化物）／（希土類元素酸化物＋酸化ケ
イ素＋窒化ケイ素）の重量比が0.05〜0.5であり、 O/Nの原子比が0.2〜３であり、 前記保護層のうちの少なくとも一方が酸化ケイ素と、
酸化アルミニウムおよび／または酸化ホウ素と、アルカ
リ金属酸化物ならびにBa、Ca、MgおよびZnから選ばれた
２価の金属酸化物とを含むガラス質であることを特徴と
する光記録媒体である。 IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。 本発明の光記録媒体のうち光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示されている。 第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板
２上に、ガラス質の基板側保護層31を有し、この上に中
間層４を有し、この上に記録層としての磁性薄膜層５が
設けられる。 本発明においては、さらに磁性薄膜層５上に、ガラス
質の基板裏面側保護層35を設けることが好ましい。 中間層４は、一種以上の希土類元素の酸化物と、酸化
ケイ素と、窒化ケイ素とを含有する。 希土類元素としては、Sc、Ｙ、La〜Sm、Eu〜Luのいず
れであってもよく、これらの１種以上が含有される。 なお、希土類元素は酸素の他、一部窒素と結合しても
よいのはもちろんである。 これらのうち、少なくともLaおよびCeのうち一種以上
が含有されることが好ましい。 LaおよびCeの酸化物としては、通常、La₂O₃およびCeO
₂である。 これらは、一般には化学量論組成であるが、これらか
ら偏奇したものであってもよい。 CeおよびLaの酸化物はいずれか一方であってもよく、
両者が含有されてもよいが、両者が含有される場合、そ
の量比は任意である。 中間層４中には、これらのLaおよび／またはCeの酸化
物の他、Ｙ、Er、Pr等の希土類元素の酸化物が希土類酸
化物中10at％（金属換算）程度以下含有されていてよ
い。 また、これらの他、Fe、Mg、Ca、Sr、Ba、Al等の酸化
物が含有されていてもよい。 これらの元素のうち、Feは、10at％以下、また、その
他の元素は合計で10at％以下含有されてもよい。 中間層４中には希土類酸化物に加え、酸化ケイ素と窒
化ケイ素が含有される。酸化ケイ素は通常SiO₂、SiO、
また、窒化ケイ素はSi₃N₄の形で含有される。これらは
化学量論組成から偏奇していてもよい。 なお、中間層４は、通常、非晶質状態にある。 このような中間層４の波長800nmにおける屈折率は1.8
〜3.0、より好ましくは2.0〜2.5とする。 屈折率が1.8未満であると、カー回転角増幅効果が小
さく、出力が低下する。 また、3.0を越えると、出力が低下し、またノイズが
増加する。 このような中間層４中の希土類元素化合物とSi化合物
との比は、希土類元素化合物の合計／（Si化合物＋希土
類化合物の合計）として、0.05〜0.5（重量比）であ
る。 この比が上記範囲未満であると、出力が低下し、ま
た、高温高湿下での耐久性が低下してしまう。 上記範囲を越えると、ノイズが増加しまた、高温高湿
下での耐久性に乏しくなる。 また、中間層４中のO/N原子比は、0.2〜３である。 この比が0.2未満であると、高温高湿下での耐久性が
低下してしまう。 また、３を越えると、出力が低下し、経時劣化もおき
易い。 これら原子比の測定は、オージェ電子分光あるいはED
A等の分析手段に従えばよい。 なお、中間層４中には、厚さ方向に酸素および窒素の
濃度勾配が存在してもよい。 この場合、基板側が酸素リッチ、また基板と反対側が
窒素リッチとするのが好適である。 より詳細には、中間層４の基板側の界面近傍の（O/
N）_ｌ原子比1.0〜100程度、基板と反対側界面近傍の（O
/N）_ｕ原子比0.1〜2.0であり、（O/N）_l/（O/N）_ｕが１
〜100であることが好ましい。 あるいは、窒素・酸素共基板側でリッチとなるように
濃度勾配をつけてもよい。 このような中間層４を設層するには、スパッタ法が好
ましい。 ターゲットとしては、希土類酸化物、好ましくはLa₂O
₃および／またはCeO₂と、SiO₂およびSi₃N₄の混合物の焼
結結体を用いることが好ましい。この場合、希土類酸化
物、特にLa₂O₃および／またはCeO₂の一部または全部
を、発火合金であるアウエルメタル、ヒューバーメタ
ル、ミッシュメタル、ウェルスバッハメタル等の酸化物
に換えて用いることもできる。 これらの合金の組成を下記表１に示す。 また、これに準じ、その他の気相成膜法、例えばCVD
法、蒸着法、イオンプレーティング法等を適宜用いるこ
とも可能である。 このような中間層４の厚さは、300〜3000Å、特に500
〜2000Åとすることが好ましい。 この値が300Å未満であると出力が小さく、また、耐
候性に乏しい。 また、3000Åを越えると、感度が低下しかつ生産効率
も低下する。 また、中間層４中の不純物として、成膜雰囲気中に存
在するAr、N₂等が入ってもよい。 その他、Fe、Ni、Cr、Cu、Mn、Mg、Ca、Na、Ｋ等の元
素が不純物として入りうる。 本発明においては、このような中間層４の基板２側に
ガラス質の基板側保護層31が形成される。 このような基板側保護層31の材質としては、ガラス質
のものであれば特に制限はないが、なかでも特に以下の
