JP2536819B2

JP2536819B2 - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2536819B2
Application number: JP62184555A
Authority: JP
Inventors: 肇宇都宮; 秀樹平田; 謙治内山; 秀樹石崎; 勝高山
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1987-07-23
Filing date: 1987-07-23
Publication date: 1996-09-25
Anticipated expiration: 2011-09-25
Also published as: JPS6427048A

Description

【発明の詳細な説明】Ｉ発明の背景技術分野本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。

先行技術とその問題点光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体があ
る。

光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO₃,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe₂O₄ 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が
室温付近であること、第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的な均
一な膜が得られることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。また、記録・再生特性を向上さ
せ、さらにはC/N比を向上させるため記録・再生時の回
転角をできるだけ大きくする必要がある。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基
板反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く
研究されている。

従来、このような防湿性等の耐食性付与のためあるい
は、カー効果に多重干渉の効果やファラデー効果を加え
て回転角を増大させるために中間層としては、一酸化ケ
イ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、硫化亜
鉛等の無機系の真空蒸着膜等を設けることはよく知られ
ている（特開昭58−80142号等）。

しかし、これらは、いずれも未だ耐食性等の点で満足
できるものではない。

また、中間層の材質として、酸化物と窒化物との混合
物、特に、Si₃N₄とSiO₂との混合物、Si₃N₄とSiO₂との混
合物またはAlNとAl₂O₃との混合物を用いることも公知で
ある（特開昭60−145525号公報）。

しかし、このものは、C/N比、あるいは耐食性等の点
で十分ではない。

また、本発明者らは、特願昭61−307300号にて中間層
が、２種以上の金属および半金属の窒化物および酸化
物、例えばSi、Al、ＮおよびＯを含有するものを中間層
として用いる旨の提案を行っている。

しかし、このものも、C/N比、耐食性等の点で十分で
はない。

さらには、中間層として窒化ケイ素を主成分として、
屈折率が2.1以上なる添加成分を含有したもの（特開昭6
1−22458号公報）、窒化ケイ素と酸化アルミニウムおよ
び酸化イットリウムを含有すターゲットをスパッタした
スパッタ膜（同61−278062号公報）等も提案されてい
る。

これらの中間層がSiと、AlとＮおよびＯと、イットリ
ウム、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうち
の１種以上等とを含有するものであるときには、記録・
再生特性や、C/N比の点で満足できるものである。

しかしながら、特開昭61−22458号公報に記載の、中
間層の具体的組成は、Si₃N₄90mol％−Al₂O₃6mol％−Y₂O
₃4mol％であり、Si＋Ｎは92.6at％である。また、特開
昭61−278062号公報の中間層組成はAl₂O₃0.1〜5mol％、
Y₂O₃0.1〜3mol％、Si₃N₄92〜99.8mol％であり、Si＋Ｎ
は94.2at％以上である。

このため、これらの中間層は、膜応力が大きく、同一
装置にて何回もの成膜をくり返すと、装置内壁に付着し
た膜物質が剥離して、媒体に付着するなどの原因で、成
膜時にピンホールが生じる等の欠点がある。

さらに、これらの中間層は光透過率が低いため十分な
反射光量が得られず、再生信号量の損失や、サーボ信号
の損失による再生系の不安定を招く。

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。

II 発明の目的本発明の目的は、記録・再生特性が安定でC/N比や耐
食性が良好で、しかも、基板のソリや、中間層にピンホ
ールのない光記録媒体を提供することにある。

III 発明の開示このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。

すなわち、本発明の第１の発明は、基板上に記録層を
有し、記録層と基板との間に中間層を有する光記録媒体
において、前記中間層が、ケイ素と、アルミニウムと、
酸素および窒素とを含有し、さらにイットリウムおよび
ランタノイド元素（La、Ce、Pr、Nd、SmおよびEu）のう
ちの１種以上を含有し、中間層における、イットリウム
およびランタノイド元素のうちの１種以上の含有量が0.
1at％以上2at％未満、また、ケイ素と窒素の含有量の合
計が20〜90at％であることを特徴とする光記録媒体であ
る。

また、第２の発明は、基板上に記録層を有し、記録層
と基板との間に中間層を有し、基板と中間層との間およ
び／または記録層の上に保護層を有する光記録媒体にお
いて、前記中間層が、ケイ素と、アルミニウムと、酸素
および窒素とを含有し、さらにイットリウムおよびラン
タノイド元素（La、Ce、Pr、Nd、SmおよびEu）のうちの
１種以上を含有し、中間層における、イットリウムおよ
びランタノイド元素のうちの１種以上の含有量が0.1at
％以上2at％未満、また、ケイ素と窒素の含有量の合計
が20〜90at％であることを特徴とする光記録媒体であ
る。

