JPS63317942A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ用の媒体がある
。

光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡＩＬＧｅ、ＭｎＳｂ。

ＭｎＣｕＢ１．　　ＧｄＦｅ、　　ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、　　ＰｔＣｏ、　　ＴｂＣｏ。

ＴｂＦｅＣｏ、　　ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、ＧｄＩＧ、　　ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏＢ１．　　ＣｏＦｅ２　０４等の材料
が知られている。　これらは、真空蒸着法やスパッタリ
ング法等の方法で、プラスチックやガラス等の透明基板
上に薄膜として形成される。　これらの光磁気記録媒体
に共通している特性としては、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。

このような媒体に要求されることは、 第１に、キューリ一点が１００〜２００℃程度で、補償
点が室温付近であること、 第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第３に、比較的大面積にわたって磁気的、機緘的に均一
な膜が得られることがあげられる。

このような要求に答え、上記材料のなかて、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の基板側ないし基板
反対側表面に保護層を設けた構成を有するものが多く研
究されている。

従来、このような防湿性等の耐食性付与のための保護層
としては、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化アルミ、
窒化ケイ素、硫化亜鉛等の無機系の真空蒸着膜や樹脂膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。　しかし、これらは、いずれも未だ耐食性
あるいは膜と基板との密着性の点で満足できるものでは
ない。

また、一定の組成を有する無機ガラスを保護層に用いた
場合においても、媒体の耐久性、特に水分透過の防止、
接着性の向上環の改善がみられる旨の開示かなされてい
る（特開昭５９−５２４４３号公報、同第６０−１７７
４４９号公報）。

また、特開昭６０−１４５５２５号にはＳｉ３Ｎ４と５
ｉｎ２との混合膜を保護層として用いる旨の提案がなさ
れている。

しかしながら、光磁気記録媒体の耐久性および耐食性に
対する要求は厳しく、これらのものではその効果は十分
とはいえず、また記録の際の感度および再生の際のＣ／
Ｎ比の点でも満足のいくものではない。

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。

■　発明の目的 本発明の目的は、記録層の劣化が防止され、耐食性、耐
久性に優れ、記録、再生特性も良好な光記録媒体を提供
することにある。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明の第１の発明は、基板上に記録層を有
し、基板と記録層との間および／または記録層の上に保
護層を有する光記録媒体において、前記保護層が、ケイ
素と、２価の金属元素の１種以上と、酸素および窒素と
を含有し、さらにイツトリウム、ランタノイド元素およ
びアクチノイド元素のうちの１種以上とを含有すること
を特徴とする光記録媒体である。

また、第２の発明は、基板上に記録層を有し、基板と記
録層との間および／または記録層の上に保護層を有する
光記録媒体において、前記保護層がケイ素と、２価の金
属元素の１種以上と、アルミニウムおよび／またはホウ
素と、酸素および窒素とを含有し、さらにイツトリウム
、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうちの１
種以上を含有することを特徴とする光記録媒体である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具、体的構成について詳細に説明する。

本発明の光記録媒体のうち、光磁気記録媒体の一実施例
が第１図に示される。

第１図において、本発明の光磁気記録媒体１は、基板２
上に、保護層３１を有し、その上に記録層としての磁性
薄膜層４を有し、その上に基板裏面側保護層３５が設け
られる。

このような本発明の保護層３１は、ケイ素と、２価の金
属元素の１種以上と、酸素と、窒素と、イツトリウム、
ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうちの１種
以上とを含有する。

また、本発明の第２の発明では、保護層３１中にさらに
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有する。

このような各元素を含有させることによって、きわめて
良好な耐久性と耐食性とが発揮され、記録、再生特性も
優れたものとなる。

また、この場合、これら各必須元素の１つでも欠けたと
きには、本発明の効果は実現しない。

本発明において２価の金属元素（以下Ｍ２という）は、
Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ。

Ｓｒ等の１種以上が挙げられ、なかでも特にＢａ、Ｃａ
、Ｓｒの１〜３種を用いるのが好ましい。　これら２種
以上のＭ２を用いる場合、それぞれの量比は任意である
。

本発明においてはケイ素、２価の金属元素（Ｍ２）の１
種類以上、あるいはこれにアルミニウムおよび／または
ホウ素を加えたものの中の、ケイ素の原子比Ｓｔ／（Ｓ
ｉ＋ｕ２＋Ａｘおよび／またはＢ）が０．３〜０．９、
特に０．３〜０．８であることが好ましい。