材質のものを用いることが好ましい。 （Ｉ）酸化ケイ素と、酸化アルミニウムまたは酸化ホウ
素と、アルカリ金属酸化物とを含有するガラス質のもの
であり、特に酸化ケイ素含有量が40〜60wt％、アルカリ
金属酸化物含有量が0.5〜10特に、1.0〜10wt％であるも
の。 （II）酸化ケイ素と、酸化アルミニウムまたは酸化ホウ
素とアルカリ金属酸化物と、ROで示される金属酸化物
（Ｒは２価の金属元素）とを含有するガラス質のもので
あり、特に酸化ケイ素含有量が４〜60wt％、アルカリ金
属酸化物含有量が0.5〜10特に、1.0〜10wt％のもの。 （III）酸化ケイ素と、酸化アルミニウムまたは酸化ホ
ウ素とROで示される金属酸化物（Ｒは２価の金属元素）
とを含有するガラス質のものであり、特に酸化ケイ素含
有量が40〜60wt％、RO含有量が10〜50wt％のもの。 （IV）酸化ケイ素と、酸化ホウ素と酸化アルミニウム
と、アルカリ金属酸化物とを含有するガラス質のもので
あり、特に酸化ケイ素含有量が40〜60wt％、アルカリ金
属酸化物含有量が0.5〜10特に1.0〜10wt％であるもの。 （Ｖ）酸化ケイ素と、酸化ホウ素と酸化アルミニウム
と、アルカリ金属酸化物とROで示される金属酸化物（Ｒ
は２価の金属元素）とを含有するガラス質のものであ
り、特に酸化ケイ素含有量が40〜60wt％、アルカリ金属
酸化物含有量が0.5〜10特に1.0〜10wt％であるもの。 （VI）酸化ケイ素と、酸化ホウ素と酸化アルミニウム
と、ROで示される金属酸化物（Ｒは２価の金属元素）と
を含有するガラス質のものであり、特に酸化ケイ素含有
量が40〜60wt％、ROの含有量が10〜50wt％であるもの。 上記材質（Ｉ）〜（VI）、特に（Ｉ）、（II）、（I
V）、（Ｖ）を用いしかも含有量を所定の範囲内とした
場合には、耐久性は格段と向上する。 なお、（Ｉ）〜（VI）において、酸化ケイ素は通常Si
O₂の形で存在する。 アルカリ金属酸化物としてはLi₂O、Na₂O、K₂O、Rb
₂O、Cs₂O、Fr₂O等が挙げられるが、中でも特にLi₂O、Na
₂O、K₂Oが好ましい。これらは１種類のみならず、２種
類以上を併用してもよい。 酸化ホウ素および酸化アルミニウムは、通常、それぞ
れB₂O₃、Al₂O₃等の形で存在する。 ROで示される２価の金属酸化物としては、BaO、CaO、
MgO、ZnO、SrOである。これらは２種以上併用してもよ
い。 さらにより好ましい態様である上記（Ｉ）〜（VI）の
組成を詳述すれば、 （Ｉ）においては、用いる酸化ホウ素または酸化アルミ
ニウムを30〜59.5wt％で含有させることが好ましい。 （II）、（III）においては、用いる酸化ホウ素または
酸化アルミニウムを30〜59.5wt％で含有させ、その含有
量の一部または全部をRO金属酸化物でおきかえ、ROの含
有率を層全体で10〜50wt％、特に10〜35wt％とすること
が好ましい。 （IV）においては、酸化ホウ素および酸化アルミニウム
を総和で30〜59.5wt％含有させることが好ましい。な
お、（IV）〜（VI）において、各々の含有量は、酸化ホ
ウ素1.0〜40wt％程度、酸化アルミニウム3.0〜45wt％程
度とすることが好ましい。 （Ｖ）においては、酸化ホウ素と酸化アルミニウムとの
総和が10〜49.5wt％、ROで示される金属酸化物の含有量
が10〜49.5wt％となるようにすることが好ましい。 （VI）においては、酸化ホウ素と酸化アルミニウムとの
総和が10〜50wt％であることが好ましい。 このような基板側保護層31の厚さは、300〜1000Å程
度、特に400〜800Åとすることが好ましい。 そして、保護層31の形成は、通常上記中間層４の場合
と同様に、各種の気相成膜法で行う。 さらに、このようなガラス質の保護層に替え、あるい
はこれに加え、同様の材質のものを後述する磁性薄膜層
５の上に基板裏面側の保護層35として設けてもよい。 基板裏面側保護層35の材質は上記、ガラス質の基板側
保護層の場合と同様に、上述したガラス質のもの、特に
上記（Ｉ）〜（VI）の中から適宜選定して用いることが
好ましい。この場合、保護層31と保護層35との組成は、
通常互いに同一組成とするが、異なっていてもよい。 このようなガラス質の基板裏面側保護層35の形成方法
は上記保護層31の方法に準じて行なえばよい。 またその厚さは、300〜3000Å程度特に500〜2000Åと
することが好ましい。 本発明において記録層として用いる磁性薄膜層５は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。 このような磁性薄膜層５の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。 この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であるこ
とが好ましい。そして、残部は実質的に希土類金属、特
にGdおよび／またはTbである。そして、その好適例とし
ては、TbFeCo、GdFeCo、GdTbFeCo等がある。 なお、これら記録層中には10at％以下の範囲でCr、A
l、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。また、希土類元素として10at％以下
