JP2523329B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2523329B2 JP2523329B2 JP62153028A JP15302887A JP2523329B2 JP 2523329 B2 JP2523329 B2 JP 2523329B2 JP 62153028 A JP62153028 A JP 62153028A JP 15302887 A JP15302887 A JP 15302887A JP 2523329 B2 JP2523329 B2 JP 2523329B2
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- Japan
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- layer
- silicon
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 Ｉ 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
記録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。
先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体があ
る。
る。
光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTbFe, GdTbFeCoBi,CoFe2O4 等の材料が知られている。これらは、真空蒸着法やスパ
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。
ッタリング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透
明基板上に薄膜として形成される。これらの光磁気記録
媒体に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点
をあげることができる。
このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が
室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。
室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少
ないこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均
一な膜が得られることがあげられる。
このような要求に答え、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜から
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。
なる光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接し
たまま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が
選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、
再生が不可能となる。
そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基
板反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く
研究されている。
板反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く
研究されている。
従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護
層としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アル
ミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹
脂膜等を設ける試み（特開昭58−80142号等）が開示さ
れている。しかし、これらは、いずれも未だ耐食性ある
いは膜と基板との密着性の点で満足できるものではな
い。
層としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アル
ミ、窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹
脂膜等を設ける試み（特開昭58−80142号等）が開示さ
れている。しかし、これらは、いずれも未だ耐食性ある
いは膜と基板との密着性の点で満足できるものではな
い。
また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用い
た場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防
止、接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされ
ている（特開昭59−52443号公報、同第60−177449号公
報）。
た場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防
止、接着性の向上等の改善がみられる旨の開示がなされ
ている（特開昭59−52443号公報、同第60−177449号公
報）。
また、特開昭60−145525号にはSi3N4とSiO2との混合
膜を保護層として用いる旨の提案がなされている。
膜を保護層として用いる旨の提案がなされている。
しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性
に対する要求は厳しく、これらのものではその効果は十
分とはいえず、また記録の際の感度および再生の際のC/
N比の点でも満足のいくものではない。
に対する要求は厳しく、これらのものではその効果は十
分とはいえず、また記録の際の感度および再生の際のC/
N比の点でも満足のいくものではない。
なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記
録層を有する光記録媒体でも同様である。
録層を有する光記録媒体でも同様である。
II 発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、
耐久性に優れ、記録、再生装置も良好な光記録媒体を提
供することにある。
耐久性に優れ、記録、再生装置も良好な光記録媒体を提
供することにある。
III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成され
る。
る。
すなわち、本発明の第１の発明は、基板上に記録層を
有し、基板と記録層との間および／または記録層の上に
保護層を有する光記録媒体において、 前記保護層が、ケイ素と、アルカリ土類金属元素の１
種以上と、酸素および窒素とを含有し、さらにイットリ
ウムならびにランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
ジム、サマリウムおよびユーロピウムから選ばれたラン
タノイド元素のうちの１種以上とを含有し、 前記保護層中のイットリウムおよびランタノイド元素
の１種以上の含有量が、ケイ素とアルカリ土類金属元素
の１種以上との総計に対し、２〜250at％であり、 前記保護層中のケイ素およびアルカリ土類金属元素の