IV 発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施
例が第１図に示される。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板
２上に、中間層４を有し、その上に記録層としての磁性
薄膜層５を有する。

また、第２の発明では、基板と中間層の間および／ま
たは記録層の上に保護層31、35を有する。

このような本発明の中間層４は、ケイ素と、アルミニ
ウムと、酸素および窒素とを含有し、さらに、イットリ
ウムおよびランタノイド元素のうちの１種以上とを含有
する。

このような各元素を含有させることによって、良好な
耐久性と耐食性とが発揮され、記録、再生特性、C/N比
も優れたものとなる。

また、この場合、これら各必須元素の１つでも欠けた
ときには、本発明の効果は実現しない。

本発明の中間層においては、ケイ素と窒素の含有量の
合計Si＋Ｎが20〜90at％であり、好ましくは20〜84at％
である。この合計が20at％未満であると屈折率が低くな
りエンハンス効果が低下してしまい、90at％をこえると
膜応力が大きくなり、形成装置の使用回数を重ねると真
空槽内にダストが生じ中間層にピンホールが生じる、又
光透過率が低下するため反射率が低下してしまい、サー
ボ信号が小さくなり、安定なサーボが得られにくいとい
う欠点があるからである。

また、Si＋Ｎは20〜65at％であると光透過率の点でよ
り好ましい。

さらにアルミニウムの含有量は３〜33at％、より好ま
しくは３〜25at％である。このとき膜質は安定かつ緻密
となり耐食性が向上する。

なお、Siの含有量は８〜40at％、より好ましくは８〜
36at％であることが好ましい。

また、上記中間層において、ケイ素およびアルミニウ
ムは、通常酸化物および窒化物の形で含有され、非晶質
を形成する。

これらの化合物は、その組成において化学量論的な組
成比をはずれていてよい。

また、本発明の中間層には、上記非晶質に、イットリ
ウムおよびランタノイド元素のうちの１種以上が含有さ
れる。これらの元素を2at％未満含有することにより、
反射率を損ねることなく屈折率を上げることができ、記
録感度を向上させることができる。

これらを含有することによって、記録感度やC/N比が
より良好なものになる。

本発明においてランタノイド元素とは、イットリウム
（Ｙ）、ランタン（La）、セリウム（Ce）、プラセオジ
ム（Pr）、ネオジム（Nd）、サマリウム（Sm）およびユ
ーロピウム（Eu）からなる群から選ばれた元素の１種以
上である。これらを用いることにより、記録感度、C/N
比等の記録、再生特性のみならず、耐久性、耐食性等の
面でもより良好な結果が得られるからである。

また、焼結体ターゲットを得る際にこれらイットリウ
ムおよびランタノイド元素の１種以上を含むことによっ
て、より緻密なターゲットを得ることができ、その結
果、ターゲットの冷却効率が向上しスパッタリング時の
輻射熱もおさえられる。

これら、イットリウムおよびランタノイド元素の１種
以上（以下これらをＲとする）は、中間層中にて上記非
晶質と混合含有されるものであるが、元素単体あるいは
化合物いずれかの形で含有されてもよい。化合物として
含有される場合は、通常酸化物の形で含有されることが
好ましい。

中間層におけるイットリウムおよびランタノイド元素
の１種以上の含有量は、好ましくは0.1at％以上であり
特に0.2〜1.9at％である。0.1at％未満では本発明の効
果が無い。

なお、中間層中の各元素の含有量は、オージェ、ESC
A、SIMS、LAMMA等によって測定すればよい。

また、このような中間層は、各種気相成膜法、例え
ば、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プ
ラズマCVD、光CVD、等により設層される。特にスパッタ
法を用いることが好ましく、この場合設層されるべき組
成に対応するターゲットを用いるスパッタ法、２種以上
の異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッタ
法、あるいは酸素、窒素を用いる反応性スパッタ法等に
よって形成される。

そして、特に、上記ガラス質と、イットリウムおよび
ランタノイド元素のうちの１種以上をターゲットとして
用いる多元スパッタ法を用いることが好ましい。

そして、このような中間層の厚さは、30〜300nm、特
に50〜200nmとすることが好ましい。

さらに、膜厚をλ/4n（λは使用レーザー波長、ｎは
中間層の屈折率）に設定したとき、エンハンス効果の点
で、より好ましい結果を得る。

また、中間層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N₂が入ってもよい。

その他、Fe₂O₃、CuO、Cr₂O₃、MnO_x、CoO、NiO、As₂O₃
等が全体の1.0wt％程度以下含有されてもよい。

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層５は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層５の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。