Ｓ　ｉ　／　（Ｓ　ｉ　＋Ｍ２＋’Ａ１および／または
Ｂ）が０．３未満であると、耐食性の点で不利となり、
０．９をこえると安定性の点で不利となるからである。

また、酸素および窒素中の酸素の原子比０／（０＋Ｎ）
は０．４〜０．８、特に０．５〜０．８であることが好
ましい。

０／（０＋Ｎ）が０．４未満となると、耐食性の点で不
利となり、０．８をこえると電磁変換特性および耐久性
の点で不利となるからである。

本発明においては、金属または半金属元素としてさらに
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有してもよく、
アルミニウムおよび／またはホウ素を含有することによ
って耐食性がさらに向上する。

この場合、ホウ素および／またはアルミニウムのケイ素
に対する原子比（Ｂおよび／またはＡ　１１　）　／　
Ｓ　ｉは１．０以下、特に０．１〜１．０、より好まし
くは０．３〜１．０であることが好ましい。

（Ｂおよび／またはＡｆｉ）／Ｓｉが１．０をこえると
、耐食性、耐久性、膜の均一性の点で不利となる。　た
だし、０．１未満では添加の実効がない。

ＢとＡＩＬとを含有させる場合、互いの量比は任意であ
る。

なお、保護層中の各元素の含有量は、オージェ、ＥＳＣ
Ａ％ＳＩＭＳ％ＬＡＭＭＡ等によって測定すればよい。

このような場合、ケイ素、アルミニウムおよび／または
ホウ素、２価の金属（Ｍ２）の１種類以上は通常酸化物
および窒化物の形で含有され、ガラス質を形成する。

上記のガラス質中において、上記の各元素は、以下のよ
うに含有される。゛ まずＳｔは、通常Ｓｉの酸化物（通常、５ｉＯ２）およ
びＳｉの窒化物（通常、５ｉ３Ｎ４）、として含有され
る。　ま　た、２価の金属は通常酸化物（通常、ＢａＯ
。

ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＰｂＯ，ＳｒＯ等Ｍ２Ｏ）な
どとして含有される。

さらにＡｎおよび／またはＢが含有される場合は通常酸
化物（通常、Ａｕ２０３゜Ｂ２０３）や窒化物（通常、
ＡＲ，Ｎ、ＢＮ）として含有される。　すなわち、化学
量論組成で示すならば、５ｉ０２とＭ２Ｏとに加え、Ｓ
　１３　Ｎ４　、　Ａ１２０３．　Ａ１．Ｎ、　Ｂ２０
３およびＢＮの１種以上が含有されるものである。

これらの化合物は、その組成において上記の化学量論的
な組成比をはずれていてもよい。

そして、本発明において最終的に保護層中には、Ｓｉの
酸化物（Ｓ　ｉ　０２換算）対Ｓｉの窒化物（Ｓｉ３Ｎ
４換算）のモル比が５０対５０〜９０対１０程度である
。

さらにＡＩ！、および／またはＢが含有される場合は、
Ｓｉ、ＡＪＺおよびＢの酸化物の総計（Ｓ　ｉ　０２　
、　Ａ　ＩＬ２０３およびＢ２Ｏ３換算）対Ｓｉ、Ａｊ
２およびＢの窒化物の総計（Ｓｉ３Ｎ４．Ａ２Ｎおよび
ＢＮ換算）のモル比が５０対５０〜９０対１０程度であ
る。

この場合、化学量論組成で示したときのＡｌ１，０３と
Ｂ２Ｏ３との量比や、５ｉ３Ｎ４とＡｆｉＮとＢＮとの
量比は任意である。

本発明においては１価の金属元素Ｌｉ。

Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、好ましくはＬｉ、Ｎａ、
Ｋが通常酸化物の形で、例えばＬｉ２Ｏ，Ｎａ、、ｏ、
に２０．Ｒｂ２Ｏ。