の範囲でSc、Ｙ、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、H
o、Er、Tm、Yb、Lu等を含有してもよい。 このような磁性薄膜層５の厚さは、通常、100〜10,00
0Å程度である。 この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、 Te−Ge、Te−In、Te−Sn、 Te−Ge−Sb−Ｓ、 Te−Ge−As−Si、Te−Si、 Te−Ge−Si−Sb、 Te−Ge−Bi、 Te−Ge−In−Ga、 Te−Si−Bi−Tl、 Te−Ge−Bi−In−Ｓ、 Te−As−Ge−Sb、 Te−Ge−Se−Ｓ、 Te−Ge−Se、 Te−As−Ge−Ga、 Te−Ge−Ｓ−In、 Se−Ge−Tl、Se−Te−As、 Se−Ge−Tl−Sb、 Se−Ge−Bi、Se−Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特
許第1004835号など） TeO_x（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeO_x＋PbO_x（特許第974258号） TeO_x＋VO_x（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeN_x等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。 このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。 本発明で用いられる基板２は、通常ガラスないし樹脂
製であり、好ましい樹脂材質としては、アクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペン
テン樹脂などがあげられる。 これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。 この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポ
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に
芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中で
もビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最
も好ましく用いられる。 また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。 このような基板２の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59
程度である。 なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みな
いし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。 このようなディスク状基板の記録層形成面には、トラ
ッキング用の溝が形成されてもよい。 溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。また、アドレス用のピ
ットが形成されていてもよい。 そして、通常、この溝の凹部に位置する記録層の記録
トラック部として、書き込み光および読み出し光を基板
裏面側から照射することが好ましい。 このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。 また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。 また、通常磁性薄膜層５上（基板２と反対側）あるい
はこの上に設けられるガラス質の基板裏側保護層35の上
には、有機保護コート層６が設けられる。 有機保護コート層６の材質としては、通常公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。 より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。 用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。 放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。 これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタク
リレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メタ
クリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジアク
リレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステルア
クリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−55
00、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−80