１種以上中のケイ素の原子比が、0.3〜0.9であり、 前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比が、
0.4〜0.8であり、 前記保護層中の窒化ケイ素の含有量がSi3N4換算で47w
t％以下であることを特徴とする光記録媒体である。
有し、基板と記録層との間および／または記録層の上に
保護層を有する光記録媒体において、 前記保護層が、ケイ素と、アルカリ土類金属元素の１
種以上と、酸素および窒素とを含有し、さらにイットリ
ウムならびにランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
ジム、サマリウムおよびユーロピウムから選ばれたラン
タノイド元素のうちの１種以上とを含有し、 前記保護層中のイットリウムおよびランタノイド元素
の１種以上の含有量が、ケイ素とアルカリ土類金属元素
の１種以上との総計に対し、２〜250at％であり、 前記保護層中のケイ素およびアルカリ土類金属元素の
１種以上中のケイ素の原子比が、0.3〜0.9であり、 前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比が、
0.4〜0.8であり、 前記保護層中の窒化ケイ素の含有量がSi3N4換算で47w
t％以下であることを特徴とする光記録媒体である。
また、第２の発明は、基板上に記録層を有し、基板と
記録層との間および／または記録層の上に保護層を有す
る光記録媒体において、 前記保護層がケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種
以上と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、酸素お
よび窒素とを含有し、さらにイットリウムならびにラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム
およびユーロピウムから選ばれたランタノイド元素のう
ちの１種以上とを含有し、 前記保護層中のイットリウムおよびランタノイド元素
のうちの１種以上の含有量が、ケイ素と、アルカリ土類
金属元素の１種以上と、アルミニウムおよび／またはホ
ウ素との総計に対し、２〜250at％であり、 前記保護層中のケイ素と、アルカリ土類金属元素の１
種以上と、アルミニウムおよび／またはホウ素中のケイ
素の原子比が、0.3〜0.9であり、 前記保護層中のアルミニウムおよび／またはホウ素の
ケイ素に対する原子比が、1.5以下であり、 前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比が、
0.4〜0.8であり、 前記保護層中の窒化ケイ素の含有量がSi3N4換算で47w
t％以下であることを特徴とする光記録媒体である。
記録層との間および／または記録層の上に保護層を有す
る光記録媒体において、 前記保護層がケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種
以上と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、酸素お
よび窒素とを含有し、さらにイットリウムならびにラン
タン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム
およびユーロピウムから選ばれたランタノイド元素のう
ちの１種以上とを含有し、 前記保護層中のイットリウムおよびランタノイド元素
のうちの１種以上の含有量が、ケイ素と、アルカリ土類
金属元素の１種以上と、アルミニウムおよび／またはホ
ウ素との総計に対し、２〜250at％であり、 前記保護層中のケイ素と、アルカリ土類金属元素の１
種以上と、アルミニウムおよび／またはホウ素中のケイ
素の原子比が、0.3〜0.9であり、 前記保護層中のアルミニウムおよび／またはホウ素の
ケイ素に対する原子比が、1.5以下であり、 前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比が、
0.4〜0.8であり、 前記保護層中の窒化ケイ素の含有量がSi3N4換算で47w
t％以下であることを特徴とする光記録媒体である。
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施
例が第１図に示される。
例が第１図に示される。
第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板
２上に、保護層31を有し、その上に記録層としての磁性
薄膜層４を有し、その上に基板裏面側保護層35が設けら
れる。
２上に、保護層31を有し、その上に記録層としての磁性
薄膜層４を有し、その上に基板裏面側保護層35が設けら
れる。
このような本発明の保護層31は、ケイ素と、アルカリ
土類金属元素の１種以上と、酸素と、窒素と、イットリ
ウムおよび所定のランタノイド元素のうちの１種以上と
を含有する。
土類金属元素の１種以上と、酸素と、窒素と、イットリ
ウムおよび所定のランタノイド元素のうちの１種以上と
を含有する。
また、本発明の第２の発明では、保護層31中にさらに
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有する。
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有する。
このような各元素を含有させることによって、きわめ
て良好な耐久性と耐食性とが発揮され、記録、再生特性
も優れたものとなる。
て良好な耐久性と耐食性とが発揮され、記録、再生特性
も優れたものとなる。
また、この場合、これら各必須元素の１つでも欠けた
ときには、本発明の効果は実現しない。
ときには、本発明の効果は実現しない。
本発明においてアルカリ土類金属元素（以下M2とい
う）は、Ba,Ca,Mg,Srの１種以上が挙げられ、なかでも
特にBa,Ca,Srの１〜３種を用いるのが好ましい。これら
２種以上のM2を用いる場合、それぞれの量比は任意であ
る。
う）は、Ba,Ca,Mg,Srの１種以上が挙げられ、なかでも
特にBa,Ca,Srの１〜３種を用いるのが好ましい。これら
２種以上のM2を用いる場合、それぞれの量比は任意であ
る。
本発明においてはケイ素、アルカリ土類金属元素
（M2）の１種類以上、あるいはこれにアルミニウムおよ
び／またはホウ素を加えたものの中の、ケイ素の原子比
Si/（Si＋M2＋Alおよび／またはＢ）が0.3〜0.9、特に
0.3〜0.8である。
（M2）の１種類以上、あるいはこれにアルミニウムおよ
び／またはホウ素を加えたものの中の、ケイ素の原子比
Si/（Si＋M2＋Alおよび／またはＢ）が0.3〜0.9、特に
0.3〜0.8である。
Si/（Si＋M2＋Alおよび／またはＢ）が0.3未満である
と、耐食性の点で不利となり、0.9をこえると安定性の
点で不利となるからである。
と、耐食性の点で不利となり、0.9をこえると安定性の
点で不利となるからである。
また、酸素および窒素中の酸素の原子比O/（Ｏ＋Ｎ）
は0.4〜0.8、特に0.5〜0.8である。
は0.4〜0.8、特に0.5〜0.8である。
O/（Ｏ＋Ｎ）が0.4未満となると、耐食性の点で不利
となり、0.8をこえると電磁変換特性および耐久性の点
で不利となるからである。
となり、0.8をこえると電磁変換特性および耐久性の点
で不利となるからである。
本発明においては、金属または半金属元素としてさら
にアルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよ
く、アルミニウムおよび／またはホウ素を含有すること
によって耐食性がさらに向上する。
にアルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよ
く、アルミニウムおよび／またはホウ素を含有すること
によって耐食性がさらに向上する。
この場合、ホウ素および／またはアルミニウムのケイ
素に対する原子比（Ｂおよび／またはAl）/Siは1.5以
下、特に0.1〜1.0、より好ましくは0.3〜1.0であること
が好ましい。
素に対する原子比（Ｂおよび／またはAl）/Siは1.5以
下、特に0.1〜1.0、より好ましくは0.3〜1.0であること
が好ましい。
（Ｂおよび／またはAl）/Siが1.0をこえると、耐食性、
耐久性、膜の均一性の点で不利となる。ただし、0.1未
満では添加の実効がない。
耐久性、膜の均一性の点で不利となる。ただし、0.1未
満では添加の実効がない。
ＢとAlとを含有させる場合、互いの量比は任意であ
る。
る。
なお、保護層中の各元素の含有量は、オージェ、ESC
A、SIMS、LAMMA等によって測定すればよい。
A、SIMS、LAMMA等によって測定すればよい。
このような場合、ケイ素、アルミニウムおよび／また
はホウ素、アルカリ土類金属（M2）の１種類以上は通常
酸化物および窒化物の形で含有され、ガラス質を形成す
る。
はホウ素、アルカリ土類金属（M2）の１種類以上は通常
酸化物および窒化物の形で含有され、ガラス質を形成す
る。
上記のガラス質中において、上記の各元素は、以下の
ように含有される。
ように含有される。
まずSiは、通常Siの酸化物（通常、SiO2）およびSiの
窒化物（通常、Si3N4）、として含有される。また、ア
ルカリ土類金属は通常酸化物（通常、BaO,CaO,MgO,SrO
等M2O）などとして含有される。
窒化物（通常、Si3N4）、として含有される。また、ア
ルカリ土類金属は通常酸化物（通常、BaO,CaO,MgO,SrO
等M2O）などとして含有される。
さらにAlおよび／またはＢが含有される場合は通常酸
化物（通常、Al2O3，B2O3）や窒化物（通常、AlN,BN）
として含有される。すなわち、化学量論組成で示すなら
ば、SiO2とM2Oとに加え、Si3N4，Al2O3,AlN,B2O3および
BNの１種以上が含有されるものである。
化物（通常、Al2O3，B2O3）や窒化物（通常、AlN,BN）
として含有される。すなわち、化学量論組成で示すなら
ば、SiO2とM2Oとに加え、Si3N4，Al2O3,AlN,B2O3および
BNの１種以上が含有されるものである。
これらの化合物は、その組成において上記の化学量論
的な組成比をはずれていてもよい。
的な組成比をはずれていてもよい。
そして、本発明において最終的に保護層中には、Siの
酸化物（SiO2換算）対Siの窒化物（Si3N4換算）のモル
比が50対50〜90対10程度である。この際、層中のSi窒化
物量はSi3N4換算で47wt％以下である。
酸化物（SiO2換算）対Siの窒化物（Si3N4換算）のモル
比が50対50〜90対10程度である。この際、層中のSi窒化
物量はSi3N4換算で47wt％以下である。
さらにAlおよび／またはＢが含有される場合は、Si,A
lおよびＢの酸化物の総計（SiO2，Al2O3およびB2O3換
算）対Si,AlおよびＢの窒化物の総計（Si3N4,AlNおよび
BN換算）のモル比が50対50〜90対10程度である。
lおよびＢの酸化物の総計（SiO2，Al2O3およびB2O3換
算）対Si,AlおよびＢの窒化物の総計（Si3N4,AlNおよび
BN換算）のモル比が50対50〜90対10程度である。
この場合、化学量論組成で示したときのAl2O3とB2O3と
の量比や、Si3N4とAlNとBNとの量比は任意である。
の量比や、Si3N4とAlNとBNとの量比は任意である。
本発明においては１価の金属元素Li,Na,K,Rb,Cs,Fr、
好ましくはLi,Na,Kが通常酸化物の形で、例えばLi2O，N
a2O，K2O，Rb2O，Cs2O，Fr2O等として含有されていても
よい。これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の10wt
％以下とする。
好ましくはLi,Na,Kが通常酸化物の形で、例えばLi2O，N
a2O，K2O，Rb2O，Cs2O，Fr2O等として含有されていても
よい。これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の10wt
％以下とする。
このような保護層は、通常非晶質状態にある。
また、本発明の保護層は、上記非晶質に、イットリウ
ムおよび所定のランタノイド元素のうちの１種以上が含
有される。
ムおよび所定のランタノイド元素のうちの１種以上が含
有される。
イットリウムと所定のランタノイド元素とは、イット
リウム（Ｙ）、ランタン（La）、セリウム（Ce）、プラ
セオジム（Pr）、ネオジム（Nd）、サマリウム（Sm）お
よびユーロピウム（Eu）からなる群から選ばれた元素の
１種以上である。このとき、記録感度、C/N比等の記
録、再生特性のみならず、耐久性、耐食性等の面でもよ
り良好な結果が得られる。
リウム（Ｙ）、ランタン（La）、セリウム（Ce）、プラ
セオジム（Pr）、ネオジム（Nd）、サマリウム（Sm）お
よびユーロピウム（Eu）からなる群から選ばれた元素の
１種以上である。このとき、記録感度、C/N比等の記
録、再生特性のみならず、耐久性、耐食性等の面でもよ
り良好な結果が得られる。
これら、イットリウムおよびランタノイド元素の１種
以上（以下これらをＲとする）は、保護層中にて上記非
晶質と混合含有されるものであるが、元素単体あるいは
化合物いずれかの形で含有されてもよい。化合物として
含有される場合は、通常酸化物の形で含有されることが
好ましい。
以上（以下これらをＲとする）は、保護層中にて上記非
晶質と混合含有されるものであるが、元素単体あるいは
化合物いずれかの形で含有されてもよい。化合物として
含有される場合は、通常酸化物の形で含有されることが
好ましい。
このような場合、記録、再生特性とともに耐食性や耐
久性を向上させるためには、上記Ｒは、元素単体、ある
いは部分酸化物の形で含有されるのが好ましい。これ
は、これら各元素が保護層中で酸素トラップの役割を
し、耐久性の向上に寄与するからである。
久性を向上させるためには、上記Ｒは、元素単体、ある
いは部分酸化物の形で含有されるのが好ましい。これ
は、これら各元素が保護層中で酸素トラップの役割を
し、耐久性の向上に寄与するからである。
また、イットリウムおよびランタノイド元素の１種以
上の含有量は、ケイ素、アルカリ土類金属の１種以上、
あるいはこれにアルミニウムおよび／またはホウ素を加
えたものに対し、２〜250at％より好ましくは２〜212at
％である。これは2at％未満であると本発明の効果が無
く、250at％をこえるとC/N比の低下を生ずるからであ
る。
上の含有量は、ケイ素、アルカリ土類金属の１種以上、
あるいはこれにアルミニウムおよび／またはホウ素を加
えたものに対し、２〜250at％より好ましくは２〜212at
％である。これは2at％未満であると本発明の効果が無
く、250at％をこえるとC/N比の低下を生ずるからであ
る。
なお、上記のイットリウムおよびランタノイド元素は
一般に各元素の化学量論組成酸化物（一般にY2O3、La2O
3等のR2O3、ただし、CeはCeO2）に対し、酸素量が90％
以下の単体または酸化物として含有されることが好まし
い。
一般に各元素の化学量論組成酸化物（一般にY2O3、La2O
3等のR2O3、ただし、CeはCeO2）に対し、酸素量が90％
以下の単体または酸化物として含有されることが好まし
い。
このような保護層は、通常非晶質状態にある。