Ｃｓ２Ｏ，Ｆｒ２０等として含有されていてもよい。　
これら１価の金属の酸化物の含有量は全体の１０ｗｔ％
以下とする。

このような保護層は、通常非晶質状態にある。

また、本発明の保護層は、上記非晶質に、イツトリウム
、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうちの１
種以上が含有される。

これらのうちでは、特にイツトリウムおよびランタノイ
ド元素のうちの１種類以上が含有されるのが好ましい。

これらを含有することによって、記録感度やＣ／Ｎ比が
より良好なものになる。

そして、特にイツトリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、
セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（
Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓ　ｍ　
）およびユーロピウム（Ｅｕ）からなる群から選ばれた
元素の１種以上が含有されると、より一層好ましい結果
が得られる。　このとき、記録感度、Ｃ／Ｎ比等の記録
、再生特性のみならず、耐久性、耐食性等の面でもより
良好な結果が得られるからである。

これら、イツトリウム、ランタノイド元素およびアクチ
ノイド元素の１種以上（以下これらをＲとする）は、保
護層中にて上記非晶質と混合含有されるものであるが、
元素単体あるいは化合物いずれかの形で含有されてもよ
い。　化合物として含有される場合は、通常酸化物の形
で含有されることが好ましい。

このような場合、記録、再生特性とともに耐食性や耐久
性を向上させるためには、」−記Ｒは、元素単体、ある
いは部分酸化物の形で含有されるのが好ましい。　これ
は、これら各元素が保護層中で酸素トラップの役割をし
、耐久性の向上に寄与するからである。

また、イツトリウム、ランタノイド元素およびアクチノ
イド元素の１種以上の含有量は、ケイ素、２価の金属の
１種以上、あるいはこれにアルミニウムおよび／または
ホウ素を加えたものに対し、２〜２５０　ａｔ％より好
ましくは２〜２１２ａｔ％である。　これは２ａｔ％未
満であると本発明の効果が無く、２５０　ａｔ％をこえ
るとＣ／Ｎ比の低下を生ずるからである。

なお、上記のイツトリウム、ランタノイド元素およびア
クチノイド元素は一般に各元素の化学量論組成酸化物（
一般にＹ２Ｏ２、Ｌａ２Ｏ３等のＲ２Ｏ３、ただし、Ｃ
ｅはＣｅ０２）に対し、酸素量が９０％以下の単体また
は酸化物として含有されることが好ましい。

このような保護層は、通常非晶質状態にある。

また、このような保護層は、各種気相成膜法、例えば、
スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法、プラズ
マＣＶＤ、光ＣＶＤ。

等により設層される。　特にスパッタ法を用いることが
好ましく、この場合設層されるべき組成に対応するター
ゲットを用いるスパッタ法、２種以上の異なる組成から
なるターゲットを用いた多元スパッタ法、あるいは酸素
、窒素を用いる反応性スパッタ法等によって形成される
。

そして、特に、上記ガラス貿と、イツトリウム、ランタ
ノイド元素、およびアクチノイド元素のうちの１種以上
をターゲットとして用いる２元スパッタ法を用いること
が好ましい。

そして、このような保護層の厚さは、 ３００〜３０００人、特に５００〜２０００人とするこ
とが好ましい。

この値が３００人未満であると、耐候性が悪く、また３
０００人をこえると、感度が低下する。

また、保護層中の不純物として、成膜雰囲気中に存在す
るＡｒ、Ｎ２等が入ってもよい。

その他、Ｆ　ｅ２０３　、　Ｃｕｏ、　Ｃｒ　２０３、
Ｍｎ０Ｘ、Ｃｏｏ、Ｎｉｐ、Ａｓ２Ｏ３等が全体の１．
Ｏｗｔ％程度以下含有されてもよい。

本発明において記録層として用いる磁性薄膜層４は、変
調された熱ビームあるいは変調された磁界により、情報
が磁気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光
変換して再生するものである。

このような磁性薄膜層４の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希土類金属と好ましくはＦｅ、Ｃｏ等の遷移金属の合
金をスパッタ、蒸着法等により、非晶質膜として形成し
たものである。

この場合、ＦａとＣｏの総合有量は、６５〜８５ａｔ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅＣｏ、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性薄膜層中には１０ａｔ％以下の範囲で
Ｃｒ、Ａｌ２．Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ。