60、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、１） （CH₂＝CHCOOCH₂）_３−CCH₂OH （特殊アクリレートＡ） ２） （CH₂＝CHCOOCH₂）_３−CCH₂OH₃ （特殊アクリレートＢ） ３） 〔CH₂＝CHCO（OC₃H₆）_ｎ−OCH₂〕_３−CCH₂CH₃ （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。 ８） CH₂＝CHCOO−（CH₂CH₂O）_４−COCH＝CH₂ （特殊アクリレートＨ） 12） ＡＭ−Ｎ_ｎ−Ｍ−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸（特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。 このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。 放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。 このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層６
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。 この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層５の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。 このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の
設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜
厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。 このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。 電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。 一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。 この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド類のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。 そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。 たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。 このような有機保護コート層６の上には、通常接着剤
層７を介して保護板８が設けられる。 すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層５を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板８を用いる。 このような保護板８の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。 なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
８として用いてもよい。 このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ
同様とされる。 このような保護板８は、前述したように接着剤層８を
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。 他方、上記の保護板８を用いる代りに、上記の磁性薄
膜層５、中間層４、保護層31,35、有機保護コート層６
等を有する基板をさらに１セット用いて、両記録層を内
側にして対向させて、接着剤層７を用いて貼り合せて、
両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面記
録タイプとしてもよい。さらに、これらの基板２や保護
板８の裏面（磁性薄膜層５を設けていない側の面）には
各種保護膜としてのコーティングを行うことが好まし
い。 コーテイングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層６の材質と同様なものとしてもよい。 Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、基板上に保護層、所定の組成
からなる中間層、記録層、さらに必要に応じて保護層を
順次有して構成される。 従って、このような構成を有する媒体は耐食性、再生
出力、C/N比がきわめて高く、エラーレートが少ないと
いう効果を有する。 VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。 ［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmの光ディスクグレードポリカー