また、このような保護層は、各種気相成膜法、例え
ば、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プ
ラズマCVD、光CVD、等により設層される。特にスパッタ
法を用いることが好ましく、この場合設層されるべき組
成に対応するターゲットを用いるスパッタ法、２種以上
の異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッタ
法、あるいは酸素、窒素を用いる反応性スパッタ法等に
よって形成される。
ば、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、プ
ラズマCVD、光CVD、等により設層される。特にスパッタ
法を用いることが好ましく、この場合設層されるべき組
成に対応するターゲットを用いるスパッタ法、２種以上
の異なる組成からなるターゲットを用いた多元スパッタ
法、あるいは酸素、窒素を用いる反応性スパッタ法等に
よって形成される。
そして、特に、上記ガラス質と、イットリウムおよび
ランタノイド元素のうちの１種以上をターゲットとして
用いる２元スパッタ法を用いることが好ましい。
ランタノイド元素のうちの１種以上をターゲットとして
用いる２元スパッタ法を用いることが好ましい。
そして、このような保護層の厚さは、300〜3000Å、
特に500〜2000Åとすることが好ましい。
特に500〜2000Åとすることが好ましい。
この値が300Å未満であると、耐候性が悪く、また300
0Åをこえると、感度が低下する。
0Åをこえると、感度が低下する。
また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在
するAr、N2等が入ってもよい。
するAr、N2等が入ってもよい。
その他、Fe2O3、CuO、Cr2O3、MnOx、CoO、NiO、As2O3
等が全体の1.0wt％程度以下含有されてもよい。
等が全体の1.0wt％程度以下含有されてもよい。
本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。
変調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情
報が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−
光変換して再生するものである。
このような磁性薄膜層４の材質としては、Gd、Tb等の
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。
希土類金属と好ましくはFe、Co等の遷移金属の合金をス
パッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したもの
である。
この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at％であるこ
とが好ましい。
とが好ましい。
そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび／
またはTbである。
またはTbである。
そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTb
FeCo等がある。
FeCo等がある。
なお、これら磁性薄膜層中には10at％以下の範囲でC
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。
r、Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、Ｖ、Ni、Cu、Zn、Ge、Au
等が含有されてもよい。
また、希土類元素として10at％以下の範囲でSc、Ｙ、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
このような磁性薄膜層の厚さは、通常、100〜10000Å
程度である。
程度である。
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプ
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−Tn、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−
Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeOx（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeOx＋PbOx（特許第974258号）、 TeOx＋VOx（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNx等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn−、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によ
って色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を
生じる合金などがある。
のものとして、例えば、 Te−Se、Te−Se−Sn、Te−Ge、Te−Tn、Te−Sn、Te−
Ge−Sb−Ｓ、Te−Ge−As−Si、Te−Si、Te−Ge−Si−S
b、Te−Ge−Bi、Te−Ge−In−Ga、Te−Si−Bi−Tl、Te
−Ge−Bi−In−Ｓ、Te−As−Ge−Sb、Te−Ge−Se−Ｓ、
Te−Ge−Se、Te−As−Ge−Ga、Te−Ge−Ｓ−In、Se−Ge
−Tl、Se−Te−As、Se−Ge−Tl−Sb、Se−Ge−Bi、Se−
Ｓ（以上、特公昭54−41902号、特許第1004835号など） TeOx（特開昭58−54338号、特許第974257号記載のTe
酸化物中に分散されたTe）、 TeOx＋PbOx（特許第974258号）、 TeOx＋VOx（特許第974257号）、その他、Te−Tl、Te
−Tl−Si、Se−Zn−Sb、Te−Se−Ga、TeNx等のTe、Seを
主体とするカルコゲン系 Ge−Sn、Si−Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag−Zn−、Ag−Al−Cu、Cu−Al等の結晶構造変化によ
って色変化を生じる合金、In−Sb等の結晶粒径の変化を
生じる合金などがある。
このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンプ
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。
レーティング法等のドライコーティング方式等を用いて
設層すればよい。そしてその設層厚さは20nm〜１μｍ程
度とされる。
基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂
材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリメチルベンテン樹脂などがあげられ
る。
材質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリメチルベンテン樹脂などがあげられ
る。
これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する
耐性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
耐性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。