Ｍｏ、　　Ｍｎ、　　Ｖ、　　Ｎｉ、　　Ｃｕ、　　Ｚ
ｎ、　　Ｇｅ。

Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希土類元素として１０”ａｔ％以下の範囲でＳｃ
、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。

３ｍ％　Ｅｕ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｅｒ、　　Ｔ
ｍ、　　Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の厚さは、通常、１００〜１００
００Ａ程度である。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔ　ｅ　−Ｓ　ｅ　、　　Ｔ　ｅ　−Ｓ　ｅ　−Ｓ　ｎ
　、　Ｔ　ｅ　−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｔｎ、Ｔｅ−３ｎ、Ｔｅ
−Ｇｅ　−５ｂ−３，Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ−３ｉ、Ｔｅ　
−３ｉ、　Ｔｅ−Ｇｅ−３１−３ｂ、　Ｔｅ−Ｇｅ　−
Ｂｉ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｇａ、Ｔｅ−３ｔ　−Ｂ　１
−Ｔ１１．、　　Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ　ｉ　−Ｉ　ｎ−３゜
Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−３ｂ、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｅ　−５，Ｔ
ｅ−Ｇｅ−３ｅ、Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ　−Ｇａ、Ｔｅ−Ｇ
ｅ−３−Ｉｎ％　５ｅ−Ｇｅ　−Ｔｌ１％　５ｅ−Ｔｅ
−Ａｓ、　　５ｅ−Ｇｅ−Ｔ　Ｉ！、−３ｂ、５ｅ−Ｇ
ｅ−Ｂｉ、５ｅ−３（以上、特公昭５４−４１９０２号
、特許第１００４８３５号など） ＴｅＯＸ　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４
２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）、 Ｔ　ｅ　Ｏ，＋　Ｐ　ｂ　Ｏ，（特許第９７４２５８号
）、 Ｔｅａ、＋ＶＯＸ　（特許第９７４２５７号）、その他
、Ｔｅ−Ｔｌ１、Ｔｅ−Ｔｌ−３ｉ、５ｅ−Ｚｎ−３ｂ
、Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮＸ等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−３ｎ、５ｉ−３ｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−Ｚｎ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｎ等の結晶構
造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−３ｂ等の結
晶粒径の変化を生じる合金などがある。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。　そしてその設層厚さは２０ｎｍ〜１戸
程度とされる。

基板２は、ガラスないし樹脂製であり、好ましい樹脂材
質としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂などがあげられる
。

これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。

この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。　こ
れらのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフ
ェノールがらのポリカーボネート樹脂が好ましい。　中
でもビスフェノールＡタイプのポリカーボネート樹脂は
最も好ましく用いられる。

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は１．１０
，０００〜１５，０００程度であることか好ましい。

このような基板２の８３０　ｎｍの屈折率は通常１．５
５〜１．５９程度である。

なお、記録は基板２をとおして行うのて、書き込みない
し読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

このようなディスク耽基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特に＾／　６　ｎ〜λ
／１ｚｎ（ここに、ｎは基板の屈折率である）とされる
。　また、溝の巾は、０．４〜２．０−程度とされる。

また、アドレス用のピットが形成されていてもよい。

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明においては磁性薄膜層４の上に基板裏面側保護層
３５を設けてもよい。

このような、基板裏面側保護層３５の材質としては、ガ
ラス質のものであれば特に制限はなく、保護層３１と同
様な材質を用いてもよい。

この場合、好ましい保護層材質としては、特願昭６１−
３００８５９号、同６１−３０２２７５号、同６１−３
０３２２４号、同６１−３０７３００号、同６１−３１
３６１４号、同６１−３１３６１５号、同６１−３１４
９４９号、同６ｍ−３１４９４８号、同６１−３１３７
２０等が開示されている。　このとき、耐久性、耐食性
はより優れたものとなる。

また、この基板裏面側保護層３５は、前記の保護層３１
と同材質にすることもできる。　なお、場合によっては
必要に応じ、保護層３１を前記と異なる組成とし、基板
裏面側保護層３５のみを前記のＳｉと、Ｍ２と、ＡＩ！
、および／またはＢと、Ｒと、０と、Ｎとを含有する組
成としてもよい。