この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であるこ
とが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／
またはTbである。

そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTb
FeCo等がある。

また、Gdおよび／またはTbの一部を、Sm、Nd、Dy、E
u、Pr、Ce、Hoのうちの１種以上で50at％以下置換する
と、記録感度の点で、より好ましい結果が得られる。

なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でC
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。

また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、10〜1000nm程
度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−In、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−
Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeO_x（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeO_x＋PbO_x（特許第974258号）、 TeO_x＋VO_x（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeN_x等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によっ
て色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を生
じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。

基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂
材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられ
る。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性等の点でポリアーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポ
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に
芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中で
もビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最
も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。

このような基板２の830nm屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。

なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みな
いし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。

また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。

本発明の第２の発明では、中間層と基板の間および／
または記録層の上に保護層31、35を有する。このとき媒
体としての耐久性、耐食性はより好ましいものとなる。

このような保護層31、35の材質としては、酸素、炭
素、窒素、硫黄等を含む化合物、例えば、SiO₂、SiO、A
lN、Al₂O₃、Si₃N₄、ZnS、BN、TiO₂、TiN等ないしこれら
の混合物などの各種誘電体物質；ガラス、例えばホウケ
イ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウム
ホウケイ酸ガラス等あるいはこのものにSi₃N₄等を含む
ものなどを用いればよい。なかでも、SiO₂40〜80wt％の
ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミ
ニウムホウケイ酸ガラスや、これらのSiO₂の一部をSi₃N
₄等で置換したものが好ましい。

これらのうちで特に好ましいものとしては、下記のも
のが挙げられる。

（１）酸化ケイ素40〜60wt％と、BaO、CaO、SrO、MgO、
ZnO、PbO等の２価金属酸化物50wt％以下および／または
アルカリ金属酸化物10wt％以下と、酸化ホウ素および／
または酸化アルミニウムとを含有するもの。

（２）Siと他の金属または半金属元素としてBa、Ca、S
r、Mg、Zn、Pb等の１種以上、Al、Ｂの１種以上および
アルカリ金属元素の１種以上のうちの少なくとも１つと
を含み、全金属ないし半金属中のSi原子比が0.3〜0.9で
あり、さらにＯおよびＮを含み、O/（Ｏ＋Ｎ）が0.4〜
0.8であるもの。

これらは、特願昭61−300859号、同61−302275号、同
61−303224号、同61−307300号、同61−313614号、同61
−313615号、同61−314949号、同61−314948号、同61−
313720号等に開示されている。

上記のものを用いたとき、耐久性、耐食性はより優れ
たものとなる。また、このような保護層31、35の形成方
法は、中間層４の方法に準じて行えばよく、その膜厚は
30〜300nm程度、特に50〜200nmとすることが好ましい。

また、通常、保護層35上には有機保護コート層６が設
けられる。

有機保護コート層６の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエ
ステル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフ
タレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレ
イン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による
架橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入
したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げるこ
とができる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。

これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−
5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−
8060、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、１）（CH₂＝CHCOOCH₂）_３−CCH₂OH （特殊アクリレートＡ）２）（CH₂＝CHCOOCH₂）_３−CCH₂OH₃ （特殊アクリレートＢ）３）〔CH₂＝CHCO（OC₃H₆）ｎ−OCH₂〕_３−CCH₂CH₃ （特殊アクリレートＣ）式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタ
エリスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタ
エリスリトール縮合物Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタ
エリスリトール縮合物Ｄという）、および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等
が挙げられる。

８） CH₂＝CHCOO−（CH₂CH₂O）_４−COCH＝CH₂ （特殊アクリレートＨ） 12）ＡＭ−Ｎ_ｎ−Ｍ−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸（特殊アクリレートＬ）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。

また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層６
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。

この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層５の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護層中のクラックが生じ、実用に耐えない。

このような塗膜は、通常、スピンコート、グラビア塗
布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の方
法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設層
条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ
等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アントラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。

そして、そのような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。

このような有機保護コート層６の上には、通常接着剤
層を介して保護板７が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層５を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板７を用いる。

このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
７として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ
同様とされる。

このような保護板７は、前述したように接着剤層を介
して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度とさ
れる。

他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄
膜層５、中間層４、保護層31、35、有機保護コート層６
等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性薄膜層
を内側にして対向させて、接着剤層を用いて貼り合せ
て、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両
面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基板２や
保護板７の裏面（磁性薄膜層５を設けていない側の面）
には各種保護膜としてのコーティングを行うことが好ま
しい。

コーティングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層６の材質と同様なものとしてもよい。

Ｖ発明の具体的効果本発明の光記録媒体は、記録感度およびC/N比さらに
はサーボ信号等の記録、再生特性や、耐食性が良好であ
る。

しかもこのような、良好な特性を維持した上で中間層
の膜応力が減少するため、基板にソリを生じない。ま
た、形成装置の使用回数を重ねても、中間層成膜中に中
間層にピンホールを生じる欠点も解消する。

VI 発明の具体的実施例以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。

［実施例１］直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ベィ
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上
に、ガラス（SiO₂ 48wt％、Al₂O₃ 15wt％、B₂O₃ 14w
t％、Ba₂O 3wt％、K₂O₂wt％、BaO 5wt％、CaO 9wt
％、MgO 4wt％）の保護層31を高周波マグネトロンスパ
ッタにて80nm厚に設層した。

その上に下記表１に示される種々の組成の中間層４
を、スパッタング法、場合により多元スパッタ法により
設層した。なお、膜組成は、オージェ分光分析にて測定
した。また膜厚は各サンプルにつき、すべてλ/4nで算
出のエンハンスの最適膜厚（今回の場合80〜150nm）と
した。表１中のＲは、イットリウムおよびランタノイド
元素のうちの１種以上である。

このような中間層の上に25at％Tb,63at％Fe,7at％Co,
5at％Ti合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Å
に設層し、磁性薄膜層５とした。

なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Tiチッ
プをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層５上に、さらに保護層31と同様の組成
の保護層35を、保護層31と同様に設層した。

この保護層35の上に、下記の放射線硬化型化合物を含
む塗布組成物を有機保護コート層６として、スピンコー
トで設層した。（塗布組成物）多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部光増感剤５重量部このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。

このようにして、下記表１に示されるような種々の光
記録媒体を製作した。

なお、サンプルNo.12は、磁性薄膜層５を15at％Tb、1
0at％Dy、63at％Fe、7at％CO、5at％Ti合金薄膜にかえ
たもの。

サンプルNo.13は、磁性薄膜層５を17.5at％Tb、7.5at
％Nd、63at％Fe、7at％CO、5at％Ti合金薄膜にかえたも
の。

これらについて、下記の特性を測定した。

（１）C/N比下記の条件にてC/N比を測定した。

線速 4m/sec 搬送周波数 1.0MHz 分解能 30KHz ビデオバンド巾 100Hz 記録パワー（830nm）３〜6mW 再生パワー（830nm） 1mW （２）反射率平坦部での波長830nmに対する反射率を分光光度計に
て測定した。

（３）耐食性ヒートサイクルテスト……IEC−２−38（−10℃〜60
℃、90％RH）上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を
測定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック等
がバーストエラーの増加に寄与していた。

結果を表１に示す。

サンプルNo.12、13は、他のサンプルに比べ、記録感
度の点で優れていた。

また、イットリウムおよびランタノイド元素の１種以
上を含有しないものは、他のサンプルに比べ記録感度の
点で劣っていた。

なお、表１に示すＲの他、Pr、SmおよびEuの少なくと
も１種を用いた場合でも上記効果は同様に実現し、ま
た、相転移型のTe−Ge、TeO_x、Te−Se等の記録層でも同
様に実現した。

以上の結果より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。符号の説明１……光磁気記録媒体、２……基板 31、35……保護層、４……中間層、５……磁性薄膜層、６……有機保護コート層、７……保護板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石崎秀樹東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者高山勝東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に記録層を有し、記録層と基板との
間に中間層を有する光記録媒体において、前記中間層
が、ケイ素と、アルミニウムと、酸素および窒素とを含
有し、さらにＹおよびランタノイド元素（La、Ce、Pr、
Nd、SmおよびEu）のうちの１種以上を含有し、中間層に
おける、イットリウムおよびランタノイド元素のうちの
１種以上の含有量が0.1at％以上2at％未満、また、ケイ
素と窒素の含有量の合計が20〜90at％であることを特徴
とする光記録媒体。
【請求項２】基板上に記録層を有し、記録層と基板との
間に中間層を有し、基板と中間層との間および／または
記録層の上に保護層を有する光記録媒体において、前記
中間層が、ケイ素と、アルミニウムと、酸素および窒素
とを含有し、さらにイットリウムおよびランタノイド元
素（La、Ce、Pr、Nd、SmおよびEu）のうちの１種以上を
含有し、中間層における、イットリウムおよびランタノ
イド元素のうちの１種以上の含有量が0.1at％以上2at％
未満、また、ケイ素と窒素の含有量の合計が20〜90at％
であることを特徴とする光記録媒体。