この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポ
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に
芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中で
もビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最
も好ましく用いられる。
リカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳
香族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に
芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。中で
もビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は最
も好ましく用いられる。
また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,0
00〜15,000程度であることが好ましい。
00〜15,000程度であることが好ましい。
このような基板２の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59
程度である。
程度である。
なお、記録は基板２をとおして行うので、書き込みな
いし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
いし読み出し光に対する透過率は86％以上とする。
このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
トラッキング用の溝が形成されてもよい。
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n（ここ
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。
に、ｎは基板の屈折率である）とされる。また、溝の巾
は、0.4〜2.0μｍ程度とされる。
また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。
そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
記録トラック部として、書き込み光および読み出し光を
基板裏面側から照射することが好ましい。
このように構成することにより、書き込み感度と読み
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
出しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等
としてもよい。
としてもよい。
本発明においては磁性薄膜層４の上に基板裏面側保護
層35を設けてもよい。
層35を設けてもよい。
このような基板裏面側保護層35の材質としては、ガラ
ス質のものであれば特に制限はなく、保護層31と同様な
材質を用いてもよい。
ス質のものであれば特に制限はなく、保護層31と同様な
材質を用いてもよい。
この場合、好ましい保護層材質としては、特願昭61−
300859号、同61−302275号、同61−303224号、同61−30
7300号、同61−313614号、同61−313615号、同61−3149
49号、同61−314948号、同61−313720等が開示されてい
る。このとき、耐久性、耐食性はより優れたものとな
る。
300859号、同61−302275号、同61−303224号、同61−30
7300号、同61−313614号、同61−313615号、同61−3149
49号、同61−314948号、同61−313720等が開示されてい
る。このとき、耐久性、耐食性はより優れたものとな
る。
また、この基板裏面側保護層35は、前記の保護層31と
同材質にすることもできる。なお、場合によっては必要
に応じ、保護層31を前記と異なる組成とし、基板裏面側
保護層35のみを前記のSiと、M2と、Alおよび／またはＢ
と、Ｒと、Ｏと、Ｎとを含有する組成としてもよい。
同材質にすることもできる。なお、場合によっては必要
に応じ、保護層31を前記と異なる組成とし、基板裏面側
保護層35のみを前記のSiと、M2と、Alおよび／またはＢ
と、Ｒと、Ｏと、Ｎとを含有する組成としてもよい。
また、このような基板裏面側保護層35の形成方法は、
保護層31の方法に準じて行なえばよく、その膜厚は300
〜3000Å程度、特に500〜2000Åとすることが好まし
い。
保護層31の方法に準じて行なえばよく、その膜厚は300
〜3000Å程度、特に500〜2000Åとすることが好まし
い。
また、通常、基板裏面側保護層35上には、有機保護コ
ート層５が設けられる。
ート層５が設けられる。
有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種
々の有機系の物質を用いればよい。
々の有機系の物質を用いればよい。
より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
線等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネル
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
ギーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を
有すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入し
たモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げること
ができる。
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
合物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のもの
が用いられる。
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−
5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−
8060、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １）(CH2=CHCOOCH2)3-CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２）(CH2=CHCOOCH2)3-CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３）〔CH2=CHCO(OC3H6)n-OCH2〕3-CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
リコールジアクリレート、エチレングリコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
タクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステル
アクリレート（アロニックスＭ−7100、Ｍ−5400、Ｍ−
5500、Ｍ−5700、Ｍ−6250、Ｍ−6500、Ｍ−8030、Ｍ−