ボネート樹脂製基板２上に、表２に示す組成のガラス質
の基板側保護層31を、層厚1000Åにスパッタで設層し、
さらにこの上に、La₂O₃、SiO₂、Si₃N₄の混合物の焼結体
をターゲットに用いてスパッタすることにより層厚800
Åで表２に示される種々の組成比（表記の化合物に換
算）および屈折率（800nm）の中間層４を設層した（サ
ンプルNo.1〜６）。 なお、屈折率は、組成の他、スパッタ条件（ガス圧・
ガス組成）により調整した。 このような中間層４上に、21at％Tb,68at％Fe,7at％C
o,4at％Cr合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800
Åに設層し、磁性薄膜層５とした。 なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチッ
プをのせたものを用いた。 この磁性薄膜層５上に、さらに、種々の組成のガラス
質の基板裏面側保護層35を設層した。 このガラス質の基板裏面側保護層35の組成および膜厚
は、所定のサンプルに用いたガラス質の基板側保護層31
のそれらと同様のものである。この保護層35の上に、下
記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物を有機保護コ
ート層６として、スピンナーコートで設層した。 （塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。 （実施例２） 実施例１において、スパッタのターゲットをCeO₂、Si
O₂、Si₃N₄に替えた他は、実施例１と同様にして、サン
プルを得た（サンプルNo.7）。 （実施例３） 実施例１において、スパッタのターゲットを、前記表
１に示すミッシュメタルの酸化物（表中MMで示す）、Si
O₂、Si₃N₄に替えた他は、実施例１と同様にしてサンプ
ルを得た（サンプルNo.8）。 （比較例１） 中間層31として、SiO₂および／またはSi₃N₄から形成
される膜を、反応性スパッタにより膜厚800Åに設層し
た。その他の構成は、実施１と同様である（サンプルN
o.10、11）。また、実施例１に準じ、サンプルNo.12〜2
0を得た。 （比較例２） 比較例１において中間層31を設けない他は同様にサン
プルNo.21を得た。 （比較例３） 基板側保護層35を設けない他は実施例１と同様にして
サンプルNo.22を得た。 このようにして、下記表２に示されるような種々のサ
ンプルを作製した。 これらについて下記の特性を測定した。 （１）初期のC/N比 線速 4m/sec 搬送周波数 1.0MHz 分解能30KHz記録パワー（830nm） ３〜6mW 再生パワー（830nm） 1mW （２）耐久性 ヒートサイクルテスト…IEC−２−38（−10℃〜＋65
℃、93％RH） 上記加速試験にてビットエラーレートが２倍となる時
間を測定した。この条件の場合主に膜の剥離、クラック
等がビットエラーレートの増加に寄与していた。 また、60℃90％RHにて1,000hr保存し、膜の剥離等外
観の変化を測定した。 なお、ビットエラーレートは上記の条件にてNRZ信号
を記録し測定した。 （３）耐食性 高温高湿（70℃、90％RH）保存テスト 上記加速試験にてビットエラーレートが２倍となる時
間を測定した。この条件の場合主に孔食（ピンホール）
の発生がビットエラーレートの増加に寄与していた。結
果を表２に示す。 以上の結果より本発明の効果は明らかである。 なお、このような効果は相転移型のTe−Ge、TeO_x、Te
−Se等の記録層でも同様に実現した。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の光記録媒体の１例を示す光磁気記録
媒体の断面図である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、 ２……基板、 31……基板側保護層、 ４……中間層、 ５……磁性薄膜層、 35……基板裏面側保護層、 ６……有機保護コート層、 ７……接着剤層、 ８……保護板

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 １．基板上に中間層を有し、この中間層上に記録層を有
   し、基板と中間層との間および／または記録層上に保護
   層を有する光記録媒体において、 中間層が１種以上の希土類元素の酸化物と、酸化ケイ素
   と、窒化ケイ素とを含有し、 （希土類元素酸化物）／（希土類元素酸化物＋酸化ケイ
   素＋窒化ケイ素）の重量比が0.05〜0.5であり、 O/Nの原子比が0.2〜３であり、 前記保護層のうちの少なくとも一方が酸化ケイ素と、酸
   化アルミニウムおよび／または酸化ホウ素と、アルカリ
   金属酸化物ならびにBa、Ca、MgおよびZnから選ばれた２
   価の金属酸化物とを含むガラス質であることを特徴とす
   る光記録媒体。 ２．前記希土類元素がLaおよび／またはCeである特許請
   求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 ３．前記中間層の波長800nmにおける屈折率が1.8〜3.0
   である特許請求の範囲第１項または第２項に記載の光記
   録媒体。