また、このような基板裏面側保護層３５の形成方法は、
保護層３１の方法に準じて行なえばよく、その膜厚は３
００〜３０００人程度、特に５００〜２０００人とする
ことか好ましい。

また、通常、基板裏面側保護層３５上には、有機保護コ
ート層５が設けられる。

有機保護コート層５の材質としては、通常、公知の種々
の有機系の物質を用いればよい。

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
ずアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。

放射線硬化型モノマーとしては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００
００のものが用いられる。

これらはスチレン、エヂルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエヂレングリコールジアクリレート、ジエヂ
レンク′リコールメタクリレート、１．６−ヘキサンゲ
リコールシアクリレート、１．６−ヘキサンダリコール
ジメタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいもの
としては、ベンタエリスリトールテトラアクリレート（
メタクリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート
（メタクリレ−日、トリメチロールプロパントリアクリ
レート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジ
アクリレート（メタクリレート）、多官能オリゴエステ
ルアクリレート（アロニックスＭ− ７１００、Ｍ−５４００，Ｍ−５５００，Ｍ−５７００
、Ｍ−６２５０％Ｍ−６５００，Ｍ−８０３０、Ｍ−８
０６０，Ｍ−８１００等、東亜合成）、ウレタンエラス
トマーにツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるい
はこれらのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの
、フェノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（
メタクリレート）、下記一般式で示されるペンタエリス
リトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε
−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＣＯ（ＯＣ３Ｈｓ）ｎ−ＯＣ
Ｈ２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） ■ ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００Ｃ）ｍ＝Ｃ）（２ （特殊アクリレートＦ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタ
エリスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝１、ａ＝６、ｂ
＝ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物
Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、
特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下
記式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられ
る。

（ｎ中１６）　　　　　　　（特殊アクリレートＧ）８
）　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ２ＣＨ２０）４　　Ｃ
０ＣＲ＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） ＣＨ２ＣＨ２Ｃ００ＣＨ＝ＣＨ２ （特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） Ａ；アクリノ４、　　　ｘ：多価アルコールＹ：多塩基
酸　　　　　（特殊アクリレートＫ）１２）　　　Ａ（
−Ｍ−Ｎ−）−Ｍ−ＡＡニアクリル酸、　　Ｍ：２価ア
ルコールＮ：２塩基酸　　　　　（特殊アクリレートし
）また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式
で示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられ
る。

（式中Ｒ１、Ｒ２：アルキル、ｎ：整数）また、熱可塑
性樹脂を放射線感応変性することによって得られる放射
線硬化型化合物を用いてもよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのてきる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の有機保護コート層５の
膜厚は０．１〜３０μｍ、より好ましくは１〜１０μｍ
である。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
磁性薄膜層４の耐久性が向上しない。　また、３０μｍ
をこえると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒
体の反りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない
。

このような塗膜は、通常、スピンコード、クラビア塗布
、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の方法
を組み合わせて設層ずればよい。　この時の塗膜の設層
条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚さ
等を考慮して適宜決定すればよい。

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子線
、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧１
００〜７５０ＫＶ、好ましくは１５０〜３００ＫＶの放
射線加速器を用い、吸収線量を０．５〜２０メガラツト
になるように照射するのが好都合である。

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノヘンソフェノン等のケトン
類、アントラキノン、フエナントラキノン等のキノン類
、ベンジルジスルフィド、テトラメヂルチウラムモノス
ルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。　
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、０．１〜１０重量％
の範囲が望ましい。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

このような有機保護コート層５の上には、通常接着剤層
６を介して保護板７が設けられる。

すなわち、前記の基板２の裏面（磁性薄膜層４を設けて
いない側の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合には、この保護板７を用いる。

このような保護板７の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン
、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール
、ふフ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、
ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、
アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板７
として用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板２のそれとほぼ同
様とされる。

このような保護板７は、前述したように接着剤層６を介
して接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹
脂等の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度
とされる。

他方、上記の保護板７を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層４、保護層３１、基板裏面側保護層３５、有機保護コ
ート層５等を有する基板をさらに１セツト用いて、陶磁
性薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層６を用いて
貼り合せて、内基板の裏面側から書き込みを行なう、い
わゆる両面記録タイプとしてもよい。　さ　らに、これ
らの基板２や保護板７の裏面（磁性薄膜層４を設けてい
ない側の面）には各種保護服としてのコーティングを行
うことが好ましい。

コーティングの材質としては、前述した有機保護コート
層５の材質と同様なものとしてもよい。

■　発明の効果 本発明の光記録媒体は、記録感度およびＣ／Ｎ比等の記
録、再生特性がきわめて良好であるそして耐久性、耐食
性もきわめて良好である。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。

［実施例１］ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのビスフェノールＡ系の
光デイスクグレードポリカーボネート樹脂からなる基板
２上に、各種酸化物お足び窒化物と、イツトリウム、ラ
ンタノイド元素およびアクチノイド元素とをターゲット
として用い、酸素および窒素を含む雰囲気下で反応性の
多元スパッタリングを行い、ガラス質の保護層３１を設
層した。　設層に際しては、各ターゲットのスパッタレ
ートを制御して、各酸化物および各窒化物のスパッタレ
ート（ｗｔ％）が各化合物の化学量論組成に換算して、
下記表１に示されるようになるようにスパッタリングを
行った。

保護層組成について、オージェ分光分析を行い、保護層
中のＲ／Ｍと、Ｓ　ｉ　／　Ｎと、０／（０＋Ｎ）を算
出して表１に示す。　なお、ＭはＳｉと２価の金属Ｍ２
とＡｆｉおよび／またはＢと、アルカリ金属Ｍｌとの総
計である。　また、Ｒはイツトリウム、ランタノイド元
素およびアクチノイド元素である。　膜厚は各サンプル
につき全て８００人とした。

このような保護層の上に２５ａｔ％Ｔｂ。

６３ａｔ％Ｆｅ、７ａｔ％Ｃｏ、５ａｔ％Ｔｉ合金薄膜
を、スパッタリングによって厚さ８００人に設層し、磁
性薄膜層４とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｔ
ｉチップをのせたものを用いた。

この磁性薄膜層４上に、さらに、表１に示されるＮＯ１
９における保護層３１の組成の基板裏面側保護層３５を
８００人に設層した。

この基板裏面側保護層３５の上に、下記の放射線硬化型
化合物を含む塗布組成物を有機保護コート層５として、
スピンコードで設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート １００重量部 光増感剤　　　　　　　　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、紫外線を１５ｓｅｃ照射し架橋硬
化させ、硬化膜とし耽 このようにして、下記表１に示されるような種々のサン
プルを作製した。

これについて下記の特性を測定した。

（１）耐久性 ビートサイクルテスト・・・ｌＥＣ−１−３８（−１０
℃〜６０℃、９０％ＲＨ） 上記加速試験にてバーストエラーが２倍となる時間を測
定した。　この条件の場合主に膜のパクリ、クラック等
がバーストエラーの増加に寄与していた。

（２）耐食性 高温高湿（８０℃、８０％ＲＨ）保存テスト上記加速試
験にてバーストエラーが２倍となる時間を測定した。　
この条件の場合主に孔食（ピンホール）の発生がバース
トエラーの増加に寄与していた。

（３）Ｃ／Ｎ比 下記の条件にてＣ／Ｎ比を測定した。

線速　　　　　　　　　　　４　ｍ　／　Ｓ　ｅ　ｃ搬
送周波数　　　　　　　　１．０ＭＨｚ分解能　　　　
　　　　　　　３０ＫＨｚビデオバンド巾　　　　　　
　１００Ｈｚ記録パワー（８３０ｎｍ）　　　３〜６ｍ
Ｗ再生パワー（８３０ｎｍ）　　　　　　１ｍＷ結果を
表１．２に示す。