8060、Ｍ−8100等、東亜合成）、ウレタンエラストマー
（ニッポラン4040）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレー
ト）、下記一般式で示されるペンタエリスリトール縮合
環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 １）(CH2=CHCOOCH2)3-CCH2OH （特殊アクリレートＡ） ２）(CH2=CHCOOCH2)3-CCH2OH3 （特殊アクリレートＢ） ３）〔CH2=CHCO(OC3H6)n-OCH2〕3-CCH2CH3 （特殊アクリレートＣ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊
ペンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、 ｍ＝１、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｃという）、 ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝０の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｄという）、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
８）CH2=CHCOO-(CH2CH2O)4-COCH=CH2 （特殊アクリレートＨ） 12）ＡＭ−Ｎｎ−Ｍ−Ａ A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸 （特殊アクリレートＬ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによっ
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
て得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジ
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
カル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、
メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する
基を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂
である。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹
脂、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フ
ェノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができ
る。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂と
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
しては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（PVP
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。
の膜厚は0.1〜30μｍ、より好ましくは１〜10μｍであ
る。
この膜厚が0.1μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。また、30μｍをこ
えると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の
反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
このような塗膜は、通常、スピンコート、グラビア塗
布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の方
法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設層
条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ
等を考慮して適宜決定すればよい。
布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の方
法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設層
条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ
等を考慮して適宜決定すればよい。
このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
100〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
線硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えら
れる。
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アントラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アントラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量％の範
囲が望ましい。
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公
知の種々の方法に従えばよい。
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線
電球等を用いればよい。
電球等を用いればよい。
このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤
層６を介して保護板７が設けられる。
層６を介して保護板７が設けられる。
すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設け
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板７を用いる。
ていない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆ
る片面記録の場合には、この保護板７を用いる。
このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
求されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板
７として用いてもよい。
７として用いてもよい。
このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ
同様とされる。
同様とされる。
このような保護板７は、前述したように接着剤層６を
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。
介して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜100μｍ程度と
される。
他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄
膜層４、保護層31、基板裏面側保護層35、有機保護コー
ト層５等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性
薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼
り合せて、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわ
ゆる両面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基
板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側
の面）には各種保護膜といてのコーティングを行うこと
が好ましい。
膜層４、保護層31、基板裏面側保護層35、有機保護コー
ト層５等を有する基板をさらに１セット用いて、両磁性
薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層６を用いて貼
り合せて、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわ
ゆる両面記録タイプとしてもよい。さらに、これらの基
板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けていない側
の面）には各種保護膜といてのコーティングを行うこと
が好ましい。
コーティングの材質としては、前述した有機保護コー
ト層５の材質と同様なものとしてもよい。
ト層５の材質と同様なものとしてもよい。
Ｖ 発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録感度およびC/N比等の記
録、再生特性がきわめて良好であるそして耐久性、耐食
性もきわめて良好である。
録、再生特性がきわめて良好であるそして耐久性、耐食
性もきわめて良好である。
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
［実施例１］ 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールＡ系の光ディ
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上
に、各種酸化物および窒化物と、イットリウムおよびラ
ンタノイド元素とをターゲットとして用い、酸素および
窒素を含む雰囲気下で反応性の多元スパッタリングを行
い。ガラス質の保護層31を設層した。設層に際しては、
各ターゲットのスパッタレートを制御して、各酸化物お
よび各窒化物のスパッタレート（wt％）が各化合物の化
学量論組成に換算して、下記表１に示されるようになる
ようにスパッタリングを行った。
スクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板２上
に、各種酸化物および窒化物と、イットリウムおよびラ
ンタノイド元素とをターゲットとして用い、酸素および
窒素を含む雰囲気下で反応性の多元スパッタリングを行
い。ガラス質の保護層31を設層した。設層に際しては、
各ターゲットのスパッタレートを制御して、各酸化物お
よび各窒化物のスパッタレート（wt％）が各化合物の化
学量論組成に換算して、下記表１に示されるようになる
ようにスパッタリングを行った。
保護層組成について、オージェ分光分析を行い、保護
層中のR/Mと、Si/Nと、O/（Ｏ＋Ｎ）を算出して表１に
示す。なお、ＭはSiとアルカリ土類金属M2とAlおよび／
またはＢと、アルカリ金属M1との総計である。また、Ｒ
はイットリウムおよびランタノイド元素およびアクチノ
イド元素である。膜厚は各サンプルにつき全て800Åと
した。
層中のR/Mと、Si/Nと、O/（Ｏ＋Ｎ）を算出して表１に
示す。なお、ＭはSiとアルカリ土類金属M2とAlおよび／
またはＢと、アルカリ金属M1との総計である。また、Ｒ
はイットリウムおよびランタノイド元素およびアクチノ
イド元素である。膜厚は各サンプルにつき全て800Åと
した。
このような保護層の上に25at％Tb,63at％Fe,7at％Co,
5at％Ti合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Å
に設層し、磁性薄膜層４とした。
5at％Ti合金薄膜を、スパッタリングによって厚さ800Å
に設層し、磁性薄膜層４とした。
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Tiチッ
プをのせたものを用いた。
プをのせたものを用いた。
この磁性薄膜層４上に、さらに、表１に示されるNo.9
における保護層31の組成の基板裏面側保護層35を800Å
に設層した。
における保護層31の組成の基板裏面側保護層35を800Å
に設層した。
この基板裏面側保護層35の上に、下記の放射線硬化型
化合物を含む塗布組成物を有機保護コート層５として、
スピンコートで設層した。
化合物を含む塗布組成物を有機保護コート層５として、
スピンコートで設層した。
（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 ５重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射
し架橋硬化させ、硬化膜とした。
し架橋硬化させ、硬化膜とした。
このようにして、下記表１に示されるような種々のサ
ンプルを作製した。
ンプルを作製した。
これについて下記の特性を測定した。
（１）耐久性 ヒートサイクルテスト…IEC−２−38（−10℃〜60
℃、90％RH） 上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を測
定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック等が
バーストエラーの増加に寄与していた。
℃、90％RH） 上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を測
定した。この条件の場合主に膜のハクリ、クラック等が
バーストエラーの増加に寄与していた。
（２）耐食性 高温高湿（80℃、80％RH）保存テスト上記加速試験に
てバーストエラーが２倍となる時間を測定した。この条
件の場合主に孔食（ピンホール）の発生がバーストエラ
ーの増加に寄与していた。
てバーストエラーが２倍となる時間を測定した。この条
件の場合主に孔食（ピンホール）の発生がバーストエラ
ーの増加に寄与していた。
（３）C/N比 下記の条件にてC/N比を測定した。
線速 4m/Sec 搬送周波数 1.0MHz 分解能 30KHz ビデオバンド巾 100Hz 記録パワー（830nm） ３〜6mW 再生パワー（830nm） 1mW 結果を表１、２に示す。
なお、このような効果は、M2としてMg,Sr、ＲとしてL
a,Ce,Pr,Ndでも同等に実現した。また、相転移型のTe−
Ge、TeOx、Te−Se等の記録層でも同様に実現した。
a,Ce,Pr,Ndでも同等に実現した。また、相転移型のTe−
Ge、TeOx、Te−Se等の記録層でも同様に実現した。
以上の結果より本発明の効果は明らかである。
第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、２……基板、31……保護層、35
……基板裏面側保護層、４……磁性薄膜層、５……有機
保護コート層、６……接着剤層、７……保護板
である。 符号の説明 １……光磁気記録媒体、２……基板、31……保護層、35
……基板裏面側保護層、４……磁性薄膜層、５……有機
保護コート層、６……接着剤層、７……保護板