なお、このような効果は、相転移型のＴｅ−Ｇｅ、Ｔｅ
ａＸ、Ｔｅ−３ｅ等の記録層でも同様に実現した。

以上の結果より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の１例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 １・・・光磁気記録媒体、 ２・・・基板 ３１・・・保護層、 ３５・・・基板裏面側保護層、 ４・・・磁性薄膜層、 ５・・・有機保護コート層、 ６・・・接着剤層、 ７・・・保護板 Ｆ　Ｉ　Ｇ、　１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基板上に記録層を有し、基板と記録層との間およ
   び／または記録層の上に保護層を有する光記録媒体にお
   いて、前記保護層が、ケイ素と、２価の金属元素の１種
   以上と、酸素および窒素とを含有し、さらにイットリウ
   ム、ランタノイド元素およびアクチノイド元素のうちの
   １種以上とを含有することを特徴とする光記録媒体。 （２）前記保護層中のイットリウム、ランタノイド元素
   およびアクチノイド元素の１種以上の含有量が、ケイ素
   と２価の金属元素の１種以上との統計に対し、２〜２５
   ０ａｔ％含有される特許請求の範囲第１項に記載の光記
   録媒体。 （３）前記保護層中のケイ素および２価の金属元素の１
   種以上中のケイ素の原子比が、 ０．３〜０．９である特許請求の範囲第１項または第２
   項に記載の光記録媒体。 （４）前記保護層中の酸素および窒素中の酸素の原子比
   が、０．４〜０．８である特許請求の範囲第１項ないし
   第３項のいずれかに記載の光記録媒体。 （５）基板と記録層との間に保護層を有し、この保護層
   がケイ素と、２価の金属元素の１種以上と、酸素および
   窒素とを含有し、さらにイットリウム、ランタノイド元
   素およびアクチノイド元素のうちの１種以上とを含有す
   る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載
   の光記録媒体。 （６）基板と記録層との間および記録層の上に保護層を
   有し、少なくとも基板と記録層との間の保護層が、ケイ
   素と、２価の金属元素の１種以上と、酸素および窒素と
   を含有し、さらにイットリウム、ランタノイド元素およ
   びアクチノイド元素のうちの１種以上とを含有する特許
   請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の光記
   録媒体。 （７）基板上に記録層を有し、基板と記録層との間およ
   び／または記録層の上に保護層を有する光記録媒体にお
   いて、前記保護層がケイ素と、２価の金属元素の１種以
   上と、アルミニウムおよび／またはホウ素と、酸素およ
   び窒素とを含有し、さらにイットリウム、ランタノイド
   元素およびアクチノイド元素のうちの１種以上とを含有
   することを特徴とする光記録媒体。 （８）前記保護層中のイットリウム、ランタノイド元素
   およびアクチノイド元素のうちの１種以上の含有量が、
   ケイ素と、２価の金属元素の１種以上と、アルミニウム
   および／またはホウ素との総計に対し、２〜２５０ａｔ
   ％含有される特許請求の範囲第７項に記載の光記録媒体
   。 （９）前記保護層中のケイ素と、２価の金属元素の１種
   以上と、アルミニウムおよび／またはホウ素中のケイ素
   の原子比が、０．３〜０．９である特許請求の範囲第７
   項にまたは第８項に記載の光記録媒体。 （１０）前記保護層中のアルミニウムおよび／またはホ
   ウ素のケイ素に対する原子比が、１．５以下である特許
   請求の範囲第７項にないし第９項のいずれかに記載の光
   記録媒体。（１１）前記保護層中の酸素および窒素中の
   酸素の原子比が、０．４〜０．８である特許請求の範囲
   第７項ないし第１０項のいずれかに記載の光記録媒体。 （１２）基板と記録層との間に保護層を有し、この保護
   層がケイ素と、２価の金属元素の１種以上と、アルミニ
   ウムおよび／またはホウ素と、酸素および窒素とを含有
   し、さらにイットリウム、ランタノイド元素およびアク
   チノイド元素のうちの１種以上とを含有する特許請求の
   範囲第７項ないし第１１項のいずれかに記載の光記録媒
   体。 （１３）基板と記録層との間および記録層の上に保護層
   を有し、少なくとも基板と記録層との間の保護層が、ケ
   イ素と、２価の金属元素の１種以上と、アルミニウムお
   よび／またはホウ素と、酸素および窒素とを含有し、さ
   らにイットリウム、ランタノイド元素およびアクチノイ
   ド元素のうちの１種以上とを含有する特許請求の範囲第
   ７項ないし第１２項のいずれかに記載の光記録媒体。