フロントページの続き (72)発明者 高山 勝 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−317941（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−316331（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−100250（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に記録層を有し、基板と記録層との
間および／または記録層の上に保護層を有する光記録媒
体において、 前記保護層が、ケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種
以上と、酸素および窒素とを含有し、さらにイットリウ
ムならびにランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジ
ム、サマリウムおよびユーロピウムから選ばれたランタ
ノイド元素のうちの１種以上とを含有し、 前記保護層中のイットリウムおよびランタノイド元素の
１種以上の含有量が、ケイ素とアルカリ土類金属元素の
１種以上との総計に対し、２〜250at％であり、 前記保護層中のケイ素およびアルカリ土類金属元素の１
種以上中のケイ素の原子比が、0.3〜0.9であり、 前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比が、0.
4〜0.8であり、 前記保護層中の窒化ケイ素の含有量がSi3N4換算で47wt
％以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】基板と記録層との間に保護層を有し、この
保護層がケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種以上
と、酸素および窒素とを含有し、さらにイットリウムお
よびランタノイド元素のうちの１種以上とを含有する特
許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】基板と記録層との間および記録層の上に保
護層を有し、少なくとも基板と記録層との間の保護層
が、ケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種以上と、酸
素および窒素とを含有し、さらにイットリウムおよびラ
ンタノイド元素のうちの１種以上とを含有する特許請求
の範囲第１項または第２項に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】基板上に記録層を有し、基板と記録層との
間および／または記録層の上に保護層を有する光記録媒
体において、 前記保護層がケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種以
上と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、酸素およ
び窒素とを含有し、さらにイットリウムならびにランタ
ン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウムお
よびユーロピウムから選ばれたランタノイド元素のうち
の１種以上とを含有し、前記保護層中のイットリウムお
よびランタノイド元素のうちの１種以上の含有量が、ケ
イ素と、アルカリ土類金属元素の１種以上と、アルミニ
ウムおよび／またはホウ素との総計に対し、２〜250at
％であり、 前記保護層中のケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種
以上と、アルミニウムおよび／またはホウ素中のケイ素
の原子比が、0.3〜0.9であり、 前記保護層中のアルミニウムおよび／またはホウ素のケ
イ素に対する原子比が、1.5以下であり、 前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比が、0.
4〜0.8であり、 前記保護層中の窒化ケイ素の含有量がSi3N4換算で47wt
％以下であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項５】基板と記録層との間に保護層を有し、この
保護層がケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種以上
と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、酸素および
窒素とを含有し、さらにイットリウムおよびランタノイ
ド元素のうちの１種以上とを含有する特許請求の範囲第
４項に記載の光記録媒体。 - 【請求項６】基板と記録層との間および記録層の上に保
護層を有し、少なくとも基板と記録層との間の保護層
が、ケイ素と、アルカリ土類金属元素の１種以上と、ア
ルミニウムおよび／またはホウ素と、酸素および窒素と
を含有し、さらにイットリウムおよびランタノイド元素
のうちの１種以上とを含有する特許請求の範囲第４項ま
たは第５項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62153028A JP2523329B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 光記録媒体 |
| US07/136,971 US4902584A (en) | 1986-12-25 | 1987-12-23 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62153028A JP2523329B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317942A JPS63317942A (ja) | 1988-12-26 |
| JP2523329B2 true JP2523329B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=15553388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62153028A Expired - Fee Related JP2523329B2 (ja) | 1986-12-25 | 1987-06-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523329B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100250A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 情報記録用材料 |
| JPS62180538A (ja) * | 1986-02-04 | 1987-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS62192043A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS62192944A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP62153028A patent/JP2523329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63317942A (ja) | 1988-12-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |